FET
(MOSFET에서 넘어옴)
FET
- 전자부품
- 능동 정류기로 사용되는MOSFET
- 배터리 관리 회로에서, 전력용 스위칭
- BGA
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰, 배터리 팩에서
- 배터리 보호 회로에서 외관
전류감지용 저저항, FET 스위치, SMD P-PTC 퓨즈
- 분해
- 배터리 보호 회로에서 외관
- 2010년 출시된 iPad 1세대, WiFi+3G 모델 A1337 태블릿, 배터리 보호회로에서
- 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰 배터리 보호회로에서. 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰, 배터리 팩에서
- SMD 리드타입
- 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서
Alpha & Omega Semiconductor, AO4488 30V 20A N-ChannelMOSFET // Second-Level Over-Voltage Protection
- 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서
- BGA
- 디스크리트 전력용 스위칭
- 구입, 입수
- 800V 6.6A N-ChMOSFET
- 32.768kHz TCXO를 AliExpress에서 10개씩 판매한다는 ShenZhen KeLeWei Store에서 2023/05/24 22.49$로 구입의뢰했으나, 도착한 제품은 아래와 같은 800V 6.6A N-ChMOSFET. 이의신청하여 환불받음.
- 32.768kHz TCXO를 AliExpress에서 10개씩 판매한다는 ShenZhen KeLeWei Store에서 2023/05/24 22.49$로 구입의뢰했으나, 도착한 제품은 아래와 같은 800V 6.6A N-ChMOSFET. 이의신청하여 환불받음.
- 30V 80A 10mΩ N-ChMOSFET, NCE3080K 제품규격서
- AliExpress, 10개 구입, 2.45$/10개
- 비스카 핸디형 무선청소기 VK-H740VC에서 사용된다.
- 고장품 내부
G전극에는 Au 볼 와이어본딩 한 듯
S전극에는 두 줄 Al 웨지 와이어본딩
- 신규 구입품 내부, 고장품과 비교 하기 위해서 분해함. 고장품과 패턴이 다른다.(?)
G 리드프레임 폭은 작다. 전극은 Au 볼 와이어본딩
- AliExpress, 10개 구입, 2.45$/10개
- 800V 6.6A N-ChMOSFET
- TO-220 플라스틱 패키지
- 개발 완료후, 문제가 있어 임시로 수정하여 사용하고 있는
- 팅클발전소 솔라인버터
IRF3205 MOSFET 55V 8mΩ@10V 110A, 설계 오류를 해결하기 위해 gate 핀에 100Ω저항을 추가했다.
- 팅클발전소 솔라인버터
- 마킹없는 IC처럼 마킹을 지웠다.
- IRF540 특성 측정
- 규격서 - 8p, Vds=100V, Id=22A, Rds=0.055오옴
- Keysight B2902A 소스미터 측정 방법
- Agilent B2902A 소스미터(3A가 max)로 측정 엑셀 데이터
- Miyachi ML-7110B 레이저마커 분해
ON/OFF용(?) 2SK1522 FET
- ATK830, 500V 4.5A
- 2SK2225, 1500V 2A
- FQP50N06, 60V 50A
- STK0260,MOSFET 600V 0.6A, AUK(Kodenshi AUK;광전자)
- HP 6060B 전자부하에서
- E3640A 8V/3A, 20V1.5A
MOSFET = IRF540, IRF9530
- AC220V 발생용 인버터에서, 인파워텍(in power tech) IPT-400WH
- 형광등 안정기에서
- 솔라세라믹에서 안정기가 고장난 제품에서
SVD730T, Silan Microelectronics, 5.5A 400V N-channelMOSFET
- 솔라세라믹에서 안정기가 고장난 제품에서
- HP 6675A 120V 18A 2kW DC전원공급기
- FET complementary drive 회로
- gate drive circuit
- 개발 완료후, 문제가 있어 임시로 수정하여 사용하고 있는
- TO-5 원형 금속패키지
- 4446xA 플러그인 모듈
- FET(Intersil, IVN5201TNF, N-ChannelMOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
- FET(Intersil, IVN5201TNF, N-ChannelMOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
- 4446xA 플러그인 모듈
- TO-3 다이아몬드형 금속패키지
- HP E5060A B-H Z Analyzer, EMI 차폐된 SMPS에서
- HP 6675A 120V 18A 2kW DC전원공급기
- HP E5060A B-H Z Analyzer, EMI 차폐된 SMPS에서
- SMD
- 삼성 DeX Pad, EE-M5100 도킹스테이션에서, 전원 관리 부분에서 사용되는 FET 스위치
- 삼성 DeX Pad, EE-M5100 도킹스테이션에서, 전원 관리 부분에서 사용되는 FET 스위치
- SIP
- 구입, 입수
- FET - 신호 스위칭
- NEC, uPA71A, Silicon N-channel dual junction FET, Tr pair 방식으로 Differential Amplifier를 만들 수 있다.
- Iwatsu VOAC7513 DMM A/D보드에서,
- Advantest R6551 DMM, AC 보드에서
- Iwatsu VOAC7513 DMM A/D보드에서,
- 장치에서
- Kikusui 103 전압소스에서
- 휴대용, LIFETRONS X-mini에서
- CCTV, 4채널 합성기
- HP 4321A, 44465A, (opt 050) digital I/O assembly에서. FET(Intersil, IVN5201TNF, N-ChannelMOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
- Takeda Riken TR6150 DC전압/전류 소스에서
2N4859, N-Channel silicon JFETs designed for analog switching and chopper applications
- HP 5334B 카운터, 입력 신호 증폭기
2N4416 N-Channel JFET
- Takeda Riken(Advantest) TR6878 DMM에서
- Range Amp. 용 스위치용
- Range Amp. 용 스위치용
- Iwatsu VOAC7513 DMM
- 입력 신호 J- FET 스위치 5개(2N4117)
- 입력 신호 J- FET 스위치 5개(2N4117)
- Tencor m-gage 300 표면저항 측정기, 2N4416A, silicon N-Channel Junction Field Effect Transistors designed for VHF amplifier and mixer applications.
- Keithley 195A DMM
function, range 스위치용 JFET
- Kikusui 103 전압소스에서
- NEC, uPA71A, Silicon N-channel dual junction FET, Tr pair 방식으로 Differential Amplifier를 만들 수 있다.