267일, 8시간, 10분 - Togotech

"메모리"의 두 판 사이의 차이
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<ol>
 
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<li> [[전자부품]]
 
<li> [[전자부품]]
 +
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 +
<li> [[메모리]]
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<li> [[메모리모듈]]
 +
</ol>
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</ol>
 +
<li>자료
 +
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 +
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
 +
<ol>
 +
<li>k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>ROM
 
<li>ROM
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image:3455a01_028.jpg | 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)
 
image:3455a01_028.jpg | 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>PROM
 +
<ol>
 +
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Programmable_read-only_memory
 +
<li>OTP memory (one time programmable)
 +
<ol>
 +
<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
 +
<gallery>
 +
image:ptc200_083_001.jpg | AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256  parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
 
<li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
 
<ol>
 
<ol>
 +
<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
 +
<gallery>
 +
image:ptc200_083_001.jpg | AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256  parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
 +
</gallery>
 
<li>GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
 
<li>GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
 
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<gallery>
107번째 줄: 135번째 줄:
 
image:flash02_004.jpg | 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.
 
image:flash02_004.jpg | 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.
 
image:flash02_005.jpg | MICRON 글씨 높이가 5um
 
image:flash02_005.jpg | MICRON 글씨 높이가 5um
 +
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 +
<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
 +
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 +
image:ptc200_083_001.jpg | AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256  parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
 
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</ol>
 
</ol>
188번째 줄: 220번째 줄:
 
</gallery>
 
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</ol>
 
</ol>
−
<li>M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
+
<li>M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, [[KJM6765]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:kjm6765_001.jpg
 
image:kjm6765_001.jpg
214번째 줄: 246번째 줄:
 
<li>DRAM
 
<li>DRAM
 
<ol>
 
<ol>
 +
<li>ELPIDA B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
 +
<ol>
 +
<li>트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
 +
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 +
image:mobile_router01_011.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>1차 질산에 넣어서
 +
<gallery>
 +
image:mobile_router01_024_002.jpg
 +
image:mobile_router01_024_008.jpg | DRAM 와이어본딩이 양쪽이어서 한쪽으로 연결하기 위해 인터포저를 사용
 +
</gallery>
 +
<li>2차 질산에 넣어서
 +
<gallery>
 +
image:mobile_router01_024_012.jpg
 +
image:mobile_router01_024_013.jpg | 칩 3개 크기 비교(아래 오른쪽 작은 칩은 TCXO용 AKM6617)
 +
</gallery>
 +
<li>DRAM 칩
 +
<gallery>
 +
image:mobile_router01_024_015.jpg
 +
image:mobile_router01_024_016.jpg
 +
image:mobile_router01_024_017.jpg | DRAM 최상위 금속층은 구리 배선으로 덮혀있다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
<li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
<ol>
 
<ol>
251번째 줄: 306번째 줄:
 
image:ssd02_019.jpg | on-line에서 해석안됨
 
image:ssd02_019.jpg | on-line에서 해석안됨
 
</gallery>
 
</gallery>
−
</ol>
+
<li>그래픽램, Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96 - [[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북에서
−
<li>SRAM (Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나)
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Keithley 195A, DMM에서
+
<li>GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:keithley195a_010.jpg | Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
+
image:lenovo_ideapad_065.jpg
 +
image:lenovo_ideapad_066.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
 
−
<ol>
 
 
<li>외관
 
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL  UV EPROM 32k Bit NOS
+
image:lenovo_ideapad_069.jpg
 +
image:lenovo_ideapad_069_001.jpg | 뜯으면
 +
</gallery>
 +
<li>패키지 분해
 +
<gallery>
 +
image:lenovo_ideapad_069_002.jpg | 다이, PCB, EMC 수지
 +
image:lenovo_ideapad_069_003.jpg | PCB
 +
image:lenovo_ideapad_069_004.jpg | BGA방식으로 접합된 다이
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>외관
+
<li>PCB와 BGA로 연결된다. (즉, 와이어본딩이 아니다.)
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:sram_mcm6810_001.jpg
+
image:lenovo_ideapad_069_005.jpg
−
image:sram_mcm6810_002.jpg | 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.
+
image:lenovo_ideapad_069_006.jpg
−
image:sram_mcm6810_003.jpg
+
image:lenovo_ideapad_069_007.jpg
−
image:sram_mcm6810_004.jpg | 셀 배열
+
image:lenovo_ideapad_069_008.jpg
−
image:sram_mcm6810_005.jpg | 셀 확대
 
