DRAM

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      1. DRAM, SDRAM, SGRAM - 이 페이지
이 페이지에서는 DRAM, SDRAM(synchronous dynamic RAM), SGRAM(Synchronous Graphics RAM) 구분하지 않는다.
제조회사별 분류
1. ELPIDA
  1. B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
    1. 트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
    2. 1차 질산에 넣어서
      - DRAM 와이어본딩이 양쪽이어서 한쪽으로 연결하기 위해 인터포저를 사용
    3. 2차 질산에 넣어서
      - 칩 3개 크기 비교(아래 오른쪽 작은 칩은 TCXO용 AKM6617)
    4. DRAM 칩
      - DRAM 최상위 금속층은 구리 배선으로 덮혀있다.
  2. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서, Apple A7에서
    1. 패키지 위에 패키징된 DRAM이 올라가 있는 PoP(Package On Package) 형태임.
      1. 맨 위는 Elpida 8Gbit DDR3 DRAM 이다.
    2. 보드에서 실드 깡통을 벗기면
      - 특별히 캔 오른쪽에는 히트 스프레더용 그라파이트 시트가 붙어 있다.
      - IC와 캔 사이에는 특별한 서멀 패드가 없이 접촉하는 듯.
      - A7 마킹은 DRAM에 된다.
    3. 주변에 사용된 Low ESR, ESL MLCC
      - low ESL MLCC
      - 3단자 C LC필터
    4. 디솔더링 후, PoP된 층을 다시 디솔더링하면
      - PoP
      - AP 밑면 BGA
      - AP 다이방열을 위해 위에 있는 DRAM과 완전 밀착
    5. 순수한 모바일AP
      1. 임베디드PCB로 만든 인터포저
        
        MLCC 1.0x0.5mm 도금으로 연결됨
      2. AP 다이
        
        발연질산에 넣어 분해시, 유리섬유 직물이 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐
        
        가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함
    6. DRAM Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
      - 다이 두 개를 다이본딩, 와이어본딩
      - 위쪽 다이 ELPIDA F440AAA
      - 아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA
      - 와이어를 찾을 수 없었기 때문에 Cu 볼 와이어본딩으로 추정함.
  3. Sony XCD-SX910CR IEEE1394 동영상카메라에서
    - Elpida DS1232AA, 128M-bit SDRAM
2. HYUNDAI
  1. Palm Vx PDA에서
    - HYUNDAI GM71VS65163CLT5, 64Mbit DRAM
  2. ML-7110B, 파드(pod) 에서
    - FROM = Flash Memory Fujitsu 29LV160TE, Hyundai GM71VS18163CLT6 16Mbit DRAM
3. Hynix
  1. DELL studio1737 노트북
    - 그래픽용 Hynix HY5PS561621B 256M-bit DDR2 SDRAM
  2. 아이트로닉스 ITE-1000, 내비게이션에서에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
    1. 모바일AP 파트
      1. 하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
        
