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(같은 사용자의 중간 판 4개는 보이지 않습니다) |
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− | memory IC
| + | 메모리 |
− | <ol>
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− | <li>링크
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| <ol> | | <ol> |
| <li> [[전자부품]] | | <li> [[전자부품]] |
− | </ol>
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− | <li>ROM
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− | <ol>
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− | <li>ROM
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− | <ol>
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− | <li>DMM, HP3455A
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− | <gallery>
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− | image:3455a01_028.jpg | 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | <li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
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− | <ol>
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− | <li>GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
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− | <gallery>
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− | image:zs_6120b_003.jpg
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− | image:zs_6120b_012.jpg
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− | </gallery>
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− | <li>온도기록계에서
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− | <ol>
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− | <li>DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
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− | <gallery>
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− | image:flashlink01_004.jpg
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− | image:flashlink01_005.jpg
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− | </gallery>
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− | <li>DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
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− | <gallery>
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− | image:flashlink_ct_009.jpg
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− | image:flashlink_ct_006.jpg
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− | </gallery>
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− | <li>EL-USB-1
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− | <gallery>
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− | image:el_usb_1_002.jpg
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− | image:el_usb_1_008.jpg
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− | </gallery>
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− | <li>D99
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− | <gallery>
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− | image:apresys_d99_003.jpg
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− | image:apresys_d99_005.jpg
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | <li>Winbond, W27E512
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− | <gallery>
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− | image:eeprom01_001.jpg
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− | </gallery>
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− | <li>HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서 (EEPROM + M5M41000AP 1MB DRAM)
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− | <gallery>
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− | image:hp35660a_041.jpg
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− | image:hp35660a_042.jpg
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− | image:hp35660a_044.jpg
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | <li>Flash Memory
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− | <ol>
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− | <li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
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− | <gallery>
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− | image:uthe10h01_009.jpg | AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
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− | </gallery>
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− | <li>PC, 노트북에서
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− | <ol>
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− | <li>Fujitsu Notebook E8410
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− | <gallery>
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− | image:fujitsue8410_064.jpg | SPI Flash 메모리
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− | </gallery>
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− | <li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
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− | <gallery>
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− | image:ibm_t40_108.jpg | SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | <li>도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
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− | <gallery>
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− | image:slc460w_07_012.jpg | 1Gbit Flash(128MB)
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− | image:flash01_001.jpg | TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
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− | image:flash01_002.jpg
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− | image:flash01_003.jpg | 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
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− | image:flash01_004.jpg
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− | image:flash01_005.jpg | NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
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− | image:flash01_006.jpg | 본딩패드 밑에도 회로
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− | image:flash01_007.jpg | 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
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− | image:flash01_008.jpg | 3차원 배선
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− | image:flash01_009.jpg | inter-digital capacitor
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− | </gallery>
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− | <li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
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− | <gallery>
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− | image:agilent1260lc02_022.jpg | Flash Memory
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− | </gallery>
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− | <li>SSD에서
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− | <gallery>
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− | image:ssd02_004.jpg | TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
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− | </gallery>
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− | <li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
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− | <gallery>
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− | image:es75_006.jpg
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− | image:es75_011.jpg
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− | image:es75_012.jpg | PCB 전기도금
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− | </gallery>
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− | <li>3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
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− | <gallery>
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− | image:3g_module01_014.jpg | 맨 아래, IBA98 마킹 칩
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− | image:flash02_001.jpg | 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정
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− | image:flash02_002.jpg | 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.
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− | image:flash02_003.jpg
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− | image:flash02_004.jpg | 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.
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− | image:flash02_005.jpg | MICRON 글씨 높이가 5um
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | <li>UV-EPROM
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− | <ol>
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− | <li>AMD
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− | <ol>
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− | <li>AM27C512
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− | <gallery>
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− | image:uveprom1_001.jpg
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− | image:uveprom1_002.jpg
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− | image:uveprom1_003.jpg
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− | </gallery>
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− | <li>M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
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− | <ol>
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− | <li>HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
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− | <gallery>
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− | image:e5501b04_037.jpg
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− | image:e5501b04_045.jpg
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | </ol>
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− | <li>Hitachi
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− | <ol>
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− | <li>HN462532G, Hitachi, CDIP24, 32kbit(4096x8bit) UV EPROM, 450ns, compatible with TMS2532
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− | <ol>
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− | <li>32k-bit이므로 셀을 눈으로 셀 수 있다.
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− | <gallery>
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− | image:uveprom05_001.jpg | 세로 8비트 16줄(128비트)이 보인다. 가로로 256비트.
