1년, 322일, 4시간, 20분 - Togotech

"SAW-핸드폰DPX"의 두 판 사이의 차이
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<li>삼성전기 X836KP
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<li>삼성전기 X836KP - 2001년 제품
 
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<li>자재 및 공정
 
<li>자재 및 공정
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<li>2017년 [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교
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image:saw_dpx9575_02_012.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
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image:saw_dpx9575_02_013.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
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<li>[[포켓WiFi]]에서 사용된 2.0x1.6mm 제품과 비교하기 위해 분해
 
<li>[[포켓WiFi]]에서 사용된 2.0x1.6mm 제품과 비교하기 위해 분해
 
<ol>
 
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<li>1.8x1.4mm
 
<li>1.8x1.4mm
 
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<li>2017년 [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
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image:saw_dpx9575_02_012.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
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<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서, 7개 사용하는데,
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<li>Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP [[SMR]]-[BAW]] 참조
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<li>Murata 1.55x1.15mm 한 개 (아래 참조)
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<li>Taiyo Yuden 5개 - 1개 FBAR+SAW조합, 1개 사파이어접합, 3개 SAW
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<li>주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
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image:redmi_note4x_188.jpg
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<li>측면
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image:redmi_note4x_188_001.jpg | 두께가 다르다.
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image:redmi_note4x_188_002.jpg | 금속이 세라믹보다 두꺼운 이유는 세라믹을 자른 후 도금을 했기 때문에다.
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image:redmi_note4x_188_003.jpg | 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.
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<li>701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
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<li>주파수 파형
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image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz
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<li>Tx필터 온도 특성 실험-1
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<li>치구 준비
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image:redmi_note4x_189_001.jpg | 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함
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image:redmi_note4x_189_001_001.png | 주파수 특성 그래프
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<li>가열 냄비 준비
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image:redmi_note4x_189_002.jpg
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image:redmi_note4x_189_003.jpg
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<li>Fluorinert 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
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image:redmi_note4x_189_004.jpg | Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.
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image:redmi_note4x_189_005.jpg | 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,
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image:redmi_note4x_189_006.jpg
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image:redmi_note4x_189_007.jpg | 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림
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 +
<li>실험 방법
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image:redmi_note4x_189_008.jpg | 별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함
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image:redmi_note4x_189_009.jpg | 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림
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<li>5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 [[tcf-ibw.txt]]
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<li>엑셀 데이터
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image:redmi_note4x_189_010.png | 온도프로파일
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image:redmi_note4x_189_011.png | 피크이득
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image:redmi_note4x_189_012.png | -10dB 중심주파수
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image:redmi_note4x_189_013.png | -30ppm 온도계수를 갖는다.
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image:redmi_note4x_189_014.png | 대역폭
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</ol>
 +
<li>Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
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<ol>
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<li>30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
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image:redmi_note4x_189_015.png
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 +
<li>그래프
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image:redmi_note4x_189_016.png | 30~130도씨 온도프로파일
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image:redmi_note4x_189_017.png | 피크이득
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image:redmi_note4x_189_018.png | -10dB 중심주파수
 +
image:redmi_note4x_189_019.png | -33ppm 온도계수를 갖는다.
 +
image:redmi_note4x_189_020.png | 대역폭
 +
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<li>사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
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</ol>
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<li>다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
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<ol>
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<li>SAW + BAW 조합이다.
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image:redmi_note4x_189_021.jpg
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image:redmi_note4x_189_022.jpg | Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.
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</gallery>
 +
<li>F-BAR baw 필터
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<gallery>
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image:redmi_note4x_189_023.jpg | W868-08
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image:redmi_note4x_189_024.jpg | 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함
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</gallery>
 +
<li>공진기 #1~#6
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image:redmi_note4x_189_025.jpg | #1
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image:redmi_note4x_189_026.jpg | #2
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image:redmi_note4x_189_027.jpg | #3
 +
image:redmi_note4x_189_028.jpg | #4
 +
image:redmi_note4x_189_029.jpg | #5
 +
image:redmi_note4x_189_030.jpg | #6
 +
</gallery>
 +
<li>Rx saw 필터
 +
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image:redmi_note4x_189_031.jpg | W1895-14
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image:redmi_note4x_189_032.jpg | 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec
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</ol>
