다이싱

다이싱 dicing

링크
1. 전자부품
  1. 가공
다이싱 모양
1. 삼각형
2. 평행사변형을 자른 삼각형
  1. MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
3. 매우 긴 직각사각형 - 그냥 직사각형, 정사각형은 가장 널리 사용되므로 첨부 생략
  1. CIS - 스캐너용 contact image sensor
    - X축 IC 18.2x1.35x0.64mm, Y축 IC 11.2x1.35x0.64mm
  2. DDI - 능동LCD용 Display Driver
    - 이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개를 사용한다.
4. 평행사변형
  1. TV용 IF SAW필터
    - 112LT Sanyo 마킹
5. 육각형
  1. LED칩
    - 한변 길이가 1.2mm
금속 다이싱
1. 얇은 구리판(PCB용 도금 동박 등)
  1. 도금 CSP 쏘필터
    - 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 burr가 쉽게 발생됨.
2. 리드프레임
스크라이빙 후 부러뜨림
1. 쏘필터, 매우 긴 칩 - 러시아?
  - 패키지 길이 21.4mm
  - 스크라이빙 후 부러뜨렸다.
반도체 다이싱
1. 실리콘 웨이퍼
  1. 레이저
    1. CIS #2 - 레이저
      - 센서 경계선
      - 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
    2. MEMS 마이크 - 1
      - 레이저 다이싱 5회
    3. MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
      - 측면 다이싱 관찰
      - 레이저 4회
      - 천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.
    4. 인포콤 RF하이패스, 스위치
      - 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
      - 레이저 다이싱
  2. 회전 블레이드
    1. CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
      - 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격 20um
      - 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도
    2. 만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
      - 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)
    3. 인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
      1. first stage amp.
        
        다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
      2. second stage amp.
        
        2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr
        
        다이싱 때 1ch 컷
        
        다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
2. 쏘필터용 웨이퍼
  1. 무라타, 1.4x1.1mm
    - 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.
    - 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱
    - 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
절삭속도 추정
1. K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
  - 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.
뒷면 그루빙(도랑 파기)
1. K3953D에서 - 다이싱(칩두께 500um) 및 뒷면 그루빙(간격 330um, 깊이 110um, 폭 55um)
  - 가장자리 칩핑이 많다.
  - 두번 다이싱
  - 항상 원형으로 깍인다.
2. 벌크파동을 제거하기 위한, 뒷면 grooving 및 Ag 에폭시 다이 접착제
  - SAW기술에서