"TCXO"의 두 판 사이의 차이

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TCXO
 
TCXO
 
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<li>TCXO
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<li>업체
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<li> [[수정부품]]
 
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<li> [[발진기]]
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<li> [[TCXO]] - 이 페이지
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<li> [[주파수표준 TCXO]]
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<li> [[32.768kHz TCXO]]
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<li>참고
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<li> [[VCTCXO]]
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<li>참고
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<li> [[주파수표준]]
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<li>ATCXO, ADTCXO, DTCXO, DCXO, MCXO
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<li>자료
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<li>
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</ol>
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<li>ATCXO; analog TCXO 이다.
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<li>XO 발진 주파수를 보상하는 여러 값 C값을 갖는 네트워크를 선택한다.
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<li>급격한 발진주파수 변화가 발생된다.(?)
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</ol>
 +
<li>ADTCXO; Analog Digital Temperature Compensated Crystal Oscillator
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<ol>
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<li>DTCXO와 같은 성능을 보인다.
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</ol>
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<li>DTCXO; Digitally Thermal Compensated Crystal Oscillator
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<ol>
 +
<li>논리 및 계산 함수에서 온도센서와 온도계수 테이블을 읽어서, DAC를 동작시켜 [[배리캡다이오드]]로 XO 발진주파수를 변경시킨다.
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</ol>
 +
<li>DCXO; Digitally Controlled Crystal Oscillator
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<ol>
 +
<li>TCXO에 비해 안정적인 주파수를 발생시킨다.
 +
</ol>
 +
<li>MCXO; Microprocessor Compensated Crystal Oscillator
 +
<ol>
 +
<li>마이크로프로세에서 온도센서와 온도계수 테이블을 읽어서, DAC를 동작시켜 [[배리캡다이오드]]로 XO 발진주파수를 변경시킨다.
 +
<li>ADC는 룩업테이블 대신에 DAC와 함께 사용한다.
 +
<li>성능은 뛰어나지만 비싸다.
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>제조업체
 +
<ol>
 +
<li>미국
 +
<ol>
 +
<li>CTS
 +
<ol>
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<li> - 13p
 +
</ol>
 +
<li>Greenray
 +
<ol>
 +
<li> - 8
 +
</ol>
 +
</ol>
 
<li>일본
 
<li>일본
 
<ol>
 
<ol>
<li>
+
<li>  
<li>
+
<li>  
 
<ol>2013년 Murata로 인수합병됨
 
<ol>2013년 Murata로 인수합병됨
 
</ol>
 
</ol>
<li>
+
<li>  
 
</ol>
 
</ol>
<li>인지
+
<li>한국
 +
<ol>
 +
<li>삼성전기 -> 인지모바일솔루션 ->
 
<ol>
 
<ol>
<li>11/06/30- 박진태, 11/10/16일 받음
+
<li>회사정보
 
<ol>
 
<ol>
<li>08/11
+
<li>2007.06 설립.
 +
<li>2007.09 삼성전기로부터 TCXO 사업인수
 +
<li>2015.04 TCXO 사업을 리홈크리스탈(lihome crystal)주식회사가 인수함.
 
</ol>
 
</ol>
<li>- 1p, 15/12/02 임근식에게 종이로 받음
+
<li>2008/11 VC-TCXO의 이해
 +
<li>2011/06/30 TCXO의 이해
 +
<li>2015/12/02 전기적 특성 규격서 - 1p
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>파트론
 
