"Tr"의 두 판 사이의 차이

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<li> [[전자부품]]
+
<li>반도체
 
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<li> [[디스크리트]]
 
<li> [[디스크리트]]
 
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<li> [[Tr]] - 이 페이지
 
<li> [[Tr]] - 이 페이지
<li> [[FET]]
+
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<li> [[SCR]]
+
<li>기술
<li> [[Triac]]
+
<ol>
<li> [[IGBT]]
+
<li> [[Tr 측정]]
<li> [[마이크로-X]]
+
<li> [[핀아웃 표시된 트랜지스터]]
 +
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 +
<li>패키지
 +
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 +
<li> [[TO-3]] 다이아몬드형 금속패키지
 +
<li> [[TO-5]] 원형 금속패키지
 +
<li> [[TO-220]] 플라스틱 패키지
 +
<li> [[TO-92]] 플라스틱 패키지
 +
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 +
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<li>트랜지스터
 
<li>트랜지스터
 
<ol>
 
<ol>
<li>Complementary Transistors
+
<li>구입
 
<ol>
 
<ol>
<li>NPN, PNP 두 차이점
+
<li>ON Semiconductor, FJPF2145TU, NPN, 800V 5A, [[TO-220]] 패키지
 
<ol>
 
<ol>
<li>전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
+
<li>제품규격서
</ol>
+
<li> [[인버터 형광등스탠드]] 용, 엘레파츠 @755원
<li>STA341M - 3p
+
<li>2022/06/17 입고
 
<ol>
 
<ol>
<li>외형 및 내부 구조
+
<li>사진
 
<gallery>
 
<gallery>
image:cdplayer01_010.jpg | STA341M Complementary Transistors [[디스크리트]]가 3개 있음
+
image:fluorescent_int04_012.jpg
image:cdplayer01_010_001.jpg | 칩 하나는 PNP, 하나는 NPN
+
image:fluorescent_int04_013.jpg | 튜브 포장
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>
+
<li>6개에서 2개 사용중 고장, 2개 적용, 현재 2개 남아 있음.
 +
<li>2022/08/01 남은 두 개 사용하여 없음.
 +
<li>2022/08/05 고장품 내부
 
<gallery>
 
<gallery>
image:cdplayer01_010_002.jpg | 본딩 와이어 굵기가 다른 것처럼 보인다.
+
image:tr02_001.jpg | 불에 태워
image:cdplayer01_010_003.jpg | 실제 그렇지 않다.
+
image:tr02_002.jpg | 휴지에 물을 뿌려 숯가루가 날리지 않게
image:cdplayer01_010_004.jpg | 왼쪽은 EMC속에서 열을 받아, 높은 압력 때문에 금이 퍼진 듯
+
image:tr02_003.jpg | 방열판 구조
 +
image:tr02_004.jpg | Base와 Emitter 패턴이 서로 동일하다. [[Al 웨지 와이어본딩]]
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
+
<li>BUL381D, 400V 5A 70W, 엘레파츠 회사로 7개 총 10,057원에 구매의뢰함.
 
<ol>
 
<ol>
<li>기술문서
+
<li> [[인버터 형광등스탠드]] 수리용으로
<ol>
+
<li>2022/08/10 도착
<li>  
 
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>의미있는 사진들
 
<li>의미있는 사진들
 
<ol>
 
<ol>
<li>홍콩 마킹
+
<li>일반적인 사진
<gallery>
+
<ol>
image:3455a01_053.jpg | HP 3455A DMM에서
+
<li>2013년 11월 출시 [[노트북]], [[Gigabyte P34]]에서
image:3421_44461_013.jpg | [[4446xA]]에서
 
</gallery>
 
<li>삼성
 
<gallery>
 
image:hrp_303s_011.jpg | 삼성 Tr(?)
 
</gallery>
 
<li>마킹이 잘보이게 흰페이트칠 및 EBC 전극 표시
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:guildline9540_017.jpg | Guildline 9540 백금온도계에서
+
image:gigabyte_p34_031.jpg | 평범한 외관을 갖는 SMD타입 [[Tr]]
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>페라이트슬리브가 꼽히고, EBC 전극 표시
 
<gallery>
 
image:3421_44461_007.jpg
 
[[4446xA]]
 
 
</ol>
 
</ol>
</ol>
+
<li>용어
<li>플라스틱
+
<ol>
 +
<li>hFE
 
<ol>
 
<ol>
<li>방열 기능이 있는 모양
+
<li>h-파라메터, F: Forward current amplification(=current gain), E: Common Emitter(CE) configuration
 