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</ol>
 +
<li>7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
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<ol>
 +
<li>주파수 파형
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image:redmi_note4x_190.png | 1877MHz
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<li>땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
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image:redmi_note4x_190_001.jpg
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<li>사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.
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image:redmi_note4x_190_002.jpg | 초경에 긁히지 않는 것으로 보아 사파이어 맞다.
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image:redmi_note4x_190_003.jpg
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image:redmi_note4x_190_004.jpg | LT두께 20um+사파이어두께 250um, 레이저 펀칭7번, 간격 약 27um
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 +
<li>다이를 뜯어냄
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image:redmi_note4x_190_005.jpg | 밀어보니, 레이저 다이싱에 문제가 있어, 사파이어가 깨진다.
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image:redmi_note4x_190_006.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Rx
 +
<gallery>
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image:redmi_note4x_190_007.jpg | X077-22
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image:redmi_note4x_190_008.jpg | 주기:1.98um x 1960MHz = 3880m/sec
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 +
<li>Tx:1880MHz
 +
<ol>
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<li>전체
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image:redmi_note4x_190_009.jpg | X019-21
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image:redmi_note4x_190_009_001.jpg | 배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해
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<li>withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.
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image:redmi_note4x_190_009_002.jpg | 굵은 전극이 궁금해서
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image:redmi_note4x_190_010.jpg | 주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec
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image:redmi_note4x_190_010_001.jpg | 굵은 전극 형태
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 +
<li>90도로 배열된 C패턴
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image:redmi_note4x_190_011.jpg
 +
image:redmi_note4x_190_012.jpg
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 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>7A4, LTE Band1
 +
<ol>
 +
<li>주파수 파형
 +
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image:redmi_note4x_191.png | 1950MHz
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 +
<li>전체
 +
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image:redmi_note4x_191_001.jpg
 +
image:redmi_note4x_191_002.jpg
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</gallery>
 +
<li>Rx
 +
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 +
image:redmi_note4x_191_003.jpg | Rx 다이, V8151-31
 +
image:redmi_note4x_191_004.jpg | Rx 어느 패턴에서 주기: 1.865um 2140MHz 쏘속도 3990m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>Tx
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<gallery>
 +
image:redmi_note4x_191_005.jpg | Tx 다이
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image:redmi_note4x_191_006.jpg | Tx 어느 패턴에서 주기: 1.949um 1950MHz 쏘속도 3800m/sec
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image:redmi_note4x_191_007.jpg | 우측 상단, 90도 돌아간 C전용 패턴에서 주기: 1.695um
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image:redmi_note4x_191_008.jpg | 좌측 하단, 90도 돌아간 C전용 직렬 패턴에서 주기:1.65um. 굳이 직렬로 C를 만들 이유는 내전압 때문이다. (칩 위아래로만 초전이 발생되므로 길게 연결된 패턴 때문에)
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</ol>
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<li>7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
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<ol>
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<li>주파수 파형
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image:redmi_note4x_192.png | 897.5MHz
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<li>다이 내부
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image:redmi_note4x_192_001.jpg | 트위저로 금속 뚜껑을 누르면서 작업했는데 다이가 깨져 있다. 리드와 다이 뒷면이 붙어 있지 않다.
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image:redmi_note4x_192_002.jpg | 풀칠
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image:redmi_note4x_192_003.jpg | 풀칠 수
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image:redmi_note4x_192_004.jpg | 다이 분리
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image:redmi_note4x_192_005.jpg | 다이
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image:redmi_note4x_192_006.jpg | Rx 다이, 주기: 4.12um 942.5MHz 3880m/sec
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image:redmi_note4x_192_007.jpg | Tx 다이, 주기: 4.28um 897.5MHz 3840m/sec
 +
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<li>7E4, LTE Band5
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<li>주파수 파형
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image:redmi_note4x_193.png | 836.5MHz
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<li>다이 내부
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image:redmi_note4x_193_001.jpg | 다이 뒷면 밝기가 달리 보인다.
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image:redmi_note4x_193_002.jpg | 다이를 작게 할 수 없어, 벽이 얇아졌다.
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image:redmi_note4x_193_003.jpg
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image:redmi_note4x_193_004.jpg | 기판 전극표면이 비교적 평탄하다.
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image:redmi_note4x_193_005.jpg | 본딩이 쉽게 떨어진다.(그렇게 플립본딩한 듯)
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image:redmi_note4x_193_006.jpg | Rx 881.5MHz, 주기: 4.46um (쏘속도 3930m/sec)
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image:redmi_note4x_193_007.jpg | Tx 836.5MHz, 어느 전극에서, 윗쪽 주기 4.60um, 아래쪽 주기 4.58um (쏘속도 3850m/sec)
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<li>1.55x1.15mm
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<li>2017년 [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm
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image:saw_dpx9575_02_013.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
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<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
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<ol>
 +
<li>Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
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<ol>
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<li>외관
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image:redmi_note4x_127.jpg
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<li>패키징
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image:redmi_note4x_127_001.jpg | 패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm  여유 0.33mm 및 0.31mm
 +
image:redmi_note4x_127_002.jpg
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<li>다이
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image:redmi_note4x_127_003.jpg | EK18
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image:redmi_note4x_127_004.jpg | 주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)
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2020년 7월 11일 (토) 22:06 판

