SM-A710S

삼성 갤럭시 A7, SM-A710S

링크
1. 전자부품
  1. 핸드폰
    1. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰 - 이 페이지
기술자료
1. 사용자 설명서 A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) - 151p
2. 외부 링크
  1. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A7(2016)
  2. 2015년 12월
3. 분해제품 모델: , 제조연월 2017년 4월
  1. 사용주파수 (A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) 3개 모델 모두 똑같다.)
    1. LTE B1(2100), B3(1800), B5(850), B7(2600), B8(), B17
      1. Tx: 1920~1980, 1715~1785, 824~849, 2500~2540, 904.3~915, 704~716MHz
      2. Rx: 2110~2170, 1810~1880, 869~894, 2620~2660, 949.3~960, 734~746MHz
    2. 3G WCDMA B1(2100), B2(1900), B5(850)
      1. TX: 1922.8~1977.2, 1852.4~1907.6, 824~849MHz
      2. RX: 2112.8~2167.2, 1932.4~1987.6, 869~894MHz
    3. 2G
      1. GSM 900, TX: 880.2~914.8MHz, RX:925.2~959.8MHz
      2. DCS 1800, TX: 1710.2~1784.8MHz, RX: 1805.2~1879.8MHz
      3. PCS 1900, TX: 1850.2~1909.8MHz, RX: 1930.2~1989.8MHz
  2. 뒷면 메인카메라: 후면 OIS 지원 1,300만 화소 AF 및 LED 플래시
  3. 디스플레이: 139.3mm(5.484인치=5.5형) 16:9비율 1920x1080 super AMOLED
    1. 63.24um 피치로 계산된다.
  4. 지문센서:
  5. 무선충전 기능 없다.
핸드폰에서 충전 및 소모전류 측정
1. 동작하지 않는 상태에서 충전만 하면, 12시간 동안 소비전류
  - 배터리가 항상 충전되는 것이 아니라 충전과 충전 멈춤을 반복하는 현상이 발생되었다.
이 상태로 유지되는 고장품
- ODIN MODE
뒷면 보호 유리를 뜯으면
- 뒷면 보호유리. 9V 1.67A 고속충전을 지원한다. 유리에 글씨 인쇄하고, 분홍 페인트칠했다.
- 뒷면 보호 유리를 뜯으면 검정 NFC관련 안테나와 배터리가 보인다. 우측 상단에 sub 및 GPS 안테나가 있다.(즉, 본체를 뒤집어야 하늘을 향한다.)
주기판에서 AP 면
AP+RAM 와 Flash
1. 사진
  - 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB RAM, 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB
  - AP위에 PoP된 DRAM
  - AP와 주기판 솔더볼, 왼쪽은 DRAM 솔더볼
2. 모바일AP
  - SAMSUNG Mobile Processor, Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm
  - 태우고 다이를 PCB 기판에서 들어 올리면
3. DRAM, SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB
  - 모바일AP 위에 붙어 있는데 이를 뜯어서 태운 후,다이본딩면을 분리하면
  - 4개 다이를 쌓았다.
  - 다이 틈새로 Ball Stitch On Ball(BSOB) 와이어본딩한 것으로 추정된다.
4. Flash Memory, Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB
  - 메모리 밑면에 형성된 솔더볼
  - 태우면. 좌상단에 별도 콘트롤러 IC가 보인다.
  - 두 다이를 쌓았다.
후면(+측면) 커버
1. 상단 안테나
  1. 상단, 후면 커버에 PIFA 안테나가 형성되어 있다.
    - >PBT-GF40< 내열성이 뛰어나고 단단한 복합수지
    - 안테나 동작을 위해 상단 금속 테두리 좌우에서 분리되어 있다.
  2. 뒤집으면
    - 왼쪽 sub 안테나, 오른쪽 깡통에 GPS 모듈
    - Ethertronics, AVX Group Company
2. 측면 버튼 고정 방법
  - 볼륨 상하 택타일 스위치
3. 하단에 메인 PIFA 안테나가 들어있다.
