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memory IC
+
메모리
<ol>
 
<li>링크
 
 
<ol>
 
<ol>
 
<li> [[전자부품]]
 
<li> [[전자부품]]
</ol>
 
<li>ROM
 
<ol>
 
<li>ROM
 
<ol>
 
<li>DMM, HP3455A
 
<gallery>
 
image:3455a01_028.jpg | 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
 
<ol>
 
<li>GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
 
<gallery>
 
image:zs_6120b_003.jpg
 
image:zs_6120b_012.jpg
 
</gallery>
 
<li>온도기록계에서
 
<ol>
 
<li>DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
 
<gallery>
 
image:flashlink01_004.jpg
 
image:flashlink01_005.jpg
 
</gallery>
 
<li>DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
 
<gallery>
 
image:flashlink_ct_009.jpg
 
image:flashlink_ct_006.jpg
 
</gallery>
 
<li>EL-USB-1
 
<gallery>
 
image:el_usb_1_002.jpg
 
image:el_usb_1_008.jpg
 
</gallery>
 
<li>D99
 
<gallery>
 
image:apresys_d99_003.jpg
 
image:apresys_d99_005.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>Winbond, W27E512
 
<gallery>
 
image:eeprom01_001.jpg
 
</gallery>
 
<li>HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서 (EEPROM + M5M41000AP 1MB DRAM)
 
<gallery>
 
image:hp35660a_041.jpg
 
image:hp35660a_042.jpg
 
image:hp35660a_044.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>Flash Memory
 
<ol>
 
<li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
 
<gallery>
 
image:uthe10h01_009.jpg | AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
 
</gallery>
 
<li>PC, 노트북에서
 
<ol>
 
<li>Fujitsu Notebook E8410
 
<gallery>
 
image:fujitsue8410_064.jpg | SPI Flash 메모리
 
</gallery>
 
<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
 
<gallery>
 
image:ibm_t40_108.jpg | SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
<gallery>
 
image:slc460w_07_012.jpg | 1Gbit Flash(128MB)
 
image:flash01_001.jpg | TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
 
image:flash01_002.jpg
 
image:flash01_003.jpg | 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
 
image:flash01_004.jpg
 
image:flash01_005.jpg | NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
 
image:flash01_006.jpg | 본딩패드 밑에도 회로
 
image:flash01_007.jpg | 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
 
image:flash01_008.jpg | 3차원 배선
 
image:flash01_009.jpg | inter-digital capacitor
 
</gallery>
 
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
<gallery>
 
image:agilent1260lc02_022.jpg | Flash Memory
 
</gallery>
 
<li>SSD에서
 
<gallery>
 
image:ssd02_004.jpg | TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
 
</gallery>
 
<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
 
<gallery>
 
image:es75_006.jpg
 
image:es75_011.jpg
 
image:es75_012.jpg | PCB 전기도금
 
</gallery>
 
<li>3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
 
<gallery>
 
image:3g_module01_014.jpg | 맨 아래, IBA98 마킹 칩
 
image:flash02_001.jpg | 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정
 
image:flash02_002.jpg | 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.
 
image:flash02_003.jpg
 
image:flash02_004.jpg | 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.
 
image:flash02_005.jpg | MICRON 글씨 높이가 5um
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>UV-EPROM
 
<ol>
 
<li>AMD
 
<ol>
 
<li>AM27C512
 
<gallery>
 
image:uveprom1_001.jpg
 
image:uveprom1_002.jpg
 
image:uveprom1_003.jpg
 
</gallery>
 
<li>M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
 
<ol>
 
<li>HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
 
<gallery>
 
image:e5501b04_037.jpg
 
image:e5501b04_045.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>Hitachi
 
<ol>
 
<li>HN462532G, Hitachi, CDIP24, 32kbit(4096x8bit) UV EPROM, 450ns, compatible with TMS2532
 
<ol>
 
<li>32k-bit이므로 셀을 눈으로 셀 수 있다.
 
