"FET"의 두 판 사이의 차이

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image:redmi_note4x_178.jpg | FET 스위치, 뒷면은 비교적 두꺼운 금속 코팅 및 딱딱한 투명 수지로 도포함.(열방출 및 강도향상)
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image:redmi_note4x_179.jpg | 전류감지용 저저항, FET 스위치, P-PTC 퓨즈
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<li>2010년 출시된 [[iPad A1337]], [[태블릿 컴퓨터]], 배터리 보호회로에서
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<li> [[FET]] Fairchild FDZ2553N 14mΩ@4.5V, 9.6A 20V, Monolithic Common Drain N-Channel MOSFET(1990년도에 개발한 듯. 이 [[방열]]기술을 사용하면 면적을 1/3으로)
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<li>2020 삼성 갤럭시 A51 [[SM-A516N]] 휴대폰 배터리 보호회로에서. 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용
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image:sm_a516n_005_006.jpg | 두 다이가 180도 본딩되어 있다.
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image:sm_a516n_005_007.jpg | Panasonic WK0064
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<li>SMD 리드타입
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image:gigabyte_p34_050.jpg | Alpha & Omega Semiconductor, AO4488 30V 20A N-Channel MOSFET // Second-Level Over-Voltage Protection
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<li>[[디스크리트]] 전력용 스위칭
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<li> [[32.768kHz TCXO]]를 AliExpress에서 10개씩 판매한다는 ShenZhen KeLeWei Store에서 2023/05/24 22.49$로 구입의뢰했으나, 도착한 제품은 아래와 같은 800V 6.6A N-Ch MOSFET. 이의신청하여 환불받음.
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image:ds32khz01_001_001.jpg | SST80R850S SSS(Shanghai Super Semiconductor)
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<li>30V 80A 10mΩ N-Ch MOSFET, NCE3080K 제품규격서
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<li>AliExpress, 10개 구입, 2.45$/10개
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<li> [[비스카 핸디형 무선청소기 VK-H740VC]]에서 사용된다.
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image:vacuum_cleaner06_008_001.jpg | 왼쪽제품이 신규 FET
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image:vacuum_cleaner06_008_002.jpg | 고장난 FET를 뜯어냄
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image:vacuum_cleaner06_008_003.jpg | 새로운 FET를 납땜함.
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<li>고장품 내부
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image:fet_nce3080k_002_001.jpg | G전극에는 [[Au 볼 와이어본딩]] 한 듯
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image:fet_nce3080k_002_002.jpg | D전극은 방열판
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image:fet_nce3080k_002_003.jpg | S전극에는 두 줄 [[Al 웨지 와이어본딩]]
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<li>신규 구입품 내부, 고장품과 비교 하기 위해서 분해함. 고장품과 패턴이 다른다.(?)
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image:fet_nce3080k_001_001.jpg | G 리드프레임 폭은 작다. 전극은 [[Au 볼 와이어본딩]]
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image:fet_nce3080k_001_002.jpg | 다이 S쪽. 병렬 패턴.
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image:fet_nce3080k_001_003.jpg | EMC 쪽
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<li> [[TO-220]] 플라스틱 패키지
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<li> [[마킹없는 IC]]처럼 마킹을 지웠다.
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<li> [[Microtest TF-6815]] [[임펄스테스터]]에서
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<li>IRF540 특성 측정
 
<li>IRF540 특성 측정
 
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<li>규격서 - 8p, Vds=100V, Id=22A, Rds=0.055오옴
 
<li>규격서 - 8p, Vds=100V, Id=22A, Rds=0.055오옴
<li>Agilent B2902A 소스미터 측정 방법
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<li> [[Keysight B2902A]] 소스미터 측정 방법
 
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<li> [[Miyachi ML-7110B 레이저마커 분해]]
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image:ml7110b01_007_002.jpg | ON/OFF용(?) 2SK1522 [[FET]]
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<li>ATK830, 500V 4.5A
 
<li>ATK830, 500V 4.5A
 
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image:electrical_ballast2_002.jpg
 
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image:electrical_ballast2_007.jpg | SVD730T, Silan Microelectronics, 5.5A 400V N-channel MOSFET
 
image:electrical_ballast2_007.jpg | SVD730T, Silan Microelectronics, 5.5A 400V N-channel MOSFET
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<li>SMD
 