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− | image:uveprom05_002.jpg
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− | image:uveprom05_003.jpg
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− | image:uveprom05_004.jpg
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− | image:uveprom05_005.jpg
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− | image:uveprom05_006.jpg
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− | image:uveprom05_007.jpg
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− | image:uveprom05_008.jpg | HN462532
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− | image:uveprom05_009.jpg
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− | image:uveprom05_010.jpg | 테스트 패턴 4가지(F, M, BD, AS)
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− | image:uveprom05_011.jpg | 테스트 패턴 (SE)
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− | </gallery>
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− | <li>HP 8112A, 50 MHz pulse generator
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− | <gallery>
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− | image:hp8112a_a3_001.jpg
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− | image:hp8112a_a3_015.jpg
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | </ol>
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− | <li>NEC
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| <ol> | | <ol> |
− | <li>D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서 | + | <li> [[IC]] |
− | <gallery>
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− | image:2533_024.jpg
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− | image:2533_024_001.jpg
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− | image:2533_024_002.jpg | NEC D27C256D-20
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | <li>ST
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| <ol> | | <ol> |
− | <li>M27C256B | + | <li> [[메모리]] - 이 페이지 |
| <ol> | | <ol> |
− | <li>espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서 | + | <li> [[ROM]] |
− | <gallery>
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− | image:uveprom2_001.jpg
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− | image:uveprom2_002.jpg
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− | image:uveprom2_003.jpg
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− | image:uveprom2_004.jpg
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− | </gallery>
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− | <li>Iwatsu DMM, VOAC 7513 메모리보드에서,
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− | <gallery>
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− | image:voac7513_06_001.jpg
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− | image:uveprom04_001.jpg
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− | image:uveprom04_002.jpg
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− | image:uveprom04_003.jpg
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− | image:uveprom04_004.jpg
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− | image:uveprom04_005.jpg
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− | image:uveprom04_006.jpg
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− | image:uveprom04_007.jpg
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− | image:uveprom04_008.jpg | 1992
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− | image:uveprom04_009.jpg
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− | image:uveprom04_010.jpg
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | <li>M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
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− | <gallery>
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− | image:kjm6765_001.jpg
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− | image:uveprom03_001.jpg
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | <li>TI
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| <ol> | | <ol> |
− | <li>Solartron Schlumberger 7060 DMM에서 | + | <li> [[PROM]] |
− | <gallery> | + | <li> [[EPROM]] |
− | image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM // TMS2532JL UV EPROM 32k Bit NOS
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | <li>알 수 없음.
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| <ol> | | <ol> |
− | <li>왜 IC 소켓을 세라믹 ineterposer에 다시 꼽아 사용했을까? | + | <li> [[UV-EPROM]] |
− | <gallery>
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− | image:hp35660a_050.jpg | HP 35660A dynamic signal analyzer, CPU 보드에서
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− | </gallery>
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− | </ol>
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− | </ol>
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− | </ol>
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− | <li>RAM
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− | <ol>
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− | <li>DRAM
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− | <ol>
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− | <li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
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− | <ol>
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− | <li>외관
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− | <gallery>
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− | image:slc460w_07_008.jpg
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− | </gallery>
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− | <li>분해시작
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− | <gallery>
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− | image:dram_nanya_1gb_001.jpg
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− | image:dram_nanya_1gb_002.jpg | PCB 본딩 및 몰딩 방법
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− | image:dram_nanya_1gb_003.jpg | 태우고
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− | image:dram_nanya_1gb_004.jpg | 칼로 긁고
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− | image:dram_nanya_1gb_005.jpg | 치약으로 닦고
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− | </gallery>
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− | <li>내부칩
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− | <gallery>
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− | image:dram_nanya_1gb_006.jpg
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− | image:dram_nanya_1gb_007.jpg
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− | image:dram_nanya_1gb_008.jpg
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− | image:dram_nanya_1gb_009.jpg
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− | image:dram_nanya_1gb_010.jpg
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− | image:dram_nanya_1gb_011.jpg
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− | image:dram_nanya_1gb_012.jpg
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− | image:dram_nanya_1gb_013.jpg | 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
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− | </gallery>
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− | </ol>
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| </ol> | | </ol> |
− | <li>SDRAM | + | <li> [[EEPROM]] |
− | <ol>
| + | <li> [[Flash Memory]], [[Flash]] |
− | <li>Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA | |
− | <gallery>
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− | image:ssd02_016.jpg
| |
− | image:ssd02_017.jpg | 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
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− | image:ssd02_018.jpg
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− | image:ssd02_015.jpg
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− | image:ssd02_019.jpg | on-line에서 해석안됨
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− | </gallery>
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| </ol> | | </ol> |
− | <li>SRAM (Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나) | + | <li> [[RAM]] |
| <ol> | | <ol> |
− | <li>Keithley 195A, DMM에서 | + | <li> [[DRAM]] |
− | <gallery> | + | <li> [[SRAM]] |
− | image:keithley195a_010.jpg | Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
| + | <li> [[FRAM]] |
− | </gallery> | + | <li> [[메모리모듈]] |
− | <li>MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM | |
| <ol> | | <ol> |
− | <li>외관 | + | <li> [[SIMM]] single in-line memory module |
− | <gallery> | + | <li> [[DIMM]] dual in-line memory module |
− | image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL UV EPROM 32k Bit NOS
| + | <li> [[SO-DIMM]] small outline DIMM |
− | </gallery>
| |
− | <li>외관 | |
− | <gallery>
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− | image:sram_mcm6810_001.jpg
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− | image:sram_mcm6810_002.jpg | 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.
