"트랜지스터"의 두 판 사이의 차이

2025년 1월 21일 (화) 11:40 기준 최신판

Tr

전자부품
1. 디스크리트
  1. 트랜지스터 - 이 페이지
  2. Tr - 이 페이지
    1. 기술
      1. Tr 측정
      2. 핀아웃 표시된 트랜지스터
    2. 종류
      1. 상보형 Tr
      2. Tr pair
    3. 패키지
      1. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
      2. TO-5 원형 금속패키지
      3. TO-220 플라스틱 패키지
      4. TO-92 플라스틱 패키지
트랜지스터
1. NPN, PNP 두 차이점
  1. 전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
사용 기술
1. 상보형 Tr
2. Tr pair
3. 디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
  1. 기술정보
    1. 링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
      1. 저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
      2. 저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
4. 리드에 슬리브 인덕터 을 끼워 사용
  1. 대표적인 예로, E5060A B-H Z Analyzer에서. Tr 리드 3개 모두에 꼽혀 있다.
    - 2SC3355 1GHz, high frequency low noise amplifier
구입
1. ON Semiconductor, FJPF2145TU, NPN, 800V 5A, TO-220 패키지
  1. 제품규격서
  2. 인버터 형광등스탠드 용, 엘레파츠 @755원
  3. 2022/06/17 입고
    1. 사진
      - 튜브 포장
    2. 6개에서 2개 사용중 고장, 2개 적용, 현재 2개 남아 있음.
    3. 2022/08/01 남은 두 개 사용하여 없음.
    4. 2022/08/05 고장품 내부
      - 불에 태워
      - 휴지에 물을 뿌려 숯가루가 날리지 않게
      - 방열판 구조
      - Base와 Emitter 패턴이 서로 동일하다. Al 웨지 와이어본딩
2. BUL381D, 400V 5A 70W, 엘레파츠 회사로 7개 총 10,057원에 구매의뢰함.
  1. 인버터 형광등스탠드 수리용으로
  2. 2022/08/10 도착
의미있는 사진들
1. 일반적인 사진
  1. 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서
    - 평범한 외관을 갖는 SMD타입 Tr
2. 용어
  1. hFE
    1. h-파라메터, F: Forward current amplification(=current gain), E: Common Emitter(CE) configuration
      1. = collector current/base current
    2. 사진
      - 삼성물산 패션브렌드 구호(KUHO), HEART FOR EYE
    3. Tr 측정
3. 홍콩 마킹
  - HP 3455A DMM에서
  - 4446xA에서
4. 모로코 마킹
  1. 비일체형 콤팩트 형광등
    - 모로코 MOROCCO, STMicroelectronics, BUL128, NPN power transistor
5. 삼성
  1. 103 전압소스에서. 삼성 KSC1520 npn Tr, 1970년대말에 제조한 것으로 추정
  2. 협성 HRP-303S DC전원공급기에서
    - 삼성 TIP41 npn TO-220패키지
6. 핀아웃 표시된 트랜지스터
7. 수정
  - m-gage에서
8. 리드가 보이지 않게 짧게 잘라 납땜함
  1. SR606H 라벨 프린터에서
    - Tr에서 리드를 매우 짧게 잘라 납땜한, 2SB1269 pnp, 2SD1805 npn
패키징 방법에 따라
1. 플라스틱
  1. 1W 이상 사용되는 TO-220 플라스틱 패키지
  2. 1W 미만으로 방열필요없는
    1. Silk Hat 타입
      1. DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
        
        Silk Hat 타입
    2. TO-92 플라스틱 패키지
  3. 리드 지지 방법
    1. 니콘 넥시브, XYZ 모터 드라이브에서
2. 금속 캔
  1. 방열 방법
  2. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
  3. TO-5 원형 금속패키지
3. 하이브리드IC에서
  1. 오디오앰프IC
    1. 전체
    2. 하나인 어떤 Tr 다이
    3. 4개인 주 Tr 다이
    4. 단순한 전극 모양의 두 개인 Tr 다이
4. 마이크로-X