  - 테두리 금속이 분리되어 있다. 상하 스프링 접점은 케이스 접지이고, 아래쪽 6개 녹슬지 않는 금 도금 단자가 안테나 단자로 추정
트랜시버 블록
1. 트랜시버 IC
  1. SAMSUNG SHANNON 928P
  2. 솔더볼
  3. 다이
2. FEMiD
  1. 외관
    - 분홍색 LTCC 기판
  2. 내부
    - SAW 다이 11개를 사용함
    - 2칩 본딩품 3개는 세라믹 기판 사용품. 나머지는 5개 싱글다이는 모두 WLP SAW
  3. WLP SAW 어떤 다이-1
    1. 사진
      - ED03-A1
      - 되도록 빈땅없이 2차막을 많이 형성한다.
    2. tap 폭
      - tap 폭이 더 넓다.
      - tap 폭이 더 넓다. 주기 2.21um 쏘속도 3900m/sec라면 1765MHz
      - tap 폭이 일정하다. 주기 1.85um SAW속도 3900m/sec라면 2110MHz
    3. 분해시 빈틈으로 들어간 solder splash
      - 물길이 다 흐르도록
      - 2차막 전극 두께를 빛 반사
      - 솔더가 IDT에 닿아서 찍힌 자국
  4. WLP SAW 어떤 다이-2
    - 넓은 노랑 전극이 2차막
    - 분리된 벽 PR 이 칩쪽에 붙어 있다.
    - 금속 2차막 두께도 꽤 두껍다.
3. SAW+LNA 모듈을 두 개 사용하고 있음.
  1. 1.5x1.1mm 크기
    - 측면 도금 타이바
  2. VX 마킹된, B7 Rx 2655MHz LNA SAW module
    1. 전체
    2. LNA
      - J0310 NJG1165 H301
    3. SAW HG56BA3 MP5 KWH
      - 주기 1.46um 중심주파수 2656MHz라면 SAW 속도는 3874/sec
  3. VU 마킹된, B1/4 Rx 2140MHz LNA SAW module
    1. 전체
    2. LNA
      - J0309 NJG1164
    3. 스크라이버로 금그어 부러뜨린, LNA 절단면
      - 다이싱 짧은면
      - 검정무늬는 에폭시수지
      - 다이싱 긴면. 위면에서 스크라이버로 금긋고 부러뜨렸다.
    4. SAW HG40AA3 RHO MP3 2140MHz
      - HG40AA3 RHO MP3 2140MHz
    5. 알루미나 기판에서 관찰한, Au stud, 초음파 플립본딩 상태
      - SAW 출력이 LNA 입력이다.
      - 웨이퍼 재질이 GaAs로 추정되는 LNA
      - SAW
      - SAW
      - SAW
4. PAM
  - 무라다 회사에서 제조
  - 솔더링 패턴 동박 설계
  - 다이 4개 사용
5. PAM 옆 1.4x1.1mm SAW-핸드폰RF
  - 무라다 회사에서 제조
  - 다이 패턴 촬영 실패
6. SAW-핸드폰DPX, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
  1. 외관
    - 주변 매칭소자가 많다.
    - 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
  2. 몰딩 수지를 벗기면
  3. 솔더 플립본딩된 다이를 알루미나 기판에서 분리하면
  4. 다이
    - 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um
    - TEG 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴
상단 우측 모서리, SUB ANT에 연결되는 Rx 스위치+SAW 모듈 근처에서
1. 뒷면에 DPX가 있기 때문에 Tx 신호도 sub 안테나가 처리하는데, 이 SAW-모듈은 Tx를 처리하지 않는다.
  - 마킹 L6R0D W6028
  - 3P12T 스위치 두 개를 통해 추정
2. Rx 스위치+SAW 모듈
  1. 분해 사진
    - 1,2,3번 필터, 4 스위치,5,6번 LNA 표시
    - 동박 설계. 큰 패드를 4구획으로 나누어 솔더페이스트 납땜하면 가운데 공기가 막히는 것을 예방하기 위해서(??)