<gallery>
 
image:uveprom05_001.jpg | 세로 8비트 16줄(128비트)이 보인다. 가로로 256비트.
 
image:uveprom05_002.jpg
 
image:uveprom05_003.jpg
 
image:uveprom05_004.jpg
 
image:uveprom05_005.jpg
 
image:uveprom05_006.jpg
 
image:uveprom05_007.jpg
 
image:uveprom05_008.jpg | HN462532
 
image:uveprom05_009.jpg
 
image:uveprom05_010.jpg | 테스트 패턴 4가지(F, M, BD, AS)
 
image:uveprom05_011.jpg | 테스트 패턴 (SE)
 
</gallery>
 
<li>HP 8112A, 50 MHz pulse generator
 
<gallery>
 
image:hp8112a_a3_001.jpg
 
image:hp8112a_a3_015.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>NEC
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
+
<li> [[IC]]
<gallery>
 
image:2533_024.jpg
 
image:2533_024_001.jpg
 
image:2533_024_002.jpg | NEC D27C256D-20
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>ST
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>M27C256B
+
<li> [[메모리]] - 이 페이지
 
<ol>
 
<ol>
<li>espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
+
<li> [[ROM]]
<gallery>
 
image:uveprom2_001.jpg
 
image:uveprom2_002.jpg
 
image:uveprom2_003.jpg
 
image:uveprom2_004.jpg
 
</gallery>
 
<li>Iwatsu DMM, VOAC 7513  메모리보드에서,
 
<gallery>
 
image:voac7513_06_001.jpg
 
image:uveprom04_001.jpg
 
image:uveprom04_002.jpg
 
image:uveprom04_003.jpg
 
image:uveprom04_004.jpg
 
image:uveprom04_005.jpg
 
image:uveprom04_006.jpg
 
image:uveprom04_007.jpg
 
image:uveprom04_008.jpg | 1992
 
image:uveprom04_009.jpg
 
image:uveprom04_010.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
 
<gallery>
 
image:kjm6765_001.jpg
 
image:uveprom03_001.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>TI
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>Solartron Schlumberger 7060 DMM에서
+
<li> [[PROM]]
<gallery>
+
<li> [[EPROM]]
image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM // TMS2532JL  UV EPROM 32k Bit NOS
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>알 수 없음.
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>왜 IC 소켓을 세라믹 ineterposer에 다시 꼽아 사용했을까?
+
<li> [[UV-EPROM]]
<gallery>
 
image:hp35660a_050.jpg | HP 35660A dynamic signal analyzer, CPU 보드에서
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>RAM
 
<ol>
 
<li>DRAM
 
<ol>
 
<li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
<ol>
 
<li>외관
 
<gallery>
 
image:slc460w_07_008.jpg
 
</gallery>
 
<li>분해시작
 
<gallery>
 
image:dram_nanya_1gb_001.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_002.jpg | PCB 본딩 및 몰딩 방법
 
image:dram_nanya_1gb_003.jpg | 태우고
 
image:dram_nanya_1gb_004.jpg | 칼로 긁고
 
image:dram_nanya_1gb_005.jpg | 치약으로 닦고
 
</gallery>
 
<li>내부칩
 
<gallery>
 
image:dram_nanya_1gb_006.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_007.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_008.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_009.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_010.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_011.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_012.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_013.jpg | 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
 
</gallery>
 
</ol>
 
 
</ol>
 
</ol>
<li>SDRAM
+
<li> [[EEPROM]]
<ol>
+
<li> [[Flash Memory]], [[Flash]]
<li>Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
 
<gallery>
 
image:ssd02_016.jpg
 
image:ssd02_017.jpg | 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
 
image:ssd02_018.jpg
 
image:ssd02_015.jpg
 
image:ssd02_019.jpg | on-line에서 해석안됨
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
<li>SRAM (Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나)
+
<li> [[RAM]]
 
<ol>
 
<ol>
<li>Keithley 195A, DMM에서
+
<li> [[DRAM]]
<gallery>
+
<li> [[SRAM]]
image:keithley195a_010.jpg | Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
+
<li> [[FRAM]]
</gallery>
+
<li> [[메모리모듈]]
<li>MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>외관
+
<li> [[SIMM]] single in-line memory module
<gallery>
+
<li> [[DIMM]] dual in-line memory module
image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL  UV EPROM 32k Bit NOS
+
<li> [[SO-DIMM]] small outline DIMM
</gallery>
 
