"SM-A710S"의 두 판 사이의 차이

2021년 3월 8일 (월) 12:24 판

삼성 갤럭시 A7, SM-A710S

링크
1. 전자부품
  1. 핸드폰
    1. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S
기술자료
1. 사용자 설명서 A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) - 151p
2. 외부 링크
  1. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A7(2016)
  2. 2015년 12월
3. 분해제품 모델: , 제조연월 2017년 4월
  1. 사용주파수 (A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) 3개 모델 모두 똑같다.)
    1. LTE B1(2100), B3(1800), B5(850), B7(2600), B8(), B17
      1. Tx: 1920~1980, 1715~1785, 824~849, 2500~2540, 904.3~915, 704~716MHz
      2. Rx: 2110~2170, 1810~1880, 869~894, 2620~2660, 949.3~960, 734~746MHz
    2. 3G WCDMA B1(2100), B2(1900), B5(850)
      1. TX: 1922.8~1977.2, 1852.4~1907.6, 824~849MHz
      2. RX: 2112.8~2167.2, 1932.4~1987.6, 869~894MHz
    3. 2G
      1. GSM 900, TX: 880.2~914.8MHz, RX:925.2~959.8MHz
      2. DCS 1800, TX: 1710.2~1784.8MHz, RX: 1805.2~1879.8MHz
      3. PCS 1900, TX: 1850.2~1909.8MHz, RX: 1930.2~1989.8MHz
  2. 뒷면 메인카메라:
  3. 디스플레이: 139.3mm(5.484인치=5.5형) 16:9비율 1920x1080 super AMOLED
    1. 63.24um 피치로 계산된다.
  4. 지문센서:
동작하지 않는 상태에서 충전만 하면, 12시간 동안 소비전류
- 배터리가 항상 충전되는 것이 아니라 충전과 충전 멈춤을 반복하는 현상이 발생되었다.
이 상태로 유지되는 고장품
- ODIN MODE
뒷면 보호 유리를 뜯으면
- 뒷면 보호유리. 유리에 글씨 인쇄하고, 분홍 페인트칠했다.
- 뒷면 보호 유리를 뜯으면 검정 NFC관련 안테나와 배터리가 보인다. 우측 상단에 sub 및 GPS 안테나가 있다.(즉, 본체를 뒤집어야 하늘을 향한다.)
주기판에서 AP 면
AP+RAM 와 Flash
1. 사진
  - SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB, Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, Flash 16GB
2. 모바일AP
  - SAMSUNG Mobile Processor, Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm
  - 태우고 다이를 PCB 기판에서 들어 올리면
3. RAM
4. Flash
트랜시버 블록
1. 트랜시버 IC, SAMSUNG SHANNON 928P
2. FEMiD
3. LNA+SAW 모듈 두 개
  - Wisol VU: L11RB0 B1/4 Rx 2140MHz VX: L17RB0 B7 Rx 2655MHz LNA SAW module
  - 측면 도금 타이바
4. PAM
  - 다이 4개 사용
5. PAM 옆 SAW 필터
6. DPX
  - 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
상단 안테나
1. 상단
  - 왼쪽 sub, 오른쪽 깡통에 GPS 모듈
상단 우측 모서리, SUB ANT에 연결되는 Diversity-Rx SAW 모듈
1. 파트
  - 마킹 L6R0D W6028
2. Diversity-Rx SAW 모듈
  1. 사진
    - 1,2,3번 필터, 4 스위치,5,6번 LNA 표시
    - 깍아보면 평탄한 동박. 4구획으로 나누어 납땜하여 가운데 공기가 막혀 다이아몬드 표시가 나타남.
  2. 4번, 3P12T 스위치 두 개, 안테나-스위치-SAW-LNA-스위치 구조인듯.
    - YF19 T01 3P12T 라고 적혀있다.
    - 허용전력은 스위치가 OFF 상태에서 걸리는 Tx 최대 전압 vs breakdown 전압으로 결정되지, ON시 통과하는 전력을 고려하는 것은 아니다.
