"Redmi Note 4X"의 두 판 사이의 차이
| 541번째 줄: | 541번째 줄: | ||
image:redmi_note4x_188_003.jpg | 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다. | image:redmi_note4x_188_003.jpg | 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다. | ||
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| − | <li>701, LTE Band7 | + | <li>701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz |
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<li>주파수 파형 | <li>주파수 파형 | ||
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image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz | image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz | ||
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| − | <li> | + | <li>Tx필터 온도 특성 실험-1 |
<ol> | <ol> | ||
| − | <li>준비 | + | <li>치구 준비 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note4x_189_001.jpg | 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함 | image:redmi_note4x_189_001.jpg | 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_001_001.png | 주파수 특성 그래프 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>가열 냄비 준비 | ||
| + | <gallery> | ||
image:redmi_note4x_189_002.jpg | image:redmi_note4x_189_002.jpg | ||
image:redmi_note4x_189_003.jpg | image:redmi_note4x_189_003.jpg | ||
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</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
| − | <li>다이 내부 | + | <li>Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림 |
| + | <ol> | ||
| + | <li>30와 130도씨에서 특성 그래프 비교 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:redmi_note4x_189_015.png | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>그래프 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:redmi_note4x_189_016.png | 30~130도씨 온도프로파일 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_017.png | 피크이득 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_018.png | -10dB 중심주파수 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_019.png | -33ppm 온도계수를 갖는다. | ||
| + | image:redmi_note4x_189_020.png | 대역폭 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다. | ||
| + | </ol> | ||
| + | <li>다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다. | ||
<ol> | <ol> | ||
| + | <li>SAW + BAW 조합이다. | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:redmi_note4x_189_021.jpg | ||
| + | image:redmi_note4x_189_022.jpg | Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다. | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>F-BAR baw 필터 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:redmi_note4x_189_023.jpg | W868-08 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_024.jpg | 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>공진기 #1~#6 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:redmi_note4x_189_025.jpg | #1 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_026.jpg | #2 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_027.jpg | #3 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_028.jpg | #4 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_029.jpg | #5 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_030.jpg | #6 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>Rx saw 필터 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:redmi_note4x_189_031.jpg | W1895-14 | ||
| + | image:redmi_note4x_189_032.jpg | 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec | ||
| + | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
2020년 7월 11일 (토) 17:15 판
Xiaomi, Redmi Note 4X
- 링크
- 전자부품
- 핸드폰
- Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰 - 이 페이지
- 핸드폰
- 전자부품
- 기술자료
- 출시년도: 2017년 2월
- 사용 네트워크
- 2G GSM 850/900/1800/1900, CDMA800 & TD-SCDMA
- 3G HSDPA 850/900/1900/2100
- 4G 1, 3, 5, 7, 8, 38, 39, 40, 41 - Mediatek model, 아래 밴드에서 폰 기준으로 Tx, Rx
- B1: 2100, 1920~1980(1950), 2110~2170(2140)
- B2: 1900, 1850~1910(1880), 1930~1990(1960) - 이 밴드 듀플렉서가 있다.
- B3: 1800, 1710~1785(1747.5), 1805~1880(1842.5)
- B5: 850, 824~849(836.5), 869~894(881.5)
- B7: 2600, 2500~2570(2535), 2620~2690(2655)
- B8: 900, 880~915(897.5), 925~960(942.5)
- B38: 2600, TDD 2570~2620(2595) TY SAW 필터 발견
- B39: 1900, TDD 1880~1920(1900)
- B40: 2300, TDD 2300~2400(2350) Triquint BAW 필터 발견
- B41: 2500, TDD 2496~2690(2593)
- 외관
- finger ring stand용 조이개
conical 형태를 갖는 peen shape로 눌러, rivet head를 expanded 형태로 만들었다.
- 분해시작
케이스를 접합하거나 나사를 사용하지 않고, 플라스틱끼리 끼워 조립한다.
배터리가 가장 넓다.
- 안테나
- 다이버시티 안테나인지, 아니면 하단은 저주파 1GHz, 상단은 2GHz 전용인지 정확하지 않음.
