1년, 351일, 6시간, 47분 - Togotech

"SMR"의 두 판 사이의 차이

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<li>2015.08 제조 [[LG-F570S]] LG Band Play 스마트폰
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<li>사용 위치 및 외관
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<li>내부 구조
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<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서
 
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<li>Triquint SMR-baw 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
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<li>80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
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<li>83C 227 마킹, Triquint WiFi/BT용 [[SMR]]-[BAW]] 필터. 1.5x1.3mm 실측크기
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image:redmi_note4x_094_001_002.png | 이 때 측정되는 그래프(peak 추적을 하면서)
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image:redmi_note4x_094_001_003.jpg | Pt100오옴 센서를 근처로
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<li>주파수 온도 특성, 엑셀 데이터
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image:redmi_note4x_094_001_004.png | 백금온도센서 저항값은 에어콘 가동에 잡음이 유도된다.(?)
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image:redmi_note4x_094_001_005.png | 백금온도센서와 필터는 같은 속도로 반응한다.
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image:redmi_note4x_094_001_006.png | -20ppm/'C로 계산된다.
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<li>밤새 주파수 온도 특성
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image:redmi_note4x_094_001_007.png | 17시간 사무실 온도변화
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image:redmi_note4x_094_001_008.png | 온도와 주파수변화 - 주파수는 +드리프트가 생긴다.
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image:redmi_note4x_094_001_009.png | 12시간동안 +30ppm 드리프트가 생긴다. (납땜 스트레스?)
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<li>[[냉매]] 및 열풍기로 온도 특성
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image:redmi_note4x_094_001_010.jpg | 냉매로 얼리면
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image:redmi_note4x_094_001_011.png | 시간에 따른 온도 및 주파수
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image:redmi_note4x_094_001_012.png | 온도에 따른 주파수변화. 얼린 후 온도가 올라가면 물방울이 생겨 주파수특성에 영향을 준다.
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<li>83C 227 마킹, WiFi/BT용, 1.5x1.3mm 실측크기
 
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<li>Mediatek MT6631N, WiFi abgn+ac,  BT4.1, GPS, FM 칩에서
 
<li>Mediatek MT6631N, WiFi abgn+ac,  BT4.1, GPS, FM 칩에서
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<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
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<li>#14, Qorvo, 에폭시 필름 실링
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image:redmi_note6pro_013_014_003.jpg | TQ 2014, EG9509 FD3a X12 Y10
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image:redmi_note6pro_013_014_004.jpg | 불에 태워보니, 깨진 진동판을 확인할 수 있다.
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<li>듀플렉서
 
<li>듀플렉서
 
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<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
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<li>TriQuint TQM6M6224, Dual [[PAMiD]]
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<li>사진
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image:iphone5s01_136_006_002.jpg | 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.
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<li>유리 지붕
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image:iphone5s01_136_006_003.jpg | 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.
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<li>와이어본딩 타입 [[SMR]] 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용
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image:iphone5s01_136_006_004.jpg | 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실
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image:iphone5s01_136_006_005.jpg | 벽
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image:iphone5s01_136_006_006.jpg | 와이어본딩 높이를 낮추기 위한
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image:iphone5s01_136_006_007.jpg | 마스크 자표 X21 Y26
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<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서
 
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<li>듀플렉서 7개(=무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개)
 
<li>듀플렉서 7개(=무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개)
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image:redmi_note4x_128_011.jpg | 용도가 다른 패드. 사각형 바늘
 
image:redmi_note4x_128_011.jpg | 용도가 다른 패드. 사각형 바늘
 
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<li>발연질산에 넣어서
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<li>다이
 
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image:redmi_note4x_128_012.jpg | 왼쪽 Rx 다이, 오른쪽 Tx 다이(주파수가 낮다.)
 
image:redmi_note4x_128_012.jpg | 왼쪽 Rx 다이, 오른쪽 Tx 다이(주파수가 낮다.)
 