    - 스위치 회로. 선폭이 FET 갯수를 결정함. 선폭이 좁으면 FET가 많이 설치됨. 저항이 낮아진다. 대신 C값이 커진다.
  3. 5번, LNA 2개
  4. 6번, LNA 1개
  5. dual filter 1.5x1.1mm - 1
    1. H942BA0 MP1 WJL
    2. H876BA3 MP3 WJL
      - 전극에서 정전기 파괴
      - 확대
      - 반사기 옆 전극에서
      - 구멍 및 구멍을 피하고 있는 금전극
  6. dual filter 1.5x1.1mm - 2
    1. H737AA3 MP2 LMH
    2. HG56BA0 MP9 KRF KYH
      - 정전기 파괴
  7. dual filter 1.5x1.1mm -3
    1. 폴 연결 방법
    2. HG60CC0 MP3 WJL
      - 정전기 파괴 - 두 DMS 전극 사이
    3. HG40BC3 MP2 RHO
      - 범프볼이 금전극면과 접착(확산)되지 않았다.
  8. dual filter 1.5x1.1mm 세라믹 기판
3. 단품 RF SAW 필터
  - VH: HG42AA0, LTE B3, 1842.5MHz
  - 2000x1333 pixel
  - 4260x2840 pixel
  - HG42AA0 MP3 KKS
  - 주기 2.17um 중심주파수 1842.5MHz 이므로 SAW 속도는 3993m/sec
  - 왼쪽: 사진제품, 오른쪽: 나라면 (입력접지는 입력으로. Y축에 긴 전극은 정전기를 유발한다.)
4. 단품 SAW DPX
  - 위치
  - 1.8x1.4mm
상단 좌측 모서리, WiFi 및 ANT+ (Garmin이 개발한 sports 및 fitness sensor용 저전력 2.4GHz 무선네트워크)
1. 사용 WiFi
  1. 2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
  2. 5180~5240, 5260~5320, 5500~5620, 5745~5805 MHz(802.11a 및 802.11n) 참고로: 일명 기가와이파이라 불리는 802.11ac는 지원하지 않는다.
2. PCB에서
  - BCM43454 HKUBG WiFi/BT, ANT+ 기능이 있다.
  - 1.4x1.1mm SAFEA2G45MB0F3K로 추정
3. 패키지면
  1. 전체
  2. 왼쪽 아래
    - stud bump에서 꼬리가 약간 길 때 발생되는 듯.
    - 파인애플
  3. 왼쪽 위
  4. 가운데 위
    - 2595x2841 pixels, 가로 110um 세로 120um 타원형 크기
상단 중앙, GPS
1. 사진
  - 위치
  - BCM47522iUB2G GPS-IC 및 GPS SAW 필터
2. 분해
  - DH69-A1
  - Series resonator의 Tap만 두껍다. 그러나 Shunt resonator Tap 폭은 IDT 폭과 동일하다.
  - 주기 2.45um (추정 주파수 약 1650MHz)
  - 다이를 볼 때(파인애플 속 꼭지)
3. 분리면 관찰 (서로 다른 접합면에서 각각 사진을 찍음)
  - 그림설명. 파단면에서 아래를 바라볼 때, 위를 쳐다볼 때
  - 아래를 바라볼 때(패키지면)
  - 위를 쳐다볼 때(다이면)
배터리 전류 게이지용 저저항
- 위치
- 마킹 재료는 수지 잉크
- 긁어낸 보호막 재료는 검정 수지
- laser perforation pitch = 10um
MST 및 NFC 코일
1. 어떤 회사 제품은 3층으로 구성
  1. FPCB - 안테나
  2. shielding sheet
  3. graphite sheet(배터리 등 본체 내부로부터 열방출)
2. 3가지 기능
  1. NFC 13.56MHz+-0.35MHz 1.0~2.0오옴
  2. MST 1.6~3.3kHz, 26.2~28.2uH, 1.45~2.25오옴, 삼성페이용 마그네틱 보안 전송;MST Magnetic secure transmission 용이다.
  3. WPC 8.65~9.45uF, 0.18~0.58오옴
3. MST 칩은 Zinitix 지니틱스 회사의 ZF110
4. 외관, 점점이 4개인데, 2개는 NFC, 2개는 무선충전용이다.