- 상단
위쪽 메탈케이스 표면 5군데와 접지 연결 및 안테나 3군데 연결 방법
메탈 케이스 접지
위쪽 안테나는 양면접착제로 붙어 있다.
2면에 걸쳐 일정한 높이를 갖어야 안테나 방향성 이득이 좋다. GPS/BT/WiFi2.4+5G 안테나와 다이버시티 안테나
- 하단
아래쪽 메탈케이스와 3군데 연결 및 안테나와 연결방법
아랫쪽 안테나와 메탈 케이스 접지 접촉
안테나는 양면접착제로 붙어 있다.
아랫쪽에 있는 메인안테나. 2면에 걸쳐 일정한 높이를 갖어야 안테나 방향성 이득이 좋다. 800~2600MHz 모두 매칭되어 있다.
금속은 전파를 반사하므로 금속을 사용하면 안된다.
- 하단 안테나 매칭
아래쪽 메인 안테나와 케이블 연결 매칭
메인 마이크 입구 및 안테나 접지와 연결되는 단자패드
그 중 중간 단자만 사용하는 회로(스위치?) 1GHz 최적매칭 및 2GHz 최적 매칭을 위한 선택???
측면 전극이 없는 부품에 많은 솔더를 바른 납땜
- LDS(Laser Direct Structuring)에 사용된 플라스틱 도금 기술
laser induced selective activation(LISA) electroless plating 을 위해서 앞 뒤로 전기 연결하기 위한 원뿔 사출.
앞뒤 연결을 위한, 반대편 원뿔. 반대편에서 전극이 튀어나온 것이 보인다.
- 메탈 케이스를 피해서 설치된, 위 아래 안테나 위치
- 지문 센서
- 위치
지문센서 부착방법.
- PCB
FPMJ012 17269006
납땜 패드만(?) 전기도금한다.(?)
- 표면에 열풍을 가하면
페인트 칠이다. 지문 기름성분이 잘 안묻는 수지 코팅만 했다.
- 다이
5.9x5.75mm die size
5.6x4.4mm sensing area size, 112x88=9856 cells
50x50um pitch
7033
- 동작원리
- 위치
- 안테나 접지면 기준이 되는 후면 메탈 커버
anodized aluminum 금속 케이스를 접지면으로 만들기 위해 산화피막을 제거하고, PCB 접지와 연결하기 위한 스프링 핀 연결
풀칠
anodized aluminum에서 산화피막을 제거
anodized aluminum 금속 케이스를 접지면으로 만들기 위해 산화피막을 레이저로 제거하고, PCB 접지와 연결하기 위한 스프링 인터커넥터 핀 연결
메탈케이스를 접지 시키기 위해서, mid-금속 프레임 산화피막을 표면을 레이저로 깍음
메탈케이스를 완전히 분해한 후 살펴보니
- 마이크로 스피커
- 위치하는 곳(휴대폰 밑이다.) 및 외형
스피커 박스. 메탈케이스와 연결을 위한 포고핀 3개, 왼쪽 스피커 구멍, 오른쪽은 메인 마이크를 위한 공기 통로
메인 마이크 및 90도 꺽인 공기 통로
스피커 박스
- 스피커 박스를 뜯으면
스피커 박스속 백볼륨에 있는, 금속판에 붙어 있는 스폰지
스피커 진동판 및 마주보고 있는 금속판
- 백볼륨 속의 스폰지
참조: 욕실용이므로 Polyester 수지 스폰지로 추정함.
- 위치하는 곳(휴대폰 밑이다.) 및 외형
- 메인 마이크
- 메인 마이크와 맨 아래 버튼 스위치용 백라이트 LED 연결
- 메인 MEMS마이크, XN7A7 7722 3014
bottom 타입이다.
납땜으로 금속 뚜껑을 붙임
E2140C 11581
실리콘 MEMS 마이크 뒷면
- C embedded PCB 분석, PCB C
PCB top(1층) 동박
top(1층) 동박
1층과 2층 동박사이에 있는 FR4 유전체
2층 동박
2층 동박을 벗기면, 하양 유전체가 보인다. 이 유전체 두께로 C값을 좌우한다.