  2. 1번, SAW-핸드폰RF dual filter 1.5x1.1mm
    1. H942BA0 MP1 WJL
    2. H876BA3 MP3 WJL
      - ESD 손상
      - 확대
      - 반사기 옆 전극에서
      - 광학 해상도 차트용(?) 구멍 및 그 구멍이 막히는 것을 피하는 금전극
  3. 2번, SAW-핸드폰RF dual filter 1.5x1.1mm
    1. H737AA3 MP2 LMH
    2. HG56BA0 MP9 KRF KYH
  4. 3번, SAW-핸드폰RF dual filter 1.5x1.1mm
    1. 폴 연결 방법
    2. HG60CC0 MP3 WJL
      - ESD 손상 - 두 DMS 전극 사이
    3. HG40BC3 MP2 RHO
      - 플립본딩 때 범프볼이 금전극면과 접착(확산)되지 않았다.
  5. dual filter 1.5x1.1mm 알루미나 기판
  6. 4번, 3P12T RF스위치IC 두 개, 안테나-스위치-SAW-LNA-스위치 구조인듯.
    - YF19 T01 3P12T 라고 적혀있다.
    - 허용전력은 스위치가 OFF 상태에서 걸리는 Tx 최대 전압 vs breakdown 전압으로 결정되지, ON시 통과하는 전력을 고려하는 것은 아니다.
    - 스위치 회로. 선폭이 FET 갯수를 결정함. 선폭이 좁으면 FET가 많이 설치됨. 저항이 낮아진다. 대신 C값이 커진다.
  7. 5번, LNA 2개
  8. 6번, LNA 1개
3. SAW-핸드폰RF 1.1x0.9mm
  - VH: HG42AA0, LTE B3, 1842.5MHz
  - 2000x1333 pixel
  - 4260x2840 pixel
  - HG42AA0 MP3 KKS
  - 주기 2.17um 중심주파수 1842.5MHz 이므로 SAW 속도는 3993m/sec
  - 왼쪽: 사진제품, 오른쪽: 나라면 (입력접지는 입력으로. Y축에 긴 전극은 SAW필터에서 초전성 문제를 유발한다.)
4. SAW-핸드폰DPX, Epcos 1.8x1.4mm
  1. 위치한 곳 및 외관
    - 위치
    - 하양 세라믹부품은 안테나와 다이버시트 모듈 사이에 위치하여 low,middle,high 밴드를 나누는 diplexer로 추정
  2. 표면 상단 수지막을 벗기면
    - 다이 뒷면이 거칠지 않다.
    - 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.
    - EMC에서 둥근 실리카 필러 관찰
  3. 알루미나 기판에서 다이 분리
상단 좌측 모서리, WiFi에서
1. 사용 WiFi
  1. WiFi 및 ANT+ (Garmin이 개발한 sports 및 fitness sensor용 저전력 2.4GHz 무선네트워크)
  2. 2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
  3. 5180~5240, 5260~5320, 5500~5620, 5745~5805 MHz(802.11a 및 802.11n) 참고로: 일명 기가와이파이라 불리는 802.11ac는 지원하지 않는다.
2. WiFi 모듈(핸드폰)
  - BCM43454 HKUBG WiFi/BT, ANT+ 기능이 있다.
3. SAW-WiFi
  1. 전체
    - 1.4x1.1mm 무라타 SAFEA2G45MB0F3K로 추정
  2. 칩은 튕겨져 분실되고 패키지에 형성된 플립본딩 분리면을 자세히 관찰함.
    1. 전체
    2. 왼쪽 아래
      - stud bump에서 꼬리가 약간 길 때 발생되는 듯.
      - 파인애플
    3. 왼쪽 위
    4. 가운데 위
      - 2595x2841 pixels, 가로 110um 세로 120um 타원형 크기
상단 중앙, GPS 관련
1. GPS-IC
  - 위치
  - BCM47522iUB2G GPS-IC 및 무라타 1.1x0.9mm GPS SAW 필터
2. SAW-GPS 무라타 1.1x0.9mm
  - DH69-A1
  - Series resonator의 Tap만 두껍다. 그러나 Shunt resonator Tap 폭은 IDT 폭과 동일하다.
