포토마스크

Togotech (토론 | 기여)님의 2024년 12월 20일 (금) 10:48 판
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포토마스크

  1. 전자부품
    1. 광관련
      1. 포토마스크 - 이 페이지
        1. 구성요소
          1. 펠리클
        2. 설계
          1. CIF 포맷
            1. CIF2DXF
        3. 패턴
          1. 분해능 향상 기술;RET
          2. 정렬키
          3. 더미 필 패턴
          4. 안티에일리어싱
    2. 참조
      1. 비공개, 포토마스크
      2. IC 표식
      3. TEG
      4. 광학 해상도 차트
      5. Copyright
  2. 광원 파장
    1. g-line; 수은등에서 방출되는 435nm, 1960년대 사용
    2. i-line; 수은등에서 방출되는 365nm
    3. KrF; KrF 엑시머레이저에서 나오는 248nm
    4. ArF; ArF 레이저에서 나오는 deep UV라고 부르는 193nm(6.4eV)
    5. EUV; extreme ultraviolet 124nm~10nm (에너지는 10eV~124eV)
      1. 반도체 노광기에서는 13.5nm(~92eV)를 사용한다.
      2. 투과마스크가 아닌 반사 포토마스크(Mo과 Si 레이어들을 약 40회 교대로 적층하여 브래그 회절을 이용)를 사용한다.
      3. 광원은 CO2레이저+Sn플라즈마
  3. 기술
    1. 다이설계 및 포토마스크 레이아웃 작업
      1. 2024/03/23 가난한 사람들을 위한 제안서 ,
    2. photomask 포토마스크
      1. 위키페디아 Photomask https://en.wikipedia.org/wiki/Photomask
      2. 포토마스크 블랭크(photomask blank): 블랭크 마스크라 함은 아래와 같이 구성된 것(석영+차광층+PR층)을 말한다.
        1. 기술
          1. 재질은 synthetic quartz 이다.
          2. 이 석영 기판 위에 전통적으로 Chromium(Cr) 차광층(light-shielding layer)을 입힌다. 또는 Molybdenum-Silicon Binary (OMOG: Opaque MoSi on Glass) 차광재료를 입힌다.
          3. 차광층 위에 amplified photo resist를 발라 출하한다.
        2. 국내 제조업체
          1. 에스앤에스텍 http://www.snstech.co.kr/
            1. 2001년 설립. 대구시 달서구 호산동로 42
            2. 2023년 매출 1503억, 영업이익 250억
          2. SK엔펄스. SKC의 100% 자회사
            1. 2018년 사업시작
            2. ArF용 PSM: 2023년부터 SK하이닉스에 공급
    3. 전자빔 노광 Electron-beam lithography, e-beam lithography, EBL
      1. 위키페디아 Electron-beam lithography https://en.wikipedia.org/wiki/Electron-beam_lithography
        1. 10nm 해상도가 나온다. 2022년 최첨단 다중 빔 라이터(state-of-the-art electron multi-beam writer)는 20nm 해상도는 보인다.
        2. 정전기(electrostatic)에 의해서는 최대 1mm 영역만 전자빔이 편향되므로, 더 큰 패턴은 스테이지가 기계적으로 이동되어야 한다. 만약 전자기력(electromagnetic)으로 편향시키면 더 큰 면적을 그릴 수 있지만 왜곡이 크게 발생된다.
        3. 쓰기 속도는 웨이퍼 노광에 사용되는 광학적 노광장비에 비해 약 1천만배 느리다.
        4. 포토레지스트(PMMA 재료)에서 전자빔은 다양한 이유와 경로로 산란을 일으킨다.
          1. 포토레지스트 깊이(=두께) 변화에 따른 standing wave 효과는 일어나지 않는듯(?????)
      2. 자료
        1. Electron beam lithography for Nanofabrication - 127p
  4. 대표 사진
    1. 펠리클을 설명하기 위한 사진
      1. 152mm (6인치) 정사각형, 두께 10mm 어떤 포토마스크에서 6mm
  5. (패턴을 없앤) 투명판(포토마스크를 재생하여 만든 투명한 쿼츠 기판)으로 사용
    1. 양면현미경
  6. 거울로 응용
    1. Nippon Denshoku ZE 2000 액체 색도계에서
  7. 설계시 고려사항
    1. IC 표식으로 다이 위치표시
    2. 폐곡선 정의가 안되는 CAD를 사용하는 듯
      1. SAW-핸드폰DPX
    3. CAD에서는 곡선을 정의할 수 없다.
      1. SAW-핸드폰RF
        1. 2008.04 출시 Motorola Z8m 슬라이드 피처폰
    4. 얼라인을 위한 인식 마크를 넣어야 한다.
      1. 핸드폰용 이미지센서
        1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