image:redmi_note4x_128_013.jpg | Rx 다이 (11개 공진기에 색상은 5가지)
 
image:redmi_note4x_128_013.jpg | Rx 다이 (11개 공진기에 색상은 5가지)
 
image:redmi_note4x_128_014.jpg | Tx 다이
 
image:redmi_note4x_128_014.jpg | Tx 다이
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image:redmi_note4x_128_015.jpg | 에폭시 PR이 잘 붙은 물질(산화물, 금속)이 있다. 접착력이 낮은 표면에서는 홈을 파서 전단 접착력을 향상시킨 것으로 추측된다.
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<li>상부전극과 하부전극을 연결하는 비아(via)
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image:redmi_note4x_128_013_001.jpg | 화살표 영역은 상부전극과 하부전극 연결하는 via이다. 파랑화살표 톱니모양 via는 에폭시 PR 접착력을 향상시켜 미끄러지 않게 하였다.
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image:redmi_note4x_128_015.jpg | 오목한 영역에 에폭시 PR이 남아 있는 것으로 보아, 접착력도 향상시킨다.
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<li>공진기 단면 구조 추측
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image:redmi_note4x_128_016.jpg | Si-유전체-금속-압전체-금속-유전체 구조
 
image:redmi_note4x_128_016.jpg | Si-유전체-금속-압전체-금속-유전체 구조
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<li>Quadplexer(?)
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<ol>
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<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
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<ol>
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<li>#15, Qorvo, Hard PR로 만든 WLP
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image:redmi_note6pro_013_015_001.jpg | 불에 태워서. (사진 속 작은) 다이 하나는 잃어버림
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image:redmi_note6pro_013_015_002.jpg | 다이 A
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image:redmi_note6pro_013_015_003.jpg | 다이 B
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image:redmi_note6pro_013_015_004.jpg | 다이 C
 
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2022년 12월 6일 (화) 13:04 기준 최신판

SMR

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. SAW대문
        1. BAW
          1. FBAR
          2. SMR - 이 페이지
  2. 기술
  3. RF360(=Epcos,Qualcomm)
    1. 필터
      1. 2017.06 출시 삼성 갤럭시 폴더2 SM-G160N 스마트폰
        1. WiFi용, Epcos 회사, SMR필터 8MH 1.2x1.0mm
          • sm g160n 043.jpg
          • sm g160n 044.jpg
          • sm g160n 045.jpg

          • 0.90 x 0.67mm

          • sm g160n 047.jpg
    2. 듀플렉서
  4. Quovo(=Triquint)
    1. 필터
      1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
        1. TDD용, Triquint 듀얼 SMR 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ????
          1. 외관, 1.8x1.4mm dual filter
            • iphone5s01 100.jpg
            • iphone5s01 101.jpg

            • 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다.

          2. 분해

            • 이젝트 핀 자국

            • iphone5s01 104.jpg

            • 플립본딩

          3. 다이1

            • X27

          4. 다이2

            • EG9442 X10 Y27 프루빙을 위한 별도의 패드

            • TQS 2013

            • 프루빙 바늘이 긁은 흔적

        2. SMR 필터
          • iphone5s01 126.jpg
          • iphone5s01 126 032.jpg

          • 실리콘 웨이퍼 뒷면

          • EG9480 D4, TQS 2013, X02 Y26

          • E???85 RX_D3, TQS 2013, X03 Y21 - 위치별 좌표 표시

      2. 2015.08 제조 LG-F570S LG Band Play 스마트폰
        1. 사용 위치 및 외관
          • lg f570s 035.jpg

          • 1.1x0.9mm 마킹 99C 295

        2. 내부 구조

          • 이중 구조 라미네이팅(기밀용, 평탄화용)

          • 생각보다 두꺼운 금도금, 알루미나 기판 표면에서 움푹 들어간 전극

        3. 다이

          • FD3a

          • TQ (Triquint) 2014

          • EG9509 X23 Y10 (다이 X,Y 위치 표시)

      3. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
        1. 1.5x1.3mm 크기
          1. 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
            1. 외관

              • 금색 뚜껑 제품 1.5x1.3mm 추정

            2. 주파수 특성
              • redmi note4x 094 001.jpg
              • redmi note4x 094 004.png
              • redmi note4x 094 005.png
            3. 온도 특성 실험

              • 허공에 띄워서

              • 이 때 측정되는 그래프(peak 추적을 하면서)

              • Pt100오옴 센서를 근처로

            4. 주파수 온도 특성, 엑셀 데이터

              • 백금온도센서 저항값은 에어콘 가동에 잡음이 유도된다.(?)

              • 백금온도센서와 필터는 같은 속도로 반응한다.

              • -20ppm/'C로 계산된다.

            5. 밤새 주파수 온도 특성

              • 17시간 사무실 온도변화

              • 온도와 주파수변화 - 주파수는 +드리프트가 생긴다.

