"레이저 다이싱"의 두 판 사이의 차이

2023년 10월 21일 (토) 21:42 기준 최신판

레이저 다이싱

전자부품
1. 가공
  1. 다이싱
    1. 레이저 다이싱 - 이 페이지
2. 참조
  1. 레이저
기술
1. 용어 stealth dicing, ultrashort pulsed(USP)
2. 유리(soda lime glass)
  1. - 10p
  2. 기술
    1. 장점: high speed cutting, no chipping, dust-free, zero-kerf, no chemicals
    2. 스텔스 다이싱 단점: 절단면에 큰 거칠기 존재, 완전히 분리하는 개별화 작업을 위해 기계적인 충격이 필요함.
    3. 완전한 절단(Full ablation cutting) - 작업속도가 느리다. 측벽이 매우 거칠다. 많은 먼지가 발생된다.
    4. 제어된 파괴전파(Controlled fracture propagation) - 시작지점을 기계적으로 긁고, 이후 레이저로 가열하여 균열 발생하는 기법(절단면이 매끄럽다. 곡선이 안된다. 경로가 부정확하다. 열을 받는다.)
3. 레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다.
  1. 레이저 촛점은 레이저 진행 방향에 따라 원형, 진행방향 타원, 진행에 수직방향 타원 등을 만들 수 있다.
  2. 개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
  3. 웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
  4. 레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이(DOF)를 낮게 형성시킨다.
  5. 빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다.
  6. 레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다.
유리 절단
1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
  1. 핸드폰용 이미지센서 카메라 모듈 , IR 차단 필터
    - 광학필터 유리가 잘린 단면이 보인다.
    - 레이저 다이싱
    - 유리두께 0.30mm, 코팅두께 약 6um
    - 레이저 피치 10.0um
사파이어 절단
1. 기술
  1. 매우 단단하여 단순한 절단 이외에 어떤 형상을 갖는 기계가공은 어렵다.
2. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
  1. 카메라 렌즈가 긁히지 않도록 외부에 붙이는 보호 사파이어창
    - 원형 가공면이 taper진 형태
    - taper 가공이 되는 이유(?)
    - 레이저 다이싱, 무반사 코팅이 샌 흔적
  2. 정전식 지문센서
    - 지문센서 실리콘 IC는 두 번 다이싱으로 잘랐다.
    - 지문센서 커버창은 레이저 다이싱. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.
    - 그림
  3. RF스위치IC
    1. 다이버시티 Rx 스위치+SAW 모듈 무라타 제조
      1. 모듈에서
        
        RF스위치IC 다이 2개는 투명하다.
      2. Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
        
        측면 사파이어, 레이저 다이싱 두께 약 125um
      3. Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
        
        사파이어 두께 약 125um
    2. Rx 스위치+SAW 모듈
      - 투명다이는 SoS 웨이퍼로 만든 RF스위치IC이다.
      - 레이저 다이싱
실리콘 웨이퍼 다이싱
1. CIS #2 - 레이저
  - 센서 경계선
  - 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
2. MEMS마이크, 마킹 S190 제품에서. KNOWLES 칩
  - 레이저 다이싱 5회
3. MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
  - 측면 다이싱 관찰
  - 레이저 4회
  - 천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.
4. MEMS마이크 , STMicroelectronics, MP45DT02TR, 2D45, 4.72x3.76mm
  - MEMS는 레이저 다이싱 및 판독IC는 half-cut 다이싱
5. 인포콤 RF하이패스, 스위치(RF용이므로 실리콘이 아닐 수 있다.)
  - 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
  - 레이저 다이싱