SHV-E210K
삼성 갤럭시 S3, SHV-E210K
- 링크
- 기술자료
- 외부 링크
- 분해제품 모델: SHV-E210K, 제조연월일 2013년 6월 18일
- 사용주파수
- LTE Band3 1800MHz
- 3G UMTS(WCDMA) B2:1900, B1:2100
- 2G GSM GSM900 DCS1800 PCS1900
- 뒷면 메인카메라: 800만화소, 전면 보조카메라: 190만화소
- 사용주파수
- 뒤 뚜껑을 열면
SHV-E210K (갤럭시 S3 LTE) 16GB, 제조년월 2013년 6월 18일
- NFC 안테나가 붙어 있는 배터리
- 외형
엔피텍 3.8V 7.98Wh, Near Field Communication
EB-L1H2LLK 2100mAh, 제조년월 2013.03
- 라벨 테이프 벗기면, NFC 안테나가 보인다.
GRF-C Project Ver 2.2
- NFC 안테나와 접촉 단자 연결
금속각형 2차-리튬배터리 SAMSUNG TSDI(TianJin), ICP565156A
- NFC 안테나 측정 - 이렇게 측정하는 것은 거의 의미가 없다.
- 측정 사진
- 네트워크분석기 측정 데이터
통과 이득특성, 위상
배터리 금속을 접지시키면(inter-winding C가 없어지므로 공진주파수가 높아진다.)
- 측정 사진
- 외형
- 후면에 있는 메인용 핸드폰용 이미지센서
- 외관
GT-i9300(Galaxy S3에서 International 모델)
자기실드 외부 철판을 분리하면, 세라믹 볼이 보인다.
- ball bushing bearing 및 voice coil을 사용한 카메라 액추에이터
외부 철판이 렌즈바렐에 붙어 있는 영구자석을 당긴다.
구조적으로 볼을 눌러야 한다.
영구자석이 코일뒤에 있는 철판에 달라붙으려고 하기 때문에 그 사이에 있는 세라믹 볼 4개가 유격없이 눌러진다.
- 거리 정보에 따라 AF용 전류를 결정하기 위한 (미리 프로그래밍된) 드라이버(?)
- 렌즈바렐 위치를 알기 위한 홀소자
홀 소자
- 실험하기 위해 코일 연결
- 실험 사진
- 엑셀파일 - 무슨 의미가 있는지 아직 모르겠음.
500Hz 부근에 공진점
측정주파수를 높이면서, 낮추면서 - 큰 의미는 없는 듯
DC bias current에 따른 임피던스 - 볼 4개에서 하나가 없어진 상태에서 측정함(마찰이 커져 의도대로 동작하지 않음)
- 실험 사진
- 이미지 센서
다이 크기 6260x5930um, 센서 크기 4660x3540um, 44%차지
서브픽셀 사이즈 1.44x1.44um, 10개 픽셀마다 긴 막대기를 표시함
- 외관
- 후면 본체
T-DMB 안테나
완쪽이 T-DMB 안테나 접점
안테나 4개 접점 위치
USB 소켓에 완충고무
스피커 모듈 = 스피커 + 이어폰 단자 + 안테나
3.5mm 이어폰 소켓을 고무로 흔들림 충격을 완충함
표면에 안테나 패턴이 보인다.
Diversity Cellular, GPS
표면에 안테나 전극 패턴이 보임
WiFI, Main Cellular
-
CML0801 카메라용 이미지처리 IC
- 메인보드 중요 부위 A면
FCI FC7860, 2G/3G RF-IC // TriQuint 7M5005 PAM
- 메인보드 중요 부위 B면
- 전체
- Exynos AP를 뜯으면
마더보드 10층
- 위에 있는 DRAM를 뜯으면, PoP
- 3층까지만 확인 - 6층 PCB인듯.
1층
1-2층사이 비아
2층
3층, MLCC 4개 넣을 수 있는 자리가 있는데, 있지 않다.
- 전체
- WiFi 모듈
- 외관, KM3305012 VM
숫돌로 표면을 갈아낸 흔적이 보인다.
