267일, 6시간, 1분 - Togotech

"메모리"의 두 판 사이의 차이
(내용을 "메모리 <ol> <li>링크 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li> 메모리 <ol> <li> ROM <ol> <li> PROM <li> EEPROM <li> Flash Memory, Flash <li>..."(으)로 바꿈)
(태그: 대체됨)
1번째 줄: 1번째 줄:
−
memory IC
+
메모리
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>링크
 
<li>링크
7번째 줄: 7번째 줄:
 
<li> [[메모리]]
 
<li> [[메모리]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[메모리모듈]]
+
<li> [[ROM]]
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>자료
 
−
<ol>
 
−
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
 
−
<ol>
 
−
<li>k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>ROM
 
−
<ol>
 
−
<li>ROM
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>DMM, HP3455A
+
<li> [[PROM]]
−
<gallery>
+
<li> [[EEPROM]]
−
image:3455a01_028.jpg | 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)
+
<li> [[Flash Memory]], [[Flash]]
−
</gallery>
+
<li> [[UV-EPROM]]
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>PROM
+
<li> [[RAM]]
−
<ol>
 
−
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Programmable_read-only_memory
 
−
<li>OTP memory (one time programmable)
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
+
<li> [[DRAM]]
−
<gallery>
+
<li> [[SRAM]]
−
image:ptc200_083_001.jpg | AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256  parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
+
<li> [[FRAM]]
−
</gallery>
+
<li> [[메모리모듈]], [[DIMM]]
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
 
−
<ol>
 
−
<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
 
−
<gallery>
 
−
image:ptc200_083_001.jpg | AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256  parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
 
−
</gallery>
 
−
<li>GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
 
−
<gallery>
 
−
image:zs_6120b_003.jpg
 
−
image:zs_6120b_012.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>온도기록계에서
 
−
<ol>
 
−
<li>DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
 
−
<gallery>
 
−
image:flashlink01_004.jpg
 
−
image:flashlink01_005.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
 
−
<gallery>
 
−
image:flashlink_ct_009.jpg
 
−
image:flashlink_ct_006.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>EL-USB-1
 
−
<gallery>
 
−
image:el_usb_1_002.jpg
 
−
image:el_usb_1_008.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>D99
 
−
<gallery>
 
−
image:apresys_d99_003.jpg
 
−
image:apresys_d99_005.jpg
 
−
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>Winbond, W27E512
 
−
<gallery>
 
−
image:eeprom01_001.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서 (EEPROM + M5M41000AP 1MB DRAM)
 
−
<gallery>
 
−
image:hp35660a_041.jpg
 
−
image:hp35660a_042.jpg
 
−
image:hp35660a_044.jpg
 
−
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>Flash Memory
+
<li>자료
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
+
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
−
<gallery>
 
−
image:uthe10h01_009.jpg | AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
 
−
</gallery>
 
−
<li>PC, 노트북에서
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Fujitsu Notebook E8410
+
<li>k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
−
<gallery>
 
−
image:fujitsue8410_064.jpg | SPI Flash 메모리
 
−
</gallery>
 
−
<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
 
−
<gallery>
 
−
image:ibm_t40_108.jpg | SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
−
<gallery>
 
−
image:slc460w_07_012.jpg | 1Gbit Flash(128MB)
 
−
image:flash01_001.jpg | TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
 
−
image:flash01_002.jpg
 
−
image:flash01_003.jpg | 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
 
−
image:flash01_004.jpg
 
−
image:flash01_005.jpg | NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
 
−
image:flash01_006.jpg | 본딩패드 밑에도 회로
 
−
image:flash01_007.jpg | 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
 
−
image:flash01_008.jpg | 3차원 배선
 
−
image:flash01_009.jpg | inter-digital capacitor
 
−
</gallery>
 
−
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
−
<gallery>
 
−
image:agilent1260lc02_022.jpg | Flash Memory
 
−
</gallery>
 
−
<li>SSD에서
 
−
<gallery>
 
−
image:ssd02_004.jpg | TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
 
−
</gallery>
 
−
<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
 
−
<gallery>
 
−
image:es75_006.jpg
 
−
image:es75_011.jpg
 
−
image:es75_012.jpg | PCB 전기도금
 
−
</gallery>
 
−
<li>3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
 
−
<gallery>
 
−
image:3g_module01_014.jpg | 맨 아래, IBA98 마킹 칩
 
−
image:flash02_001.jpg | 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정
 
−
image:flash02_002.jpg | 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.
 
