분해능 향상 기술;RET

분해능 향상 기술;RET

1. 전자부품
   1. 포토마스크
      1. 분해능 향상 기술;RET - 이 페이지
2. OAI; Off-Axis Illumination
   1. 빛을 경사지게 입사시키는 방법이다. 원형조리개를 4개구멍조리개(quadruple)로 교체한다.
   2. NA와 DOF 모두 개선할 수 있다.
3. OPC; Optical Proximity Correction Mask 광 근접 보정 마스크
   1. 위키페디아 Optical proximity correction https://en.wikipedia.org/wiki/Optical_proximity_correction
      1. 소프트웨어 제공업체: mentor, synopsys, Brion
   2. 관련자료
      1. SLM=Spatial Light Modulator - 73p
      2. SAW 필터에서 논문
   3. 관련 기술을 제공하는 회사
      1. 포트로닉스(Photronics) https://www.photronics.com/
         1. 제조방법
            1. (주로) 전자빔 노광(electron beam lithography;EBL) 장치로 패터닝을 한다. 레이저는 해상도가 낮기 때문에 저렴하다.
            2. 가는 선을 위해 CAR(chemically amplified resist;화학증폭형 레지스트)이 발라진 레지스트를 사용한다.
               1. CAR은 DUV 파장인 KrF 및 ArF 노광기에 적용되는 포토레지스트이다.
               2. CAR 역시 EBL에 적용된다.
      2. 시높시스
         1. 2023/12/13 Theelec 기사
            1. 머신러닝(machine learning;ML) 모델을 적용하여 계산한다.
            2. 역사
               1. 1990년 중반 처음으로 도입.
               2. 초기에는 룰 테이블에 변수를 입력하는 방식(rule based segment correction), 모델 베이스 기반(model based segment correction), 인버스 리소그래프 테크닉(inverse lithography technique;ILT) 방식이 사용됨.
               3. 모델베이스는 수학적 모델을 사용하고, ILT 방식은 픽셀로 세분화한 후 토폴로지를 변경하는 방법이다.
               4. ML 방식은 사전 트레이닝이 필요하지만, 빠르게 계산한다.
         2. 2020년 기준으로 10nm 공정 1mm x 1mm 레이아웃이 필요한 칩을 만드는 마스크 1장당 5일 걸리는 작업이다.
            1. 이를 ML으로 수행하면 1일 걸린다.
4. PSM; Phase-Shift Masks 위상 변이 마스크
   1. 위키페디아 Phase-shift mask https://en.wikipedia.org/wiki/Phase-shift_mask
      1. 해상도를 높이고, 초점심도를 확장시킬 수 있다.
   2. 관련 기술을 제공하는 회사
      1. 포트로닉스(Photronics) https://www.photronics.com/
         1. extreme ultraviolet(EUV)용 포토마스크를 위해서
            1. KrF 및 ArF 노광을 위해서는 embedded attenuated phase-shift masks(EAPSM) 기술을 적용한 마스크를 사용한다.
            2. 6% 투과율을 갖는 MoSiON absorber를 적용하여 180도 위상변이를 발생시킨다.
         2. 제조방법
            1. 전자빔 또는 레이저로 상단 크롬층을 식각한다.
            2. ICP 식각공정으로 크롬층 아래에 MoSiON 패턴을 생성시킨다.
            3. 다시 레지스트를 코팅한 후, 레이저 패터닝 도구로 2차 노광을 하여 위상 변이 패턴을 정의한다.