  - 주기 2.45um (추정 주파수 약 1650MHz)
  - 다이를 볼 때(파인애플 속 꼭지)
3. 플립본딩 본딩 분리면 관찰 (서로 다른 접합면에서 각각 사진을 찍음)
  - 그림설명. 파단면에서 아래를 바라볼 때, 위를 쳐다볼 때
  - 아래를 바라볼 때(패키지면)
  - 위를 쳐다볼 때(다이면)
배터리 전류 게이지용 SMD타입 전류검출용R
1. 외관
  - 위치
  - 마킹 재료는 수지 잉크
2. 수지 벗기고
  - 긁어낸 보호막 재료는 검정 수지
  - 레이저 트리밍
3. 천공
  - laser perforation pitch = 10um
NFC 안테나 및 MST 안테나
1. 무선충전 기능 없다.
2. 안테나 위치
  - 뒷면 보호 유리를 뜯으면 검정 NFC관련 안테나와 배터리가 보인다. 우측 상단에 sub 및 GPS 안테나가 있다.(즉, 본체를 뒤집어야 하늘을 향한다.)
3. 페라이트 시트가 붙어 있는 안테나 분석
  1. 외관, 점점이 4개인데, 2개는 NFC, 2개는 MST용이다.
    - 본체쪽에는 페라이트 시트가 붙어 있다.
    - 뚜껑쪽에는 코일면이다. A7 REV.04A H8643S (한솔테크닉스 제작?)
  2. 차폐 시트를 뜯어보면, (페라이트 재질이 아니므로 페라이트 시트라고 하지 않는다.)비정질 합금(아몰퍼스 amorphous alloy) (Nanocrystalline로 표현하기도 한다.)로 추정
    - 두께 100~150um 로 추측
  3. 안테나 코일 시트, 앞 뒤 표면에 붙어 있는 검정색 보호 테이프를 제거한 후 촬영
    - Tx기기와 잘 위치 매칭되기 위해 개구부를 넓힌다. 또한 L값을 키우기 위해 크게 돌린다.
  4. 양면 연결. 저항을 낮추기 위해서 양면 코일을 병렬로 연결함.
4. MST(Magnetic secure transmission) 칩은 Zinitix 지니틱스 회사의 ZF110
  - 높은 전류를 갖는 펄스 파형을 방출해야 하므로 Au 볼 와이어본딩을 여러 번했다.
  - 다이 표면을 더 갈아(??)보니
금속각형 2차-리튬, Prismatic Cell, 각기둥 셀
1. 알머스 회사는 일본에서 깡통 사와서 단자 용접하고 라벨만 붙여서 삼성전자에 납품하는 듯
  - 충전 전압 4.4V 공칭 3.85V이다. (지금까지 이전 배터리는 4.2V 3.7V)
  - EB-BA710ABA, 12.71Wh, 제조년월 2017 04, cell made in JAPAN, 제조자: YoungBo Vina Co., Ltd. (영보엔지니어링 회사 상호는 알머스로 변경됨.)
2. 보호회로가 없다.
  - 아무런 보호부품 및 회로가 없다.
3. 배터리 충방전 실험
  1. 2A 충방전 실험 2021/03/11 16:00 종료. 100회 연속 사용시 에너지 용량이 줄어들지 않는다.
    - 최초 5회 충방전. 4.2V +2A 0.5A까지, -2A 3.36V까지
    - 이후 100회 충방전
    - 24시간 단위로. 사무실 온도가 가장 높을 때 가장 큰 에너지를 사용한다.
    - 충방전 효율. 주변 온도에 의존한다. 약 85%이다.
  2. 5A 충방전 실험
    - 충전 에너지 11.5Wh, 방전 에너지 6.1Wh, 효율 53%
    - 내부저항 5A에서 전압강하 0.4V이므로 0.08오옴
    - 충방전 효율이 85% @2A 에서 53% @5A로 떨어진 이유는 열이 많이 나므로
    - 스테인리스 깡통 온도 적외선 측정은 곤란
    - 4와이어 측정이므로, 바깥 가는 전류선은 뜨거워진다.