<li>파트론
 
<ol>
 
<ol>
<li>16/07/0626.0000MHz+-2ppm 0.5ppm
+
<li>2019.04 수정사업 철수
<li>
+
<li>2016/07/06 파트론 2520 규격서 26.0000MHz+-2ppm 0.5ppm
 +
<ol>
 +
<li>이 제품 온도특성을 측정한 엑셀파일
 +
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 +
image:tcxo26m01_001.png | 2023/05/28 정리함
 +
image:tcxo26m01_002.png | perturbation 현상
 +
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 +
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<li>사진
+
<li>frequency perturbation of TCXO
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<ol>
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<li>기술자료
 +
<ol>
 +
<li> - 3p
 +
<ol>
 +
<li>정의 및 발생원인
 +
<ol>
 +
<li>특정온도에서 두 개 이상의 excited mode 또는 이들의 하모닉이 겹쳐 진동하면 발생한다. 이를 activity dips(활동저하)라고 부르는 결합모드(coupled mode)가 발생된다.
 +
<li>Face-shear, flexure, thickness-twist 등과 같은 다양한 모드가 각각의 하모닉이 주모드에 겹칠 수 있다. 이는 특정한 온도 및 de-Q(Q가 나쁜) 수정편에서 발생된다.
 +
<li>주파수변화 뿐만아니라 저항변화도 발생되어 극단적인 경우 발진이 멈출 수 있다.
 +
<li>이런 activity dips(활동저하)는 기본모드와 수정편이 작을 경우 훨씬 많이 발생된다.
 +
</ol>
 +
<li>이런 갑작스런 주파수 변화는 GPS 신호수신에서 특히 문제가 된다.
 +
</ol>
 +
<li> - 5p
 +
<ol>
 +
<li>찾아내려면 1.25'C/분 이하의 낮은 변화속도로 측정하거나, 매 'C마다 측정하거나, 최소 5도마다 측정해야 한다.
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>크기별
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>5032
 
<li>5032
 +
<ol>
 +
<li>2005.02 출시 [[싸이버뱅크 CP-X310]] PDA폰
 +
<ol>
 +
<li>GPS용, 5.0x3.2mm, R 3450 N53P42 마킹
 +
<gallery>
 +
image:cp_x310_022_002_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>2-패키지 적층구조
 +
<gallery>
 +
image:cp_x310_022_002_002.jpg | 2패키지. 아래쪽에 IC 본딩 후 수지 포팅
 +
image:cp_x310_022_002_003.jpg | 맨 아래는 프로그래밍을 위한 4단자
 +
</gallery>
 +
<li>블랭크, 와이어본딩된 IC
 +
<gallery>
 +
image:cp_x310_022_002_004.jpg | 매우 큰 블랭크(아무런 가공이 안된듯)
 +
image:cp_x310_022_002_005.jpg | TCXO IC
 +
</gallery>
 +
<li>IC 패턴
 +
<gallery>
 +
image:cp_x310_022_002_006.jpg | AKM(Asahi Kasei Microsystems)
 +
image:cp_x310_022_002_007.jpg | AKM, 5672, 2003 (년도인듯)
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2015/03/12일 파워서플라이 속에서 발견
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:150312_183518.jpg
 
image:150312_183518.jpg
 
image:150313_101232.jpg
 
image:150313_101232.jpg
image:150313_101316.jpg|2015/03/12일 파워서플라이 속에서 발견
+
image:150313_101316.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>2019/09/27, P사 EMC 몰딩품. 내부에 작은 패키지 제품. 즉, 크기를 키운 제품임.
 +
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 +
image:tcxo5032_01_001.jpg
 +
image:tcxo5032_01_002.jpg | 금 스퍼터링 블랭크. 몰딩 압력으로 리드가 안쪽으로 찌그러짐. 그러면 스트레스 때문에 주파수 편차가 생김
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>3225
 