- 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
Broadcom BCM4334XKWBG, 208 bump, 5GHz WiFi, 2.4GHz WiFi/BT, FM radio
- 윗면
초록색 LTCC 기판을 두고 위아래 에폭시 몰딩
IC 접합면
LTCC
- 아랫면
딱딱한 트랜스퍼 몰딩
구리기둥
LTCC
- 외관, KM3305012 VM
- FEMiD
- 화살표가 가리키는 부품
숫돌로 표면을 갈아낸 흔적이 보인다.
- 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
분홍 LTCC 위에 (사용하지 않는?)듀플렉서가 5개 보인다.
- 칩 10개를 뜯어내기 위해
망실되지 않게 테이프를 붙이고, 칼로 밀어 넣었으나...
- 패키지 및 칩
- DPX 1 - Rx칩 없음.
- DPX 2
- DPX 3
- DPX 4
- DPX 5
- 화살표가 가리키는 부품
- SAW-핸드폰RF
- 1~9번까지 RF필터 9개 SAW 다이가 위치한 곳
- 칩 1,2, GPS 모듈에서
- SAW-GPS, 1.4x1.1mm
ANT - 1st SAW + LNA + 2nd SAW - IC(Broadcom BCM47511)
- 1 필터에서 칩크랙이 보임
- #1, 마킹 hDUZ
와이솔 DG89AQ MP-2 HBC
- #2, 마킹 eE D1
무라타 AT31-A2
- SAW-GPS, 1.4x1.1mm
- 칩 3,4, 2G GSM GSM900 DCS1800+PCS1900,
- 외관
9PUY 1.4x1.1 single, ZE SL 1.5x1.1 dual
수지 몰딩을 벗기면
- GSM900, 942.5MHz, 1.4x1.1mm, 싱글, 와이솔 마킹 9PUY
H942PQ1-11 PHJ
- DCS1800(Rx 1842.5MHz)+PCS1900(Rx 1960MHz), 1.5x1.1mm, 듀얼, 무라다 마킹 ZE SL
?86-A1
주기 1.99um 1960MHz라면 3900m/sec
주기 2.10um 1842.5MHz라면 3870m/sec
- 외관
- 칩 5, Rx 1830MHz(근처의 밴드), 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 ???
K182-A1
프루빙 바늘 자국
주기 2.13um 3900m/sec라면 1830MHz
- 칩 6,7, 1.4x1.1mm 싱글, 무라타 마킹 LB a5 와 AB LT
- 외관
- 왼쪽 쏘필터
K157-A1
주기 2.16um 3900m/sec라면 1805MHz
- 오른쪽 쏘필터
P955-B2
주기 2.03um 3900m/sec라면 1920MHz
프루빙 바늘 자국
- 외관
- 칩 8, 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 FF S9
W161-A1
주기 2.22um 3900m/sec라면 1757MHz
- 1~9번까지 RF필터 9개 SAW 다이가 위치한 곳
- SAW-핸드폰DPX
- 칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
- 외관
마킹판독성을 높이깅 위해 검정 니켈도금
- LTCC 패키지
- 다이 패턴
솔더볼
3군데 확대 영역
- 정전기 파괴 영역1
주기 2.33um, 전극폭 0.58um
- 정전기 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
- 정전기 파괴 영역3
- 다이싱 방법, V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차)
- 외관
- 칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
- RF용L
알루미나 기판 표면에 유기물 적층 방식
- 핸드폰에서 발견한 대기압 센서
- 외관
화살표가 가리키는 부품
표면에 구멍이 있다.
- 윗 뚜껑을 벗기면 캐비티 유기물기판을 사용했음을 알 수 있다.
캐비티 PCB를 사용
chip-on-chp
- 압력센서
STMicroelectronics 2010 CSP37A
- 신호처리 IC
V720A
- 두 IC 합성사진
- chip-on-chip 을 서로 연결하기 위한 와이어본딩
1st ball bond
Ball Stitch On Ball(BSOB)
- 질산 처리 후, 신호처리 IC의 와이어본딩 패드
1st ball bond 이 잘되었는지를 접합흔적으로 파악할 수 있다.
- 멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니
- 멤브레인을 제거한 후 - 초음파세척을 계속하니
- 다이싱
웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다.
- 외관
- 기타