  - 본체쪽에는 페라이트 시트가 붙어 있다.
  - 뚜껑쪽에는 코일면이다. A7 REV.04A H8643S (한솔테크닉스 제작?)
5. 차폐 시트를 뜯어보면, (페라이트 재질이 아니므로 페라이트 시트라고 하지 않는다.)비정질 합금(아몰퍼스 amorphous alloy) (Nanocrystalline로 표현하기도 한다.)로 추정
  - 두께 100~150um 로 추측
6. 안테나 코일 시트, 앞 뒤 표면에 붙어 있는 검정색 보호 테이프를 제거한 후 촬영
  - Tx기기와 잘 위치 매칭되기 위해 개구부를 넓힌다. 또한 L값을 키우기 위해 크게 돌린다.
7. 양면 연결. 저항을 낮추기 위해서 양면 코일을 병렬로 연결함.
배터리
1. 이 핸드폰은 9V 1.67A 고속충전을 지원한다. 배터리는 충전 전압 4.4V 공칭 3.85V이다.
2. 배터리 충방전 실험
3. 사진
  - EB-BA710ABA, 12.71Wh, 제조년월 2017 04, cell made in JAPAN, 제조자: YoungBo Vina Co., Ltd. (영보엔지니어링 회사 상호는 알머스로 변경됨.)
마이크로 스피커
1. 5가지 상태
  - 상태1(원래)
  - 상태2(메인홀 막고)
  - 상태3(벤트홀 막고)
  - 상태4(백볼륨 파괴)
  - 상태5(전면 파괴)
2. 분해하면서 임피던스 측정
전면 패널
1. 상단 "전면 패널"에는 RF 안테나 없음.
2. 하단에는
물이 들어가
OLED 디스플레이(아래)와 메인 알루미늄 프레임(위) 분리하면
1. 사진
  - SAMSUNG S6SMC44X S1727-PTK
2. OLED 빛을 막고(검정 테이프), (꽤두꺼운 동박) 방열용 구리판
3. 중간 알루미늄 주물 프레임
  - 윗쪽
  - NEW A7 V6-2 >PPA-GF50< Polyphthalamide 폴리프탈아미드+Glass Fiber 50%
터치 스크린 본딩
OLED 패턴
1. 픽셀 배열은 다이아몬드 형태 RG-BG 펜타일 서브픽셀 방식을 사용한다.
2. 사진
  - 가로 피치 65um 세로 피치 32.5um
  - 가로세로 피치 ~65um
DDI 본딩
- 흰선투명박스-유리, 노랑박스-DDI
진동모터 - 햅틱지원하지 않는다.
- 전압을 서서히 올리면 부드럽게 잘 돈다.

@@ 49번째 줄: / 49번째 줄: @@
 </ol>
 <li>동작하지 않는 상태에서 충전만 하면, 12시간 동안 소비전류
-<ol>
+<gallery>
-</ol>
+image:a710s01_085.png
+image:a710s01_086.png | 배터리가 항상 충전되는 것이 아니라 충전과 충전 멈춤을 반복하는 현상이 발생되었다.
+</gallery>
 <li>이 상태로 유지되는 고장품
 <gallery>
 image:a710s01_000.jpg | ODIN MODE
 </gallery>
-<li>외관
+<li>뒷면 보호 유리를 뜯으면
 <gallery>
-image:a710s01_001.jpg
+image:a710s01_001.jpg | 뒷면 보호유리. 유리에 글씨 인쇄하고, 분홍 페인트칠했다.
-image:a710s01_002.jpg
+image:a710s01_002.jpg | 뒷면 보호 유리를 뜯으면 검정 NFC관련 안테나와 배터리가 보인다. 우측 상단에 sub 및 GPS 안테나가 있다.(즉, 본체를 뒤집어야 하늘을 향한다.)