<li>3225
 +
<ol>
 +
<li>1 캐비티 - IC 본딩 후 crystal 블랭크 마운팅
 +
<ol>
 +
<li>이 상태로 입수하여, TCXO인지 오실레이터인지 현재 알 수 없음.
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 +
image:xtal3225_01_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>제품1 - 반제품 상태
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image:tcxo3225_05_001.jpg
 +
image:tcxo3225_05_002.jpg | 폴리이미드 보호막이 존재하여 노랗다.
 +
image:tcxo3225_05_003.jpg | A2N N81 7B 3 1
 +
image:tcxo3225_05_004.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>2007.10 출시 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
 +
<ol>
 +
<li>외관 및 분해
 +
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 +
image:sh170_009.jpg | MSM6250 baseband칩옆에서 19.20L D749 마킹된 TCXO
 +
image:sh170_009_001.jpg | 베벨링된 블랭크에 금전극 코팅
 +
</gallery>
 +
<li>IC
 +
<gallery>
 +
image:sh170_009_002.jpg
 +
image:sh170_009_003.jpg | KDS Daishinku Corp.
 +
image:sh170_009_004.jpg | C3319
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 [[IM-U660K]] 피처폰
 +
<ol>
 +
<li>실드깡통 속에 있는 TCXO, 3.2x2.5mm
 +
<gallery>
 +
image:im_u660k_024.jpg | 19.20P D03 마킹, 3.2x2.5mm
 +
image:im_u660k_025.jpg | Au 스터드 초음파 [[플립본딩]], KDS IC 마킹
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>RF하이패스, 로스윈PLL 모듈속에서
 +
<ol>
 +
<li>세트에서
 +
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 +
image:hipass_rf01_087.jpg | 마킹 13 (2008년 3월 제조?)
 +
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 +
<li>내부 구조
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image:hipass_rf01_087_001.jpg | crystal 은 베벨 가공, IC는 플립칩
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image:hipass_rf01_087_002.jpg | blank 접착제 고정 방법
 +
image:hipass_rf01_087_003.jpg | blank 뜯으면
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 +
<li>IC 칩 뒷면. 플립본딩용 직사각형 초음파혼 팁으로 비빈 자국???
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image:hipass_rf01_087_004.jpg
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image:hipass_rf01_087_005.jpg
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image:hipass_rf01_087_006.jpg
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</gallery>
 +
<li>IC 칩 측면, 다이싱 상태. 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)
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<gallery>
 +
image:hipass_rf01_087_007.jpg
 +
image:hipass_rf01_087_008.jpg
 +
image:hipass_rf01_087_009.jpg
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</gallery>
 +
<li>AKM 회사 제품
 +
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image:hipass_rf01_087_010.jpg
 +
image:hipass_rf01_087_011.jpg
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 +
<li>IC 본딩패드가 떨어진 Gold Stud Bump - 이 용도를 위한 플립칩용 패드로 개발이 되지 않은 IC인듯. 매우 쉽게 떨어졌기 때문에
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image:hipass_rf01_087_012.jpg
 +
image:hipass_rf01_087_013.jpg
 +
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 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>한 몸체에 위아래로 2 캐비티 - 밑면에 IC 본딩
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<ol>
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<li>제품1 - 40.0B 8K039
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 +
image:tcxo3225_04_001.jpg
 +
image:tcxo3225_04_002.jpg | 레이저 마킹 인식은 빛 반사 각도에 따라
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image:tcxo3225_04_003.jpg
 +
image:tcxo3225_04_004.jpg | 2차원 바코드
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 +
<li>3G 통신모듈에서 - 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100
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<ol>
 +
<li>모듈에서
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image:3g_module01_025.jpg | QSC6240
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image:3g_module01_027.jpg | RTC 및 TCXO
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 +
<li>뒷면
 +
<gallery>
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image:tcxo3225_01_001.jpg
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 +
<li>질산에 넣으면
 
<gallery>
 
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image:xtal3225_01_001.jpg|TCXO인지 오실레이터인지 현재 알 수 없음.
+
image:tcxo3225_01_002.jpg | 글씨가 사진졌다. 마킹은 뚜껑에 도금된 니켈만 레이저로 녹였다.
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image:tcxo3225_01_004.jpg | IC 떼어낸 후
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image:tcxo3225_01_005.jpg | 금 전극
 +
image:tcxo3225_01_006.jpg | 블랭크 마운팅 방법
 