<ol>
 
<ol>
<li>RCA, 1976년
+
<li>= collector current/base current
<ol>image:3455a01_052.jpg | HP 3455A DMM에서
+
</ol>
</gallery>
+
<li>사진
<li>66311B, Mobile Communications DC Sources, 15V 3A
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:66311b02_010.jpg
+
image:tr00_001_001.jpg | 삼성물산 패션브렌드 구호(KUHO), HEART FOR EYE
image:66311b02_011.jpg | MJL21194, 16A 250V 200W, NPN Si Power Tr. MJL21193(pnp)
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Meanwell MPS-6003LK-1(60V,3A) 파워서플라이에서
+
<li> [[Tr 측정]]
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>홍콩 마킹
 
<gallery>
 
<gallery>
image:mps_6003lk_1_010.jpg | 2SC5200 방열
+
image:3455a01_053.jpg | HP 3455A DMM에서
 +
image:3421_44461_013.jpg | [[4446xA]]에서
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>13003 High Voltage Switch Mode Applications,
+
<li>모로코 마킹
 
<ol>
 
<ol>
<li>우리조명 20EX-L 형광등 전자식 안정기에서
+
<li> [[비일체형 콤팩트 형광등]]
 
<gallery>
 
<gallery>
image:electrical_ballast03_007.jpg
+
image:electrical_ballast08_003.jpg | 모로코 MOROCCO, STMicroelectronics, BUL128, NPN power transistor
image:e13003_001.jpg
 
image:e13003_002.jpg
 
image:e13003_003.jpg
 
image:e13003_004.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Philips Tonado 24W, Compact fluorescent lamp(CFL) 에서
+
</ol>
 +
<li>삼성
 
<ol>
 
<ol>
<li>제품 외관
+
<li>[[103]] 전압소스에서. 삼성 KSC1520 npn Tr, 1970년대말에 제조한 것으로 추정
<gallery>
 
image:fluorescent_int02_001.jpg
 
image:fluorescent_int02_002.jpg | 13003, high voltage fast-switching NPN power transistor, 700V 1.5A
 
</gallery>
 
<li>Tr 외관
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:fluorescent_int02_008.jpg
+
image:103_2_a1_008.jpg
image:fluorescent_int02_009.jpg | 13003 Tr 하나에서
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Tr 분해
+
<li> [[협성 HRP-303S]] DC전원공급기에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:e13003_02_001.jpg
+
image:hrp_303s_011.jpg | 삼성 TIP41 npn [[TO-220]]패키지
image:e13003_02_002.jpg
 
image:e13003_02_003.jpg | 볼본딩. EMC 몰딩 관찰하니, 구리 볼본딩으로 추정
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
</ol>
+
<li> [[핀아웃 표시된 트랜지스터]]
<li>PC SMPS에서
+
<li>수정
 
<gallery>
 
<gallery>
image:tr01_001.jpg | 2SC4138
+
image:m_gage_069.jpg | [[m-gage]]에서
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
+
<li>리드가 보이지 않게 짧게 잘라 납땜함
 +
<ol>
 +
<li> [[SR606H 라벨 프린터]]에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:103_2_a1_008.jpg | 삼성전자 KSC1520
+
image:epson_label06_030.jpg | [[Tr]]에서 리드를 매우 짧게 잘라 납땜한, 2SB1269 pnp, 2SD1805 npn
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>니콘 넥시브, 헤드 드라이브에서
 
<gallery>
 
image:vm150n04_005.jpg
 
image:vm150n04_040.jpg
 
image:vm150n04_041.jpg | 2SD1267
 
image:vm150n04_042.jpg
 
image:vm150n04_043.jpg
 
</gallery>
 
<li>가습기용 진동회로에서
 
<ol>
 
<li>Tr 2SC3834
 
<ol>
 
<li>규격서
 
<ol>
 
<li>ISC - 3p
 
<li>Sanken - 1p
 
 
</ol>
 
</ol>
<li>구입
+
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>사용 기술
 
<ol>
 
<ol>
<li>isc(INCHANGE Semiconductor) 회사제품 사용중
+
<li>디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
<li>Vce=120V, Ic=7A, Pc=50W, 30MHz
 
<li>16/02/15 5,000개 구입 발주서 - 1p
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>C&Tech(씨앤테크, Component&Technology) 서울시 구로구 경인로53길 15 중앙유통상가 바동4313호. 천승우 070-7619-5943 010-4258-0943 swchun0943@hanmail.net
+
<li>기술정보
</ol>
 
<li>16/03/23 4K 교환 물류비 113,294 입금함.
 