−
image:flash02_003.jpg
 
−
image:flash02_004.jpg | 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.
 
−
image:flash02_005.jpg | MICRON 글씨 높이가 5um
 
−
</gallery>
 
−
<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
 
−
<gallery>
 
−
image:ptc200_083_001.jpg | AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256  parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>UV-EPROM
 
−
<ol>
 
−
<li>AMD
 
−
<ol>
 
−
<li>AM27C512
 
−
<gallery>
 
−
image:uveprom1_001.jpg
 
−
image:uveprom1_002.jpg
 
−
image:uveprom1_003.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
 
−
<ol>
 
−
<li>HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
 
−
<gallery>
 
−
image:e5501b04_037.jpg
 
−
image:e5501b04_045.jpg
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>Hitachi
 
−
<ol>
 
−
<li>HN462532G, Hitachi, CDIP24, 32kbit(4096x8bit) UV EPROM, 450ns, compatible with TMS2532
 
−
<ol>
 
−
<li>32k-bit이므로 셀을 눈으로 셀 수 있다.
 
−
<gallery>
 
−
image:uveprom05_001.jpg | 세로 8비트 16줄(128비트)이 보인다. 가로로 256비트.
 
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image:uveprom05_002.jpg
 
−
image:uveprom05_003.jpg
 
−
image:uveprom05_004.jpg
 
−
image:uveprom05_005.jpg
 
−
image:uveprom05_006.jpg
 
−
image:uveprom05_007.jpg
 
−
image:uveprom05_008.jpg | HN462532
 
−
image:uveprom05_009.jpg
 
−
image:uveprom05_010.jpg | 테스트 패턴 4가지(F, M, BD, AS)
 
−
image:uveprom05_011.jpg | 테스트 패턴 (SE)
 
−
</gallery>
 
−
<li>HP 8112A, 50 MHz pulse generator
 
−
<gallery>
 
−
image:hp8112a_a3_001.jpg
 
−
image:hp8112a_a3_015.jpg
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>NEC
 
−
<ol>
 
−
<li>D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
 
−
<gallery>
 
−
image:2533_024.jpg
 
−
image:2533_024_001.jpg
 
−
image:2533_024_002.jpg | NEC D27C256D-20
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>ST
 
−
<ol>
 
−
<li>M27C256B
 
−
<ol>
 
−
<li>espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
 
−
<gallery>
 
−
image:uveprom2_001.jpg
 
−
image:uveprom2_002.jpg
 
−
image:uveprom2_003.jpg
 
−
image:uveprom2_004.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>Iwatsu DMM, VOAC 7513  메모리보드에서,
 
−
<gallery>
 
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image:voac7513_06_001.jpg
 
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image:uveprom04_001.jpg
 
−
image:uveprom04_002.jpg
 
−
image:uveprom04_003.jpg
 
−
image:uveprom04_004.jpg
 
−
image:uveprom04_005.jpg
 
−
image:uveprom04_006.jpg
 
−
image:uveprom04_007.jpg
 
−
image:uveprom04_008.jpg | 1992
 
−
image:uveprom04_009.jpg
 
−
image:uveprom04_010.jpg
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, [[KJM6765]]
 
−
<gallery>
 
−
image:kjm6765_001.jpg
 
−
image:uveprom03_001.jpg
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>TI
 
−
<ol>
 
−
<li>Solartron Schlumberger 7060 DMM에서
 
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<gallery>
 
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image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM // TMS2532JL  UV EPROM 32k Bit NOS
 
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</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>알 수 없음.
 
