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<li>용량이 크지 않기 때문에, stack하여 고밀도 패키징을 한다. | <li>용량이 크지 않기 때문에, stack하여 고밀도 패키징을 한다. | ||
<li>저손실은 낮은 ESL 및 ESR에 의해 구현된다. 열이 적게 발생하므로 에너지 효율이 높아 더 많은 전력을 처리한다. | <li>저손실은 낮은 ESL 및 ESR에 의해 구현된다. 열이 적게 발생하므로 에너지 효율이 높아 더 많은 전력을 처리한다. | ||
− | <li>어떤 1.4uF 제품에서는 수백kHz에서의 ESL이 1.6nH에서 0.4nH로, 1.3m오옴에서 0. | + | <li>어떤 1.4uF 제품에서는 수백kHz에서의 ESL이 1.6nH에서 0.4nH로, 1.3m오옴에서 0.35mΩ으로 낮다. |
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− | <li>USB 전원 DC-DC 컨버터 (5V를 3.3V로) | + | <li>USB 전원 [[DC-DC 컨버터]] (5V를 3.3V로) |
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image:8960_26_016.jpg | 각노드별로 접지와 최단거리로 노이즈제거 MLCC를 붙임. | image:8960_26_016.jpg | 각노드별로 접지와 최단거리로 노이즈제거 MLCC를 붙임. | ||
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− | <li> [[8960]] | + | <li> [[Agilent 8960 무선통신 테스트 세트]], Frequency Synthesizer/Doubler 보드에서 |
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+ | <li> [[Agilent J1981B 음성 품질 테스터]] | ||
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<li> EPON ONT [[텔리언 EP-3201N]] 메가패스 광통신 단말기에서 CPU주변 | <li> EPON ONT [[텔리언 EP-3201N]] 메가패스 광통신 단말기에서 CPU주변 | ||
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− | image:ont_megapass_012.jpg | CPU | + | image:ont_megapass_012.jpg | CPU 뒷면[[SDRAM]] 및 커패시터 |
image:ont_megapass_013.jpg | [[MLCC]] | image:ont_megapass_013.jpg | [[MLCC]] | ||
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image:am3_01_011.jpg | CPU소켓 뒷면 | image:am3_01_011.jpg | CPU소켓 뒷면 | ||
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− | <li>2007년 07월 출시 | + | <li>2007년 07월 출시 [[Fujitsu E8410 노트북]] |
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image:fujitsue8410_058.jpg | CPU 뒤 C | image:fujitsue8410_058.jpg | CPU 뒤 C | ||
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− | <li>삼성전자 LN32N71BD | + | <li> [[삼성전자 LN32N71BD LCD TV]], 주제어기판에서 |
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image:j1409a00_028_036.jpg | ASIC 밑 [[MLCC]] | image:j1409a00_028_036.jpg | ASIC 밑 [[MLCC]] | ||
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− | <li>체어맨 자동차, 주간상시LED등, DC-DC | + | <li>체어맨 자동차, 주간상시LED등, [[DC-DC 컨버터]]에서 |
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<li>핸드폰에서 | <li>핸드폰에서 | ||
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− | <li>2020 삼성 갤럭시 A51 | + | <li>2020.05 출시 [[삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰]] |
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image:sm_a516n_062.jpg | 적층형 [[파워 인덕터]] 및 평활용 [[MLCC]] | image:sm_a516n_062.jpg | 적층형 [[파워 인덕터]] 및 평활용 [[MLCC]] | ||
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<li>각진 [[MLCC]] (연마하지 않아) | <li>각진 [[MLCC]] (연마하지 않아) | ||
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− | <li>만도 KMD-100 | + | <li> [[만도 KMD-100 RF하이패스 단말기]] - 24핀 단자로 연결되는 DC 입력 [[MLCC]] |
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image:hipass_rf01_052.jpg | 표면에 주름잡히고 각진 [[MLCC]] | image:hipass_rf01_052.jpg | 표면에 주름잡히고 각진 [[MLCC]] | ||
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<li>큰 [[MLCC]] | <li>큰 [[MLCC]] | ||
