"MEMS마이크"의 두 판 사이의 차이
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<li> [[마이크]] | <li> [[마이크]] | ||
− | <li> [[MEMS마이크]] | + | <ol> |
+ | <li> [[MEMS마이크]] - 이 페이지 | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>참조 부품 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li> [[압전체]] | ||
+ | <li> [[캐퍼시터]] | ||
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+ | <li>참조 기술 | ||
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+ | <li> [[캐비티 유기물기판]] | ||
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</ol> | </ol> | ||
− | <li> | + | <li>실장 위치에 따라 3가지 구조가 있다. |
<ol> | <ol> | ||
+ | <li>bottom, top, reverse top 타입 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note4x_078_001.jpg | reverse top 형태로 만드는 이유 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
<li>샘플 | <li>샘플 | ||
<ol> | <ol> | ||
<li>Partron 샘플 키트에서 5종 | <li>Partron 샘플 키트에서 5종 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>top 타입 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:partron01_001.jpg | image:partron01_001.jpg | ||
− | |||
image:partron01_003.jpg | image:partron01_003.jpg | ||
image:partron01_004.jpg | image:partron01_004.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>bottom 타입 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:partron01_002.jpg | ||
image:partron01_005.jpg | image:partron01_005.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>제조회사 알 수 없음. | + | </ol> |
+ | <li>공정도용 - 제조회사 알 수 없음. | ||
<ol> | <ol> | ||
<li>2016/01/18 샘플키트에서 | <li>2016/01/18 샘플키트에서 | ||
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<li>S926 마킹, 6.4x3.8mm 크기 | <li>S926 마킹, 6.4x3.8mm 크기 | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> Motorola [[MS500]] | + | <li>2007.07 제조품 Motorola [[MS500]] 피처폰에서 |
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>S926 6.4x3.8mm |
<gallery> | <gallery> | ||
image:ms500_01_037.jpg | image:ms500_01_037.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li>사진촬영을 위해 비눗물 세척으로 MEMS 다이 표면이 오염됨. |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:ms500_01_038.jpg | MLCC 두 | + | image:ms500_01_038.jpg | [[MLCC]] 두 개. 내부 캐비티 확보를 위해, 구멍뚤린 PCB 프레임을 붙임. |
− | image:ms500_01_039.jpg | 프레임 내부에 전극이 발라져(?)있고, 여기와 연결하기 위해 바닥면에 | + | image:ms500_01_039.jpg | 프레임 내부에 전극이 발라져(?)있고, 여기와 연결하기 위해 바닥면에 [[도전성 접착제]]가 도포되어 있음. |
− | image:ms500_01_043.jpg | | + | image:ms500_01_043.jpg | 마이크 베이스를 이루고 있는 PCB에는 큰 동박이 있다. |
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>MEMS | + | <li>MEMS 마이크 다이 - Knowles S3.15 590E |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:ms500_01_040.jpg | 초음파 | + | image:ms500_01_040.jpg | [[초음파 세척기]]의 물진동 때문에 MEMS 진동판은 깨져, 정사각형 검은 그림자가 보임. |
image:ms500_01_041.jpg | image:ms500_01_041.jpg | ||
image:ms500_01_042.jpg | image:ms500_01_042.jpg | ||
174번째 줄: | 196번째 줄: | ||
<ol> | <ol> | ||
<li>SPM0208HE5 규격서 - 10p | <li>SPM0208HE5 규격서 - 10p | ||
− | <li> Motorola [[Z8m]] | + | <li>2009.03 제조품 Motorola [[Z8m]] 핸드폰에서, 통화용 |
<ol> | <ol> | ||
<li>세트에서 | <li>세트에서 | ||
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image:z8m01_024_002.jpg | 표면 동박 | image:z8m01_024_002.jpg | 표면 동박 | ||
image:z8m01_024_003.jpg | 중간 동박 | image:z8m01_024_003.jpg | 중간 동박 | ||
− | image:z8m01_024_004.jpg | 하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded | + | image:z8m01_024_004.jpg | 하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded capacitor [[PCB C]] (추정 약 50pF)를 형성했다. |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>MEMS | <li>MEMS | ||
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</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li> Motorola [[Z8m]] | + | <li>2009.03 제조품 Motorola [[Z8m]] 핸드폰에서, 소음제거용으로 폰 위쪽에 있는 [[리시버용 스피커]] 옆에 있다. |
<gallery> | <gallery> | ||
