1년, 183일, 22시간, 33분 - Togotech

DRAM

Togotech (토론 | 기여)님의 2021년 3월 12일 (금) 21:53 판

DRAM

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 메모리
        1. RAM
          1. DRAM - 이 페이지
  2. DRAM
    1. ELPIDA
      1. B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
        1. 트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
          • mobile router01 011.jpg
        2. 1차 질산에 넣어서
          • mobile router01 024 002.jpg

          • DRAM 와이어본딩이 양쪽이어서 한쪽으로 연결하기 위해 인터포저를 사용

        3. 2차 질산에 넣어서
          • mobile router01 024 012.jpg

          • 칩 3개 크기 비교(아래 오른쪽 작은 칩은 TCXO용 AKM6617)

        4. DRAM 칩
          • mobile router01 024 015.jpg
          • mobile router01 024 016.jpg

          • DRAM 최상위 금속층은 구리 배선으로 덮혀있다.

      2. Apple iPhone 5S에서, 모바일AP + RAM PoP(Package On Package)
        1. 보드에서

          • 특별히 캔 오른쪽에는 딱딱하고 두꺼운 방열용 어떤 판이 붙어 있다.

          • Elpida 8Gbit DDR3 RAM이 PoP되어 있음

        2. 뜯어내면

          • PoP

          • AP 다이방열을 위해 위에 있는 RAM과 완전 밀착

          • AP 밑면 솔더링

        3. RAM Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit

          • 다이 두 개를 다이본딩, 와이어본딩

          • iphone5s01 130 009.jpg

          • 위쪽 다이 ELPIDA F440AAA

          • 아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA

          • 구리본딩인듯. 와이어를 찾을 수 없었음.

      3. Sony XCD-SX910CR IEEE1394 동영상카메라에서

        • Elpida DS1232AA, 128M-bit SDRAM

    2. HYUNDAI
      1. Palm Vx PDA에서

        • HYUNDAI GM71VS65163CLT5, 64Mbit DRAM

    3. Hynix
      1. DELL studio1737 노트북

        • 그래픽용 Hynix HY5PS561621B 256M-bit DDR2 SDRAM

    4. Infineon
      1. Palm TX PDA에서

        • Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-power SDRAM)

    5. Micron
      1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서, AP+RAM 붙인 PoP(Package On Package)에서
        1. 윗면에는 Micron 회사의 RAM 이다.
          • redmi note4x 138.jpg

          • 밑면 솔더면은 AP이다.

        2. PoP(Package On Package)
          • redmi note4x 140.jpg

          • 패키지 위에 패키지가 있다.

        3. 두 패키지를 분리하면

          • Mediatek MT6797W AP + Micron RAM

          • redmi note4x 143.jpg
    6. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
      1. 외관
        • slc460w 07 008.jpg
      2. 분해시작
        • dram nanya 1gb 001.jpg

        • PCB 본딩 및 몰딩 방법

        • 태우고

        • 칼로 긁고

        • 치약으로 닦고

      3. 내부칩
        • dram nanya 1gb 006.jpg
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        • dram nanya 1gb 008.jpg
        • dram nanya 1gb 009.jpg
        • dram nanya 1gb 010.jpg
        • dram nanya 1gb 011.jpg
        • dram nanya 1gb 012.jpg

        • 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit

    7. Qimonda
      1. 프린터용 LAN카드 HP Jetdirect 620n(J7934g)에서
        • print card01 001.jpg

        • Qimonda DRAM, Spansion Flash

    8. Samsung
      1. PalmOne Zire72 PDA에서

        • SEC K4S281633D 128Mbit Mobile SDRAM x 2ea = 32MB RAM

      2. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S에서

        • 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB RAM, 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB

        • a710s01 007.jpg

        • 모바일AP 위에 붙어 있는데 이를 뜯어서 태운 후,다이본딩면을 분리하면

        • 4개 다이를 쌓았다.

        • 다이 틈새로 Ball Stitch On Ball(BSOB) 와이어본딩한 것으로 추정된다.

    9. Silicon Magic Corporation
      1. 비디오카드, Diamond Stealth 3D 2000 S3-ViRGE PCI VGA graphic card에서

        • feature connector, LPB(Local Peripheral Bus) connector, MPEG connector

        • Silicon Magic Corporation SM81C256K16A1-40, 4Mbit Extended Data Out(EDO) RAM

    10. Vanguard International Semiconductor(VIS)
      1. Palm m500 PDA에서

        • DragonBall VZ, MC68VZ328VF MCU, AM29LV320DB 32Mbit Flash, Vanguard International Semiconductor(VIS) VG36641641DTL 8Mbit SDRAM

  3. SDRAM
    1. SSD에서
      1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
        • ssd02 016.jpg

        • 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm

        • ssd02 018.jpg
        • ssd02 015.jpg

        • on-line에서 해석안됨

    2. 그래픽용
      1. Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96 - Lenovo ideapad 700-15isk 노트북에서
        1. GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
          • lenovo ideapad 065.jpg
          • lenovo ideapad 066.jpg
        2. 외관
          • lenovo ideapad 069.jpg

          • 뜯으면

        3. 패키지 분해

          • 다이, PCB, EMC 수지

          • PCB

          • BGA방식으로 접합된 다이

        4. PCB와 BGA로 연결된다. (즉, 와이어본딩이 아니다.)
          • lenovo ideapad 069 005.jpg
          • lenovo ideapad 069 006.jpg
          • lenovo ideapad 069 007.jpg
          • lenovo ideapad 069 008.jpg
        5. 다이 마킹 K4B2G1646Q, 128Mx16=2Gbit DDR3L Q-die, 96-FBGA (패키지 마킹은 K4W- 로 서로 다르다.)

          • 2013, SAMSUNG K4B2G1646Q

      2. 비디오카드, ATi Radeon HD3850에서
        1. Samsung K4J52324QE, 512Mbit GDDR3 SDRAM, 하나는 실리콘 방열패드가 닿지 않아, 실리콘이 번지지 않아 마킹이 깨끗

          • memory BUS width 256-bit

          • 실리콘패드에 닿지 않아 방열안되는 DRAM

          • 각 DRAM 뒤쪽 수동부품

    3. CPU 옆 주메모리에서
      1. 내비게이션에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
        1. 하이닉스 Mobile DDR SDRAM와 삼성 NAND flash
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        2. 두 회사 메모리를 동시에 질산에 넣은 후
          1. Mobile용 IC란, 싸게 만들기 위해 EMC 특성(기계적강도, 열방출효과 등)이 낮고, 본딩와이어도 금 대신 구리(녹아 사라졌기 때문에)를 사용한다.
          2. 하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
            1. 칩 전체

              • 질산에서 꺼내

              • 표면을 살짝 연마한 후

            2. 4사분면

              • DJC058C

            3. 2사분면
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            4. 1사분면
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            5. 상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
              • ite1000 01 078 010.jpg
          3. 삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND flash - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
            1. 질산에 한 번
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              • ite1000 01 078 012.jpg
            2. 질산에 더(두번째)
              • ite1000 01 078 013.jpg
            3. 질산에 더(세번째)

              • 6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄

              • 64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.

              • ite1000 01 078 016.jpg

              • 2006 SAMSUNG K9F1208R0C

              • 삼성마크 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um

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