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− | <li> | + | <li> [[IT Telecom ITT-RSE2F 하이패스 노변장치]] |
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<li>세트에서 사진 | <li>세트에서 사진 | ||
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− | image:dsrc_rse02_021.jpg | GDT, 5.7x5.0x2.3mm 5uF(1kHz), CMF | + | image:dsrc_rse02_021.jpg | 외부 DC 전원선과 연결되는 곳에서 [[GDT]], 5.7x5.0x2.3mm 5uF(1kHz) [[MLCC]], [[CMF]] |
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<li>임피던스, IR(시간,전압에 따라) 측정 - 대충측정 | <li>임피던스, IR(시간,전압에 따라) 측정 - 대충측정 | ||
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− | <li> [[8960]] | + | <li> [[Agilent 8960 무선통신 테스트 세트]], Audio 보드에서 |
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image:8960_23_013.jpg | 폭이 넓은, 큰 [[MLCC]], 4.5x6.4mm로 추측(길면 부러지기 때문에?) | image:8960_23_013.jpg | 폭이 넓은, 큰 [[MLCC]], 4.5x6.4mm로 추측(길면 부러지기 때문에?) | ||
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<li>기구물을 설치할 수 있도록 복잡한 형태로 만든 | <li>기구물을 설치할 수 있도록 복잡한 형태로 만든 | ||
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− | <li> [[ | + | <li> [[가변 커패시터]]가 위에 올라가는 |
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2025년 3월 23일 (일) 21:54 기준 최신판
MLCC
- 전자부품
- 고전압 MLCC
- Dielectric thickness vs. rated voltage for a typical ceramic dielectric used in MLCCs - 12p
- 기술정보
- 용량
- 업계용어: 고용량 < 대용량 < 초고용량 (????)
- 용도
- RF용
- 저손실
- 노이즈 제거용(필터용)
- AC 라인인 경우
- 높은 절연저항
- 낮은 ESR
- 임펄스 내전압
- AC 라인인 경우
- 평활용(DC-DC 컨버터용)
- 기본
- DC bias에서 용량저하(전압이 높아질수록 50%까지 낮아짐)
- 사용온도에서 용량 변화(상온이 최대, 고온 및 저온에서 저하). 이는 유전율이 큰 재료일 때 변화가 매우 심하다.
- 스위칭 회로에서
- C0G 재료를 사용하면, DC bias에 강해 높은 리플전류를 감당한다. -55~+150'C 작동범위에서 용량변화가 없다. 500V~1700V에서 사용할 수 있다.
- 용량이 크지 않기 때문에, stack하여 고밀도 패키징을 한다.
- 저손실은 낮은 ESL 및 ESR에 의해 구현된다. 열이 적게 발생하므로 에너지 효율이 높아 더 많은 전력을 처리한다.
- 어떤 1.4uF 제품에서는 수백kHz에서의 ESL이 1.6nH에서 0.4nH로, 1.3m오옴에서 0.35mΩ으로 낮다.
- 기본
- 에너지 저장용(CPU, AP 옆에서)
- Low ESL
- RF용
- 크기 - EIA inch code, LxW inch, IEC/EN metric code, LxW mm
- 01005 0.016x0.0079 0402 0.4x0.2
- 015015 0.016x0.016 0404 0.4x0.4
- 0201 0.024x0.012 0603 0.6x0.3
- 0202 0.02x0.02 0505 0.5x0.5
- 0302 0.03x0.02 0805 0.8x0.5
- 0303 0.03x0.03 0808 0.8x0.8
- 0504 0.05x0.04 1310 1.3x1.0
- 0402 0.039x0.020 1005 1.0x0.5
- 0603 0.063x0.031 1608 1.6x0.8
- 0805 0.079x0.049 2012 2.0x1.25
- 1008 0.098x0.079 2520 2.5x2.0
- 1111 0.11x0.11 2828 2.8x2.8
- 1206 0.126x0.063 3216 3.2x1.6
- 1210 0.126x0.10 3225 3.2x2.5
- 1410 0.14x0.10 3625 3.6x2.5
- 1515 0.15x0.15 3838 3.81x3.81
- 1806 0.18x0.063 4516 4.5x1.6
- 1808 0.18x0.079 4520 4.5x2.0
- 1812 0.18x0.13 4532 4.5x3.2
- 1825 0.18x0.25 4564 4.5x6.4
- 2010 0.20x0.098 5025 5.0x2.5
- 2020 0.20x0.20 5050 5.08x5.08
- 2220 0.225x0.197 5750 5.7x5.0
- 2225 0.225x0.25 5664/5764 5.7x6.4
- 2512 0.25x0.13 6432 6.4x3.2
- 2520 0.25x0.197 6450 6.4x5.0
- 2920 0.29x0.197 7450 7.4x5.0
- 3333 0.33x0.33 8484 8.38x8.38
- 3640 0.36x0.40 9210 9.2x10.16
- 4040 0.4x0.4 100100 10.2x10.2
- 5550 0.55x0.5 140127 14.0x12.7
- 8060 0.8x0.6 203153 20.3x15.3
- 신뢰성 자료
- 기술자료
- 부하수명
- 고온부하 및 내습부하에서 품질차이를 가장 쉽게 파악할 수 있다.