하양 유전체 두께는 매우 얇다. 유전율을 높일수 없어서 두께를 얇게해서 C값을 높인다.
3층 동박. 두 개의 C가 형성되어 있다.
납땜을 위한 bottom면(4층) 동박
- 메인 마이크와 맨 아래 버튼 스위치용 백라이트 LED 연결
- 귀쪽에 위치한, 소음 제거용 MEMS마이크
- 외형
MN7A7 7719 3021
- 패키지 분해
PCB 3개를 붙여서 만들었다.
reverse top 형태로 만드는 이유
- 프레임 구조
- PCB C
C embedded PCB를 사용했다.
- MEMS 진동판 - 메인 마이크에 사용된 MEMS 진동판과 같다.
E2140C 03322
- 외형
- 메인보드 방열 및 차폐
메인회로는 방열특성을 높이기 위해 표면을 검게처리함.
디스플레이와 만나는 면은 검게 처리된 동테이프
- 카메라
- 후면 메인 카메라용 Dual-tone LED flash
- 기술
- 기존 단일 LED 플래시로 사진을 찍으면 부자연스럽고 차가운 톤으로 사진이 찍힌다.
- 서로 다른 색온도를 갖는 두 LED를 사용해서 색상 균형을 쉽게 맞출 수 있다.
- 2013년 9월 iPhone 5S에서 처음으로 등장. 흰색white과 호박색amber 사용함.
- 주변광의 화이트밸런스를 판단하여 플래시 색상을 조정한다.(맞나?)
- Dual-tone LED-SMD
넓은 동박이 드라이브 IC 두 출력에 각각 연결되어 있다.
흰색white과 호박색amber
- 형광체를 뜯어내면
AlN(알루미늄 나이트라이드) 기판에 두꺼운 구리전극+은 도금위에
- 켜보면
- LED 다이를 뜯으면
솔더링플립칩 본딩
- 기술
- 후면 메인 카메라 - 핸드폰용 이미지센서
- 위치
카메라 모듈 뒷면 방열
카메라 모듈 뒤면에 동테이프
- 카메라 뒷면 방열판
- 외관
후면 메인 카메라
- VCM 분해
- IR컷 필터 분해
OHP0046
- 이미지 센서
- red dot pitch 약 2.2um, 파랑 점에 결점이 있다. phase detect auto focus(PDAF)를 위한 센서 픽셀. 한 축으로만 배열되어 예를 들면 수평 자동초점을 맞춘다. 센서 전영역에 걸쳐 형성되어 있으면 전영역에 자동초점을 맞출 수 있다.
- S5K3L8 삼성전자제조, 4208x3120(13M), 1.12um, 1/3.1", pixel type:ISOCELL, PDAF auto focus
- 위치
- 전면 보조 카메라
전면 보조 카메라
- 후면 메인 카메라용 Dual-tone LED flash
- 적외선 근접센서(IR proximity sensors) 및 조도센서(Ambient Light Sensor)
- 사진
적외선 근접센서 및 조도센서 위치
고무마개에는 Tx/Rx isolation을 위한 중간벽이 보인다.
설치위치를 높이기 위해
- 외관
적외선 근접센서. 통화를 위해 귀에 대면 화면을 꺼지게 한다. (참고로 화면밝기를 조정하기 위해 주변밝기를 검출하는 조도센서 Ambient Light Sensor도 겸할 수 있다.)
발광부 광원이 직접 수광부로 가는 것을 차단(isolation을 높이는 행위)하기 위해 도랑을 파, 검정 뚜껑에 있는 벽으로 확실히 차단하고 있다.
- 분해
각도에 따라 검출하는 기능은 아니다. 큰 면적은 에너지가 작은 반사빛을 검출하기 위해 면적이 크고, 작은 영역은 빛을 직접 받는 조도센서인듯
- 인터포저(interposer)
센서 바닥의 8군데 패드와 1:1 매칭되는 인터포저 패드
센서 설치를 높이기 위한 단순하게 두꺼운 PCB 인터포저
- 사진
- 메인 PCB에서 방열
깡통이 튀어나온 부분(AP와 RAM이 PoP 되어 있어 두껍다.)은 anodized aluminum mid-frame은 오목하게 들어가 있다.