image:z8m01_120.jpg | image:z8m01_120.jpg | ||
210번째 줄: | 232번째 줄: | ||
image:z8m01_123.jpg | Knowles S4.10 다이마킹 | image:z8m01_123.jpg | Knowles S4.10 다이마킹 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>S1104 마킹, 크기 4.8x3.8mm | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>2013년 12월 출시 [[노트북]], [[LG 15N53]]에서 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>패키지 마킹 S1104, 크기 4.8x3.8mm | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_15n53_092.jpg | ||
+ | image:lg_15n53_093.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이 ID, Knowles S4.10 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_15n53_094.jpg | ||
+ | image:lg_15n53_095.jpg | ||
+ | image:lg_15n53_096.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>S1259 마킹 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>2014.07 제조 [[LG-F460S]] LG G3 Cat.6 스마트폰 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>핸드폰 위쪽에 2개, 아래쪽에 1개 있다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_032_001.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>디캡핑(decapping)하여 내부관찰 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_032_002.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>MEMS 다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_032_003.jpg | K0612 | ||
+ | image:lg_f460s_032_004.jpg | ||
+ | image:lg_f460s_032_005.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>MEMS 구조체가 두 개인 이유 *** 추측이므로 이유를 파악할 것 *** | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>하나의 구조체에서 진동하는 (구멍이 뚫려 있지 않는) 다이아프램(diaphragm)을 중간층으로하여 (구멍이 뚫려 있는) 위면 및 아랫면으로 backplate 전극면이 있다면 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>밸런스 신호(차동신호가 나온다.) | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>이 구조를 병렬로 두면, 4개로 이루어진 일종의 wheatstone bridge 회로가 되므로, (온도변화에 무관한)순수한 진동 신호만 선형적으로 추출할 수 있다. | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
<li>Galaxy S5 mini, SM-G800F, 방수 microUSB 2.0 어셈블리 | <li>Galaxy S5 mini, SM-G800F, 방수 microUSB 2.0 어셈블리 | ||
243번째 줄: | 310번째 줄: | ||
</ol> | </ol> | ||
<li>09/03/25 - 10p | <li>09/03/25 - 10p | ||
− | <li>GT-B7722 | + | <li>2010.07 출시 삼성 [[GT-B7722]] 피처폰 |
<ol> | <ol> | ||
− | <li>음성 입력용 | + | <li>마킹은 다르지만, 내부 MEMS 칩은 동일하다. |
+ | <li>핸드폰 아래쪽에 위치한, 음성 입력용, 마킹 S182 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:gt_b7722_025.jpg | + | image:gt_b7722_025.jpg |
− | image: | + | image:knowles02_002.jpg | 구멍뚫린 고무마개을 뽑아내면 |
− | image: | + | image:knowles02_001.jpg | 그물망이 붙어 있다. |
− | image:knowles02_003.jpg | + | image:knowles02_003.jpg | 그물망을 뜯으면 마킹 S182 |
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>리시버 | + | <li>핸드폰 위에 위치하고 있는 리시버 옆에 있는, 잡음 제거용, 마킹 S190 |
<ol> | <ol> | ||
<li>센서 | <li>센서 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:gt_b7722_006.jpg | image:gt_b7722_006.jpg | ||
− | image:knowles01_001.jpg | 3.76x2.95x1.1mm | + | image:knowles01_001.jpg | 3.76x2.95x1.1mm, MEMS 위에 구멍을 뚫지 않는다. (반대편에 위치한다.) |
+ | </gallery> | ||
+ | <li>PCB 동박에 납땜으로 붙이는 금속뚜껑을 벗기면 | ||
+ | <gallery> | ||
image:knowles01_002.jpg | image:knowles01_002.jpg | ||
− | image:knowles01_003.jpg | + | image:knowles01_003.jpg | 뾰족한 바늘 형상은 아마 [[다이본딩]] 기준위치 표시일 듯 |
− | image:knowles01_004.jpg | + | </gallery> |
+ | <li>멤스 마이크 다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:knowles01_004.jpg | KNOWLES S4.10 590 E | ||
image:knowles01_008.jpg | image:knowles01_008.jpg | ||
image:knowles01_009.jpg | image:knowles01_009.jpg | ||
− | image:knowles01_005.jpg | | + | image:knowles01_005.jpg | [[형광체]] 침투로 뚫린 빈공간 확인 |
− | image:knowles01_006.jpg | | + | </gallery> |
− | image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회 | + | <li> [[다이본딩]]된 다이 뜯어서, |
+ | <gallery> | ||
+ | image:knowles01_006.jpg | 뒷쪽 빈공간 확인 | ||
+ | image:knowles01_007.jpg | 측면을 보니, [[레이저]]로 [[다이싱]] 5회 하였다. | ||