</ol>
 
<li>측정
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>16/03/21
+
<li>링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
<li>소스미터로 증폭률 측정
 
<gallery>
 
image:2sc3834_001.png | 측정 방법
 
image:2sc3834_002.png | 1348로트 2개
 
image:2sc3834_003.png | 1534로트 2개
 
image:2sc3834_004.png | 1538로트 3개
 
image:2sc3834_005.png | 1548로트 1개
 
image:2sc3834_006.png | 1608로트 3개
 
image:2sc3834_007.png | 1612로트 3개
 
image:2sc3834_008.png | 로트에 따른 증폭률 차이 정리
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>2SC3835 - 70W, 3834가 50W,
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>Sanken - 1p
+
<li>저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
 +
<li>저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>방열필요없는
+
<li>Complementary Transistors
 
<ol>
 
<ol>
<li>Silk Hat 타입
+
<li>NPN, PNP 두 차이점
 
<ol>
 
<ol>
<li>DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
+
<li>전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
<gallery>
 
image:103_2_ps_006.jpg | Silk Hat 타입
 
image:103_2_ps_012.jpg
 
image:103_2_a1_013.jpg
 
image:103_2_a1_014.jpg
 
image:103_2_a1_015.jpg
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
<li>기타 모양
+
<li>STA341M - 3p
 
<ol>
 
<ol>
<li>CRT 모니터, 미쓰비시, EUM-1491A
+
<li>외형 및 내부 구조
 
<gallery>
 
<gallery>
image:crt04_012.jpg | TR
+
image:cdplayer01_010.jpg | STA341M Complementary Transistors [[디스크리트]]가 3개 있음
image:crt04_015.jpg | TR
+
image:cdplayer01_010_001.jpg | 칩 하나는 PNP, 하나는 NPN
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>1979년산 HP 5328B counter에서
+
<li>
 
<gallery>
 
<gallery>
image:hp5328b02_033.jpg | 2N3906 Tr에 적힌 EBC
+
image:cdplayer01_010_002.jpg | 본딩 와이어 굵기가 다른 것처럼 보인다.
</gallery>
+
image:cdplayer01_010_003.jpg | 실제 그렇지 않다.
<li>Yokogawa 2807 digital multimeter, 76년
+
image:cdplayer01_010_004.jpg | 왼쪽은 EMC속에서 열을 받아, 높은 압력 때문에 금이 퍼진 듯
<gallery>
 
image:yokogawa2807_01_028.jpg | Tr
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>리드 지지 방법
+
<li>Pair
 
<ol>
 
<ol>
<li>니콘 넥시브, XYZ 모터 드라이브에서
+
<li>2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
 
<gallery>
 
<gallery>
image:vm150n04_035.jpg
+
image:uthe10h01_016.jpg | - UTHE 10H Ultrasonic Generator에서
 
</gallery>
 
</gallery>
</ol>
+
<li>Motorola 3-075
</ol>
 
<li>금속 캔
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>방열 방법
+
<li>외관 및 방열세라믹기판
<ol> , [[방열]]
 
</ol>
 
<li>TO-3
 
<ol>
 
<li>DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:103_2_004.jpg | TO-3
+
image:tr_pair01_001.jpg | 6-pin
image:103_2_ps_004.jpg
+
image:tr_pair01_002.jpg
 +
image:tr_pair01_003.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>KEPCO, Bipolar Operational Power Supplies에서
+
<li>왼쪽 칩
 
<gallery>
 
<gallery>
image:amp1_001.jpg
+
image:tr_pair01_004.jpg
image:amp1_003.jpg
+
image:tr_pair01_006.jpg
image:amp1_004.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Yokogawa 2807 digital multimeter, 76년
+
<li>오른쪽 칩
 
<gallery>
 
<gallery>
image:yokogawa2807_01_019.jpg | 2SD297, Si NPN Tr, 80V 3A 25W
+
image:tr_pair01_005.jpg
 +
image:tr_pair01_007.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>올림푸스 BH2 현미경 밝기 조정용
+
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>리드에 [[슬리브L]] 을 끼워 사용
 +
<ol>
 +
<li>대표적인 예로, [[E5060A B-H Z Analyzer]]에서. Tr 리드 3개 모두에 꼽혀 있다.
 