SAW-핸드폰DPX

  1. SAW대문
    1. SAW-핸드폰DPX - 이 페이지
    2. 세라믹필터
    3. 유전체필터
    4. SAW-CLP
  2. 필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
    1. 3.8x3.8mm 필터를 사용함.
      1. U-100 2003.10.1 마킹된 휴대폰보드에서
        • u 100 001.jpg
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        • Tx, Rx필터로 duplexer 만드는 법

    2. 3.0x3.0mm 필터를 사용함.
      1. 삼성전기, 개발품(?) 모델명 모름
        1. 이 상태로 있길래
          • saw dpx9575 02 001.jpg
          • saw dpx9575 02 002.png
          • saw dpx9575 02 003.jpg
        2. 깡통을 벗기니
          • saw dpx9575 02 004.jpg
        3. 3.0x3.0mm 쏘필터를 다시 납땜해서

          • 왼쪽 881, 오른쪽 836

          • saw dpx9575 02 006.png
        4. 쏘필터 뚜껑을 벗기니
          • saw dpx9575 02 007.jpg

          • 왼쪽 881, 오른쪽 836

          • X881 50

          • X836 50

          • saw dpx9575 02 011.jpg
  3. 9.5x7.5mm
    1. 후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4
      1. 제품규격서 - 12p
      2. StarTAC 휴대폰에서
    2. 삼성전기 X836KP - 2001년 제품
      1. 자재 및 공정
        1. 사용 패키지와 리드(8.0x6.0mm) 비교
          • lid ausn10 005.jpg
          • lid ausn10 006.jpg
          • lid ausn10 007.jpg
        2. 융착 결과 - AuSn 두께가 30um으로 두꺼워야 하는 이유. 패키지가 크면 warpage가 커, 빈공간을 메워야 하므로
          • lid ausn10 008.jpg
          • lid ausn10 009.jpg
      2. 2017년 Redmi Note 4X 휴대폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교