<li>외관
 
<gallery>
 
image:sram_mcm6810_001.jpg
 
image:sram_mcm6810_002.jpg | 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.
 
image:sram_mcm6810_003.jpg
 
image:sram_mcm6810_004.jpg | 셀 배열
 
image:sram_mcm6810_005.jpg | 셀 확대
 
image:sram_mcm6810_006.jpg | 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>F-RAM
+
<li> [[MCP]] - DRAM+Flash
<ol>
 
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
<gallery>
 
image:agilent1260lc02_020.jpg | F-RAM
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>Memory Module
 
<ol>
 
<li>SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
 
<ol>
 
<li>Flash
 
<ol>
 
<li>Agilent E4401B S/A에서
 
<gallery>
 
image:e4401b02_008.jpg | LH28F320SKTD-L70 32Mbit Flash
 
image:e4401b02_009.jpg | 뒷면 - 비어 있음.
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
<li>DRAM
+
<li>자료
 
<ol>
 
<ol>
</ol>
+
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
</ol>
 
<li>DIMM - dual in-line memory module
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>표준
+
<li>k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
<ol>
 
<li>IBM XEON dual CPU 서버에서
 
<gallery>
 
image:dimm01_001.jpg
 
image:dimm01_002.jpg
 
</gallery>
 
<li>2018.12 채기병 기증품에서
 
<gallery>
 
image:dimm03_001.jpg | M378B5773CH0-CH9,
 
image:dimm03_002.jpg | 78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM
 
image:dimm03_003.jpg
 
</gallery>
 
<li>2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
 
<gallery>
 
image:dimm04_001.jpg | NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
 
image:dimm04_002.jpg | NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA
 
</gallery>
 
<li>omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
 
<gallery>
 
image:j1409a00_018_010.jpg
 
</gallery>
 
<li>Agilent E4401B S/A에서
 
<gallery>
 
image:e4401b02_009.jpg
 
image:e4401b02_010.jpg | 16Mb DRAM 양면에 16개 실장된 DIMM, 총 32MB(opt.B72)
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
<li>SO-DIMM(small outline DIMM)
+
<li>2021년 기준
 
<ol>
 
<ol>
<li>DDR-2
+
<li>TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.
 
<ol>
 
<ol>
<li>노트북 Compaq nx6320,  Samsung 1GB 2Rx8(2rank, 칩구성비트) M470T2953CZ3-CE6, PC2-5300S-555-12-E3
+
<li>모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다.
<gallery>
+
<li>서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다.
image:compaq_nx6320_012.jpg
+
<li>멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다.
image:compaq_nx6320_013.jpg
+
<li>성능이 필요한 RAM만 한다. Flash Memory는 TSV하지 않는다.
</gallery>
 
</ol>
 
<li>DDR-3
 
<ol>
 
<li>2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
 
<gallery>
 
image:dimm02_001.jpg
 
image:dimm02_002.jpg
 
image:dimm02_003.jpg
 
image:dimm02_004.jpg
 
</gallery>
 
<li>Single Board Computers-1에서
 
<gallery>
 
image:sbc01_023.jpg | Kingmax Semiconductor 2048 MB (DDR3-1333), FSFE85F-C8HS9
 
image:sbc01_024.jpg
 
image:sbc01_025.jpg | 204-pin
 
</gallery>
 
</ol>
 
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다.
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2024년 2월 28일 (수) 22:40 기준 최신판

메모리

  1. 전자부품
    1. IC
      1. 메모리 - 이 페이지
        1. ROM
          1. PROM
          2. EPROM
            1. UV-EPROM
          3. EEPROM
          4. Flash Memory, Flash
        2. RAM
          1. DRAM
          2. SRAM
          3. FRAM
          4. 메모리모듈
            1. SIMM single in-line memory module
            2. DIMM dual in-line memory module
            3. SO-DIMM small outline DIMM
        3. MCP - DRAM+Flash
  2. 자료
    1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
      1. k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
    2. 2021년 기준
      1. TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.
        1. 모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다.
        2. 서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다.
        3. 멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다.
        4. 성능이 필요한 RAM만 한다. Flash Memory는 TSV하지 않는다.
      2. 8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다.