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</gallery>
 +
<li>IC
 +
<gallery>
 +
image:tcxo3225_01_007.jpg
 +
image:tcxo3225_01_008.jpg | A2N N81 7C 01 70
 +
image:tcxo3225_01_009.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Au Stud, Ultrasonic Flip Bond에서
 +
<gallery>
 +
image:tcxo3225_01_003.jpg | 세라믹 패키지면에서
 +
image:tcxo3225_01_010.jpg | IC에서, 세라믹과 닿은 면 - 타원형이다.
 +
image:tcxo3225_01_011.jpg | IC에서, 칩과 닿는 면 - 원형이다.
 +
</gallery>
 +
<li>Ultrasonic Flip Bonding 했다면, 칩 뒤면을 관찰
 +
<gallery>
 +
image:tcxo3225_01_012.jpg | 칩 가운데 eject pin 충격 흔적이 없다.
 +
image:tcxo3225_01_013.jpg | 가장자리 꼭지점이 많이 깍여 있다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2008.04 출시 Motorola [[Z8m]] 슬라이드 피처폰
 +
<gallery>
 +
image:z8m01_053.jpg | TYK G844 XK 8X9 TN
 +
image:z8m01_053_001.jpg | 위쪽 캐비티 - 수정 블랭크 본딩
 +
image:z8m01_053_002.jpg | 아랫쪽 캐비티 - IC 본딩
 +
</gallery>
 +
<li>2005.05 출시 Motorola [[MS500]] 폴더 피처폰
 +
<gallery>
 +
image:ms500_01_063.jpg | 3.2x2.5mm TV8 C718 MC 74L TN
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2-패키지 적층
 +
<ol>
 +
<li>분리하지 않음
 +
<ol>
 +
<li>제품1
 +
<gallery>
 +
image:tcxo3225_02_001.jpg | 크리스탈 제조회사 마킹은 TP3832이고, TCXO 제조회사 마킹은 MA89T
 +
image:tcxo3225_02_002.jpg | 아래쪽이 이 제품, 윗쪽은 1-캐비티
 +
</gallery>
 +
<li>제품2
 +
<gallery>
 +
image:tcxo3225_03_001.jpg | TW 1636 818
 +
image:tcxo3225_03_002.jpg | 리드 용접이 저항용접이 아니다. 융착?
 +
</gallery>
 +
<li> [[아이트로닉스 ITE-1000]], [[내비게이션]]에서, GPS 모듈, 마이크로어드벤텍 MAT1316에서
 +
<gallery>
 +
image:ite1000_01_043.jpg
 +
image:ite1000_01_044.jpg | Ublox UBX-G5010-ST 칩
 +
image:ite1000_01_048.jpg | GPS용 TCXO
 +
image:ite1000_01_047.jpg | 3.2x2.5mm QB946(TCXO 제조회사 마킹), TM5820(crystal unit 제조회사 마킹)
 +
</gallery>
 +
<li> [[와이브로]], EV-WM200 모델에서
 +
<gallery>
 +
image:ev_wm200_018.jpg | [[압전체 레조네이터]]와 [[TCXO]] UVA5A
 +
image:ev_wm200_018_001.jpg | 블랭크에 빈 영역이 넓다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>IC를 와이어본딩
 +
<ol>
 +
<li>2006.10 출시 삼성 월드로밍 [[SCH-V920]] 슬라이드 피처폰
 +
<gallery>
 +
image:sch_v920_041.jpg | 일본에서 제작한 공진기(마킹이 예쁘다)를 얹은 후 다시 마킹
 +
image:sch_v920_041_001.jpg | 에폭시 포팅
 +
image:sch_v920_041_002.jpg | 와이어본딩 IC
 +
</gallery>
 +
<li>인포콤 RF하이패스, RF 모듈에서, 크리스탈 단품 제조회사 따로 마킹 TE7110, TCXO 회사(인지모바일) 마킹 TD19G
 +
<gallery>
 +
image:hipass_rf02_033.jpg | 3.2x2.5mm, 인지모바일, 마킹 TD19G TE7110
 +
image:hipass_rf02_034.jpg | 열풍기로 해당 제품만 땜납을 녹여 뜯기 위해
 +
image:hipass_rf02_035.jpg
 +
image:hipass_rf02_036.jpg | 와이어 본딩
 +
image:hipass_rf02_037.jpg
 +
image:hipass_rf02_038.jpg | AKM 2007
 +
image:hipass_rf02_039.jpg
 +
image:hipass_rf02_040.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>IC를 플립본딩(솔더 및 초음파)
 +
<ol>
 +
<li>2007.12 출시 [[LG-LB3300]] 슬라이드 피처폰
 +
<gallery>
 +
image:lb3300_017.jpg | Kyocera, 9MM3W60 P7
 +
image:lb3300_017_001.jpg | 위에 있는 [[Xtal세라믹]] 공진기를 들어내면 프로그래밍할 수 있는 IC가 있다.
 +
image:lb3300_017_002.jpg | 솔더로 [[플립본딩]] 되었다.
 +
image:lb3300_017_003.jpg | 28715 N1A(세로쓰기 [[IC 표식]]). 유기물 보호막이 있다.
 +
image:lb3300_017_004.jpg | 빨갛게 태운 IC. 유기물 보호막 상당부분을 제거함
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 
<li>2520
 
