"SM-A516N"의 두 판 사이의 차이

2022년 10월 6일 (목) 23:03 판

삼성 갤럭시 A51 휴대폰, SM-A516N

링크
1. 전자부품
  1. 핸드폰
    1. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰 - 이 페이지
기술자료
1. 사용자 설명서 - 152p
2. 외부 링크
  1. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A51
  2. 2019년 12월 출시 발표
3. 규격
  1. 주파수
    1. NR, band 78
      1. 송신(TX): 3420~3700 MHz, 수신(RX): 3420~3700 MHz
    2. LTE Bands, Band 1/Band 2/Band 3/Band 4/Band 5/Band 7/Band 8/Band 12/Band 13/Band 17/Band 20/Band 26/Band 28/Band 66/Band 38/Band 40/Band 41
      1. Tx 1920~1980/1850~1910/1710~1785/1710~1755/824~849/2500~2570/880~915/699~716/777~787/704~716/832~862/814~849/703~748/1710~1780/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
      2. Rx 2110~2170/1930~1990/1805~1880/2110~2155/869~894/2620~2690/925~960/729~746/746~756/734~746/791~821/859~894/758~803/2110~2180/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
    3. WCDMA(Band 1/Band 2/Band 4/Band 5/Band 8)
      1. TX: 1922.4~1977.6/1852.4~1907.6/1712.4~1752.6/826.4~846.6/882.4~912.6 MHz
      2. RX: 2112.4~2167.6/1932.4~1987.6/2112.4~2152.6/871.4~891.6/927.4~957.6 MHz
    4. GSM850, GSM900, DCS1800, DCS1900
      1. TX: 824.2~848.8 MHz, 880.2~914.8 MHz, 1710.2~1784.8 MHz, 1850.2~1909.8 MHz
      2. RX: 869.2~893.8 MHz, 925.2~959.8 MHz, 1805.2~1879.8 MHz, 1930.2~1989.8 MHz
  2. CPU: EXYNOS980
  3. WiFi:
    1. 2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
    2. 5180~5240, 5260~5320, 5500~5700, 5745~5825 MHz(802.11a/n/ac)
  4. MST: 송수신: 1.6/3.3 KHz, 모듈:ISP7022, 최대5cm
  5. NFC: 송수신: 13.56 MHz
  6. ANT+: 송수신: 2402~2480 MHz, 모듈: S5N5C20X00-6030
    1. 2.4GHz ISM밴드를 사용하는 저전력 센서네트워크용 무선통신규격 이름.
4. 전원켜기 끄기
  1. 전원켜기: 측면 버튼을 몇 초간 길게 누른다.
  2. 전원끄기: 음량 하 버튼 + 측면버튼을 동시에 길게 누르고, 전원 끄기를 선택한다.
    1. 아무 반응이 없으면, 7초 이상 길게 누른다. (강제로 다시 시작하기)
이력
1. 2022/09/30 입수됨
뒤면 커버를 뜯어내면, 양면 접착테이프로 붙어 있다.
- 뒤면 커버는 >PC+PMMA< 수지
뒤면 커버에 붙인 서멀 패드형 방열 테이프. 이쪽으로는 크게 열나는 부품은 없기 때문에 대충 방열해도 된다.
- 불에 태워보니, 회색은 실리콘 방열패드, 검정은 잘 탄다.
NFC+MST(Samsung Pay) 코일
1. 페라이트 시트 에서 자세히 분석
파우치 2차-리튬, 모델:EB-BA516ABY, 정격 3.86V 4370mAh 16.87Wh, 제조자:Ningde Amperex Technology(암페렉스 테크놀로지)
1. 사진
  - 제조년월 2020.05.30
2. 5A 충방전, 49싸이클 측정 엑셀 파일
  - 42시간이후부터 문제가 있다.
  - 충방전싸이클당 방전용량 (3700mAh@5A, 4370mAh정격용량이므로 85% 나온다.)
3. 300V 8A 용량을 갖는 3.81mm 피치용 터미날블록에서 문제를 일으켰다.
4. 보호회로
  1. 앞 뒤면
  2. 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용하는 BGA 전력용 스위칭 FET
    - 두 다이가 180도 본딩되어 있다.
    - Panasonic WK0064
  3. SMD타입 전류검출용R 저저항
    - U자홈으로 갈아내면서 트리밍했다.