</gallery> | </gallery> | ||
<li>PCB 기판 | <li>PCB 기판 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li> [[Au 볼 와이어본딩]] 방법 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:knowles01_010.jpg | PCB에 | + | image:knowles01_010.jpg | PCB에 [[Au 볼 와이어본딩]]을 할 때는 Ball Stitch On Ball(BSOB) 방식 |
− | |||
</gallery> | </gallery> | ||
<li> [[PCB C]] | <li> [[PCB C]] | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:knowles01_012.jpg | + | image:knowles01_011.jpg | 동박은 4층, 그러므로 유전체는 3층, 가운데 유전체는 C값을 키우기 위해 유전율이 크고 매우 얇다. |
− | image:knowles01_013.jpg | | + | image:knowles01_012.jpg | 1층: 납땜면 |
− | image:knowles01_014.jpg | + | image:knowles01_013.jpg | 2층: C 형성 |
− | image:knowles01_015.jpg | + | image:knowles01_014.jpg | 3층: C 형성 |
+ | image:knowles01_015.jpg | 4층: 본딩면 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li> 삼성 [[GT-i5500]] | + | </ol> |
+ | </ol> | ||
+ | <li>2010.10 출시 삼성 [[GT-i5500]] 갤럭시 5 스마트폰 | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>음성 마이크용, Knowles S180 |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:gt_i5500_006.jpg | 구멍이 없다. | + | image:gt_i5500_006.jpg | 캔에 구멍이 없다. |
− | image:gt_i5500_007.jpg | 납땜면에 구멍이 있다. | + | image:gt_i5500_007.jpg | PCB 납땜면에 구멍이 있다. |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>납땜면을 뜯으면 | <li>납땜면을 뜯으면 | ||
293번째 줄: | 376번째 줄: | ||
image:gt_i5500_009.jpg | image:gt_i5500_009.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li>[[발연질산]]에 넣어 |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:gt_i5500_009_001.jpg | MEMS | + | image:gt_i5500_009_001.jpg | MEMS 다이 |
− | image:gt_i5500_009_002.jpg | 신호처리 IC | + | image:gt_i5500_009_002.jpg | 신호처리 IC. [[와이어본딩 패드]]면에 엠보싱처리 |
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>리시버 | + | <li>잡음 제거용, 리시버 쪽에 위치. Knowles S180 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:gt_i5500_010.jpg | image:gt_i5500_010.jpg | ||
304번째 줄: | 387번째 줄: | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>Omron | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li> 삼성 갤럭시 폴더2 [[SM-G160N]]에서 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_g160n_021.jpg | A6201 S1111 15, 3.0x2.5mm, 뚜껑에 구멍이 있는 top 타입 | ||
+ | image:sm_g160n_022.jpg | ||
+ | image:sm_g160n_023.jpg | Ha1 Omron | ||
+ | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
<li>제조회사 알 수 없음 | <li>제조회사 알 수 없음 | ||
<ol> | <ol> | ||
+ | <li> Apple [[iPhone 5S]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>3개를 사용해서, 다양한 각도에서 오는 음향을 잘 받아들이기 위해 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외부 소음 제거-2개면 된다. | ||
+ | <li>스피커 폰으로 통화할 때 더 확실한 소리를 받아들이기 위해 | ||
+ | <li>스피커로 노래를 들을 때, 음향 분석하여 더 풍부한 음을 내기 위해서(?) | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>아래 측면, 주 통화용 [[MEMS마이크]], bottom 타입 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_038.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_039.jpg | HP SR613 4227 M3, 3.4x2.5mm | ||
+ | image:iphone5s01_040.jpg | E2140C 03272 | ||
+ | image:iphone5s01_041.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_042.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>위 뒷면, 잡음 제거용 [[MEMS마이크]], bottom 타입 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_053.jpg | 구멍이 뚫린 이유 | ||
+ | image:iphone5s01_055.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_057.jpg | C1281 6616 M1 284 | ||
+ | image:iphone5s01_057_001.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>위 앞면, 리시버 바로 옆에 있는, 보조 통화용(?) 세번째 [[MEMS마이크]], bottom 타입 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_192.jpg | 리시버 sound outlet port hole과 마이크용 sound inlet 구멍 | ||
+ | image:iphone5s01_193.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_194.jpg | sound inlet | ||