<li>2520
 +
<ol>
 +
<li>측정 치구
 +
<ol>
 +
<li>치구-1
 +
<gallery>
 +
image:tcxo_partron25201_001.jpg | 16/07/06 측정시작
 +
</gallery>
 +
<li>치구-2, 적층 패키지에서 레조네이터 검사용
 +
<gallery>
 +
image:tcxo2520_04_001.jpg
 +
image:tcxo2520_04_002.jpg | 플립본딩된 IC
 +
image:tcxo2520_04_003.jpg | 이방성 도전성 고무, 이 위에 크리스탈 레조네이터를 올려놓고 검사한다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2-cavity 반제품
 +
<ol>
 +
<li>봉투에, 1.65x1.30mm 블랭크 사용, 16.369MHz, AK2177 사용,  2013.12.12 제조
 
<gallery>
 
<gallery>
image:tcxo_partron25201_001.jpg|16/07/06 측정시작
+
image:tcxo2520_01_001.jpg
 +
image:tcxo2520_01_002.jpg | 베벨링 블랭크, TCXO용 블랭크에는 금 스퍼터링. 가장자리 경계가 선명하지 않음.
 +
image:tcxo2520_01_003.jpg | 이 상태로 5년 넘게 방치됨. 에폭시 bleed out 발생
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>HP5347A (파워미터 및 20GHz 카운터)
+
</ol>
 +
<li>PCB 인터포저 (쿄세라 제조)
 +
<ol>
 +
<li>제품 1
 +
<ol>
 +
<li>T 포켓파이 SBR-200S(LTE통신)에서
 
<gallery>
 
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image:hp5347a_001.jpg
+
image:mobile_router01_024.jpg
image:hp5347a_006.jpg
+
image:tcxo2520pcb01_001.jpg | MA80Y41 K13527
image:hp5347a_018.jpg|TCXO - 인터넷 조사 안됨.
 