    - 2.05mΩ
아래쪽 안테나 및 스피커,USB-C,3.5mm 단자구멍
USB-C 단자구멍. 침수라벨
- 빨강은 침수되었다는 표시?
접지. 안테나를 위해서는 핸드폰 전체 금속 프레임이 반드시 확실한 접지로 취급한다.
- 위쪽
- 물이 닿았던, 아래쪽
코인타입 ERM 진동모터 -> 자세히 분석
- 완충접착테이프에 YH 마킹
- 완충접착테이프를 뜯으면 Y934H B0428
테이프를 뜯어보니, 아무것도 아니다. OLED 디스플레이를 바로 볼 수 있는 여러 구멍이 있다. (표준화를 위해 다른 어떤 부품을 설치하기 위한 옵션으로 뚫어놓았다.)
스크류 5개가 부족하다. 먼저 분해했던 사람이 나사 5개를 체결하지 않았다.
under-display fingerprint sensor, 광학식 지문센서 -> 자세히 분석
전면 카메라를 위해, OLED 디스플레이 패턴이 형성되어 있지 않는 구멍
리시버용 스피커
FPCB에 SMD납땜할 때, 납땜 불량, 솔더 필렛이 형성되지 않는 부품에서는 과다 불량에 해당된다.
정전식 터치스크린을 뜯으면
1. 사진
  - ams-OSRAM MFSH2 TB81H
2. 참고, 아래 사진은 2014년 10월 출시된 SM-G5308W용 터치 스크린 패턴이다. 이 패턴과 같은 모양을 갖는다.
3. 이 핸드폰이 (침수로 인해) 고장난 현상(좌측 터치영역이 동작하지 않는다. qwerty자판으로 볼 때 1 이 2로 입력된다.)
터치패널을 분리하면
OLED용 DDI
- IC 두께만큼 양면접착테이프로 보강
OLED 후면, 방열구리판에 기포 방열패드
- 투명양면접착테이프에 공기층(을 쉽게 빼기 위한?) 격자무늬
- 검정 테이프는 불에 쉽게 탄다.
금속 메인프레임
- 그라파이트 시트 그리고 검정색은 접착테이프
메인보드
1. 앞면 및 뒷면
  - 앞면
  - 금속 메인프레임과 맞닿는, 뒷면
2. 앞면 부품
  1. 카메라 장착 방법
    - 양면테이프로 PCB에 붙인다.
  2. 앞면 방열
    - 비교적 두꺼운, 히트 스프레더용 금속 방열판 테이프
  3. 실드 깡통을 벗기면
    - 파워 IC 영역에는 내부에 검정 금속 방열판 캔을 씌웠다.
    - 적층형 파워 인덕터 및 평활용 MLCC
  4. 실드코팅으로 차폐시킨 RF 모듈 4개가 보인다.
    - RF영역
  5. 주요 부품
    1. SAMSUNG SHANNON5510, RF Transceiver IC
    2. NXP 55303, NFC
    3. Qorvo 78077
    4. Murata(?) K21 JrCVB
3. 뒤면 부품
  1. 디스플레이쪽으로, 금속 메인프레임과 맞닿게 그라파이트 시트로 방열
    - 빨갛게 태운 후
  2. (금속 메인프레임과 닿아 확실히 방열이 되어야 하는) 뒷면 방열
  3. 비교적 두꺼운, 방열 검정 스폰지 테이프 밑에는 그라파이트 시트가 깡통에 붙는다.
    - 두 IC에 말랑말랑 하양, 회색 서멀 패드가 붙어 있다.
  4. 열이 많이 발생하여 확실히 방열하고 있는 두 부품
    - 삼성 S2MU106X 배터리 IC, Samsung Exynos 980(엑시노스 980) 모바일AP
    - 모바일AP가 있는 곳에는 검정 금속 방열판 캔을 씌웠다.
  5. 실드코팅으로 차폐시킨 RF 모듈
    - Qorvo QPA4580, Skyworks 77786-11 PAM
4. 실드코팅으로 차폐시킨 RF 모듈 5개 개별 사진
  1. Qorvo QPA4580
    1. 외관
    2. 측면 관찰하면
      - 처마처럼 튀어나왔다.
      - 노랑 화살표에 잘린 PCB 동박이 보인다.
    3. 측면 금속 코팅을 칼로 긁어보니
    4. 타이바. 타이바가 반드시 있어야 하므로, 이왕이면 전기도금을 하면 좋을 것이다.
      - 절단된 PCB에서 구리 타이바가 노출되어 있다.
    5. 꼭지점을 칼로 절단한 후
      - 윗쪽과 아래쪽의 금속코팅 두께에 큰 차이가 없다.
    6. 내부
      - 내부, 와이어본딩 된 PA 다이가 2개 있다.
5. Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, Power Amplifier Module(PAM)
  1. 3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
  2. PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이
    - PK5226 01 SKYWORKS C M 2016
  3. MIPI 콘트롤러 silicon 다이
    - PK1136 01 SKYWORKS C M 2016
6. WiFI 칩(?)
  - S620 W2006
7. 필터
  1. Skyworks 77786-11 옆에
    1. 외관
      - 왼쪽에서부터 무라타-와이솔-엡코스
      - 레이저 마킹 품질
    2. 디캡핑(decapping)
      - 와이솔 제품은 쉽게 벗겨진다.
    3. 다이싱 관찰
      1. 무라타
        
