ESD 손상

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정전기에 의한 파괴
1. RF스위치IC, TC742
  - thru되는 쪽 패턴에 정전기 파괴 흔적이 관찰된다.(항상 ON되는 듯)
2. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K
  1. 다이 패턴
    - 솔더볼
    - 정전기로 파괴된 3군데 확대 영역
  2. 정전기 파괴 영역1
    - 주기 2.33um, 3900m/s라면 약 1675MHz
  3. 정전기 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
  4. 정전기 파괴 영역3
3. 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
  1. Tx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
    - 시간당 온도차이가 커져 ESD 손상
    - ESD 손상
4. 2015 LG-F570S LG Band Play 에서
  - 정전기 파괴 패턴
  - focus stacking하면 불량패턴이 잘 보이지 않는다.
5. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
  1. H876BA3 MP3 WJL
    - ESD 손상
    - 확대
    - 반사기 옆 전극에서
  2. HG56BA0 MP9 KRF KYH
    - ESD 손상
  3. HG60CC0 MP3 WJL
    - ESD 손상 - 두 DMS 전극 사이
6. SAW-핸드폰DPX
  1. 2007.07 제조품 Motorola MS500 피처폰에서
    - 정전기 파괴
    - 정전기 파괴
정전기로 추정
1. CMC CMCS0511B SPDT RF 스위치
  - 큰 RF 전력(또는 인체 정전기(추정))으로 금속이 끊어졌다.