다이싱

다이싱 dicing

1. 링크
   1. 전자부품
      1. 가공
         1. 다이싱 - 이 페이지
      2. 참조
         1. 천공
         2. 스크라이버
2. 기계장치에서
   1. 스핀들, 회전 밸런스가 무너짐
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        오랫동안 조이니 부러짐

   2. 절단된 가루가 구배없는 배수관에 쌓이면
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3. 다이싱 모양
   1. 삼각형
   2. 평행사변형을 자른 삼각형
      1. MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
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   3. 매우 긴 직각사각형 - 그냥 직사각형, 정사각형은 가장 널리 사용되므로 첨부 생략
      1. CIS - 스캐너용 contact image sensor
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           X축 IC 18.2x1.35x0.64mm, Y축 IC 11.2x1.35x0.64mm

      2. DDI - 능동LCD용 Display Driver
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           이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개를 사용한다.

   4. 평행사변형(parallelogram)
      1. TV용 IF SAW필터
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           112LT Sanyo 마킹

   5. 육각형(hexagon), 직선으로 자를 수 없다. 그러므로 레이저 다이싱 또는 플라즈마 에칭(plasma etching)으로 다이싱해야 한다.
      1. LED칩
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           한변 길이가 1.2mm

      2. 다이오드
         1. 산타페 발전기에서 발견
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4. 금속 다이싱
   1. 얇은 구리판(PCB용 도금 동박 등)
      1. 도금 CSP 쏘필터
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           다이싱 2nd 채널에서, 구리는 burr가 쉽게 발생됨.

   2. 리드프레임
5. 스크라이빙 후 부러뜨림
   1. 쏘필터, 매우 긴 칩 - 러시아?
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        패키지 길이 21.4mm

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        스크라이빙 후 부러뜨렸다.

6. half-cut 다이싱 후
   1. Bevel cut
      1. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K
         1. SAW-핸드폰DPX에서
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              V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다.

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   2. step cut: 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.
   3. half-cut 후 부러뜨렸다.
      1. TR6878 DMM 정밀저항기에서
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           다이싱은 half-cut

   4. LTCC 몰딩품에서
      1. Motorola Z8m 휴대폰에서, SAW-모듈
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           LTCC는 레이저 천공, 에폭시는 half-cut 다이싱 후 부러뜨린 듯

      2. Motorola Z8m 휴대폰에서, SAW-모듈
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           LTCC 다이싱 방법

      3. 2015 LG-F570S LG Band Play 에서
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           양면 half 다이싱

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           잘리지 않은 에폭시층을 부러뜨렸다.

   5. 실리콘 웨이퍼
      1. Panasonic VP-7750A Wow Flutter 미터
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           LM306H, high-speed voltage comparators

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           NEC uPC157A, op amp.

      2. HP 8112A 50 MHz pulse generator에서, 어떤 Tr에서
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      3. 인텔 8085 MCU, 1985년 제조품에서. 당시 full dicing은 어려운 기술이었다.(?)
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           60% 깊이로 블레이드 휠 다이싱 후 부러뜨렸다.

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7. 반도체 웨이퍼 다이싱
   1. 레이저 기술
      1. 용어 stealth dicing, ultrashort pulsed(USP)
      2. 유리(soda lime glass)
         1. - 10p
         2. 기술
            1. 장점: high speed cutting, no chipping, dust-free, zero-kerf, no chemicals
            2. 스텔스 다이싱 단점: 절단면에 큰 거칠기 존재, 완전히 분리하는 개별화 작업을 위해 기계적인 충격이 필요함.
            3. 완전한 절단(Full ablation cutting) - 작업속도가 느리다. 측벽이 매우 거칠다. 많은 먼지가 발생된다.
            4. 제어된 파괴전파(Controlled fracture propagation) - 시작지점을 기계적으로 긁고, 이후 레이저로 가열하여 균열 발생하는 기법(절단면이 매끄럽다. 곡선이 안된다. 경로가 부정확하다. 열을 받는다.)
      3. 레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다.
         1. 레이저 촛점은 레이저 진행 방향에 따라 원형, 진행방향 타원, 진행에 수직방향 타원 등을 만들 수 있다.
         2. 개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
         3. 웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
         4. 레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이(DOF)를 낮게 형성시킨다.
         5. 빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다.
         6. 레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다.
   2. 실리콘 웨이퍼
      1. 레이저
         1. CIS #2 - 레이저
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              센서 경계선

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              센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱

         2. MEMS 마이크 - 1
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              레이저 다이싱 5회

         3. MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
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              측면 다이싱 관찰

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              레이저 4회

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              천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.

         4. 인포콤 RF하이패스, 스위치
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              중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.

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              레이저 다이싱

      2. 회전 블레이드
         1. CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
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              칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격 20um

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              블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도

         2. 만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
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              위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)

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         3. 인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
            1. first stage amp.
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                 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬

            2. second stage amp.
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                 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr

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                 다이싱 때 1ch 컷

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                 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷

         4. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K 핸드폰에서
            1. 핸드폰에서 발견한 대기압 센서
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                 웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다.

   3. 쏘필터용 웨이퍼
      1. 무라타, 1.4x1.1mm
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           줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.

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           두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱한 것처럼 보이지만, 한 번만 다이싱해도 이렇다.(?????)

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           4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음

      2. 2008년 1월 제조된 LG-SH170 슬라이드 피처폰
         1. 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
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              한쪽면

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              같은 칩에서 그 반대 한쪽면

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8. 절삭속도 추정
   1. K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
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        표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.

9. 뒷면 그루빙(도랑 파기)
   1. K3953D에서 - 다이싱(칩두께 500um) 및 뒷면 그루빙(간격 330um, 깊이 110um, 폭 55um)
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        가장자리 칩핑이 많다.

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        두번 다이싱

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        항상 원형으로 깍인다.

   2. 벌크파동을 제거하기 위한, 뒷면 grooving 및 Ag 에폭시 다이 접착제
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        SAW기술에서

10. 기타
    1. 초콜릿 과자에서, Kiru Kezuru Migaku (절단 연삭 연마)
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         2015/11/04일, 디스코 Disco에서 받은 선물인데, 투고기술 방문자로부터 받음