FET

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FET

  1. 전자부품
    1. 디스크리트
      1. FET - 이 페이지
      2. JFET - 이 페이지
      3. MOSFET - 이 페이지
    2. 참조
      1. Tr
  2. 능동 정류기로 사용되는MOSFET
  3. 배터리 관리 회로에서, 전력용 스위칭
    1. BGA
      1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰, 배터리 팩에서
        1. 배터리 보호 회로에서 외관
        2. 분해
      2. 2010년 출시된 iPad 1세대, WiFi+3G 모델 A1337 태블릿, 배터리 보호회로에서
        1. FET Fairchild FDZ2553N 14mΩ@4.5V, 9.6A 20V, Monolithic Common Drain N-ChannelMOSFET(1990년도에 개발한 듯. 이 방열기술을 사용하면 면적을 1/3으로)
      3. 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰 배터리 보호회로에서. 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용
    2. SMD 리드타입
      1. 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서
  4. 디스크리트 전력용 스위칭
    1. 구입, 입수
      1. 800V 6.6A N-ChMOSFET
        1. 32.768kHz TCXO를 AliExpress에서 10개씩 판매한다는 ShenZhen KeLeWei Store에서 2023/05/24 22.49$로 구입의뢰했으나, 도착한 제품은 아래와 같은 800V 6.6A N-ChMOSFET. 이의신청하여 환불받음.
      2. 30V 80A 10mΩ N-ChMOSFET, NCE3080K 제품규격서
        1. AliExpress, 10개 구입, 2.45$/10개
        2. 비스카 핸디형 무선청소기 VK-H740VC에서 사용된다.
        3. 고장품 내부
        4. 신규 구입품 내부, 고장품과 비교 하기 위해서 분해함. 고장품과 패턴이 다른다.(?)
    2. TO-220 플라스틱 패키지
      1. 개발 완료후, 문제가 있어 임시로 수정하여 사용하고 있는
        1. 팅클발전소 솔라인버터
      2. 마킹없는 IC처럼 마킹을 지웠다.
        1. Microtest TF-6815 임펄스테스터에서
      3. IRF540 특성 측정
        1. 규격서 - 8p, Vds=100V, Id=22A, Rds=0.055오옴
        2. Keysight B2902A 소스미터 측정 방법
        3. Agilent B2902A 소스미터(3A가 max)로 측정 엑셀 데이터
      4. Miyachi ML-7110B 레이저마커 분해
      5. ATK830, 500V 4.5A
      6. 2SK2225, 1500V 2A
      7. FQP50N06, 60V 50A
      8. STK0260,MOSFET 600V 0.6A, AUK(Kodenshi AUK;광전자)
      9. HP 6060B 전자부하에서
      10. E3640A 8V/3A, 20V1.5A
      11. AC220V 발생용 인버터에서, 인파워텍(in power tech) IPT-400WH
      12. 형광등 안정기에서
        1. 솔라세라믹에서 안정기가 고장난 제품에서
      13. HP 6675A 120V 18A 2kW DC전원공급기
        1. IC소켓에 꼽아 사용된, IRFP240R, MOSFET, 평활용 C 전압을 낮추는 용도(?)
      14. FET complementary drive 회로
        1. 니콘넥시브 VM-150N 제어보드
      15. gate drive circuit
        1. MJ Research PTC-200 펠티어 오븐,
        2. FK18SM-10
          1. Kikusui PCR-500M AC 전원공급기
    3. TO-5 원형 금속패키지
      1. 4446xA 플러그인 모듈
        1. FET(Intersil, IVN5201TNF, N-ChannelMOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
    4. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
      1. HP E5060A B-H Z Analyzer, EMI 차폐된 SMPS에서
      2. HP 6675A 120V 18A 2kW DC전원공급기
    5. SMD
      1. 삼성 DeX Pad, EE-M5100 도킹스테이션에서, 전원 관리 부분에서 사용되는 FET 스위치
    6. SIP
      1. Yokogawa LR4110 펜레코더에서
        1. 도트매트릭스 프린터 참조
  5. FET - 신호 스위칭
    1. NEC, uPA71A, Silicon N-channel dual junction FET, Tr pair 방식으로 Differential Amplifier를 만들 수 있다.
      1. Iwatsu VOAC7513 DMM A/D보드에서,
      2. Advantest R6551 DMM, AC 보드에서
    2. 장치에서
      1. Kikusui 103 전압소스에서
      2. 휴대용, LIFETRONS X-mini에서
      3. CCTV, 4채널 합성기
      4. HP 4321A, 44465A, (opt 050) digital I/O assembly에서. FET(Intersil, IVN5201TNF, N-ChannelMOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
      5. Takeda Riken TR6150 DC전압/전류 소스에서
      6. HP 5334B 카운터, 입력 신호 증폭기
      7. Takeda Riken(Advantest) TR6878 DMM에서
        1. Range Amp. 용 스위치용
      8. Iwatsu VOAC7513 DMM
        1. 입력 신호 J- FET 스위치 5개(2N4117)
      9. Tencor m-gage 300 표면저항 측정기, 2N4416A, silicon N-Channel Junction Field Effect Transistors designed for VHF amplifier and mixer applications.
      10. Keithley 195A DMM