<gallery>
 
<gallery>
image:bh2_1_013.jpg | 2SC2507
+
image:e5060a01_020_007.jpg | 2SC3355 1GHz, high frequency low noise amplifier
</gallery>
 
<li>6651A 파워서플라이에서 8V 50A 400W
 
<gallery>
 
image:6651a01_008.jpg | MJ15003: Bipolar Transistor, NPN, 140V, 20A
 
image:6651a01_009.jpg
 
</gallery>
 
<li>협성 HRP-303S 파워
 
<gallery>
 
image:hrp_303s_014.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>헤더 두께가 두꺼운
+
</ol>
 +
<li>패키징 방법에 따라
 
<ol>
 
<ol>
<li>HP part no. 1853-0357, 측면 마킹 3-218, 8252 (H8112A에서 Q283) PNP Tr.
+
<li>플라스틱
 
<ol>
 
<ol>
<li>HP 8112A, 50 MHz pulse generator에서
+
<li>1W 이상 사용되는 [[TO-220]] 플라스틱 패키지
<gallery>
+
<li>1W 미만으로 방열필요없는
image:hp8112a_a1_023.jpg
+
<ol>
</gallery>
+
<li>Silk Hat 타입
<li>방열판 및 헤더가 두꺼워 방열에 유리한
 
<gallery>
 
image:tr_metal03_001.jpg
 
image:tr_metal03_002.jpg
 
image:tr_metal03_003.jpg
 
</gallery>
 
<li>다이본딩, 칩 다이싱, 칩 표면
 
<gallery>
 
image:tr_metal03_004.jpg
 
image:tr_metal03_005.jpg
 
image:tr_metal03_006.jpg
 
image:tr_metal03_007.jpg
 
</gallery>
 
<li>다이 본딩 방법
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>이 방법인 듯. https://en.wikipedia.org/wiki/Eutectic_bonding
+
<li>DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
<ol>Au-Si, 97.15/2.85 wt%, eutectic temp. 370'C
 
</ol>
 
<li>사진
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:tr_metal03_008.jpg
+
image:103_2_ps_006.jpg | Silk Hat 타입
image:tr_metal03_009.jpg
+
image:103_2_ps_012.jpg
 +
image:103_2_a1_013.jpg
 +
image:103_2_a1_014.jpg
 +
image:103_2_a1_015.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li> [[TO-92]] 플라스틱 패키지
 
</ol>
 
</ol>
</ol>
+
<li>리드 지지 방법
<li> [[7060]] DMM에서
 
<gallery>
 
image:7060a01_063_001.jpg | SM BCY70
 
image:7060a01_063_002.jpg
 
image:7060a01_063_003.jpg
 
</gallery>
 
<li>8753D-K36
 
<gallery>
 
image:k36_02_005.jpg | 2A2222A NPN, small signal switching 50V 0.8A
 
</gallery>
 
<li>라이카 현미경 수은등 전원장치에서
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>외관, Motorola 2N2219A, dia. 8.9mm, npn
+
<li>니콘 넥시브, XYZ 모터 드라이브에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:mecury_lamp01_039.jpg
+
image:vm150n04_035.jpg
image:tr_metal01_001.jpg
 
</gallery>
 
<li>내부
 
<gallery>
 
image:tr_metal01_002.jpg
 
image:tr_metal01_003.jpg
 
image:tr_metal01_004.jpg
 
image:tr_metal01_005.jpg
 
image:tr_metal01_006.jpg
 
</gallery>
 
<li>다이
 
<gallery>
 
image:tr_metal01_007.jpg
 
image:tr_metal01_008.jpg
 
image:tr_metal01_009.jpg
 
</gallery>
 
<li>와이어본딩
 
<gallery>
 
image:tr_metal01_010.jpg
 
image:tr_metal01_011.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>Takeda Riken(Advantest) TR-6150  - DC Voltage/Current Source
+
</ol>
<gallery>
+
<li>금속 캔
image:tr6150_026.jpg | 2SC505 300V Silicon NPN Transistor, 2N5416 PNP Silicon High Voltage Transistor
 
image:tr6150_030.jpg
 
image:tr6150_033.jpg
 
image:tr6150_034.jpg
 
image:tr6150_066.jpg | 2SD201
 
</gallery>
 
<li>HP 70001A mainframe 에서, -65~+200'C 사용온도범위
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>외관, 2N2907A pnp
+
<li>방열 방법
<gallery>
+
<ol> [[방열]]
image:tr_metal02_001.jpg
 
</gallery>
 
<li>칩
 
<gallery>
 
image:tr_metal02_002.jpg
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li> [[TO-3]] 다이아몬드형 금속패키지
 +
<li> [[TO-5]] 원형 금속패키지
 
</ol>
 
</ol>
<li> [[마이크로-X]]
+
<li> [[하이브리드IC]]에서
<li>Pair
+
<ol>
 +
<li> [[오디오앰프IC]]
 