        칩 전체
        
        질산에서 꺼내
        
        표면을 살짝 연마한 후
        
        4사분면
        
        DJC058C
        
        2사분면
        
        1사분면
        
        상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
4. Infineon
  1. Palm TX PDA에서
    - Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-power SDRAM)
5. Micron
  1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, AP+RAM 붙인 PoP(Package On Package)에서
    1. 윗면에는 Micron 회사의 RAM 이다.
      - 밑면 솔더면은 AP이다.
    2. PoP(Package On Package)
      - 패키지 위에 패키지가 있다.
    3. 두 패키지를 분리하면
      - Mediatek MT6797W AP + Micron RAM
6. NANYA 1Gbit - 삼성 SL-C460W 컬러레이저 복합기
  1. 외관
  2. 분해시작
    - PCB 본딩 및 몰딩 방법
    - 태우고
    - 칼로 긁고
    - 치약으로 닦고
  3. 내부칩
    - 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
7. NEC
  1. HP 8714C 네트워크분석기
    - NEC D482234LE Graphics DRAM
8. Qimonda
  1. 프린터용 LAN카드 HP Jetdirect 620n(J7934g)에서
    - Qimonda DRAM, Spansion Flash
9. Samsung
  1. 삼성전자 UN32H4030AF LED TV
    - SoC 옆에 1Gbit DDR3-1600 SDRAM, K4B1G1646G-BCK0가 있다.
    - SoC 방열판 58도씨, 1Gbit DDR3-1600 SDRAM 온도가 62도씨로 가장 높다.
  2. PalmOne Zire72 PDA에서
    - SEC K4S281633D 128Mbit Mobile SDRAM x 2ea = 32MB RAM
  3. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S에서
    - 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB RAM, 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB
    - 모바일AP 위에 붙어 있는데 이를 뜯어서 태운 후,다이본딩면을 분리하면
    - 4개 다이를 쌓았다.
    - 다이 틈새로 Ball Stitch On Ball(BSOB) 와이어본딩한 것으로 추정된다.
  4. 2020년 05월 출시 노트북, MS Surface Book 3에서
    1. DRAM, K4U6E3S4AA-MGCL, 16Gbit, LPDDR4X, 4개 사용하므로 모두 8Gbyte
  5. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰에서
    1. 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 Flash 메모리
      - 삼성 KM2V8001CM-B707 Flash+DRAM 모바일AP가 있는 곳에는 검정 금속 방열판 캔을 씌웠다.
      - 인터포저는 3층인듯
      - 가운데 작은 IC는 플래시 콘트롤러
      - 좌우 3-다이 총 6개는 DRAM일 것이고, 위에 쌓이는 4개는 flash 다이
  6. SSD에서
    1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
      - 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
      - on-line에서 해석안됨
  7. SGRAM
    1. SUN Ultra 10 워크스테이션에서
      - Ati 3D Rage Pro Turbo PCI, Samsung K4G163222A 2Mbyte Synchronous Graphic DRAM(SG DRAM)
    2. 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서 , Samsung K4620325FD-FC04 2Gbit GDDR5 SGRAM 2500MHz 170-FBGA, 총 8개이므로 2G바이트가 된다.
      - 앞면에 메모리칩 4개
      - 뒷면에 메모리칩 4개
    3. 2015년 12월 제조, 노트북 Lenovo ideapad 700-15isk
      1. Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96
        
        GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
        
        외관
        
        뜯으면
        
        패키지 분해
        
        다이, PCB, EMC 수지
        
        PCB
        
        BGA방식으로 접합된 다이
        
        PCB와 BGA로 연결된다. (즉, 와이어본딩이 아니다.)
        
        다이 마킹 K4B2G1646Q, 128Mx16=2Gbit DDR3L Q-die, 96-FBGA (패키지 마킹은 K4W- 로 서로 다르다.)
        
        2013, SAMSUNG K4B2G1646Q
    4. 비디오카드, ATi Radeon HD3850에서
      1. Samsung K4J52324QE, 512Mbit GDDR3 SDRAM, 하나는 실리콘 방열패드가 닿지 않아, 실리콘이 번지지 않아 마킹이 깨끗
        
        memory BUS width 256-bit
        
        실리콘패드에 닿지 않아 방열안되는 DRAM
        
        각 DRAM 뒤쪽 수동부품
10. Silicon Magic Corporation
  1. 비디오카드, Diamond Stealth 3D 2000 S3-ViRGE PCI VGA graphic card에서
    - feature connector, LPB(Local Peripheral Bus) connector, MPEG connector
    - Silicon Magic Corporation SM81C256K16A1-40, 4Mbit Extended Data Out(EDO) RAM
11. Vanguard International Semiconductor(VIS)
  1. Palm m500 PDA에서
    - DragonBall VZ, MC68VZ328VF MCU, AM29LV320DB 32Mbit Flash, Vanguard International Semiconductor(VIS) VG36641641DTL 8Mbit SDRAM