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<li>[[DeX]]에서, 전원 관리 부분에서 사용되는 FET 스위치
 
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image:dex01_014.jpg | Q2, Q3에서 Q3 분해
 
image:dex01_015.jpg | Au ball 본딩 10개
 
 
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<li>FET - 신호 스위칭
+
<li> [[TO-5]] 원형 금속패키지
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<ol>
 +
<li> [[4446xA]]
 +
<ol>
 +
<li>FET(Intersil, IVN5201TNF, N-Channel MOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
 +
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image:3421_44465_008.jpg
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image:3421_44465_005.jpg
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</ol>
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<li> [[TO-3]] 다이아몬드형 금속패키지
 
<ol>
 
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<li>DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
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<li> [[E5060A B-H Z Analyzer]], [[EMI 차폐된 SMPS]]에서
 
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image:103_2_a1_007.jpg | 리드 4개, gate가 2개 존재
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image:e5060a01_006_011.jpg | IRF430 [[TO-3]]패키지 [[FET]]
image:103_2_a1_009.jpg | JFET
 
image:103_2_a1_010.jpg
 
image:103_2_a1_011.jpg
 
 
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<li>휴대용, LIFETRONS X-mini에서
+
</ol>
 +
<li>SMD
 +
<ol>
 +
<li>[[DeX]]에서, 전원 관리 부분에서 사용되는 FET 스위치
 
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image:speaker_xmini_003.jpg | 충전과 방전을 위한 FET 스위치
+
image:dex01_014.jpg | Q2, Q3에서 Q3 분해
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image:dex01_015.jpg | Au ball 본딩 10개
 
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<li>CCTV, 4채널 합성기
+
</ol>
 +
<li>SIP
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<ol>
 +
<li> [[LR4110]] 펜레코더에서
 +
<ol>
 +
<li> [[도트매트릭스]] 프린터 참조
 
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image:pq40cv_001.jpg
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image:pen_recorder_printer_002.jpg | NEC uPA1526H 4ch Power MOSFET array
image:pq40cv_009.jpg
 
 
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<li>Iwatsu VOAC 7513, DMM A/D보드에서, N-ch Dual Junction FET
+
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</ol>
 +
<li>FET - 신호 스위칭
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<ol>
 +
<li>NEC, uPA71A, Silicon N-channel dual junction FET, Differential Amplifier
 +
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<li>Iwatsu VOAC 7513, DMM A/D보드에서,
 
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image:voac7513_04_005.jpg | NEC uPA71A
 
image:voac7513_04_005.jpg | NEC uPA71A
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<li>Advantest R6551 DMM, AC 보드에서
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image:r6551_006.jpg | NEC, uPA71A, Silicon N-channel dual junction FET, Differential Amplifier
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<li>장치에서
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<li>Kikusui [[103]] 전압소스에서
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image:103_2_a1_007.jpg | 리드 4개, gate가 2개 존재
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image:103_2_a1_009.jpg | JFET
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image:103_2_a1_006.jpg | 2SK12 FET는 TO-17 패키지로 리드가 4인데, 1개는 위로 올린 후 잘랐다.
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<li>휴대용, LIFETRONS X-mini에서
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image:speaker_xmini_003.jpg | 충전과 방전을 위한 FET 스위치
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<li>CCTV, 4채널 합성기
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<li>HP 4321A, 44465A, (opt 050) digital I/O assembly에서. FET(Intersil, IVN5201TNF, N-Channel MOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
 
<li>HP 4321A, 44465A, (opt 050) digital I/O assembly에서. FET(Intersil, IVN5201TNF, N-Channel MOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
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<li>Takeda Riken(Advantest) TR-6150  - DC Voltage/Current Source
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<li>Takeda Riken [[TR6150]] DC전압/전류 소스에서
 
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<li>Advantest R6551 DMM, AC 보드에서
 
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image:r6551_006.jpg | NEC, uPA71A, Silicon N-channel dual junction FET, Differential Amplifier
 
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<li>Tencor M-gage 300, 2N4416A, silicon N-Channel Junction Field Effect Transistors designed for VHF amplifier and mixer applications.
 
<li>Tencor M-gage 300, 2N4416A, silicon N-Channel Junction Field Effect Transistors designed for VHF amplifier and mixer applications.
 