−
image:sram_mcm6810_006.jpg | 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
</ol>
+
<li>다이 마킹 K4B2G1646Q, 128Mx16=2Gbit DDR3L Q-die, 96-FBGA (패키지 마킹은 K4W- 로 서로 다르다.)
−
</ol>
 
−
<li>F-RAM
 
−
<ol>
 
−
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:agilent1260lc02_020.jpg | F-RAM
+
image:lenovo_ideapad_069_009.jpg | 2013, SAMSUNG K4B2G1646Q
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
</ol>
+
<li>[[내비게이션]]에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
−
<li>Memory Module
 
−
<ol>
 
−
<li>SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
 
−
<ol>
 
−
<li>Flash
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Agilent E4401B S/A에서
+
<li>하이닉스 Mobile DDR SDRAM와 삼성 NAND flash
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:e4401b02_008.jpg | LH28F320SKTD-L70 32Mbit Flash
+
image:ite1000_01_078.jpg
−
image:e4401b02_009.jpg | 뒷면 - 비어 있음.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
</ol>
+
<li>두 회사 메모리를 동시에 질산에 넣은 후
−
<li>DRAM
 
−
<ol>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>DIMM - dual in-line memory module
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>표준
+
<li>Mobile용 IC란, 싸게 만들기 위해 EMC 특성(기계적강도, 열방출효과 등)이 낮고, 본딩와이어도 금 대신 구리(녹아 사라졌기 때문에)를 사용한다.
 +
<li>하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>IBM XEON dual CPU 서버에서
+
<li>칩 전체
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:dimm01_001.jpg
+
image:ite1000_01_078_001.jpg | 질산에서 꺼내
−
image:dimm01_002.jpg
+
image:ite1000_01_078_002.jpg | 표면을 살짝 연마한 후
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>2018.12 채기병 기증품에서
+
<li>4사분면
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:dimm03_001.jpg | M378B5773CH0-CH9,
+
image:ite1000_01_078_003.jpg | DJC058C
−
image:dimm03_002.jpg | 78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM
 
−
image:dimm03_003.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
+
<li>2사분면
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:dimm04_001.jpg | NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
+
image:ite1000_01_078_004.jpg
−
image:dimm04_002.jpg | NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA
+
image:ite1000_01_078_005.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
+
<li>1사분면
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:j1409a00_018_010.jpg
+
image:ite1000_01_078_007.jpg
 +
image:ite1000_01_078_008.jpg
 +
image:ite1000_01_078_009.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>Agilent E4401B S/A에서
+
<li>상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:e4401b02_009.jpg
+
image:ite1000_01_078_010.jpg
−
image:e4401b02_010.jpg | 16Mb DRAM 양면에 16개 실장된 DIMM, 총 32MB(opt.B72)
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>SO-DIMM(small outline DIMM)
+
<li>삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND flash - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>DDR-2
+
<li>질산에 한 번
 +
<gallery>
 +
image:ite1000_01_078_011.jpg
 +
image:ite1000_01_078_012.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>질산에 더(두번째)
 +
<gallery>
 +
image:ite1000_01_078_013.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>질산에 더(세번째)
 +
<gallery>
 +
image:ite1000_01_078_014.jpg | 6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄
 +
image:ite1000_01_078_015.jpg | 64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.
 +
image:ite1000_01_078_016.jpg
 +
image:ite1000_01_078_017.jpg | 2006 SAMSUNG K9F1208R0C
 +
image:ite1000_01_078_018.jpg | 삼성마크 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>SRAM (Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나)
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>노트북 Compaq nx6320, Samsung 1GB 2Rx8(2rank, 칩구성비트) M470T2953CZ3-CE6, PC2-5300S-555-12-E3
+
<li>Keithley 195A, DMM에서
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:compaq_nx6320_012.jpg
+
image:keithley195a_010.jpg | Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
−
image:compaq_nx6320_013.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
</ol>
+
<li>MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
−
<li>DDR-3
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
+
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:dimm02_001.jpg
+
image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL  UV EPROM 32k Bit NOS
−
image:dimm02_002.jpg
 