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 <li> [[전자부품]]
-<ol>
-<li>반도체
 <ol>
 <li> [[디스크리트]]
 <ol>
+<li> [[트랜지스터]] - 이 페이지
 <li> [[Tr]] - 이 페이지
 <ol>
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 <li> [[Tr 측정]]
 <li> [[핀아웃 표시된 트랜지스터]]
+</ol>
+<li>종류
+<ol>
+<li> [[상보형 Tr]]
+<li> [[Tr pair]]
 </ol>
 <li>패키지
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 </ol>
 </ol>
+</ol>
+<li>트랜지스터
+<ol>
+<li>NPN, PNP 두 차이점
+<ol>
+<li>전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
 </ol>
 </ol>
-<li>트랜지스터
+<li>사용 기술
+<ol>
+<li> [[상보형 Tr]]
+<li> [[Tr pair]]
+<li>디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
+<ol>
+<li>기술정보
+<ol>
+<li>링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
+<ol>
+<li>저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
+<li>저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
+</ol>
+</ol>
+</ol>
+<li>리드에 [[슬리브 인덕터]] 을 끼워 사용
 <ol>
+<li>대표적인 예로, [[E5060A B-H Z Analyzer]]에서. Tr 리드 3개 모두에 꼽혀 있다.
+<gallery>
+image:e5060a01_020_007.jpg | 2SC3355 1GHz, high frequency low noise amplifier
+</gallery>
+</ol>
+</ol>
 <li>구입
 <ol>
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 <li>홍콩 마킹
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-image:3455a01_053.jpg | HP 3455A DMM에서
+image:3455a01_053.jpg | [[HP 3455A DMM]]에서
 image:3421_44461_013.jpg | [[4446xA]]에서
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 image:epson_label06_030.jpg | [[Tr]]에서 리드를 매우 짧게 잘라 납땜한, 2SB1269 pnp, 2SD1805 npn
-</gallery>
-</ol>
-</ol>
-</ol>
-<li>사용 기술
-<ol>
-<li>디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
-<ol>
-<li>기술정보
-<ol>
-<li>링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
-<ol>
-<li>저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
-<li>저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
-</ol>
-</ol>
-</ol>
-<li>Complementary Transistors
-<ol>
-<li>NPN, PNP 두 차이점
-<ol>
-<li>전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
-</ol>
-<li>STA341M - 3p
-<ol>
-<li>외형 및 내부 구조
-<gallery>
-image:cdplayer01_010.jpg | STA341M Complementary Transistors [[디스크리트]]가 3개 있음
-image:cdplayer01_010_001.jpg | 칩 하나는 PNP, 하나는 NPN
-</gallery>
-<li>칩
-<gallery>
-image:cdplayer01_010_002.jpg | 본딩 와이어 굵기가 다른 것처럼 보인다.
-image:cdplayer01_010_003.jpg | 실제 그렇지 않다.
-image:cdplayer01_010_004.jpg | 왼쪽은 EMC속에서 열을 받아, 높은 압력 때문에 금이 퍼진 듯
-</gallery>
-</ol>
-</ol>
-<li>Pair
-<ol>
-<li>2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
-<gallery>
-image:uthe10h01_016.jpg | - UTHE 10H Ultrasonic Generator에서
-</gallery>
-<li>Motorola 3-075
-<ol>
-<li>외관 및 방열세라믹기판
-<gallery>
-image:tr_pair01_001.jpg | 6-pin
-image:tr_pair01_002.jpg
-image:tr_pair01_003.jpg
-</gallery>
-<li>왼쪽 칩
-<gallery>
-image:tr_pair01_004.jpg
-image:tr_pair01_006.jpg
-</gallery>
-<li>오른쪽 칩
-<gallery>
-image:tr_pair01_005.jpg
-image:tr_pair01_007.jpg
-</gallery>
-</ol>
-</ol>
-<li>리드에 [[슬리브L]] 을 끼워 사용
-<ol>
-<li>대표적인 예로, [[E5060A B-H Z Analyzer]]에서. Tr 리드 3개 모두에 꼽혀 있다.
-<gallery>
-image:e5060a01_020_007.jpg | 2SC3355 1GHz, high frequency low noise amplifier
 </gallery>
 </ol>