        • 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm

        • 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm

      3. 포켓WiFi에서 사용된 2.0x1.6mm 제품과 비교하기 위해 분해
        1. 비교 사진
          • saw dpx9575 01 001.jpg
          • saw dpx9575 01 002.jpg
          • saw dpx9575 01 003.jpg
          • saw dpx9575 01 004.jpg
          • saw dpx9575 01 005.jpg
        2. 칩 전체

          • Rx(881.5MHz)

          • Tx(836.5MHz)

        3. 확대
          • saw dpx9575 01 008.jpg
          • saw dpx9575 01 009.jpg
        4. 더 확대

          • 주기: 4.27um - Rx(881.5MHz)

          • 위쪽 주기: 4.56um - Tx(836.5MHz)

        5. 무라타 2016과 비교
          • saw dpx9575 01 012.jpg
          • saw dpx9575 01 013.jpg
        6. Rx 칩에서, HWP 폰트(유니코드 문자코드 263B, Black Smiling Face)로 만든 패턴인듯.
          • saw dpx9575 01 014.jpg
  4. 5.0x5.0mm
  5. 3.8x3.8mm
    1. SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz
      1. 규격서 - 6p
      2. Motorola MS500 휴대폰에서
        1. 세트에서. W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
          • ms500 01 026.jpg
        2. 주파수 특성
          • ms500 01 027.jpg

          • 광대역 특성

          • 통과대역 특성

          • 3포트 반사 특성

          • 3포트 매칭

          • Tx/Rx ladder 필터의 지연시간 약 20nsec

        3. 뚜껑 열기

          • 와이어본딩이 L로 동작하므로 정교하게 연결한다.

          • 두 패턴 사이에 Y자 접지 패턴이 이채롭다.

        4. 패턴

          • 위쪽이 Tx 패턴일 듯

          • 정전기 파괴

          • 정전기 파괴

          • 글꼴 설계, M자는 Copyright

  6. 3.2x2.5mm
    1. 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
      1. LG-SH170 에서
        1. 리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻)
          • sh170 052.jpg
          • sh170 053.jpg
          • sh170 054.jpg
        2. AuSn 실링
          • sh170 055.jpg

          • 검정색 칩, 이젝트핀 자국

          • sh170 057.jpg

          • 기판 구리전극이 뜯어졌다. 칩에서 보호막 두께가 달라 색상이 달리 보인다.

        3. 칩 패턴
          • sh170 059.jpg
          • sh170 060.jpg
          • sh170 061.jpg

          • 융착온도 때문에 금속 확산

        4. 어떤 칩 다이싱 단면

          • 한쪽면

          • 같은 칩에서 그 반대 한쪽면

          • sh170 065.jpg
      2. SPH-W4700
        1. 외관
          • w4700 020.jpg
          • w4700 021.jpg
        2. 플립 본딩

          • 검정색 칩, 이젝트핀 자국

          • w4700 023.jpg

          • LTCC 구리전극 캐비티

        3. 칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임

          • W734-A1

        4. 칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
          • w4700 026.jpg
  7. 2.5x2.0mm
    1. 세트에서 발견
      1. 와이솔, 핸드폰 GT-B6520에서

        • SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치

        • 2 듀플렉서 칩 두께가 서로 다르다.

        • XG50PD5-MP6 Rx HJD

        • XG50PD5-MP? Tx HJD

      2. 3G통신모듈에서
        1. 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
          1. 통신모듈

            • RF 면

            • QSC6240

          2. 외관
            • 3g module01 017.jpg
            • 3g module01 018.jpg
          3. 에폭시를 제거하면

            • Rx, Tx

            • Tx 칩이 더 얇다. 먼저 본딩했다.

          4. 칩 뜯는 방법

            • 위로 올라가지 않게 위에서 누른다.

