20일, 20시간, 4분 - Togotech

"Tr"의 두 판 사이의 차이

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image:103_2_a1_008.jpg | [[103]] 전압소스에서. 삼성 KSC1520 npn Tr, 1970년대말에 제조한 것으로 추정
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image:tr02_001.jpg | 불에 태워
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image:hrp_303s_011.jpg | 삼성 Tr(?)
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image:tr02_002.jpg | 휴지에 물을 뿌려 숯가루가 날리지 않게
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image:tr02_003.jpg | 방열판 구조
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image:tr02_004.jpg | Base와 Emitter 패턴이 서로 동일하다. [[Al 웨지 와이어본딩]]
 
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<li>EBC 전극 표시
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<li>BUL381D, 400V 5A 70W, 엘레파츠 회사로 7개 총 10,057원에 구매의뢰함.
 
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image:hp5328b02_033.jpg | 2N3906 [[Tr]]에 적힌 EBC
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image:gigabyte_p34_031.jpg | 평범한 외관을 갖는 SMD타입 [[Tr]]
 
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<li>마킹이 잘보이게 페인트칠
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<li>사진
 
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image:guildline9540_017.jpg | Guildline 9540 백금온도계에서
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image:tr00_001_001.jpg | 삼성물산 패션브렌드 구호(KUHO), HEART FOR EYE
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image:7060a01_029.jpg | [[7060]] DMM에서, LED 제어용 Motorola 2N4403, PNP [[Tr]]
 
 
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<li>금형으로
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<li> [[Tr 측정]]
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<li>홍콩 마킹
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image:3455a01_053.jpg | HP 3455A DMM에서
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image:3421_44461_013.jpg | [[4446xA]]에서
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<li>모로코 마킹
 
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<li> YHP [[LCR-4260A]] Universal Bridge에서
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<li> [[비일체형 콤팩트 형광등]]
 
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image:yhp4260a_105.jpg | 4-071 Motorola136 EBC [[Tr]]
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image:electrical_ballast08_003.jpg | 모로코 MOROCCO, STMicroelectronics, BUL128, NPN power transistor
 
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<li>삼성
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<li>페라이트슬리브가 꼽히고, EBC 전극 표시
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<li>[[103]] 전압소스에서. 삼성 KSC1520 npn Tr, 1970년대말에 제조한 것으로 추정
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image:103_2_a1_008.jpg
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<li> [[협성 HRP-303S]] DC전원공급기에서
 
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image:hrp_303s_011.jpg | 삼성 TIP41 npn [[TO-220]]패키지
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<li> [[핀아웃 표시된 트랜지스터]]
 
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<li>리드가 보이지 않게 짧게 잘라 납땜함
 
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<li>대표적인 예로, [[E5060A B-H Z Analyzer]]에서. Tr 리드 3개 모두에 꼽혀 있다.
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image:e5060a01_020_007.jpg | 2SC3355 1GHz, high frequency low noise amplifier
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2024년 11월 1일 (금) 21:14 기준 최신판

Tr

  1. 전자부품
    1. 반도체
      1. 디스크리트
        1. Tr - 이 페이지
          1. 기술
            1. Tr 측정
            2. 핀아웃 표시된 트랜지스터
          2. 패키지
            1. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
            2. TO-5 원형 금속패키지
            3. TO-220 플라스틱 패키지
            4. TO-92 플라스틱 패키지
  2. 트랜지스터
    1. 구입
      1. ON Semiconductor, FJPF2145TU, NPN, 800V 5A, TO-220 패키지
        1. 제품규격서
        2. 인버터 형광등스탠드 용, 엘레파츠 @755원
        3. 2022/06/17 입고
          1. 사진
            • fluorescent int04 012.jpg

            • 튜브 포장

          2. 6개에서 2개 사용중 고장, 2개 적용, 현재 2개 남아 있음.
          3. 2022/08/01 남은 두 개 사용하여 없음.
          4. 2022/08/05 고장품 내부