 
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<li>분해
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image:tcxo2520pcb01_002.jpg
 +
image:tcxo2520pcb01_003.jpg | 질산에 넣으면 자연스럽게 이렇게 분리된다.
 +
image:tcxo2520pcb01_004.jpg | 마킹 글씨가 사라졌다. 레이저 마킹은 리드에 도금된 니켈만 녹여야 한다.(??)
 +
image:tcxo2520pcb01_005.jpg | Au Stud Ball, Ultrasonic Heat Compression, Flip Bonding
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 +
<li>Asahi Kasei Microdevices, AKM6617
 +
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 +
image:tcxo2520pcb01_013.jpg | 10,941x8,206 pixels
 +
image:tcxo2520pcb01_006.jpg | 2,378 x 1,585 pixels
 +
image:tcxo2520pcb01_007.jpg
 +
image:tcxo2520pcb01_008.jpg | 0.5um 최소선폭
 +
</gallery>
 +
<li>범프 볼 및 IC 패드
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image:tcxo2520pcb01_010.jpg | 범핑볼과 이후 플립본딩 후 퍼진 볼 조직이 다르다.
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image:tcxo2520pcb01_009.jpg | 부착력 강화?
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 +
<li>블랭크, 스퍼터링된 금
 +
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image:tcxo2520pcb01_011.jpg
 +
image:tcxo2520pcb01_012.jpg | 직사각형 4.2x2.9um
 +
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 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>1-cavity 반제품
 +
<ol>
 +
<li>트레이1 에서,
 +
<ol>
 +
<li>이런 트레이에 보관됨.
 +
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 +
image:tcxo2520_02_001.jpg
 +
image:tcxo2520_02_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>제품1 - 블랭크에 에지가공을 추가하지 않아, 에지 칩핑 때문에 쉽게 깨진다.
 +
<gallery>
 +
image:tcxo2520_02_003.jpg | 깨진 상태
 +
image:tcxo2520_02_004.jpg | 앞뒤 전극이 있고
 +
image:tcxo2520_02_005.jpg | 앞뒤 전극 연결을 위해 측면전극이 있다.
 +
image:tcxo2520_02_006.jpg | 플립본딩된 IC
 +
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 +
<li>제품2
 +
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 +
image:tcxo2520_02_007.jpg | 블랭크 본딩하면 정중앙을 과도하게 눌러 깨진듯
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 +
</ol>
 +
<li>트레이2 에서,
 +
<gallery>
 +
image:tcxo2520_03_001.jpg | 베벨가공된 블랭크
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image:tcxo2520_03_002.jpg | 전문가들이 리드 벗기는 법
 +
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</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2016
 +
<ol>
 +
<li>2 cavity
 +
<ol>
 +
<li>국내 P사로 추정되는, 마킹 안되어 있는 반제품
 +
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 +
image:tcxo2016_01_001.jpg
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 +
</ol>
 +
<li>[[캐비티 유기물기판]]를 사용한, 쿄세라 회사 제품
 +
<ol>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, GPS IC를 위해 사용
 +
<ol>
 +
<li> [[실드 깡통]]
 +
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 +
image:redmi_note4x_121.jpg | TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
 +
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 +
<li>마킹 F4YN6N4 K61629T
 +
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 +
image:redmi_note4x_122.jpg | 회색(교세라 고강도) [[HTCC 캐비티]], 약 2.0x1.6mm 크기
 +
image:redmi_note4x_123.jpg | hollow 내부 공간에 TCXO용 IC를 Au stud 초음파 [[플립본딩]]
 +
image:redmi_note4x_124.jpg | [[캐비티 유기물기판]]
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>크기 모름
 +
<ol>
 +
<li> [[GPStarplus GPSDO]]
 +
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image:gpstarplus565_034.jpg | [[GPS-IC]]
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image:gpstarplus565_035.jpg
 +
image:gpstarplus565_036.jpg | ZA285
 +
</gallery>
 +
<li>2003년 10월 제조된, 제조회사 알 수 없는 [[U-100]] 핸드폰 보드에서
 +
<gallery>
 +
image:u_100_010.jpg | LMX2354 frequency synthesizer
 +
image:u_100_011.jpg | 2-package, 19.68MHz [[TCXO]]
 +
</gallery>
 +
<li>2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 [[SCH-B8850D]]
 +
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 +
image:sch_b8850d_016.jpg | 19.2MHz
 +
</gallery>
 +
<li>2009.12 출시 삼성 [[SPH-M8400]] 옴니아2 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>어떤 교세라 [[TCXO]] [[레이저 마킹]] 품질
 +
<gallery>
 +
image:sph_m8400_021.jpg | 난반사 금속표면을 레이저로 녹여 거울면을 만들었다.
 +
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 +
</ol>
 
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2023년 6월 1일 (목) 16:44 기준 최신판