−
image:dimm02_003.jpg
 
−
image:dimm02_004.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>Single Board Computers-1에서
+
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:sbc01_023.jpg | Kingmax Semiconductor 2048 MB (DDR3-1333), FSFE85F-C8HS9
+
image:sram_mcm6810_001.jpg
−
image:sbc01_024.jpg
+
image:sram_mcm6810_002.jpg | 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.
−
image:sbc01_025.jpg | 204-pin
+
image:sram_mcm6810_003.jpg
 +
image:sram_mcm6810_004.jpg | 셀 배열
 +
image:sram_mcm6810_005.jpg | 셀 확대
 +
image:sram_mcm6810_006.jpg | 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
 +
<gallery>
 +
image:ptc200_081.jpg | HM6264BLP-8L, 85ns, 28-pin plastic DIP, 64k SRAM (8-kword 8-bit) 1.5um
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>F-RAM
 +
<ol>
 +
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 +
<gallery>
 +
image:ptc200_080.jpg | CPU 보드(면적이 부족하여) 옆에서
 +
image:agilent1260lc02_020.jpg | F-RAM
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>Multi chip
 +
<ol>
 +
<li>KBE00S00AB-D435(multi-chip, 1Gb Flash+256Mb RAM?), [[LG-SH170]] 에서
 +
<gallery>
 +
image:sh170_009.jpg | baseband 칩 바로 옆에서
 +
image:sh170_022.jpg
 +
image:sh170_023.jpg
 +
image:sh170_024.jpg | 4개 칩, 와이어본딩이 되도록 칩을 90도씩 돌려서 쌓았다.
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2020년 1월 27일 (월) 19:43 판

memory IC

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 메모리
        1. 메모리모듈
  2. 자료
    1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
      1. k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
  3. ROM
    1. ROM
      1. DMM, HP3455A

        • 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)

    2. PROM
      1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Programmable_read-only_memory
      2. OTP memory (one time programmable)
        1. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서

          • AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256 parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory

    3. EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
      1. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서

        • AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256 parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory

      2. GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
        • zs 6120b 003.jpg
        • zs 6120b 012.jpg
      3. 온도기록계에서
        1. DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
          • flashlink01 004.jpg
          • flashlink01 005.jpg
        2. DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
          • flashlink ct 009.jpg
          • flashlink ct 006.jpg
        3. EL-USB-1
          • el usb 1 002.jpg
          • el usb 1 008.jpg
        4. D99
          • apresys d99 003.jpg
          • apresys d99 005.jpg
      4. Winbond, W27E512
        • eeprom01 001.jpg
      5. HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서 (EEPROM + M5M41000AP 1MB DRAM)
        • hp35660a 041.jpg
        • hp35660a 042.jpg
        • hp35660a 044.jpg
    4. Flash Memory
      1. UTHE 10H Ultrasonic Generator

        • AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family

      2. PC, 노트북에서
        1. Fujitsu Notebook E8410

          • SPI Flash 메모리

        2. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373

          • SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application

      3. 도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판

        • 1Gbit Flash(128MB)

        • TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.

        • flash01 002.jpg

        • 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor

        • flash01 004.jpg

        • NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음

        • 본딩패드 밑에도 회로

        • 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함

        • 3차원 배선

        • inter-digital capacitor

      4. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품

        • Flash Memory

      5. SSD에서

        • TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB

      6. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
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        • PCB 전기도금

      7. 3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서

        • 맨 아래, IBA98 마킹 칩

        • 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정

        • 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.

        • flash02 003.jpg

        • 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.

        • MICRON 글씨 높이가 5um

      8. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서

        • AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256 parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory

    5. UV-EPROM
      1. AMD
        1. AM27C512
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        2. M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
          1. HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
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      2. Hitachi
        1. HN462532G, Hitachi, CDIP24, 32kbit(4096x8bit) UV EPROM, 450ns, compatible with TMS2532
          1. 32k-bit이므로 셀을 눈으로 셀 수 있다.

            • 세로 8비트 16줄(128비트)이 보인다. 가로로 256비트.