+ | image:iphone5s01_195.jpg | M1663 2472 M2 106 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>메인 마이크 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>메인 마이크와 맨 아래 버튼 스위치용 백라이트 LED 연결 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note4x_046.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>메인 [[MEMS마이크]], XN7A7 7722 3014 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note4x_047.jpg | bottom 타입이다. | ||
+ | image:redmi_note4x_048.jpg | 납땜으로 금속 뚜껑을 붙임 | ||
+ | image:redmi_note4x_049.jpg | E2140C 11581 | ||
+ | image:redmi_note4x_050.jpg | ||
+ | image:redmi_note4x_051.jpg | ||
+ | image:redmi_note4x_052.jpg | 실리콘 MEMS 마이크 뒷면 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>C embedded PCB 분석, [[PCB C]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note4x_053.jpg | PCB top(1층) 동박 | ||
+ | image:redmi_note4x_054.jpg | top(1층) 동박 | ||
+ | image:redmi_note4x_055.jpg | 1층과 2층 동박사이에 있는 FR4 유전체 | ||
+ | image:redmi_note4x_056.jpg | 2층 동박 | ||
+ | image:redmi_note4x_057.jpg | 2층 동박을 벗기면, 하양 유전체가 보인다. 이 유전체 두께로 C값을 좌우한다. | ||
+ | image:redmi_note4x_058.jpg | 하양 유전체 두께는 매우 얇다. 유전율을 높일수 없어서 두께를 얇게해서 C값을 높인다. | ||
+ | image:redmi_note4x_059.jpg | 3층 동박. 두 개의 C가 형성되어 있다. | ||
+ | image:redmi_note4x_060.jpg | 납땜을 위한 bottom면(4층) 동박 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>귀쪽에 위치한, 소음 제거용 [[MEMS마이크]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외형 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note4x_076.jpg | ||
+ | image:redmi_note4x_077.jpg | MN7A7 7719 3021 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>패키지 분해 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note4x_078.jpg | PCB 3개를 붙여서 만들었다. | ||
+ | image:redmi_note4x_078_001.jpg | reverse top 형태로 만드는 이유 | ||
+ | image:redmi_note4x_079.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>프레임 구조 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note4x_080.jpg | ||
+ | image:redmi_note4x_081.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>[[PCB C]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note4x_082.jpg | ||
+ | image:redmi_note4x_083.jpg | C embedded PCB를 사용했다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>MEMS 진동판 - 메인 마이크에 사용된 MEMS 진동판과 같다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note4x_084.jpg | E2140C 03322 | ||
+ | image:redmi_note4x_085.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
<li>[[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북에서 | <li>[[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북에서 | ||
<ol> | <ol> | ||
339번째 줄: | 521번째 줄: | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | </ | + | <li> |
+ | <gallery> | ||
+ | image:if_s1100_030.jpg | S2292 | ||
+ | image:if_s1100_031.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> |
2022년 11월 28일 (월) 10:35 기준 최신판
MEMS마이크
- 링크
- 기술자료
- 자료
- ECM에 비해, 작고 디지털출력이 가능하다. 낮은 출력 임피던스로 잡음에 강하다. 외부 진동에 강하다. 온도안정성 좋다.
- ECM은 먼지와 습도가 강하다. 커서 전선,핀,스프링 등 장착에 유연하다. 공간성,지향성에 유연하다. 작동전압범위가 넓다.
- 10/10/00 - 10p, ETRI
- 09/10/19 - 8p, Justin Lee
- 09/04/21 - 8p, Epcos
- 09/04/21 - 18p, QinetiQ
- ECM에 비해, 작고 디지털출력이 가능하다. 낮은 출력 임피던스로 잡음에 강하다. 외부 진동에 강하다. 온도안정성 좋다.
- Application Note
- STMicronics
- Tutorial for MEMS microphones - 20p
- 진동판에도 구멍이 있어 공기가 통하게 해야 한다.
- Gasket design for optimal acoustic performance - 19p
- 마이크를 위한 사출물에서 구멍 형성 방법
- Best practices in the manufacturing process - 18p
- 압력에 의해 진동판이 파괴되는 경우
- Tutorial for MEMS microphones - 20p
- 바닥에 구멍을 갖는 MEMS 마이크 실링방법
- STMicronics
- 규격서
- ACC
- 승인원 규격서
- 11/04/13 - 74p, PCB에 구멍
- 11/03/07 - 74p, 메탈캡에 구멍
- 위 두 모델모두, E2002B MEMS + Amp. chip: M1727A16, Infineon 0.25um tech. 이용
- 승인원 규격서
- Infineon
- 07/06/26 - 2p
- STMicroelectronics
- 16/01/01 MP45DT02 - 15p
- https://vespermems.com/
- VM2020 - 9p
- ACC
- 자료
- 실장 위치에 따라 3가지 구조가 있다.