−
<ol>
 
−
<li>왜 IC 소켓을 세라믹 ineterposer에 다시 꼽아 사용했을까?
 
−
<gallery>
 
−
image:hp35660a_050.jpg | HP 35660A dynamic signal analyzer, CPU 보드에서
 
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</gallery>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>RAM
 
−
<ol>
 
−
<li>DRAM
 
−
<ol>
 
−
<li>ELPIDA B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
 
−
<ol>
 
−
<li>트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
 
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<gallery>
 
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image:mobile_router01_011.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>1차 질산에 넣어서
 
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<gallery>
 
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image:mobile_router01_024_002.jpg
 
−
image:mobile_router01_024_008.jpg | DRAM 와이어본딩이 양쪽이어서 한쪽으로 연결하기 위해 인터포저를 사용
 
−
</gallery>
 
−
<li>2차 질산에 넣어서
 
−
<gallery>
 
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image:mobile_router01_024_012.jpg
 
−
image:mobile_router01_024_013.jpg | 칩 3개 크기 비교(아래 오른쪽 작은 칩은 TCXO용 AKM6617)
 
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</gallery>
 
−
<li>DRAM 칩
 
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<gallery>
 
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image:mobile_router01_024_015.jpg
 
−
image:mobile_router01_024_016.jpg
 
−
image:mobile_router01_024_017.jpg | DRAM 최상위 금속층은 구리 배선으로 덮혀있다.
 
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</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
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<ol>
 
−
<li>외관
 
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<gallery>
 
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image:slc460w_07_008.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>분해시작
 
−
<gallery>
 
−
image:dram_nanya_1gb_001.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_002.jpg | PCB 본딩 및 몰딩 방법
 
−
image:dram_nanya_1gb_003.jpg | 태우고
 
−
image:dram_nanya_1gb_004.jpg | 칼로 긁고
 
−
image:dram_nanya_1gb_005.jpg | 치약으로 닦고
 
−
</gallery>
 
−
<li>내부칩
 
−
<gallery>
 
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image:dram_nanya_1gb_006.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_007.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_008.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_009.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_010.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_011.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_012.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_013.jpg | 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>SDRAM
 
−
<ol>
 
−
<li>Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
 
−
<gallery>
 
−
image:ssd02_016.jpg
 
−
image:ssd02_017.jpg | 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
 
−
image:ssd02_018.jpg
 
−
image:ssd02_015.jpg
 
−
image:ssd02_019.jpg | on-line에서 해석안됨
 
−
</gallery>
 
−
<li>그래픽램, Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96 - [[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북에서
 
−
<ol>
 
−
<li>GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
 
−
<gallery>
 
−
image:lenovo_ideapad_065.jpg
 
−
image:lenovo_ideapad_066.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>외관
 
−
<gallery>
 
−
image:lenovo_ideapad_069.jpg
 
−
image:lenovo_ideapad_069_001.jpg | 뜯으면
 
−
</gallery>
 
−
<li>패키지 분해
 
−
<gallery>
 
−
image:lenovo_ideapad_069_002.jpg | 다이, PCB, EMC 수지
 
−
image:lenovo_ideapad_069_003.jpg | PCB
 
−
image:lenovo_ideapad_069_004.jpg | BGA방식으로 접합된 다이
 
−
</gallery>
 
−
<li>PCB와 BGA로 연결된다. (즉, 와이어본딩이 아니다.)
 
−
<gallery>
 
−
image:lenovo_ideapad_069_005.jpg
 
−
image:lenovo_ideapad_069_006.jpg
 
−
image:lenovo_ideapad_069_007.jpg
 
−
image:lenovo_ideapad_069_008.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>다이 마킹 K4B2G1646Q, 128Mx16=2Gbit DDR3L Q-die, 96-FBGA (패키지 마킹은 K4W- 로 서로 다르다.)
 
