Tr

전자부품
1. 반도체
  1. 디스크리트
    1. Tr - 이 페이지
      1. 기술
        
        Tr 측정
        핀아웃 표시된 트랜지스터
      2. 패키지
        
        TO-3 다이아몬드형 금속패키지
        TO-5 원형 금속패키지
        TO-220 플라스틱 패키지
        TO-92 플라스틱 패키지
트랜지스터
1. 구입
  1. ON Semiconductor, FJPF2145TU, NPN, 800V 5A, TO-220 패키지
    1. 제품규격서
    2. 인버터 형광등스탠드 용, 엘레파츠 @755원
    3. 2022/06/17 입고
      1. 사진
        
        튜브 포장
      2. 6개에서 2개 사용중 고장, 2개 적용, 현재 2개 남아 있음.
      3. 2022/08/01 남은 두 개 사용하여 없음.
      4. 2022/08/05 고장품 내부
        
        불에 태워
        
        휴지에 물을 뿌려 숯가루가 날리지 않게
        
        방열판 구조
        
        Base와 Emitter 패턴이 서로 동일하다. Al 웨지 와이어본딩
  2. BUL381D, 400V 5A 70W, 엘레파츠 회사로 7개 총 10,057원에 구매의뢰함.
    1. 인버터 형광등스탠드 수리용으로
    2. 2022/08/10 도착
2. 의미있는 사진들
  1. 일반적인 사진
    1. 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서
      - 평범한 외관을 갖는 SMD타입 Tr
  2. 용어
    1. hFE
      1. h-파라메터, F: Forward current amplification(=current gain), E: Common Emitter(CE) configuration
        
        = collector current/base current
      2. 사진
        
        삼성물산 패션브렌드 구호(KUHO), HEART FOR EYE
      3. Tr 측정
  3. 홍콩 마킹
    - HP 3455A DMM에서
    - 4446xA에서
  4. 모로코 마킹
    1. 비일체형 콤팩트 형광등
      - 모로코 MOROCCO, STMicroelectronics, BUL128, NPN power transistor
  5. 삼성
    1. 103 전압소스에서. 삼성 KSC1520 npn Tr, 1970년대말에 제조한 것으로 추정
    2. 협성 HRP-303S DC전원공급기에서
      - 삼성 TIP41 npn TO-220패키지
  6. 핀아웃 표시된 트랜지스터
  7. 수정
    - m-gage에서
  8. 리드가 보이지 않게 짧게 잘라 납땜함
    1. SR606H 라벨 프린터에서
      - Tr에서 리드를 매우 짧게 잘라 납땜한, 2SB1269 pnp, 2SD1805 npn
사용 기술
1. 디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
  1. 기술정보
    1. 링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
      1. 저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
      2. 저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
2. Complementary Transistors
  1. NPN, PNP 두 차이점
    1. 전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
  2. STA341M - 3p
    1. 외형 및 내부 구조
      - STA341M Complementary Transistors 디스크리트가 3개 있음
      - 칩 하나는 PNP, 하나는 NPN
    2. 칩
      - 본딩 와이어 굵기가 다른 것처럼 보인다.
      - 실제 그렇지 않다.
      - 왼쪽은 EMC속에서 열을 받아, 높은 압력 때문에 금이 퍼진 듯
3. Pair
  1. 2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
    - - UTHE 10H Ultrasonic Generator에서
  2. Motorola 3-075
    1. 외관 및 방열세라믹기판
      - 6-pin
    2. 왼쪽 칩
    3. 오른쪽 칩
4. 리드에 슬리브L 을 끼워 사용
  1. 대표적인 예로, E5060A B-H Z Analyzer에서. Tr 리드 3개 모두에 꼽혀 있다.
    - 2SC3355 1GHz, high frequency low noise amplifier
패키징 방법에 따라
1. 플라스틱
  1. 1W 이상 사용되는 TO-220 플라스틱 패키지
  2. 1W 미만으로 방열필요없는
    1. Silk Hat 타입
      1. DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
        
        Silk Hat 타입
    2. TO-92 플라스틱 패키지
  3. 리드 지지 방법
    1. 니콘 넥시브, XYZ 모터 드라이브에서
2. 금속 캔
  1. 방열 방법
  2. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
  3. TO-5 원형 금속패키지
3. 하이브리드IC에서
  1. 오디오앰프IC
    1. 전체
    2. 하나인 어떤 Tr 다이
    3. 4개인 주 Tr 다이
    4. 단순한 전극 모양의 두 개인 Tr 다이
4. 마이크로-X