"메모리"의 두 판 사이의 차이
(내용을 "메모리 <ol> <li>링크 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li> 메모리 <ol> <li> ROM <ol> <li> PROM <li> EEPROM <li> Flash Memory, Flash <li>..."(으)로 바꿈) (태그: 대체됨) |
|||
| 21번째 줄: | 21번째 줄: | ||
<li> [[메모리모듈]], [[DIMM]] | <li> [[메모리모듈]], [[DIMM]] | ||
</ol> | </ol> | ||
| + | <li> [[MCP]] - DRAM+Flash | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
| 30번째 줄: | 31번째 줄: | ||
<li>k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824 | <li>k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824 | ||
</ol> | </ol> | ||
| + | <li>2021년 기준 | ||
| + | <ol> | ||
| + | <li>TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다. | ||
| + | <ol> | ||
| + | <li>모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다. | ||
| + | <li>서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다. | ||
| + | <li>멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다. | ||
| + | <li>성능이 필요한 RAM만 한다. Flash Memory는 TSV하지 않는다. | ||
| + | </ol> | ||
| + | <li>8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다. | ||
</ol> | </ol> | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
2021년 3월 12일 (금) 21:48 판
메모리
- 링크
- 자료
- 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
- k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
- 2021년 기준
- TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.
- 모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다.
- 서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다.
- 멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다.
- 성능이 필요한 RAM만 한다. Flash Memory는 TSV하지 않는다.
- 8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다.
- TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.
- 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two