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2023년 9월 24일 (일) 14:31 기준 최신판

FET

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 디스크리트
        1. FET - 이 페이지
      2. 참조
        1. Tr
  2. 능동 정류기로 사용되는 MOSFET
  3. 배터리 관리 회로에서, 전력용 스위칭
    1. BGA
      1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰, 배터리 팩에서
        1. 배터리 보호 회로에서 외관
        2. 분해
      2. 2010년 출시된 iPad A1337, 태블릿 컴퓨터, 배터리 보호회로에서
        1. FET Fairchild FDZ2553N 14mΩ@4.5V, 9.6A 20V, Monolithic Common Drain N-Channel MOSFET(1990년도에 개발한 듯. 이 방열기술을 사용하면 면적을 1/3으로)
      3. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰 배터리 보호회로에서. 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용
    2. SMD 리드타입
      1. 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서
  4. 디스크리트 전력용 스위칭
    1. 구입, 입수
      1. 800V 6.6A N-Ch MOSFET
        1. 32.768kHz TCXO를 AliExpress에서 10개씩 판매한다는 ShenZhen KeLeWei Store에서 2023/05/24 22.49$로 구입의뢰했으나, 도착한 제품은 아래와 같은 800V 6.6A N-Ch MOSFET. 이의신청하여 환불받음.
      2. 30V 80A 10mΩ N-Ch MOSFET, NCE3080K 제품규격서
        1. AliExpress, 10개 구입, 2.45$/10개
        2. 비스카 핸디형 무선청소기 VK-H740VC에서 사용된다.
        3. 고장품 내부
        4. 신규 구입품 내부, 고장품과 비교 하기 위해서 분해함. 고장품과 패턴이 다른다.(?)
    2. TO-220 플라스틱 패키지
      1. 마킹없는 IC처럼 마킹을 지웠다.
        1. Microtest TF-6815 임펄스테스터에서
      2. IRF540 특성 측정
        1. 규격서 - 8p, Vds=100V, Id=22A, Rds=0.055오옴
        2. Keysight B2902A 소스미터 측정 방법
        3. Agilent B2902A 소스미터(3A가 max)로 측정 엑셀 데이터
      3. Miyachi ML-7110B 레이저마커 분해
      4. ATK830, 500V 4.5A
      5. 2SK2225, 1500V 2A
      6. FQP50N06, 60V 50A
      7. STK0260, MOSFET 600V 0.6A, AUK(Kodenshi AUK;광전자)
      8. 6060B 전자부하에서
      9. E3640A 8V/3A, 20V1.5A
      10. AC220V 발생용 인버터에서, 인파워텍(in power tech) IPT-400WH
      11. 형광등 안정기에서
        1. 솔라세라믹에서 안정기가 고장난 제품에서
      12. gate drive circuit
        1. PTC-200 펠티어 오븐,
        2. FK18SM-10
          1. Kikusui PCR-500M AC 전원공급기
    3. TO-5 원형 금속패키지
      1. 4446xA
        1. FET(Intersil, IVN5201TNF, N-Channel MOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
    4. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
      1. E5060A B-H Z Analyzer, EMI 차폐된 SMPS에서
    5. SMD
      1. DeX에서, 전원 관리 부분에서 사용되는 FET 스위치
    6. SIP
      1. LR4110 펜레코더에서
        1. 도트매트릭스 프린터 참조
  5. FET - 신호 스위칭
    1. NEC, uPA71A, Silicon N-channel dual junction FET, Differential Amplifier
      1. Iwatsu VOAC 7513, DMM A/D보드에서,
      2. Advantest R6551 DMM, AC 보드에서
    2. 장치에서
      1. Kikusui 103 전압소스에서
      2. 휴대용, LIFETRONS X-mini에서
      3. CCTV, 4채널 합성기
      4. HP 4321A, 44465A, (opt 050) digital I/O assembly에서. FET(Intersil, IVN5201TNF, N-Channel MOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
      5. Takeda Riken TR6150 DC전압/전류 소스에서
      6. HP 5334B 카운터, 입력 신호 증폭기
      7. Takeda Riken(Advantest) TR6878 DMM에서
        1. Range Amp. 용 스위치용
      8. Tencor M-gage 300, 2N4416A, silicon N-Channel Junction Field Effect Transistors designed for VHF amplifier and mixer applications.