메모리

memory IC

링크
1. 전자부품
  1. 메모리
    1. 메모리모듈
자료
1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
  1. k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
ROM
1. ROM
  1. DMM, HP3455A
    - 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)
2. PROM
  1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Programmable_read-only_memory
  2. OTP memory (one time programmable)
    1. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서
      - AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256 parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
3. EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
  1. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서
    - AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256 parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
  2. GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
  3. 온도기록계에서
    1. DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
    2. DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
    3. EL-USB-1
    4. D99
  4. Winbond, W27E512
  5. HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서 (EEPROM + M5M41000AP 1MB DRAM)
4. Flash Memory
  1. UTHE 10H Ultrasonic Generator
    - AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
  2. PC, 노트북에서
    1. Fujitsu Notebook E8410
      - SPI Flash 메모리
    2. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
      - SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
  3. 도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
    - 1Gbit Flash(128MB)
    - TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
    - 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
    - NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
    - 본딩패드 밑에도 회로
    - 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
    - 3차원 배선
    - inter-digital capacitor
  4. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
    - Flash Memory
  5. SSD에서
    - TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
  6. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
    - PCB 전기도금
  7. 3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
    - 맨 아래, IBA98 마킹 칩
    - 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정
    - 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.
    - 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.
    - MICRON 글씨 높이가 5um
  8. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서
    - AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256 parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
5. UV-EPROM
  1. AMD
    1. AM27C512
    2. M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
      1. HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
  2. Hitachi
    1. HN462532G, Hitachi, CDIP24, 32kbit(4096x8bit) UV EPROM, 450ns, compatible with TMS2532
      1. 32k-bit이므로 셀을 눈으로 셀 수 있다.
        
        세로 8비트 16줄(128비트)이 보인다. 가로로 256비트.
        
        HN462532
        
        테스트 패턴 4가지(F, M, BD, AS)
        
        테스트 패턴 (SE)
      2. HP 8112A, 50 MHz pulse generator
  3. NEC
    1. D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
      - NEC D27C256D-20
  4. ST
    1. M27C256B
      1. espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
      2. Iwatsu DMM, VOAC 7513 메모리보드에서,
        
        1992
    2. M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765
  5. TI
    1. Solartron Schlumberger 7060 DMM에서
      - MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM // TMS2532JL UV EPROM 32k Bit NOS
  6. 알 수 없음.
    1. 왜 IC 소켓을 세라믹 ineterposer에 다시 꼽아 사용했을까?
      - HP 35660A dynamic signal analyzer, CPU 보드에서
RAM
1. DRAM
  1. ELPIDA B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
    1. 트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
    2. 1차 질산에 넣어서
      - DRAM 와이어본딩이 양쪽이어서 한쪽으로 연결하기 위해 인터포저를 사용
    3. 2차 질산에 넣어서
      - 칩 3개 크기 비교(아래 오른쪽 작은 칩은 TCXO용 AKM6617)
    4. DRAM 칩
      - DRAM 최상위 금속층은 구리 배선으로 덮혀있다.
  2. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
    1. 외관
    2. 분해시작
      - PCB 본딩 및 몰딩 방법
      - 태우고
      - 칼로 긁고
      - 치약으로 닦고
    3. 내부칩
      - 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
2. SDRAM
  1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
    - 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
    - on-line에서 해석안됨
  2. 그래픽램, Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96 - Lenovo ideapad 700-15isk 노트북에서
    1. GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
    2. 외관
      - 뜯으면
    3. 패키지 분해
      - 다이, PCB, EMC 수지
      - PCB
      - BGA방식으로 접합된 다이
    4. PCB와 BGA로 연결된다. (즉, 와이어본딩이 아니다.)
    5. 다이 마킹 K4B2G1646Q, 128Mx16=2Gbit DDR3L Q-die, 96-FBGA (패키지 마킹은 K4W- 로 서로 다르다.)
      - 2013, SAMSUNG K4B2G1646Q
  3. 내비게이션에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
    1. 하이닉스 Mobile DDR SDRAM와 삼성 NAND flash
    2. 두 회사 메모리를 동시에 질산에 넣은 후
      1. Mobile용 IC란, 싸게 만들기 위해 EMC 특성(기계적강도, 열방출효과 등)이 낮고, 본딩와이어도 금 대신 구리(녹아 사라졌기 때문에)를 사용한다.
      2. 하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
        
        칩 전체
        
        질산에서 꺼내
        
        표면을 살짝 연마한 후
        
        4사분면
        
        DJC058C
        
        2사분면
        
        1사분면
        
        상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
      3. 삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND flash - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
        
        질산에 한 번
        
        질산에 더(두번째)
        
        질산에 더(세번째)
        
        6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄
        
        64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.
        
        2006 SAMSUNG K9F1208R0C
        
        삼성마크 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um
3. SRAM (Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나)
  1. Keithley 195A, DMM에서
    - Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
  2. MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
    1. 외관
      - MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL UV EPROM 32k Bit NOS
    2. 외관
      - 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.
      - 셀 배열
      - 셀 확대
      - 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정
  3. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서
    - HM6264BLP-8L, 85ns, 28-pin plastic DIP, 64k SRAM (8-kword 8-bit) 1.5um
4. F-RAM
  1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
    - CPU 보드(면적이 부족하여) 옆에서
    - F-RAM
Multi chip
1. KBE00S00AB-D435(multi-chip, 1Gb Flash+256Mb RAM?), LG-SH170 에서
  - baseband 칩 바로 옆에서
  - 4개 칩, 와이어본딩이 되도록 칩을 90도씩 돌려서 쌓았다.