            • 칼날을 밀어 넣기 전

            • 칼날을 밀어 넣은 후

          5. 패키지와 칩. Tx칩은 큰 내전력이 요구되므로, Rx칩과 공정이 달라, 표면 구조가 다르기 때문에 다른 빛깔로 관찰된다.
            • saw dpx2520 01 006.jpg
          6. Rx 칩. 아래 중앙이 Ant, 아래 좌우가 diffential out(좌우 대칭)

            • 왼쪽 육교 패턴 일부는 높아서, 칼에 의해 잘린 흔적이 보인다.

            • saw dpx2520 01 011.jpg
            • saw dpx2520 01 012.jpg
            • saw dpx2520 01 013.jpg

            • 정렬키와 (갈색)보호막

          7. Tx 칩

            • Tx

            • 1폴 공진기로 등가회로

            • saw dpx2520 01 009.jpg
            • saw dpx2520 01 010.jpg

            • probing 바늘 자국. 밀리지 않아 거의 원형이다.

        2. CDMA 1x EV-DO USB Modem
          1. 외관
            • 3g module03 003.jpg
            • 3g module03 003 017.png
            • 3g module03 003 001.jpg
          2. Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
            • 3g module03 003 008.jpg
            • 3g module03 003 009.jpg
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            • 3g module03 003 012.jpg

            • Tx필터 813077C AC

            • Rx필터 813256

            • 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴

  8. 2.0x1.6mm
    1. 한국 SK텔레콤용 포켓WiFi에서 사용된 무라타 850/1800MHz
      1. 2.0x1.6mm 1800MHz용
        1. 외형
          • mobile router01 017.jpg
        2. 내부

          • 왼쪽 Tx, 오른쪽 Rx

          • Rx 아래 - 밸런스 출력

        3. Rx 칩
          • mobile router01 017 003.jpg
          • mobile router01 017 004.jpg
          • mobile router01 017 005.jpg

          • interdigitated C(IDT C)

          • 절연

          • mobile router01 017 008.jpg
        4. Tx 칩에서
          • mobile router01 017 009.jpg
          • mobile router01 017 010.jpg
        5. 칩에서 범프볼(와이어가 길게 존재함)
          • mobile router01 017 011.jpg
        6. 2.0x1.6mm 850MHz용
          1. 외형
            • mobile router01 018.jpg
          2. Rx 칩
            • saw dpx2016 01 001.jpg
            • saw dpx2016 01 003.jpg
            • saw dpx2016 01 007.jpg
          3. Tx 칩
            • saw dpx2016 01 002.jpg
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            • saw dpx2016 01 006.jpg
    2. 1.8x1.4mm
      1. 2017년 Redmi Note 4X 휴대폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm

        • 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm

      2. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서, 7개 사용하는데,
        1. Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 참조
        2. Murata 1.55x1.15mm 한 개 (아래 참조)
        3. Taiyo Yuden 5개 - 1개 FBAR+SAW조합, 1개 사파이어접합, 3개 SAW
          1. 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
            • redmi note4x 188.jpg
          2. 측면

            • 두께가 다르다.

            • 금속이 세라믹보다 두꺼운 이유는 세라믹을 자른 후 도금을 했기 때문에다.

            • 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.

          3. 701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
            1. 주파수 파형

              • 2535MHz

            2. Tx필터 온도 특성 실험-1
              1. 치구 준비

                • 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함

                • 주파수 특성 그래프

              2. 가열 냄비 준비
                • redmi note4x 189 002.jpg
                • redmi note4x 189 003.jpg
              3. Fluorinert 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.

                • Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.

                • 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,

                • redmi note4x 189 006.jpg

                • 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림

              4. 실험 방법

                • 별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함

                • 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림

              5. 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
              6. 엑셀 데이터

                • 온도프로파일

                • 피크이득

                • -10dB 중심주파수

                • -30ppm 온도계수를 갖는다.

                • 대역폭

            3. Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
              1. 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
                • redmi note4x 189 015.png
              2. 그래프

                • 30~130도씨 온도프로파일

                • 피크이득

                • -10dB 중심주파수

                • -33ppm 온도계수를 갖는다.