마이크로 스피커
1. 5가지 상태
  - 상태1(원래)
  - 상태2(메인홀 막고)
  - 상태3(벤트홀 막고)
  - 상태4(백볼륨 파괴)
  - 상태5(전면 파괴)
2. 분해하면서 임피던스 측정
  - 1 정상상태에서 임피던스, 위상
  - 1,2,3,4,5 상태에서 임피던스
3. 임피던스 해석
  1. 6차 밴드패스 스피커이다.
    1. closed box(스피커 뒷쪽이 막힌)에 넣은 후, 소리 출구에만 tube가 형성되면 4차 band pass 필터가 된다.
    2. 여기에 back volume에도 튜브를 만들어 뚫으면, 6차 band pass 필터가 된다. 즉, 위 스피커는 6차 B.P 이다.
  2. 6차 BP 구조를 만드는 이유
    1. back volume에 구멍을 뚫으면 저주파가 강화된다.
    2. 4차 BP이면 고주파가 약화되고, 저주파가 더 강화된다.
  3. open air(상태 #5)에서는 임피던스 공진이 하나만 나온다.
    1. Ported Bass-Reflex 상태이면 공진이 두 개 나온다.
    2. 두 공진점에서 가장 낮은지점을 보이는 주파수가 공진주파수로 정의된다.
    3. 두 임피던스 공진점 높이가 같으면 매치상태. 저주파 피크가 높으면 박스 공진주파수가 (드라이버 공진주파수보다???) 더 높다.
    4. 고주파 피크 임피던스가 크면, 박스 공진주파수가 (드라이버 공진주파수보다???) 더 낮다.
  4. tube가 길고 복잡하면 여러개의 공진 피크가 측정된다.
전면 패널(OLED가 붙어 있는)
1. 상단 "전면 패널"에는 RF 안테나 없음.
2. 하단에는
물이 들어가 부식
OLED 디스플레이(아래)와 코어 6063(?) 알루미늄 프레임(단조?)(위) 분리하면
1. 사진
  - OLED 패널(아래)과 코어 금속 프레임(위)을 분리하면
  - OLED 패널에 정전식 터치스크린 콘트롤러 IC가 붙어 있다.
2. OLED 패널 유리 뒷면에 검정 테이프를 붙이고, 다시 그 위에 히트 스프레더용 (적당히 두꺼운)구리테이프를 붙였다.
3. 중간 알루미늄 프레임에 수지를 인서트 사출
  - 금속 프레임 주변으로 수지 사출하였다.
  - 위, 아래에는 안테나를 위해서 일정 길이(면적)를 갖는 수지 영역이 필요하다.
  - NEW A7 V6-2 >PPA-GF50< Polyphthalamide 폴리프탈아미드+Glass Fiber 50% 수지
  - 금속 테두리 가장자리로 사출(아마 측면 낙하 충격 흡수를 위해)
정전식 터치스크린
- SAMSUNG S6SMC44X S1727-PTK 터치콘트롤러
- 강화유리, TSP유리, OLED유리 이렇게 붙어 있는데, 이중에서 TSP 유리만 뜯어서 촬영
OLED 패턴
1. 픽셀 배열은 다이아몬드 형태 RG-BG 펜타일 서브픽셀 방식을 사용한다.
2. 사진
  - 가로 피치 65um 세로 피치 32.5um
  - 가로세로 피치 ~65um
3. DDI 플립본딩
  - 여러 개 TEG 중 하나
  - anisotropic conductive paste(ACP;비등방성 도전성 페이스트) 본딩 알갱이(금도금의 구형태 수지)를 관찰할 수 있다.
  - 흰선투명박스-유리, 노랑박스-DDI
코인타입 ERM 진동모터
- ERM이므로 햅틱 기능이 없다.
- 잉크R 3개가 인쇄로 발라져 있다.
- 전압을 서서히 올리면 부드럽게 잘 돈다.
뒷면 메인카메라: OIS, AF 지원 1,300만 화소
1. 카메라 드라이버 IC는 실드 깡통으로 차폐한다.
2. OIS, AF(자동초점)