        긴쪽 50um
        
        짧은쪽
      2. 와이솔
        
        긴쪽 100um
        
        짧은쪽
      3. 엡코스
        
        긴쪽 40um
        
        짧은쪽
  2. ?? 옆에서

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 <li> [[페라이트 시트]] 에서 자세히 분석
 </ol>
-<li>배터리, 모델:EB-BA516ABY, 정격 3.86V 4370mAh 16.87Wh, 제조자:Ningde Amperex Technology(암페렉스 테크놀로지)
+<li> [[파우치 2차-리튬]], 모델:EB-BA516ABY, 정격 3.86V 4370mAh 16.87Wh, 제조자:Ningde Amperex Technology(암페렉스 테크놀로지)
+<ol>
+<li>사진
 <gallery>
 image:sm_a516n_005.jpg | 제조년월 2020.05.30
 image:sm_a516n_005_001.jpg
 </gallery>
+<li>5A 충방전, 49싸이클 측정 엑셀 파일
+<gallery>
+image:sm_a516n_005_003.png
+image:sm_a516n_005_004.png | 42시간이후부터 문제가 있다.
+image:sm_a516n_005_002.png | 충방전싸이클당 방전용량 (3700mAh@5A, 4370mAh정격용량이므로 85% 나온다.)
+</gallery>
+<li>300V 8A 용량을 갖는 3.81mm 피치용 [[터미날블록]]에서 문제를 일으켰다.
+<gallery>
+image:screw_block02_008.jpg
+image:screw_block02_009.jpg
+image:screw_block02_010.jpg
+</gallery>
+<li>보호회로
+<ol>
+<li>앞 뒤면
+<gallery>
+image:sm_a516n_005_005.jpg
+</gallery>
+<li>저항을 줄이기 위해 대면적을 사용하는 BGA 전력용 스위칭 [[FET]]
+<gallery>
+image:sm_a516n_005_006.jpg | 두 다이가 180도 본딩되어 있다.
+image:sm_a516n_005_007.jpg | Panasonic WK0064
+image:sm_a516n_005_008.jpg
+</gallery>
+<li> [[SMD타입 전류검출용R]] 저저항
+<gallery>
+image:sm_a516n_005_009.jpg | U자홈으로 갈아내면서 트리밍했다.
+image:sm_a516n_005_010.jpg | 2.05mΩ
+</gallery>
+</ol>
+</ol>
 <li>아래쪽 안테나 및 스피커,USB-C,3.5mm 단자구멍
 <gallery>
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 <li> [[실드코팅]]으로 차폐시킨 RF 모듈
 <gallery>
-image:sm_a516n_064.jpg | Qorvo QPA4580, Skyworks 77786-1 PAM
+image:sm_a516n_064.jpg | Qorvo QPA4580, Skyworks 77786-11 PAM
 </gallery>
 </ol>
@@ 244번째 줄: / 277번째 줄: @@
 <li>외관
 <gallery>
-image:sm_a516n_064.jpg | Skyworks 66320-11
+image:sm_a516n_064.jpg
 image:sm_a516n_066.jpg
 </gallery>
@@ 285번째 줄: / 318번째 줄: @@
 <gallery>
 image:sm_a516n_070.jpg
+</gallery>
+</ol>
+<li>Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, Power Amplifier Module(PAM)
+<ol>
+<li>3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
+<gallery>
+image:sm_a516n_064.jpg
+</gallery>
+<li>PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이
+<gallery>
+image:sm_a516n_064_001.jpg | PK5226 01 SKYWORKS C M 2016
+</gallery>
+<li>MIPI 콘트롤러 silicon 다이
+<gallery>
+image:sm_a516n_064_002.jpg
+image:sm_a516n_064_003.jpg | PK1136 01 SKYWORKS C M 2016
 </gallery>
 </ol>
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 <li> 필터
 <ol>
-<li>Skyworks 77786-1 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband (MMMB) Power Amplifier Module(PAM) 옆에
+<li>Skyworks 77786-11 옆에
 <ol>
 <li>외관