3군데 방열실리콘용 IC는 Micron 6QB47 D9TPL RAM, Mediatek MT6351V PMIC, Dialog DA9214 step down converter
쑥색은 테이프가 아니라 페인트칠이다.
전력변환 수동부품 영역에는 실리콘 접착제(방열? 진동억제?) 도포
BGA bare die에서 붙인 마킹 필름이 떨어졌다.
- 하단 안테나에서 온 동축케이블과 연결된, 안테나 RF스위치IC. TDD용 PAM과 W-CDMA PAM을 따로 스위칭하기 위해서(?)
- 외관
회사 마크가 RFMD
- 다이 분석
M1D1643A01 RFMD 2013
- 외관
- Skyworks 77645-11, multimode multiband(MMMB) PAM, TDD용 전용. 7개 듀플렉서를 사용하는 W-CDMA용 PAM은 따로 존재한다.
- 부근 부품
- Triquint SMR-[BAW]] 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
금색 뚜껑 제품 1.5x1.3mm 추정
- Taiyo-Yuden(다이요유덴;태양유전) SAW-핸드폰RF 필터, LAFy 마킹, LTE Band 38(2595MHz, TDD)용이다.
- 외관, 1.4x1.1mm 로 추정
TDD용이므로 Tx 큰 전력도 통과하도록 내전력 특성이 좋아야 한다.
- 특성 그래프
- 내부
세라믹 기판이 더 크다. (반면에 1814 듀플렉서는 기판이 더 작다.)
W837 5-16
- 외관, 1.4x1.1mm 로 추정
- 부근 부품
- Skyworks 77912-51, W-CDMA용 PAM (LTE B7,38,41,40,AXGP 등 2300~2690MHz)
- Mediatek MT6631N, WiFi abgn+ac, BT4.1, GPS, FM 칩
- TCXO
TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
- 메인 보드 뒷면
- AP + RAM PoP(Package On Package)
Mediatek MT6797W AP + Micron RAM
레이저 드릴로 EMC 제거함.
- 전원용 노이즈필터, 4개 직렬로 연결
오른쪽 MLCC는 18uF(1kHz)
4개 직렬 특성
- SanDisk SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
128Gb x 4 = 64GB NAND flash
flash memory controller
다이접착용 필름 두 개가 보인다.
wire bonded multi-stack die
Stand-off Stitch Bonding
와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 정전기 방지용(?) R패턴(?)
SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.
SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND
- RF transceiver IC 구역
- Mediatek MT6176V transceiver RF IC
Mediatek MT6176V transceiver RF IC
transceiver RF IC 주변 filter
대충 회로도
- Rx 다이버시티
- Rx 다이버시티용 스위치
Skyworks SKY13418 SP8T Antenna Switch, 0.1~6.0GHz
- 쏘필터 8개 1.1x0.9mm
측정을 위해 #1~#8 번호부여
회로도
- 노랑점선: 안테나, 쏘필터 그리고 이들 사이 매칭영역, 주황점선: 모듈과 트랜시버IC 사이의 매칭영역
모든 매칭이 가능한 pi 구조로 PCB를 만든다.
- 필터 8개 주파수특성 측정을 위해 간이 연결
- 필터 8개 주파수특성 엑셀 데이터
- 필터 8개 주파수특성 그래프
P2 YE
46 ~cD
X6 AB
PO ~cB
24 MD
XT fC
MH8 0 1
P5 YA
- #7번 필터, 2017년 8월, China 제조
구조
H881AA0 MP4 KKS G1
주기: 4.53um
- Rx 다이버시티용 스위치
- 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개
- 전체
701/F01, 7B1/Fb3, 1003/VK5Q, 7A4/F3j, CG/3J, 7G6/Ek9, 7E4/Dq8
노랑점선 내부가 Tx,Rx 매칭(안테나 포트 매칭은 뒷면에 있다.)