                • 대역폭

              3. 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
            4. 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
              1. SAW + BAW 조합이다.
                • redmi note4x 189 021.jpg

                • Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.

              2. F-BAR baw 필터

                • W868-08

                • 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함

              3. 공진기 #1~#6
                  1. 1
                  1. 2
                  1. 3
                  1. 4
                  1. 5
                  1. 6
              4. Rx saw 필터

                • W1895-14

                • 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec

          4. 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
            1. 주파수 파형

              • 1877MHz

            2. 땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
              • redmi note4x 190 001.jpg
            3. 사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.

              • 초경에 긁히지 않는 것으로 보아 사파이어 맞다.

              • redmi note4x 190 003.jpg

              • LT두께 20um+사파이어두께 250um, 레이저 펀칭7번, 간격 약 27um

            4. 다이를 뜯어냄

              • 밀어보니, 레이저 다이싱에 문제가 있어, 사파이어가 깨진다.

              • redmi note4x 190 006.jpg
            5. Rx

              • X077-22

              • 주기:1.98um x 1960MHz = 3880m/sec

            6. Tx:1880MHz
              1. 전체

                • X019-21

                • 배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해

              2. withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.

                • 굵은 전극이 궁금해서

                • 주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec

                • 굵은 전극 형태

              3. 90도로 배열된 C패턴
                • redmi note4x 190 011.jpg
                • redmi note4x 190 012.jpg
          5. 7A4, LTE Band1
            1. 주파수 파형

              • 1950MHz

            2. 전체
              • redmi note4x 191 001.jpg
              • redmi note4x 191 002.jpg
            3. Rx

              • Rx 다이, V8151-31

              • Rx 어느 패턴에서 주기: 1.865um 2140MHz 쏘속도 3990m/sec

            4. Tx

              • Tx 다이

              • Tx 어느 패턴에서 주기: 1.949um 1950MHz 쏘속도 3800m/sec

              • 우측 상단, 90도 돌아간 C전용 패턴에서 주기: 1.695um

              • 좌측 하단, 90도 돌아간 C전용 직렬 패턴에서 주기:1.65um. 굳이 직렬로 C를 만들 이유는 내전압 때문이다. (칩 위아래로만 초전이 발생되므로 길게 연결된 패턴 때문에)

          6. 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
            1. 주파수 파형

              • 897.5MHz

            2. 다이 내부

              • 트위저로 금속 뚜껑을 누르면서 작업했는데 다이가 깨져 있다. 리드와 다이 뒷면이 붙어 있지 않다.

              • 풀칠

              • 풀칠 수

              • 다이 분리

              • 다이

              • Rx 다이, 주기: 4.12um 942.5MHz 3880m/sec

              • Tx 다이, 주기: 4.28um 897.5MHz 3840m/sec

          7. 7E4, LTE Band5
            1. 주파수 파형

              • 836.5MHz

            2. 다이 내부

              • 다이 뒷면 밝기가 달리 보인다.

              • 다이를 작게 할 수 없어, 벽이 얇아졌다.

              • redmi note4x 193 003.jpg

              • 기판 전극표면이 비교적 평탄하다.

              • 본딩이 쉽게 떨어진다.(그렇게 플립본딩한 듯)

              • Rx 881.5MHz, 주기: 4.46um (쏘속도 3930m/sec)

              • Tx 836.5MHz, 어느 전극에서, 윗쪽 주기 4.60um, 아래쪽 주기 4.58um (쏘속도 3850m/sec)

    3. 1.55x1.15mm
      1. 2017년 Redmi Note 4X 휴대폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm

        • 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm

      2. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
        1. Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
          1. 외관
            • redmi note4x 127.jpg
          2. 패키징

            • 패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm 여유 0.33mm 및 0.31mm

            • redmi note4x 127 002.jpg
          3. 다이

            • EK18

            • 주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)

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