SRAM

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SRAM
1. 기술
  1. Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나
  2. 액세스 속도가 DRAM에 비해 약 10배 빠르다.
  3. 옛날 CPU 다이속에 형성되는 RAM이라고 함은 SRAM이므로 꽤 넓은 면적을 차지한다.
  4. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Static_random-access_memory
2. Cypress Semiconductor
  1. CY7C199-20VC 32KB 20ns CMOS static RAM
    1. TA320 계측기에서,
      - QuickLogic, QL16X24B-1PL84C, 150MHz Very-High-Speed CMOS FPGA
  2. CY7C1021CV33, 1Mbit
    1. NF WF1943B 다기능 함수 합성기에서
      - LTC1668CG(16bit 50Msps DAC), NEC D65801G, CY7C1021CV33(1Mbit SRAM)
3. Hitachi
  1. HM6264BLP-8L, 85ns, 28-pin plastic DIP, 64k SRAM (8-kword 8-bit) 1.5um
    1. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서
  2. HM628128LP-10, 128kB SRAM, 32-pin PDIP, 100ns
    1. Agilent E4401B 스펙트럼분석기에서
4. IDT
  1. Tektronix TDS540 오실로스코프, Acquisition 보드에서
    - ADG219C, IDT6116SA, 25nsec, 16Kbit SRAM(속도가 DRAM에 비해 약 10배 빠르기 때문에 사용한다.)
  2. E5100A 네트워크분석기
    - IDT 7025L 8Kbit x 16 dual port SRAM, 55ns
5. Motorola
  1. MCM2114P-20 4k nMOS SRAM
    1. Keithley 220 전류소스에서
      - MCM2114P-20 4k nMOS SRAM
  2. MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
    1. Solartron Schlumberger 7060 DMM에서
      - MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL UV EPROM 32k Bit NOS
    2. 분해
      - 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.
      - 셀 배열
      - 셀 확대
      - 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정
6. Samsung
  1. 3.5인치HDD
    1. 1994년 Caviar 2420, WDAC2420-00H, 3.5", IDE, 425.3MB, 4500rpm, 13.3Mbps 전송속도, 64KB 버퍼
      - KM681000ALG-7, 128KByte SRAM, 당시 현대(옆 사진 참조)보다 더 용량이 큰 것을 만들었다.
      - Hyundai(SK Hynix) HY62256ALJ-70, 32Kbyte SRAM
    2. SAMSUNG SHD-3122A, 3.5", IDE/AT, 3600rpm, 252MB
      - KM62256BLG 32kByte SRAM, Adaptec AIC-7160Q AT disk controller
7. Sanyo
  1. Aikoh 9500 디지탈 푸시풀 게이지
    - LC3564S-10 Sanyo 64kbit SRAM
8. SK Hynix(Hyundai)
  1. 3.5인치HDD
    1. 1994년 Caviar 2420, WDAC2420-00H, 3.5", IDE, 425.3MB, 4500rpm, 13.3Mbps 전송속도, 64KB 버퍼
      - KM681000ALG-7, 128KByte SRAM, 당시 현대(옆 사진 참조)보다 더 용량이 큰 것을 만들었다.
      - Hyundai(SK Hynix) HY62256ALJ-70, 32Kbyte SRAM
MCU 속에서 SRAM 패턴
1. National Semiconductor INS8048, 8-bit MCU(64B RAM+1KB ROM)
  1. 다이
    - National Semiconductor 1979 SLC
  2. ROM, 1KB = 8192bit ROM
    - 가로 64 x 2, 세로 10줄씩 7칸으로 70개가 관찰됨.(64개이어야 딱 떨어짐)
  3. RAM, 64byte = 512bit RAM (아마 Tr을 6개 사용하는 SRAM일 것이라고 함)
    - 가로 32 x 세로 16 = 512bit(64byte) RAM
    - 수평선 최소선폭 2.3um
  4. 의견
    1. 동시대 SRAM 전용 다이가 해상도 10um 인데, 이제품은 2.2um이므로 CPU쪽이 훨씬 고해상도를 적용함.
NonVolatile SRAM
1. 기술
  1. 오실로스코프에서, cal 데이터를 저장한다.
2. Dallas
  1. Tektronix TDS460A 오실로스코프에서
    1. SRAM을 nonvolatile memory로 사용하기 위한
      - Dallas Semiconductor, DS1211, Nonvolatile Controller x 8 Chip (converting CMOS RAMs into nonvolatile memories)
      - Mitsubishi M5M51008AFP, 1Mbit SRAM
  2. Tektronix TDS540 오실로스코프에서
    1. DS1245Y 규격서 - 13p
    2. 사진
      - Dallas DS1245Y-120 NonVolatile SRAM
      - Dallas DS1210S Nonvolatile Controller Chip, Hitachi HM628128LFP 128Kbyte SRAM, CR1632 +3V
3. Mitsubishi
  1. Tektronix TDS460A 오실로스코프에서
    1. SRAM을 nonvolatile memory로 사용하기 위한
      - Dallas Semiconductor, DS1211, Nonvolatile Controller x 8 Chip (converting CMOS RAMs into nonvolatile memories)
      - Mitsubishi M5M51008AFP, 1Mbit SRAM
4. STMicroelectronics
  1. HP 54602B 에서
    1. 규격서 - 18p
      - 현재로서는 전체 교체 이외에는 방법이 없다.
    2. 사진
      - 밑면보드
      - MC68EC000 CPU, STMicroelectronics M48Z18-100PCI 16kbit non-volatile SRAM, M27C4002M27C4002-12F1 4M-bit UV EPROM
5. Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
  1. 데이터시트 , EEPROM과 SRAM을 동시에 만들어 데이터를 교환하여 비휘발성 기능을 발휘.
  2. Keithley 195A, DMM에서