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2024년 2월 28일 (수) 22:40 기준 최신판
메모리
- 전자부품
- 자료
- 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
- k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
- 2021년 기준
- TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.
- 모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다.
- 서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다.
- 멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다.
- 성능이 필요한 RAM만 한다. Flash Memory는 TSV하지 않는다.
- 8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다.
- TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.
- 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two