- bottom, top, reverse top 타입
- bottom, top, reverse top 타입
- 샘플
- Partron 샘플 키트에서 5종
- top 타입
- bottom 타입
- top 타입
- 공정도용 - 제조회사 알 수 없음.
- 2016/01/18 샘플키트에서
- 2016/01/18 샘플키트에서
- 제조회사 알 수 없음.
- 내부 MEMS 칩. 두 plate 사이 거리에 따른 C값 변화로 신호처리한다.
- 형광액 넣은 후
- 질산에 넣은 후, 내부 구조
- 측면 레이저 다이싱. 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
- 질산에 넣은 후 - 진동판은 녹아 없어져 그물망만 남았다. 빛이 통과하는 사진
- 내부 MEMS 칩. 두 plate 사이 거리에 따른 C값 변화로 신호처리한다.
- 제조회사 알 수 없음. - 그물망 반대쪽에서 (개기름이 함유한)음파가 들어와도 되는가? 그물망의 역할은 무엇인가?
- 구멍뚫은 세라믹 시트 패키지
- 다이 접착제
- 솔더링면 캐비티에 플립본딩된 신호처리 IC
- 구멍뚫은 세라믹 시트 패키지
- Partron 샘플 키트에서 5종
- 세트에서
- Knowles
- S926 마킹, 6.4x3.8mm 크기
- S124, S150 마킹
- S1104 마킹, 크기 4.8x3.8mm
- S1259 마킹
- 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
- 핸드폰 위쪽에 2개, 아래쪽에 1개 있다.
- 디캡핑(decapping)하여 내부관찰
- MEMS 다이
- MEMS 구조체가 두 개인 이유 *** 추측이므로 이유를 파악할 것 ***
- 하나의 구조체에서 진동하는 (구멍이 뚫려 있지 않는) 다이아프램(diaphragm)을 중간층으로하여 (구멍이 뚫려 있는) 위면 및 아랫면으로 backplate 전극면이 있다면
- 밸런스 신호(차동신호가 나온다.)
- 이 구조를 병렬로 두면, 4개로 이루어진 일종의 wheatstone bridge 회로가 되므로, (온도변화에 무관한)순수한 진동 신호만 선형적으로 추출할 수 있다.
- 하나의 구조체에서 진동하는 (구멍이 뚫려 있지 않는) 다이아프램(diaphragm)을 중간층으로하여 (구멍이 뚫려 있는) 위면 및 아랫면으로 backplate 전극면이 있다면
- 핸드폰 위쪽에 2개, 아래쪽에 1개 있다.
- 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
- Galaxy S5 mini, SM-G800F, 방수 microUSB 2.0 어셈블리
- 보드에서, 2.8x1.8mm 크기
- 장착 방법
- 본딩
- 신호처리 IC
- MEMS 칩
- 보드에서, 2.8x1.8mm 크기
- 09/03/25 - 10p
- 2010.07 출시 삼성 GT-B7722 피처폰
- 마킹은 다르지만, 내부 MEMS 칩은 동일하다.
- 핸드폰 아래쪽에 위치한, 음성 입력용, 마킹 S182
- 핸드폰 위에 위치하고 있는 리시버 옆에 있는, 잡음 제거용, 마킹 S190
- 센서
- 외관
- PCB 동박에 납땜으로 붙이는 금속뚜껑을 벗기면
뾰족한 바늘 형상은 아마 다이본딩 기준위치 표시일 듯
- 멤스 마이크 다이
형광체 침투로 뚫린 빈공간 확인
- 다이본딩된 다이 뜯어서,
- PCB 기판
- Au 볼 와이어본딩 방법
PCB에 Au 볼 와이어본딩을 할 때는 Ball Stitch On Ball(BSOB) 방식
- PCB C
- Au 볼 와이어본딩 방법
- 외관
- 센서
- 2010.10 출시 삼성 GT-i5500 갤럭시 5 스마트폰
- Omron
- 삼성 갤럭시 폴더2 SM-G160N에서
- 삼성 갤럭시 폴더2 SM-G160N에서
- 제조회사 알 수 없음
- Apple iPhone 5S
- Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
- Lenovo ideapad 700-15isk 노트북에서
- 전체
- 외관
- 납땜
- 내부
- MEMS 표면
- 전체
-
- if s1100 030.jpg
S2292
- if s1100 031.jpg
- Knowles