TCXO

  1. 전자부품
    1. 수정부품
      1. 발진기
        1. TCXO - 이 페이지
          1. 주파수표준 TCXO
          2. 32.768kHz TCXO
        2. 참고
          1. VCTCXO
    2. 참고
      1. 주파수표준
  2. ATCXO, ADTCXO, DTCXO, DCXO, MCXO
    1. 자료
    2. ATCXO; analog TCXO 이다.
      1. XO 발진 주파수를 보상하는 여러 값 C값을 갖는 네트워크를 선택한다.
      2. 급격한 발진주파수 변화가 발생된다.(?)
    3. ADTCXO; Analog Digital Temperature Compensated Crystal Oscillator
      1. DTCXO와 같은 성능을 보인다.
    4. DTCXO; Digitally Thermal Compensated Crystal Oscillator
      1. 논리 및 계산 함수에서 온도센서와 온도계수 테이블을 읽어서, DAC를 동작시켜 배리캡다이오드로 XO 발진주파수를 변경시킨다.
    5. DCXO; Digitally Controlled Crystal Oscillator
      1. TCXO에 비해 안정적인 주파수를 발생시킨다.
    6. MCXO; Microprocessor Compensated Crystal Oscillator
      1. 마이크로프로세에서 온도센서와 온도계수 테이블을 읽어서, DAC를 동작시켜 배리캡다이오드로 XO 발진주파수를 변경시킨다.
      2. ADC는 룩업테이블 대신에 DAC와 함께 사용한다.
      3. 성능은 뛰어나지만 비싸다.
  3. 제조업체
    1. 미국
      1. CTS
        1. - 13p
      2. Greenray
        1. - 8
    2. 일본
        1. 2013년 Murata로 인수합병됨
    3. 한국
      1. 삼성전기 -> 인지모바일솔루션 ->
        1. 회사정보
          1. 2007.06 설립.
          2. 2007.09 삼성전기로부터 TCXO 사업인수
          3. 2015.04 TCXO 사업을 리홈크리스탈(lihome crystal)주식회사가 인수함.
        2. 2008/11 VC-TCXO의 이해
        3. 2011/06/30 TCXO의 이해
        4. 2015/12/02 전기적 특성 규격서 - 1p
      2. 파트론
        1. 2019.04 수정사업 철수
        2. 2016/07/06 파트론 2520 규격서 26.0000MHz+-2ppm 0.5ppm
          1. 이 제품 온도특성을 측정한 엑셀파일
  4. 주파수 편차
    1. Freq = 16~40MHz에서, 25도씨에서 주파수편차는 +/-1.0ppm
    2. 온도편차
      1. 온도 보상하지 않는 오실레이터는 10~20ppm
      2. +-2ppm(-30~+85도씨) for cellular phone
      3. +-0.5ppm(-30~+80도씨) for GPS
  5. frequency perturbation of TCXO
    1. 기술자료
      1. - 3p
        1. 정의 및 발생원인
          1. 특정온도에서 두 개 이상의 excited mode 또는 이들의 하모닉이 겹쳐 진동하면 발생한다. 이를 activity dips(활동저하)라고 부르는 결합모드(coupled mode)가 발생된다.
          2. Face-shear, flexure, thickness-twist 등과 같은 다양한 모드가 각각의 하모닉이 주모드에 겹칠 수 있다. 이는 특정한 온도 및 de-Q(Q가 나쁜) 수정편에서 발생된다.
          3. 주파수변화 뿐만아니라 저항변화도 발생되어 극단적인 경우 발진이 멈출 수 있다.
          4. 이런 activity dips(활동저하)는 기본모드와 수정편이 작을 경우 훨씬 많이 발생된다.
        2. 이런 갑작스런 주파수 변화는 GPS 신호수신에서 특히 문제가 된다.
      2. - 5p
        1. 찾아내려면 1.25'C/분 이하의 낮은 변화속도로 측정하거나, 매 'C마다 측정하거나, 최소 5도마다 측정해야 한다.
  6. 크기별
    1. 5032
      1. 2005.02 출시 싸이버뱅크 CP-X310 PDA폰
        1. GPS용, 5.0x3.2mm, R 3450 N53P42 마킹
        2. 2-패키지 적층구조
        3. 블랭크, 와이어본딩된 IC
        4. IC 패턴
      2. 2015/03/12일 파워서플라이 속에서 발견
      3. 2019/09/27, P사 EMC 몰딩품. 내부에 작은 패키지 제품. 즉, 크기를 키운 제품임.
