3년, 254일, 10시간, 4분 - Togotech

"Flash"의 두 판 사이의 차이

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image:tablet_c01_003_001.jpg | 두꺼운(이 높은 공간에 콘트롤러 다이를 다이본딩+와이어본딩) 작은 flash 다이위에 얇은 큰 falsh 다이를 올림
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<li>AMD
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<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
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image:agilent1260lc02_022.jpg | Flash Memory
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image:palm_m500_007.jpg | AM29LV320DB 32Mbit [[Flash]]
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<li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
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image:uthe10h01_009.jpg | AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
 
image:uthe10h01_009.jpg | AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
 
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<li>PC, 노트북에서
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image:ptc200_083_001.jpg | AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256  parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
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<li> Apple [[iPhone 5S]], SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
 
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<li>Fujitsu Notebook E8410
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image:iphone5s01_160.jpg | 17.0x12.0mm SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
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image:iphone5s01_160_003.jpg | 측면 - 전기[[도금]]을 위한 동박연결
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<li>질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
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image:iphone5s01_160_004.jpg | 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층
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image:iphone5s01_160_005.jpg | 맨 밑 콘트롤러 IC 및 3 방향에 더미 실리콘다이
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<li>Intel
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<li> [[Palm TX]] PDA에서
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image:palm_tx_013.jpg | Samsung K9F1G08U0A NAND [[Flash]] 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit [[Flash]], Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile [[DRAM]](=low-power SDRAM)
 
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<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
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<li> [[Tektronix TDS540]] 오실로스코프, A13 firmface board에서
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<li>외관, 펌웨어를 보관하는 메모리보드
 
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image:ibm_t40_108.jpg | SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
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image:tds540_09_001.jpg
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image:tds540_09_002.jpg | intel N28F010-200 1024kbit NOR [[Flash]], 12V, 10만회
 
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<li>도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
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<li>Macronix(MX)
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<li> [[Palm m100]] PDA에서
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image:palm_m100_006.jpg | MX(Macronix) C003304 742-2123 B0C8 1C0544A1 [[Flash Memory]], OKI M51V18165 16Mbit DRAM,  ETC CHB-03F [[전자석버저]]
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<li> [[PalmOne Zire72]] PDA에서
 
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image:slc460w_07_012.jpg | 1Gbit Flash(128MB)
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image:palm_zire72_012.jpg | MX05-081760011PA
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image:flash01_001.jpg | TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
 
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image:flash01_007.jpg | 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
 
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<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
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<li>Microchip
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<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373 노트북에서
 
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image:agilent1260lc02_022.jpg | Flash Memory
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image:ibm_t40_108.jpg | SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
 
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<li>Micron
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image:ssd02_004.jpg | TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
 
image:ssd02_004.jpg | TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
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<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
 
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<li>3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
 
<li>3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
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image:flash02_005.jpg | MICRON 글씨 높이가 5um
 
image:flash02_005.jpg | MICRON 글씨 높이가 5um
 
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<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
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<li>Samsung, SEC, 삼성전자
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<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
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<li> [[Palm TX]] PDA에서
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image:palm_tx_013.jpg | Samsung K9F1G08U0A NAND [[Flash]] 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit [[Flash]], Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile [[DRAM]](=low-power SDRAM)
 +
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<li>Sandisk
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<li>SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
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<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
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<li>외관
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<li>다이 4개 적층 + 메모리 콘트롤러
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image:redmi_note4x_112.jpg | 128Gb x 4 = 64GB NAND flash
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image:redmi_note4x_113.jpg | flash memory controller
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image:redmi_note4x_114.jpg | 다이접착용 필름 두 개가 보인다.
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<li>적층다이를 와이어본딩으로 연결
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image:redmi_note4x_116.jpg | wire bonded multi-stack die
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image:redmi_note4x_117.jpg | Stand-off Stitch Bonding
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<li>다이 표면
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image:redmi_note4x_118.jpg | 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 정전기 방지용(?) R패턴(?)
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image:redmi_note4x_119.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.
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image:redmi_note4x_120.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND
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<li>Spansion
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<li> , 프린터용 [[LAN카드]], HP Jetdirect 620n(J7934g)에서
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image:print_card01_001.jpg
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image:print_card01_002.jpg | Qimonda [[DRAM]], Spansion [[Flash]]
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<li>SST(Silicon Storage Technology)
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<li> [[LAN카드]] 3C905CX-TX-M, PCI Lan Card에서
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image:lan_card07_001.jpg | 39VF512, 64kB
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<li>STM
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<li>Fujitsu Notebook E8410 노트북에서
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image:fujitsue8410_064.jpg | SPI Flash 메모리
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<li>Toshiba, 도시바
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<li>1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
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image:slc460w_07_012.jpg | 1Gbit Flash(128MB)
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image:flash01_001.jpg | TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
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image:flash01_003.jpg | 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
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image:flash01_004.jpg
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image:flash01_005.jpg | NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
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image:flash01_006.jpg | 본딩패드 밑에도 회로
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image:flash01_007.jpg | 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
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image:flash01_008.jpg | 3차원 배선
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image:flash01_009.jpg | inter-digital capacitor
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<li>2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 [[SM-A710S]]에서
 