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− | image:sram_mcm6810_003.jpg
| |
− | image:sram_mcm6810_004.jpg | 셀 배열
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− | image:sram_mcm6810_005.jpg | 셀 확대
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− | image:sram_mcm6810_006.jpg | 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정
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− | </gallery>
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| </ol> | | </ol> |
| </ol> | | </ol> |
− | <li>F-RAM | + | <li> [[MCP]] - DRAM+Flash |
− | <ol>
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− | <li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
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− | <gallery>
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− | image:agilent1260lc02_020.jpg | F-RAM
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− | </gallery>
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| </ol> | | </ol> |
| </ol> | | </ol> |
− | <li>Memory Module
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− | <ol>
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− | <li>SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
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− | <ol>
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− | <li>Flash
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− | <ol>
| |
− | <li>Agilent E4401B S/A에서
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− | <gallery>
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− | image:e4401b02_008.jpg | LH28F320SKTD-L70 32Mbit Flash
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− | image:e4401b02_009.jpg | 뒷면 - 비어 있음.
| |
− | </gallery>
| |
| </ol> | | </ol> |
− | <li>DRAM | + | <li>자료 |
| <ol> | | <ol> |
− | </ol> | + | <li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two |
− | </ol>
| |
− | <li>DIMM - dual in-line memory module
| |
| <ol> | | <ol> |
− | <li>표준 | + | <li>k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824 |
− | <ol>
| |
− | <li>IBM XEON dual CPU 서버에서
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− | <gallery>
| |
− | image:dimm01_001.jpg
| |
− | image:dimm01_002.jpg
| |
− | </gallery>
| |
− | <li>2018.12 채기병 기증품에서
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− | <gallery>
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− | image:dimm03_001.jpg | M378B5773CH0-CH9,
| |
− | image:dimm03_002.jpg | 78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM
| |
− | image:dimm03_003.jpg
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− | </gallery>
| |
− | <li>2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
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− | <gallery>
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− | image:dimm04_001.jpg | NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
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− | image:dimm04_002.jpg | NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA
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− | </gallery>
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− | <li>omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
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− | <gallery>
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− | image:j1409a00_018_010.jpg
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− | </gallery>
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− | <li>Agilent E4401B S/A에서
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− | <gallery>
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− | image:e4401b02_009.jpg
| |
− | image:e4401b02_010.jpg | 16Mb DRAM 양면에 16개 실장된 DIMM, 총 32MB(opt.B72)
| |
− | </gallery>
| |
| </ol> | | </ol> |
− | <li>SO-DIMM(small outline DIMM) | + | <li>2021년 기준 |
| <ol> | | <ol> |
− | <li>DDR-2 | + | <li>TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다. |
| <ol> | | <ol> |
− | <li>노트북 Compaq nx6320, Samsung 1GB 2Rx8(2rank, 칩구성비트) M470T2953CZ3-CE6, PC2-5300S-555-12-E3 | + | <li>모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다. |
− | <gallery>
| + | <li>서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다. |
− | image:compaq_nx6320_012.jpg
| + | <li>멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다. |
− | image:compaq_nx6320_013.jpg
| + | <li>성능이 필요한 RAM만 한다. Flash Memory는 TSV하지 않는다. |
− | </gallery>
| |
− | </ol>
| |
− | <li>DDR-3 | |
− | <ol>
| |
− | <li>2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨 | |
− | <gallery>
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− | image:dimm02_001.jpg
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− | image:dimm02_002.jpg
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− | image:dimm02_003.jpg
| |
− | image:dimm02_004.jpg
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− | </gallery>
| |
− | <li>Single Board Computers-1에서 | |
− | <gallery>
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− | image:sbc01_023.jpg | Kingmax Semiconductor 2048 MB (DDR3-1333), FSFE85F-C8HS9
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− | image:sbc01_024.jpg
| |
− | image:sbc01_025.jpg | 204-pin
| |
− | </gallery>
| |
− | </ol>
| |
| </ol> | | </ol> |
| + | <li>8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다. |
| </ol> | | </ol> |
| </ol> | | </ol> |
| </ol> | | </ol> |