포토마스크

포토마스크

1. 전자부품
   1. 광관련
      1. 포토마스크 - 이 페이지
         1. 구성요소
            1. 펠리클
         2. 설계기술
            1. CIF2DXF
            2. 더미 필 패턴
            3. 안티에일리어싱
   2. 참조
      2. IC 표식
      3. TEG
      4. Copyright
2. 광원 파장
   1. g-line; 수은등에서 방출되는 435nm, 1960년대 사용
   2. i-line; 수은등에서 방출되는 365nm
   3. KrF; KrF 엑시머레이저에서 나오는 248nm
   4. ArF; ArF 레이저에서 나오는 deep UV라고 부르는 193nm(6.4eV)
   5. EUV; extreme ultraviolet 124nm~10nm (에너지는 10eV~124eV)
      1. 반도체 노광기에서는 13.5nm(~92eV)를 사용한다.
      2. 투과마스크가 아닌 반사 포토마스크(Mo과 Si 레이어들을 약 40회 교대로 적층하여 브래그 회절을 이용)를 사용한다.
      3. 광원은 CO2레이저+Sn플라즈마
3. 거울로 응용
   1. 색도계에서
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        거울면적만큼만 빛을 반사한다. VERSION 1 1.23.1985

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        22% 빛을 반사한다. 78% 광량은 통과한다.

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        거울 크기 0.51x0.51mm

4. 설계시 고려사항
   1. 폐곡선 정의가 안되는 CAD를 사용하는 듯
      1. SAW-핸드폰DPX
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           이 회사 포토마스크 CAD 프로그램은 구멍 뚫린 폰트 적용은 허용 안되는 듯.

   2. CAD에서는 곡선을 정의할 수 없다.
      1. SAW-핸드폰RF
         1. 2009.03 제조품 Motorola Z8m 핸드폰에서
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              신호선에만 계단형태의 전극을 사용. 글꼴을 곡선으로 그릴 수 없어서.

   3. 얼라인을 위한 인식 마크를 넣어야 한다.
      1. 핸드폰용 이미지센서
         1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
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              이 6개 막대기(피치 20.0um)는 Canon Stepper를 위한, align용 인식마크