- Taiyo Yuden 5개
- 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
- 측면
두께가 다르다.
금속이 세라믹보다 두꺼운 이유는 세라믹을 자른 후 도금을 했기 때문에다.
잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.
- 701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
- 주파수 파형
2535MHz
- Tx필터 온도 특성 실험-1
- 치구 준비
정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함
주파수 특성 그래프
- 가열 냄비 준비
- Fluorinert 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.
온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,
온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림
- 실험 방법
별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함
50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림
- 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
- 엑셀 데이터
온도프로파일
피크이득
-10dB 중심주파수
-30ppm 온도계수를 갖는다.
대역폭
- 치구 준비
- Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
- 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
- 그래프
30~130도씨 온도프로파일
피크이득
-10dB 중심주파수
-33ppm 온도계수를 갖는다.
대역폭
- 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
- 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
- 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
- SAW + BAW 조합이다.
Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.
- F-BAR baw 필터
W868-08
진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함
- 공진기 #1~#6
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- Rx saw 필터
W1895-14
주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec
- SAW + BAW 조합이다.
- 주파수 파형
- 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
- 주파수 파형
1877MHz
- 땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
- 사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.
초경에 긁히지 않는 것으로 보아 사파이어 맞다.
LT두께 20um+사파이어두께 250um, 레이저 펀칭7번, 간격 약 27um
- 다이를 뜯어냄
밀어보니, 레이저 다이싱에 문제가 있어, 사파이어가 깨진다.
- Rx
X077-22
주기:1.98um x 1960MHz = 3880m/sec
- Tx:1880MHz
- 전체
X019-21
배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해
- withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.
굵은 전극이 궁금해서
주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec
굵은 전극 형태
- 90도로 배열된 C패턴
- 전체
- 주파수 파형
- 7A4, LTE Band1
- 주파수 파형
1950MHz
- 전체
- Rx
Rx 다이, V8151-31
Rx 어느 패턴에서 주기: 1.865um 2140MHz 쏘속도 3990m/sec
- Tx
Tx 다이
Tx 어느 패턴에서 주기: 1.949um 1950MHz 쏘속도 3800m/sec
우측 상단, 90도 돌아간 C전용 패턴에서 주기: 1.695um
좌측 하단, 90도 돌아간 C전용 직렬 패턴에서 주기:1.65um. 굳이 직렬로 C를 만들 이유는 내전압 때문이다. (칩 위아래로만 초전이 발생되므로 길게 연결된 패턴 때문에)
- 주파수 파형
- 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
- 주파수 파형
897.5MHz
- 다이 내부
트위저로 금속 뚜껑을 누르면서 작업했는데 다이가 깨져 있다. 리드와 다이 뒷면이 붙어 있지 않다.
풀칠
풀칠 수
다이 분리
다이
Rx 다이, 주기: 4.12um 942.5MHz 3880m/sec
Tx 다이, 주기: 4.28um 897.5MHz 3840m/sec
- 주파수 파형
- 7E4, LTE Band5
- 주파수 파형
836.5MHz
- 다이 내부
다이 뒷면 밝기가 달리 보인다.
다이를 작게 할 수 없어, 벽이 얇아졌다.
기판 전극표면이 비교적 평탄하다.
본딩이 쉽게 떨어진다.(그렇게 플립본딩한 듯)
Rx 881.5MHz, 주기: 4.46um (쏘속도 3930m/sec)
Tx 836.5MHz, 어느 전극에서, 윗쪽 주기 4.60um, 아래쪽 주기 4.58um (쏘속도 3850m/sec)
- 주파수 파형
- 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
- Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
- 외관
- 패키징
패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm 여유 0.33mm 및 0.31mm
- 다이
EK18
주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)
- 외관
- Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 듀플렉서
- 외관
- 유기물 PCB
PCB 내부에 L을 많이 넣었다. 그래야 2GHz Duplexer가 된다.
WLP에 구리 기둥이 있다. EMC 수지 색상이 지금까지 분석했던 것과 다르다.