−
<gallery>
 
−
image:lenovo_ideapad_069_009.jpg | 2013, SAMSUNG K4B2G1646Q
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>[[내비게이션]]에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
 
−
<ol>
 
−
<li>하이닉스 Mobile DDR SDRAM와 삼성 NAND flash
 
−
<gallery>
 
−
image:ite1000_01_078.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>두 회사 메모리를 동시에 질산에 넣은 후
 
−
<ol>
 
−
<li>Mobile용 IC란, 싸게 만들기 위해 EMC 특성(기계적강도, 열방출효과 등)이 낮고, 본딩와이어도 금 대신 구리(녹아 사라졌기 때문에)를 사용한다.
 
−
<li>하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
 
−
<ol>
 
−
<li>칩 전체
 
−
<gallery>
 
−
image:ite1000_01_078_001.jpg | 질산에서 꺼내
 
−
image:ite1000_01_078_002.jpg | 표면을 살짝 연마한 후
 
−
</gallery>
 
−
<li>4사분면
 
−
<gallery>
 
−
image:ite1000_01_078_003.jpg | DJC058C
 
−
</gallery>
 
−
<li>2사분면
 
−
<gallery>
 
−
image:ite1000_01_078_004.jpg
 
−
image:ite1000_01_078_005.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>1사분면
 
−
<gallery>
 
−
image:ite1000_01_078_007.jpg
 
−
image:ite1000_01_078_008.jpg
 
−
image:ite1000_01_078_009.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
 
−
<gallery>
 
−
image:ite1000_01_078_010.jpg
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND flash - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
 
−
<ol>
 
−
<li>질산에 한 번
 
−
<gallery>
 
−
image:ite1000_01_078_011.jpg
 
−
image:ite1000_01_078_012.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>질산에 더(두번째)
 
−
<gallery>
 
−
image:ite1000_01_078_013.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>질산에 더(세번째)
 
−
<gallery>
 
−
image:ite1000_01_078_014.jpg | 6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄
 
−
image:ite1000_01_078_015.jpg | 64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.
 
−
image:ite1000_01_078_016.jpg
 
−
image:ite1000_01_078_017.jpg | 2006 SAMSUNG K9F1208R0C
 
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image:ite1000_01_078_018.jpg | 삼성마크 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um
 
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<li>SRAM (Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나)
 
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<li>Keithley 195A, DMM에서
 
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image:keithley195a_010.jpg | Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
 
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<li>MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
 
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<li>외관
 
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image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL  UV EPROM 32k Bit NOS
 
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<li>외관
 
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image:sram_mcm6810_001.jpg
 
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image:sram_mcm6810_002.jpg | 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.
 
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image:sram_mcm6810_003.jpg
 
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image:sram_mcm6810_004.jpg | 셀 배열
 
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image:sram_mcm6810_005.jpg | 셀 확대
 
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image:sram_mcm6810_006.jpg | 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정
 
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<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
 
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image:ptc200_081.jpg | HM6264BLP-8L, 85ns, 28-pin plastic DIP, 64k SRAM (8-kword 8-bit) 1.5um
 
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<li>F-RAM
 
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<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
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image:ptc200_080.jpg | CPU 보드(면적이 부족하여) 옆에서
 
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image:agilent1260lc02_020.jpg | F-RAM
 
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2020년 2월 2일 (일) 15:01 판

메모리

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 메모리
        1. ROM
          1. PROM
          2. EEPROM
          3. Flash Memory, Flash
          4. UV-EPROM
        2. RAM
          1. DRAM
          2. SRAM
          3. FRAM
          4. 메모리모듈, DIMM
  2. 자료
    1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
      1. k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
  3. Multi chip
    1. KBE00S00AB-D435(multi-chip, 1Gb Flash+256Mb RAM?), LG-SH170 에서

      • baseband 칩 바로 옆에서

      • sh170 022.jpg
      • sh170 023.jpg

      • 4개 칩, 와이어본딩이 되도록 칩을 90도씩 돌려서 쌓았다.

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