NV-SRAM

NV-SRAM

1. 전자부품
   1. IC
      1. 메모리
         1. RAM
            1. SRAM
               1. NV-SRAM - 이 페이지
   2. 참고
      1. 배터리+SRAM사용 RTC
2. NonVolatile SRAM 콘트롤러로 구분함.
   1. 기술
      1. HP 계측기(오실로스코프 등)에서, cal 데이터를 저장한다.
   2. 자료
      1. FAQ - 7p
         1. 외부에서 배터리 전압을 측정하지 못한다. 대부분 그렇게 만들었다.
         2. Flash Memory는 쓰기에 오래 걸린다.
            1. Flash 메모리는 쓰기 횟수에 제한이 있다. 그러나 SRAM은 무제한 쓰기가 가능하다.
            2. Flash 메모리는 블록단위로 쓸 수 있다. 반면에 SRAM은 개별 바이트로 읽기 쓰기가 가능하다.
3. Dallas Semiconductor
   1. DS1210S
      1. 8960 무선 통신 테스트 세트, Host I/O 보드
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           1차-CR배터리 CR2477

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           Toshiba TC551001CF-85L 1Mbit SRAM, 배터리가 있어 NV-SRAM으로 활용된다.

   2. DS1211
      1. Tektronix TDS460A 오실로스코프에서
         1. SRAM을 nonvolatile memory로 사용하기 위한
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              Nonvolatile Controller x 8 Chip (converting CMOS RAMs into nonvolatile memories)

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              Mitsubishi M5M51008AFP, 1Mbit SRAM

   3. DS1220Y
      1. 3458A DMM에 하나 사용한다.
   4. DS1225Y-200
      1. HP 54645A 오실로스코프에 사용
   5. DS1230Y
      1. 규격서 - 10p
         1. DS1235Y과 같다. 차이점은 DS1235Y에 비해 최소 10년간 데이터 보존(retention)한다.
         2. 34-pin PowerCap Module(PCM) 제품은 표면위에 배터리 연결단자가 있다.
      2. HP 3245A 유니버설 소스에서
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           NV-SRAM DS1230Y-150, 96년 7주차 생산품

   6. DS1235Y
      1. 규격서 - 7p
         1. 최소 5년간 데이터 보존(retention)
         2. 내장 배터리 두 개가 자동으로 스위칭하여 신뢰성을 확보한다.
      2. 3458A DMM에 두 개 사용한다.
   7. DS1245Y
      1. DS1245Y 규격서 - 13p
      2. Tektronix TDS540 오실로스코프에서
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           Dallas DS1245Y-120 NonVolatile SRAM

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           Dallas DS1210S Nonvolatile Controller Chip, Hitachi HM628128LFP 128Kbyte SRAM, CR1632 +3V

      3. HP 54652B RS-232/Parallel Interface Module
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           Dallas DS1230Y-120, 256k NV-SRAM

4. STMicroelectronics
   1. M48Z18
      1. 규격서 - 18p
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           현재로서는 전체 교체 이외에는 방법이 없다.

      2. 어느 인터넷에서, 오실로스코프에서 개조방법 사진
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      3. HP 54602B 오실로스코프에서, 여기 배터리를 살려야 계측기를 정상적으로 사용할 수 있다.
         1. 1호기
            1. 수정전
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                 밑면보드

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            2. 배터리가, 마킹기준으로 오른쪽에 있다는 사실을 알고 파내기 시작
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                 케이스는 딱딱하지만 내부는 비교적 파 내기 쉬운 말랑말랑 고무계 수지이다.

            3. 배터리 발견
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                 -극 용접단자를 세게 들어올려 밑바닥에서 접합이 떨어졌다. 더 파내야 했다.

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                 뽑힌 -극 용접단자

            4. 배터리 뽑아내고, 외부 단자를 뽑기 위해 계속 작업
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                 접합단자까지 파내려갔다.

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                 1차-BR 전지를 뽑아냄. Rayovac BR1225 USA

            5. 외부에서 CR2032를 넣기 위해 전지 홀더를 부착함.
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            6. 다음번에 패키지 오른쪽 측면만 파내어 전지 연결선을 찾는 것이 편할 듯
            7. 전원을 켤 때, 오류 메시지 나오지 않고, self calibration 실시 후 정상적인 측정값을 보인다.
         2. 2호기
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              원래

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              전지 연결부위까지 수지 몰딩을 깍아냄

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              전지 소켓을 연결. 가는 전선으로 연결해야 납땜 부위에 힘을 받지 않는다.

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              CR2032 를 끼워넣음

      4. HP 54620A Logic Analyzer
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      5. HP 54620C 로직분석기
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5. 자이코 Xicor X2212D, 256x4bit NV-SRAM
   1. 데이터시트 , EEPROM과 SRAM을 동시에 만들어 데이터를 교환하여 비휘발성 기능을 발휘.
   2. Keithley 195A DMM
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