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            • HN462532

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            • 테스트 패턴 4가지(F, M, BD, AS)

            • 테스트 패턴 (SE)

          2. HP 8112A, 50 MHz pulse generator
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      3. NEC
        1. D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
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          • NEC D27C256D-20

      4. ST
        1. M27C256B
          1. espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
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          2. Iwatsu DMM, VOAC 7513 메모리보드에서,
            • voac7513 06 001.jpg
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            • 1992

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            • uveprom04 010.jpg
        2. M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765
          • kjm6765 001.jpg
          • uveprom03 001.jpg
      5. TI
        1. Solartron Schlumberger 7060 DMM에서

          • MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM // TMS2532JL UV EPROM 32k Bit NOS

      6. 알 수 없음.
        1. 왜 IC 소켓을 세라믹 ineterposer에 다시 꼽아 사용했을까?

          • HP 35660A dynamic signal analyzer, CPU 보드에서

  4. RAM
    1. DRAM
      1. ELPIDA B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
        1. 트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
          • mobile router01 011.jpg
        2. 1차 질산에 넣어서
          • mobile router01 024 002.jpg

          • DRAM 와이어본딩이 양쪽이어서 한쪽으로 연결하기 위해 인터포저를 사용

        3. 2차 질산에 넣어서
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          • 칩 3개 크기 비교(아래 오른쪽 작은 칩은 TCXO용 AKM6617)

        4. DRAM 칩
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          • mobile router01 024 016.jpg

          • DRAM 최상위 금속층은 구리 배선으로 덮혀있다.

      2. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
        1. 외관
          • slc460w 07 008.jpg
        2. 분해시작
          • dram nanya 1gb 001.jpg

          • PCB 본딩 및 몰딩 방법

          • 태우고

          • 칼로 긁고

          • 치약으로 닦고

        3. 내부칩
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          • 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit

    2. SDRAM
      1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
        • ssd02 016.jpg

        • 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm

        • ssd02 018.jpg
        • ssd02 015.jpg

        • on-line에서 해석안됨

      2. 그래픽램, Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96 - Lenovo ideapad 700-15isk 노트북에서
        1. GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
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          • lenovo ideapad 066.jpg
        2. 외관
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          • 뜯으면

        3. 패키지 분해

          • 다이, PCB, EMC 수지

          • PCB

          • BGA방식으로 접합된 다이

        4. PCB와 BGA로 연결된다. (즉, 와이어본딩이 아니다.)
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        5. 다이 마킹 K4B2G1646Q, 128Mx16=2Gbit DDR3L Q-die, 96-FBGA (패키지 마킹은 K4W- 로 서로 다르다.)

          • 2013, SAMSUNG K4B2G1646Q

      3. 내비게이션에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
        1. 하이닉스 Mobile DDR SDRAM와 삼성 NAND flash
          • ite1000 01 078.jpg
        2. 두 회사 메모리를 동시에 질산에 넣은 후
          1. Mobile용 IC란, 싸게 만들기 위해 EMC 특성(기계적강도, 열방출효과 등)이 낮고, 본딩와이어도 금 대신 구리(녹아 사라졌기 때문에)를 사용한다.
          2. 하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
            1. 칩 전체

              • 질산에서 꺼내

              • 표면을 살짝 연마한 후

            2. 4사분면

              • DJC058C

            3. 2사분면
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            4. 1사분면
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              • ite1000 01 078 008.jpg
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            5. 상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
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          3. 삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND flash - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
            1. 질산에 한 번
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              • ite1000 01 078 012.jpg
            2. 질산에 더(두번째)
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            3. 질산에 더(세번째)

              • 6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄

              • 64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.

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              • 2006 SAMSUNG K9F1208R0C

              • 삼성마크 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um

    3. SRAM (Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나)
      1. Keithley 195A, DMM에서

        • Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM

      2. MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
        1. 외관

          • MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL UV EPROM 32k Bit NOS

        2. 외관
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          • 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.

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          • 셀 배열

          • 셀 확대

          • 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정

      3. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서

        • HM6264BLP-8L, 85ns, 28-pin plastic DIP, 64k SRAM (8-kword 8-bit) 1.5um

    4. F-RAM
      1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품

        • CPU 보드(면적이 부족하여) 옆에서

        • F-RAM

  5. Multi chip
    1. KBE00S00AB-D435(multi-chip, 1Gb Flash+256Mb RAM?), LG-SH170 에서

      • baseband 칩 바로 옆에서

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      • sh170 023.jpg

      • 4개 칩, 와이어본딩이 되도록 칩을 90도씩 돌려서 쌓았다.

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