 </gallery>
-<li>AP 면
+<li>주기판에서 AP 면
 <gallery>
 image:a710s01_005.jpg
@@ 73번째 줄: / 75번째 줄: @@
 image:a710s01_016.jpg
 </gallery>
-<li>AP
+<li> [[모바일AP]]
 <gallery>
 image:a710s01_017.jpg
 image:a710s01_018.jpg | SAMSUNG Mobile Processor, Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm
-image:a710s01_019.jpg
+image:a710s01_019.jpg | 태우고 다이를 PCB 기판에서 들어 올리면
 </gallery>
 <li>RAM
@@ 161번째 줄: / 163번째 줄: @@
 <li>Diversity-Rx SAW 모듈
 <ol>
-<li>
+<li>사진
 <gallery>
 image:a710s01_078.jpg
-image:a710s01_078_000.jpg | 1,2,3번 필터 표시
+image:a710s01_078_000.jpg | 1,2,3번 필터, 4 스위치,5,6번 LNA 표시
-image:a710s01_079.jpg | 뒷면에 다이아몬드 표시(솔더링 면적을 줄이기 위해서?)
+image:a710s01_079.jpg | 깍아보면 평탄한 동박. 4구획으로 나누어 납땜하여 가운데 공기가 막혀 다이아몬드 표시가 나타남.
+</gallery>
+<li>4번, 3P12T 스위치 두 개, 안테나-스위치-SAW-LNA-스위치 구조인듯.
+<gallery>
+image:a710s01_078_007_001.jpg
+image:a710s01_078_007_002.jpg | YF19 T01 3P12T 라고 적혀있다.
+image:a710s01_078_007_003.jpg | 허용전력은 스위치가 OFF 상태에서 걸리는 Tx 최대 전압 vs breakdown 전압으로 결정되지, ON시 통과하는 전력을 고려하는 것은 아니다.
+image:a710s01_078_007_004.jpg | 스위치 회로. 선폭이 FET 갯수를 결정함. 선폭이 좁으면 FET가 많이 설치됨. 저항이 낮아진다. 대신 C값이 커진다.
 </gallery>
-<li>dual filter-1
+<li>5번,  LNA 2개
+<gallery>
+image:a710s01_078_008_001.jpg
+image:a710s01_078_008_002.jpg
+</gallery>
+<li>6번, LNA 1개
+<gallery>
+image:a710s01_078_009_001.jpg
+</gallery>
+<li>dual filter 1.5x1.1mm - 1
 <ol>
 <li>H942BA0 MP1 WJL
@@ 184번째 줄: / 202번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li>dual filter-2
+<li>dual filter 1.5x1.1mm - 2
 <ol>
 <li>H737AA3 MP2 LMH
@@ 199번째 줄: / 217번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li>dual filter-3
+<li>dual filter 1.5x1.1mm -3
 <ol>
 <li>폴 연결 방법
@@ 218번째 줄: / 236번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
+<li>dual filter 1.5x1.1mm 세라믹 기판
+<gallery>
+image:a710s01_078_000_001.jpg
+</gallery>
 </ol>
 <li>단품 RF SAW 필터
@@ 342번째 줄: / 364번째 줄: @@
 <li>배터리
 <ol>
-<li>9V 1.67A 고속충전을 지원한다.
+<li>이 핸드폰은 9V 1.67A 고속충전을 지원한다. 배터리는 충전 전압 4.4V 공칭 3.85V이다.
 <li>배터리 충방전 실험
-<li>사진 충전 전압 4.4V 공칭 3.85V이다.
+<li>사진
 <gallery>
 image:a710s01_004.jpg
@@ 367번째 줄: / 389번째 줄: @@
 <li>전면 패널
 <ol>
-<li>상단에서는 RF 안테나 없음.
+<li>상단 "전면 패널"에는 RF 안테나 없음.
 <gallery>
 image:a710s01_051.jpg