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image:ptc200_083_001.jpg | AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256  parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
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image:a710s01_006.jpg | 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB [[RAM]], 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB
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image:a710s01_023.jpg | 메모리 밑면에 형성된 솔더볼
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image:a710s01_024.jpg | 태우면. 좌상단에 별도 콘트롤러 IC가 보인다.
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image:a710s01_025.jpg | 두 다이를 쌓았다.
 
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2021년 3월 12일 (금) 21:51 기준 최신판

Flash Memory

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 메모리
        1. ROM
          1. Flash Memory, Flash - 이 페이지
  2. Flash Memory
    1. 기술
      1. TDK, 메모리콘트롤러 카탈로그
        1. P/E cycle = program/erase cycle, 수명
    2. Foresee, Flash Drive
      1. YF-006G 안드로이드 태블릿에서

        • Foresee NCEMAHBD-08G, 32GB로 추정

        • 두꺼운(이 높은 공간에 콘트롤러 다이를 다이본딩+와이어본딩) 작은 flash 다이위에 얇은 큰 falsh 다이를 올림

    3. AMD
      1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품

        • Flash Memory

      2. Palm Vx PDA에서
      3. Palm m500 PDA에서

        • AM29LV320DB 32Mbit Flash

    4. ATMEL
      1. UTHE 10H Ultrasonic Generator

        • AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family

      2. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서

        • AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256 parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory

    5. Hynix
      1. Apple iPhone 5S, SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
        1. 외관

          • 17.0x12.0mm SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash

        2. 뜯어내어
          • iphone5s01 160 002.jpg

          • 솔더링면

          • 측면 - 전기도금을 위한 동박연결

        3. 질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐

          • 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층

          • 맨 밑 콘트롤러 IC 및 3 방향에 더미 실리콘다이

    6. Intel
      1. Palm TX PDA에서

        • Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-power SDRAM)

      2. Tektronix TDS540 오실로스코프, A13 firmface board에서
        1. 외관, 펌웨어를 보관하는 메모리보드
          • tds540 09 001.jpg

          • intel N28F010-200 1024kbit NOR Flash, 12V, 10만회

    7. Macronix(MX)
      1. Palm m100 PDA에서
      2. PalmOne Zire72 PDA에서

        • MX05-081760011PA

    8. Microchip
      1. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373 노트북에서

        • SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application

    9. Micron
      1. SSD에서

        • TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB

      2. 3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서

        • 맨 아래, IBA98 마킹 칩

        • 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정

        • 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.

        • flash02 003.jpg

        • 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.

        • MICRON 글씨 높이가 5um

    10. Samsung, SEC, 삼성전자
      1. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
        • es75 006.jpg
        • es75 011.jpg

        • PCB 전기도금

      2. Palm TX PDA에서

        • Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-power SDRAM)

    11. Sandisk
      1. SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
        1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
          1. 외관
            • redmi note4x 110.jpg
            • redmi note4x 111.jpg
          2. 다이 4개 적층 + 메모리 콘트롤러

            • 128Gb x 4 = 64GB NAND flash

            • flash memory controller

            • 다이접착용 필름 두 개가 보인다.

            • redmi note4x 115.jpg
          3. 적층다이를 와이어본딩으로 연결

            • wire bonded multi-stack die

            • Stand-off Stitch Bonding

          4. 다이 표면

            • 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 정전기 방지용(?) R패턴(?)

            • SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.

            • SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND

    12. Spansion
      1. , 프린터용 LAN카드, HP Jetdirect 620n(J7934g)에서
    13. SST(Silicon Storage Technology)
      1. LAN카드 3C905CX-TX-M, PCI Lan Card에서

        • 39VF512, 64kB

    14. STM
      1. Fujitsu Notebook E8410 노트북에서

        • SPI Flash 메모리

    15. Toshiba, 도시바
      1. 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판

        • 1Gbit Flash(128MB)

        • TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.

        • flash01 002.jpg

        • 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor

        • flash01 004.jpg

        • NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음

        • 본딩패드 밑에도 회로

        • 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함

        • 3차원 배선

        • inter-digital capacitor

      2. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S에서

        • 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB RAM, 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB

        • 메모리 밑면에 형성된 솔더볼

        • 태우면. 좌상단에 별도 콘트롤러 IC가 보인다.

        • 두 다이를 쌓았다.

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