PCB 내부에 C도 넣었다. 내부에 L과 C가 많아 비아홀도 많다.
- 다이 분리
- 두 다이
- 빈공간을 유지하는, 벽과 지붕
- 본딩 패드와 검사용 패드
인접한 다이와 연결된 패턴이 있다.
용도가 다른 패드. 사각형 바늘
- 발연질산에 넣어서
왼쪽 Rx 다이, 오른쪽 Tx 다이(주파수가 낮다.)
Rx 다이 (11개 공진기에 색상은 5가지)
Tx 다이
에폭시 PR이 잘 붙은 물질(산화물, 금속)이 있다. 접착력이 낮은 표면에서는 홈을 파서 전단 접착력을 향상시킨 것으로 추측된다.
Si-유전체-금속-압전체-금속-유전체 구조
- 외관
- 전체
- Mediatek MT6176V transceiver RF IC
- 위 모서리에 리모트콘트롤용 IR통신용 LED (앞에 검정 플라스틱 창이 있다.)
수분이 침투한 듯
- 전면 상단에 3색 LED-모듈
3색 LED
- 진동모터
진동모터 고정방법 및 (매우싼) 나사
소형 진동모터. 너무 소형이어서 진동량이 매우 작아 문제이다.
- 플라스틱 보호 커버(뭔가 누르기 위해 존재?)
- 카드접점
매우 얇은 금도금
- 리시버 스피커
AAC 회사 제품인 듯
- 디스플레이 파트
- 강화유리(+LCD)와 anodized aluminum mid-frame과 분리
(아랫쪽) anodized aluminum mid-frame, (윗쪽) LCD 패널 접착은 가장자리 테두리로 양면접착제
(왼쪽) LCD 패널, (오른쪽) anodized aluminum mid-frame
- anodized aluminum mid-frame에서 방열용 검정색 테이프 필름 두 가지
LCD패널 뒷면에 접촉하는 anodized aluminum mid-frame에서 검정색 테이프
anodized aluminum mid-frame에서 검정색 테이프를 뜯으면
유기물 테이프이다.
메인 PCB가 접촉하고 있는 영역에만 붙어 있는 graphite sheet
메인 PCB가 접촉하고 있는 영역에만 붙어 있는 graphite sheet
anodized aluminum mid-frame에서 산화피막을 레이저로 벗긴 부분
- anodized aluminum 금속 mid-frame과 플라스틱 동시 사출 구조
20170628, X1602-V.3 JYH M3-1
- 강화유리와 능동LCD 패널 뜯기, 강화유리만 깨끗하게 뜯어내는 것에 실패
뜨거운 물을 부으면, LCD 두 유리창 접착제를 뜯어낼 수 있지만, 한 쪽 유리판이 깨진다.
터치 패널용 그리드영역 감지를 위한 X, Y 전선 및 매우 긴 DDI(1080x1920 pixels)
- LCD용 LED-SMD 백라이트
LCD 백라이트용, 12개 LED, 6S2P
- 강화유리(+LCD)와 anodized aluminum mid-frame과 분리
- 파우치 2차-리튬 배터리
- 세트에서
큰 전류를 위한 배터리 연결 커넥터
배터리 부착은 풀칠로
- 외관
15.5Wh, 3.85V, 436678 크기, 풀칠 영역 경계선 표시
모델: BN41, 최고충전전압 4.4V 공칭전압 3.85V 4000mAh, 제조회사: Sunwoda Electronic Co., Ltd. 제조일: 2017년 8월 2일
- 배터리 보호 회로
FET 스위치, 뒷면은 비교적 두꺼운 금속 코팅 및 딱딱한 투명 수지로 도포함.(열방출 및 강도향상)
전류감지용 저저항, FET 스위치, P-PTC 퓨즈
- 양면 F-PCB와 더미 Rigid-PCB 접합한 유기물기판 (휨강도와 FET스위치 열방출?)
- 전류검출용R 저저항
그라인딩으로 저항값 트리밍
- FET 스위치,
- P-PTC, 고전류를 위해 두 개 병렬로 쌓아 만들었다.
- 세트에서