<ol>
 
<ol>
<li>2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
+
<li>전체
 
<gallery>
 
<gallery>
image:uthe10h01_016.jpg | - UTHE 10H Ultrasonic Generator에서
+
image:audio_amp01_003.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Motorola 3-075
+
<li>하나인 어떤 [[Tr]] 다이
<ol>
 
<li>외관 및 방열세라믹기판
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:tr_pair01_001.jpg | 6-pin
+
image:audio_amp01_004.jpg
image:tr_pair01_002.jpg
+
image:audio_amp01_005.jpg
image:tr_pair01_003.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>왼쪽 칩
+
<li>4개인 주 [[Tr]] 다이
 
<gallery>
 
<gallery>
image:tr_pair01_004.jpg
+
image:audio_amp01_006.jpg
image:tr_pair01_006.jpg
+
image:audio_amp01_007.jpg
 +
image:audio_amp01_008.jpg
 +
image:audio_amp01_009.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>오른쪽 칩
+
<li>단순한 전극 모양의 두 개인 [[Tr]] 다이
 
<gallery>
 
<gallery>
image:tr_pair01_005.jpg
+
image:audio_amp01_010.jpg
image:tr_pair01_007.jpg
+
image:audio_amp01_011.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li> [[마이크로-X]]
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2024년 11월 1일 (금) 21:14 기준 최신판

Tr

  1. 전자부품
    1. 반도체
      1. 디스크리트
        1. Tr - 이 페이지
          1. 기술
            1. Tr 측정
            2. 핀아웃 표시된 트랜지스터
          2. 패키지
            1. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
            2. TO-5 원형 금속패키지
            3. TO-220 플라스틱 패키지
            4. TO-92 플라스틱 패키지
  2. 트랜지스터
    1. 구입
      1. ON Semiconductor, FJPF2145TU, NPN, 800V 5A, TO-220 패키지
        1. 제품규격서
        2. 인버터 형광등스탠드 용, 엘레파츠 @755원
        3. 2022/06/17 입고
          1. 사진
          2. 6개에서 2개 사용중 고장, 2개 적용, 현재 2개 남아 있음.
          3. 2022/08/01 남은 두 개 사용하여 없음.
          4. 2022/08/05 고장품 내부
      2. BUL381D, 400V 5A 70W, 엘레파츠 회사로 7개 총 10,057원에 구매의뢰함.
        1. 인버터 형광등스탠드 수리용으로
        2. 2022/08/10 도착
    2. 의미있는 사진들
      1. 일반적인 사진
        1. 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서
      2. 용어
        1. hFE
          1. h-파라메터, F: Forward current amplification(=current gain), E: Common Emitter(CE) configuration
            1. = collector current/base current
          2. 사진
          3. Tr 측정
      3. 홍콩 마킹
      4. 모로코 마킹
        1. 비일체형 콤팩트 형광등
      5. 삼성
        1. 103 전압소스에서. 삼성 KSC1520 npn Tr, 1970년대말에 제조한 것으로 추정
        2. 협성 HRP-303S DC전원공급기에서
      6. 핀아웃 표시된 트랜지스터
      7. 수정
      8. 리드가 보이지 않게 짧게 잘라 납땜함
        1. SR606H 라벨 프린터에서
  3. 사용 기술
    1. 디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
      1. 기술정보
        1. 링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
          1. 저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
          2. 저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
    2. Complementary Transistors
      1. NPN, PNP 두 차이점
        1. 전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
      2. STA341M - 3p
        1. 외형 및 내부 구조
    3. Pair
      1. 2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
      2. Motorola 3-075
        1. 외관 및 방열세라믹기판
        2. 왼쪽 칩
        3. 오른쪽 칩
    4. 리드에 슬리브L 을 끼워 사용
      1. 대표적인 예로, E5060A B-H Z Analyzer에서. Tr 리드 3개 모두에 꼽혀 있다.
  4. 패키징 방법에 따라
    1. 플라스틱
      1. 1W 이상 사용되는 TO-220 플라스틱 패키지
      2. 1W 미만으로 방열필요없는
        1. Silk Hat 타입
          1. DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
        2. TO-92 플라스틱 패키지
      3. 리드 지지 방법
        1. 니콘 넥시브, XYZ 모터 드라이브에서
    2. 금속 캔
      1. 방열 방법
          방열
      2. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
      3. TO-5 원형 금속패키지
    3. 하이브리드IC에서
      1. 오디오앰프IC
        1. 전체
        2. 하나인 어떤 Tr 다이
        3. 4개인 주 Tr 다이
        4. 단순한 전극 모양의 두 개인 Tr 다이
    4. 마이크로-X