            • 불에 태워

            • 휴지에 물을 뿌려 숯가루가 날리지 않게

            • 방열판 구조

            • Base와 Emitter 패턴이 서로 동일하다. Al 웨지 와이어본딩

      2. BUL381D, 400V 5A 70W, 엘레파츠 회사로 7개 총 10,057원에 구매의뢰함.
        1. 인버터 형광등스탠드 수리용으로
        2. 2022/08/10 도착
    2. 의미있는 사진들
      1. 일반적인 사진
        1. 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서

          • 평범한 외관을 갖는 SMD타입 Tr

      2. 용어
        1. hFE
          1. h-파라메터, F: Forward current amplification(=current gain), E: Common Emitter(CE) configuration
            1. = collector current/base current
          2. 사진

            • 삼성물산 패션브렌드 구호(KUHO), HEART FOR EYE

          3. Tr 측정
      3. 홍콩 마킹

        • HP 3455A DMM에서

        • 4446xA에서

      4. 모로코 마킹
        1. 비일체형 콤팩트 형광등

          • 모로코 MOROCCO, STMicroelectronics, BUL128, NPN power transistor

      5. 삼성
        1. 103 전압소스에서. 삼성 KSC1520 npn Tr, 1970년대말에 제조한 것으로 추정
          • 103 2 a1 008.jpg
        2. 협성 HRP-303S DC전원공급기에서

          • 삼성 TIP41 npn TO-220패키지

      6. 핀아웃 표시된 트랜지스터
      7. 수정
      8. 리드가 보이지 않게 짧게 잘라 납땜함
        1. SR606H 라벨 프린터에서

          • Tr에서 리드를 매우 짧게 잘라 납땜한, 2SB1269 pnp, 2SD1805 npn

  3. 사용 기술
    1. 디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
      1. 기술정보
        1. 링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
          1. 저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
          2. 저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
    2. Complementary Transistors
      1. NPN, PNP 두 차이점
        1. 전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
      2. STA341M - 3p
        1. 외형 및 내부 구조

          • STA341M Complementary Transistors 디스크리트가 3개 있음

          • 칩 하나는 PNP, 하나는 NPN

        2. 칩

          • 본딩 와이어 굵기가 다른 것처럼 보인다.

          • 실제 그렇지 않다.

          • 왼쪽은 EMC속에서 열을 받아, 높은 압력 때문에 금이 퍼진 듯

    3. Pair
      1. 2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package

        • - UTHE 10H Ultrasonic Generator에서

      2. Motorola 3-075
        1. 외관 및 방열세라믹기판

          • 6-pin

          • tr pair01 002.jpg
          • tr pair01 003.jpg
        2. 왼쪽 칩
          • tr pair01 004.jpg
          • tr pair01 006.jpg
        3. 오른쪽 칩
          • tr pair01 005.jpg
          • tr pair01 007.jpg
    4. 리드에 슬리브L 을 끼워 사용
      1. 대표적인 예로, E5060A B-H Z Analyzer에서. Tr 리드 3개 모두에 꼽혀 있다.

        • 2SC3355 1GHz, high frequency low noise amplifier

  4. 패키징 방법에 따라
    1. 플라스틱
      1. 1W 이상 사용되는 TO-220 플라스틱 패키지
      2. 1W 미만으로 방열필요없는
        1. Silk Hat 타입
          1. DC voltage standard, model 103, Kisusui에서

            • Silk Hat 타입

            • 103 2 ps 012.jpg
            • 103 2 a1 013.jpg
            • 103 2 a1 014.jpg
            • 103 2 a1 015.jpg
        2. TO-92 플라스틱 패키지
      3. 리드 지지 방법
        1. 니콘 넥시브, XYZ 모터 드라이브에서
          • vm150n04 035.jpg
    2. 금속 캔
      1. 방열 방법
          방열
      2. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
      3. TO-5 원형 금속패키지
    3. 하이브리드IC에서
      1. 오디오앰프IC
        1. 전체
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        2. 하나인 어떤 Tr 다이
          • audio amp01 004.jpg
          • audio amp01 005.jpg
        3. 4개인 주 Tr 다이
          • audio amp01 006.jpg
          • audio amp01 007.jpg
          • audio amp01 008.jpg
          • audio amp01 009.jpg
        4. 단순한 전극 모양의 두 개인 Tr 다이
          • audio amp01 010.jpg
          • audio amp01 011.jpg
    4. 마이크로-X
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