    2. 3225
      1. 1 캐비티 - IC 본딩 후 crystal 블랭크 마운팅
        1. 이 상태로 입수하여, TCXO인지 오실레이터인지 현재 알 수 없음.
        2. 제품1 - 반제품 상태
        3. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
          1. 외관 및 분해
          2. IC
        4. 2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 IM-U660K 피처폰
          1. 실드깡통 속에 있는 TCXO, 3.2x2.5mm
        5. RF하이패스, 로스윈PLL 모듈속에서
          1. 세트에서
          2. 내부 구조
          3. IC 칩 뒷면. 플립본딩용 직사각형 초음파혼 팁으로 비빈 자국???
          4. IC 칩 측면, 다이싱 상태. 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)
          5. AKM 회사 제품
          6. IC 본딩패드가 떨어진 Gold Stud Bump - 이 용도를 위한 플립칩용 패드로 개발이 되지 않은 IC인듯. 매우 쉽게 떨어졌기 때문에
      2. 한 몸체에 위아래로 2 캐비티 - 밑면에 IC 본딩
        1. 제품1 - 40.0B 8K039
        2. 3G 통신모듈에서 - 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100
          1. 모듈에서
          2. 뒷면
          3. 질산에 넣으면
          4. IC
          5. Au Stud, Ultrasonic Flip Bond에서
          6. Ultrasonic Flip Bonding 했다면, 칩 뒤면을 관찰
        3. 2008.04 출시 Motorola Z8m 슬라이드 피처폰
        4. 2005.05 출시 Motorola MS500 폴더 피처폰
      3. 2-패키지 적층
        1. 분리하지 않음
          1. 제품1
          2. 제품2
          3. 아이트로닉스 ITE-1000, 내비게이션에서, GPS 모듈, 마이크로어드벤텍 MAT1316에서
          4. 와이브로, EV-WM200 모델에서
        2. IC를 와이어본딩
          1. 2006.10 출시 삼성 월드로밍 SCH-V920 슬라이드 피처폰
          2. 인포콤 RF하이패스, RF 모듈에서, 크리스탈 단품 제조회사 따로 마킹 TE7110, TCXO 회사(인지모바일) 마킹 TD19G
        3. IC를 플립본딩(솔더 및 초음파)
          1. 2007.12 출시 LG-LB3300 슬라이드 피처폰
    3. 2520
      1. 측정 치구
        1. 치구-1
        2. 치구-2, 적층 패키지에서 레조네이터 검사용
      2. 2-cavity 반제품
        1. 봉투에, 1.65x1.30mm 블랭크 사용, 16.369MHz, AK2177 사용, 2013.12.12 제조
      3. PCB 인터포저 (쿄세라 제조)
        1. 제품 1
          1. T 포켓파이 SBR-200S(LTE통신)에서
          2. 분해
          3. Asahi Kasei Microdevices, AKM6617
          4. 범프 볼 및 IC 패드
          5. 블랭크, 스퍼터링된 금
      4. 1-cavity 반제품
        1. 트레이1 에서,
          1. 이런 트레이에 보관됨.
          2. 제품1 - 블랭크에 에지가공을 추가하지 않아, 에지 칩핑 때문에 쉽게 깨진다.
          3. 제품2
        2. 트레이2 에서,
    4. 2016
      1. 2 cavity
        1. 국내 P사로 추정되는, 마킹 안되어 있는 반제품
      2. 캐비티 유기물기판를 사용한, 쿄세라 회사 제품
        1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, GPS IC를 위해 사용
          1. 실드 깡통
          2. 마킹 F4YN6N4 K61629T
    5. 크기 모름
      1. GPStarplus GPSDO
      2. 2003년 10월 제조된, 제조회사 알 수 없는 U-100 핸드폰 보드에서
      3. 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D
      4. 2009.12 출시 삼성 SPH-M8400 옴니아2 스마트폰
        1. 어떤 교세라 TCXO 레이저 마킹 품질