- 두번째로 열충격 시험이다.
- 크랙
- 이 또한 품질 차이를 쉽게 파악할 수 있다.
- 부하수명
- 크랙
- 기술자료
- - 73p
- - 16p
- polymer terminations = soft terminations
- 회사별
- - 9p
- - 7p , - 2p
- - 6p
- - 8p
- - 12p
- 설명
- 보드가 휨에 따라 MLCC 크랙을 예방하기 위함이다.
- 외부 소성 전극(Cu)에 전도성 고분자를 덧입히고, 도금 전극(Ni,Sn)을 형성한다.
- Vishay 회사는 이를 OMD(open-mode design) 기술이라고 한다. Novacap(Knowles):FlexiCap, AVX:FlexiTerm, Johnson:PolyTerm
- 회사별
- 기술자료
- 기술자료
- ESR
- 09/02/17 Is 0.1μF sufficient for bypass capacitor? - 6p, TAIYO YUDEN Navigator vol.2
- 측정
- 17/03/08
- 측정 엑셀 데이터
- 사진
- 16/11/18 X-TAL 매칭용 MLCC 온도 측정
- 10pF/22pF 온도 측정 데이터
- 16/11/22
- 사진
- 10pF/22pF 온도 측정 데이터
- 17/03/08
- 구조(측면, 절단면) 사진
- 용량
- 칩
- 사용되고 있는 일반적인 MLCC 사진
- 노이즈 제거를 위해 MLCC를 접지에 납땜함.
- 8960 무선통신 테스트세트에서
- 보드-1
- Demodulation Downconverter에서
- Agilent 8960 무선통신 테스트 세트, Frequency Synthesizer/Doubler 보드에서
- Agilent J1981B 음성 품질 테스터
- 8960 무선통신 테스트세트에서
- EPON ONT 텔리언 EP-3201N 메가패스 광통신 단말기에서 CPU주변
CPU 뒷면SDRAM 및 커패시터
- CPU가 장착되는 메인보드에서
- 참고 low ESL
- AMD Athlon II x2 260 3.2 Ghz Dual Core ADX2600CK23GM
- 2007년 07월 출시 Fujitsu E8410 노트북
- xeon 2.4GHz 사용한 eslim 서버에서
- 삼성전자 LN32N71BD LCD TV, 주제어기판에서
- omniBER 계측기, 어떤 ASIC 밑에서
ASIC 밑 MLCC
- 체어맨 자동차, 주간상시LED등, DC-DC 컨버터에서
충전을 위한 고용량 MLCC
- 핸드폰에서
- 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰
- 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰
- 노이즈 제거를 위해 MLCC를 접지에 납땜함.
- 각진 MLCC (연마하지 않아)
- 만도 KMD-100 RF하이패스 단말기 - 24핀 단자로 연결되는 DC 입력 MLCC
표면에 주름잡히고 각진 MLCC
- 만도 KMD-100 RF하이패스 단말기 - 24핀 단자로 연결되는 DC 입력 MLCC
- 큰 MLCC
- IT Telecom ITT-RSE2F 하이패스 노변장치
- 세트에서 사진
- 임피던스, IR(시간,전압에 따라) 측정 - 대충측정
- 세트에서 사진
- Agilent 8960 무선통신 테스트 세트, Audio 보드에서
폭이 넓은, 큰 MLCC, 4.5x6.4mm로 추측(길면 부러지기 때문에?)
- IT Telecom ITT-RSE2F 하이패스 노변장치
- 표면에서 레이저 트리밍된
- 기구물을 설치할 수 있도록 복잡한 형태로 만든
- 사용되고 있는 일반적인 MLCC 사진
- 리드 MLCC
- 기술
- KEMET 회사 - 40p
- axial MLCC
- radial MLCC
- 기술