              • 12시간동안 +30ppm 드리프트가 생긴다. (납땜 스트레스?)

            6. 냉매 및 열풍기로 온도 특성

              • 냉매로 얼리면

              • 시간에 따른 온도 및 주파수

              • 온도에 따른 주파수변화. 얼린 후 온도가 올라가면 물방울이 생겨 주파수특성에 영향을 준다.

          2. 83C 227 마킹, WiFi/BT용, 1.5x1.3mm 실측크기
            1. Mediatek MT6631N, WiFi abgn+ac, BT4.1, GPS, FM 칩에서
              • redmi note4x 095.jpg
              • redmi note4x 096.jpg

              • Murata, GPS Rx saw filter, 1.1x0.9mm

              • redmi note4x 098.jpg
            2. 주파수 특성
              • redmi note4x 098 001.png
              • redmi note4x 098 002.png
              • redmi note4x 098 003.png
              • redmi note4x 098 004.png
            3. 패키징
              • redmi note4x 099.jpg

              • Au stud 초음파 플립 본딩

              • redmi note4x 101.jpg

              • 실리콘 결정은 특별한 벽개면이 존재한다.

            4. 칩
              • redmi note4x 103.jpg

              • TQS 2013 EG9489 D6A

              • redmi note4x 105.jpg
      4. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
        1. #14, Qorvo, 에폭시 필름 실링
          • redmi note6pro 013 014 001.jpg
          • redmi note6pro 013 014 002.jpg

          • TQ 2014, EG9509 FD3a X12 Y10

          • 불에 태워보니, 깨진 진동판을 확인할 수 있다.

    2. 듀플렉서
      1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
        1. TriQuint TQM6M6224, Dual PAMiD
          1. 사진
            • iphone5s01 136 006.jpg
            • iphone5s01 136 006 001.jpg

            • 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.

          2. 유리 지붕

            • 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.

          3. 와이어본딩 타입 SMR 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용

            • 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실

            • 벽

            • 와이어본딩 높이를 낮추기 위한

            • 마스크 자표 X21 Y26

      2. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
        1. 듀플렉서 7개(=무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개)
          1. 전체

            • 701/F01, 7B1/Fb3, 1003/VK5Q, 7A4/F3j, CG/3J, 7G6/Ek9, 7E4/Dq8

            • 노랑점선 내부가 Tx,Rx 매칭(안테나 포트 매칭은 뒷면에 있다.)

        2. Qorvo TQQ1003(?) 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP BAW Duplexer
          1. 외관
            • redmi note4x 128.jpg
          2. 유기물 PCB

            • PCB 내부에 L을 많이 넣었다. 그래야 2GHz Duplexer가 된다.

            • WLP에 구리 기둥이 있다. EMC 수지 색상이 지금까지 분석했던 것과 다르다.

            • PCB 내부에 C도 넣었다. 내부에 L과 C가 많아 비아홀도 많다.

          3. 다이 분리
            • redmi note4x 128 004.jpg
          4. 두 다이
            • redmi note4x 128 005.jpg
            • redmi note4x 128 006.jpg
            • redmi note4x 128 007.jpg
          5. 빈공간을 유지하는, 벽과 지붕
          6. 본딩 패드와 검사용 패드

            • 인접한 다이와 연결된 패턴이 있다.

            • 용도가 다른 패드. 사각형 바늘

          7. 다이

            • 왼쪽 Rx 다이, 오른쪽 Tx 다이(주파수가 낮다.)

            • Rx 다이 (11개 공진기에 색상은 5가지)

            • Tx 다이

          8. 상부전극과 하부전극을 연결하는 비아(via)

            • 화살표 영역은 상부전극과 하부전극 연결하는 via이다. 파랑화살표 톱니모양 via는 에폭시 PR 접착력을 향상시켜 미끄러지 않게 하였다.

            • 오목한 영역에 에폭시 PR이 남아 있는 것으로 보아, 접착력도 향상시킨다.

          9. 공진기 단면 구조 추측

            • Si-유전체-금속-압전체-금속-유전체 구조

    3. Quadplexer(?)
      1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
        1. #15, Qorvo, Hard PR로 만든 WLP

          • 불에 태워서. (사진 속 작은) 다이 하나는 잃어버림

          • 다이 A

          • 다이 B

          • 다이 C

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