32일, 18시간, 56분 - Togotech

"Flash"의 두 판 사이의 차이
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Flash Memory
 
Flash Memory
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<li>링크
 
 
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<li> [[전자부품]]
 
<li> [[전자부품]]
 
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<li> [[메모리]]
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<li> [[ROM]]
 
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<li> [[ROM]]
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<li> [[Flash]] - 이 페이지
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<li> [[Flash Memory]] - 이 페이지
 
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<li> [[Flash Memory]], [[Flash]] - 이 페이지
+
<li> [[UFS(유니버설 플래시 스토리지)]]
 
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 +
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<li>참고
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<li>[[Flash]] 대신에 [[NV-SRAM]]을 사용하는 이유
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<li>참고
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<ol>
 +
<li> [[메모리카드]]
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<li>특히, e [[MMC(멀티미디어카드)]]
 
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<li>기술
 
<li>기술
 
<ol>
 
<ol>
 +
<li>또다른 용어: FROM, flash ROM
 +
<ol>
 +
<li> [[ML-7110B, 파드(pod)]] 에서
 +
<gallery>
 +
image:ml7110b_pod_015.jpg | FROM = [[Flash Memory]] Fujitsu 29LV160TE, Hyundai GM71VS18163CLT6 16Mbit [[DRAM]]
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>TDK, 메모리콘트롤러 카탈로그  
 
<li>TDK, 메모리콘트롤러 카탈로그  
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>P/E cycle = program/erase cycle, 수명
 
<li>P/E cycle = program/erase cycle, 수명
 
</ol>
 
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>추정
 +
<ol>
 +
<li> [[토너 카트리지]]에서 정품인증용 회로보드에서
 +
<gallery>
 +
image:ml_2165w01_002.jpg | 외부와 단자 4개로 연결된다.
 +
image:mlt_d101s_005.jpg | 콘트롤러와 serial [[Flash]](?)
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>Foresee, Flash Drive
 
<li>Foresee, Flash Drive
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<li>AMD
 
<li>AMD
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
+
<li> [[Agilent 1260 LC 액체 크로마토그래피]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:agilent1260lc02_022.jpg | Flash Memory
+
image:agilent1260lc02_022.jpg | [[Flash Memory]]
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li> [[Palm Vx]] PDA에서
 
<li> [[Palm Vx]] PDA에서
44번째 줄: 68번째 줄:
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:palm_m500_007.jpg | AM29LV320DB 32Mbit [[Flash]]
 
image:palm_m500_007.jpg | AM29LV320DB 32Mbit [[Flash]]
 +
</gallery>
 +
<li> [[PCMCIA WiFi 카드]]
 +
<gallery>
 +
image:wlan_pcmcia02_005.jpg | SST 39VF010 1Mb [[Flash Memory]], 길이가 더 긴 AMD AM29LV010B [[Flash Memory]]도 탑재가능하도록 납땜 패드 형성
 
</gallery>
 
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</ol>
 
</ol>
 
<li>ATMEL
 
<li>ATMEL
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
+
<li> [[UTHE 10H 초음파발생기]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:uthe10h01_009.jpg | AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
+
image:uthe10h01_009.jpg | Atmel AT29C256 32KB [[Flash]], NXP 8-bit P80C32SBAA [[MCU]]는 80C51 [[인텔 MCU]] 코어를 사용한다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>[[PTC-200]] 펠티어 오븐, CPU 보드에서
+
</ol>
 +
<li>cFeon
 +
<ol>
 +
<li> [[인포콤 LHP-1103 RF하이패스 단말기]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:ptc200_083_001.jpg | AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256  parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
+
image:hipass_rf02_015.jpg | ZemiVox ZM50E80-00SB, Voice Synthesis [[오디오 IC]], cFeon F80-100HCP 8-Mbit Serial [[Flash Memory]]
 +
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 +
<li>2010년 4월 제조된, 집 주방용 [[코스텔 비디오폰 CVK-106AX]]
 +
<gallery>
 +
image:tv_phone01_005.jpg | cFeon EN29LV320BB [[Flash Memory]], Zentel A3S56D40ETP DDR [[DRAM]]
 +
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 +
<li> [[LightON HBAP-54G AP]]
 +
<ol>
 +
<li>cFeon F32-100HIP 32Mb Serial-[[Flash Memory]], IC Plus IP101A LF [[LAN IC]], Atheros AR2317-AC1A [[WiFi칩]], ISSI IS42S16800E-7TL 128Mb [[DRAM]]
 +
<gallery>
 +
image:in_wall_poe_ap01_016.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>Chingis Technology
 +
<ol>
 +
<li>2013년 11월 출시 [[Gigabyte P34 노트북]] , [[노트북용 이미지센서]]
 +
<gallery>
 +
image:gigabyte_p34_144.jpg | Taiwan, Chingis Technology, Pm25LD512, Serial [[Flash]], 512 Kbit
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Excel Semiconductor inc.(ESI) 한국 성남시
 +
<ol>
 +
<li> [[만도 KMD-100 RF하이패스 단말기]]
 +
<gallery>
 +
image:hipass_rf01_037.jpg
 +
image:hipass_rf01_038.jpg | ES29LV320ET, 8Mbit [[Flash]]
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>GigaDevice
 +
<ol>
 +
<li>2016.02 출시 삼성 [[갤럭시 S7용 이미지센서모듈]]
 +
<gallery>
 +
image:gs7_02_005.jpg | GigaDevice 25LQ32 serial [[Flash Memory]]
 +
</gallery>
 +
<li>2018.06 출시한 샤오미 [[미밴드3]]
 +
<gallery>
 +
image:mi_band3_007.jpg | 25LQ32, 32Mbit Serial
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>Hynix
 
<li>Hynix
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> Apple [[iPhone 5S]], SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
+
<li>SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND [[Flash Memory]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>외관
+
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰에서
 +
<ol>
 +
<li>외관, SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND [[Flash Memory]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iphone5s01_160.jpg | 17.0x12.0mm SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
+
image:iphone5s01_160.jpg | 17.0x12.0mm
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>뜯어내어
+
<li>디솔더링한 후
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iphone5s01_160_002.jpg
+
image:iphone5s01_160_002.jpg | [[인터포저]] BGA면
−
image:iphone5s01_160_001.jpg | 솔더링면
+
image:iphone5s01_160_001.jpg | [[인터포저]] 솔더링 패드
−
image:iphone5s01_160_003.jpg | 측면 - 전기[[도금]]을 위한 동박연결
+
image:iphone5s01_160_003.jpg | [[타이바]]
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
+
<li> [[발연질산]]에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_160_004.jpg | 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층
 
image:iphone5s01_160_004.jpg | 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층
 
image:iphone5s01_160_005.jpg | 맨 밑 콘트롤러 IC 및 3 방향에 더미 실리콘다이
 
image:iphone5s01_160_005.jpg | 맨 밑 콘트롤러 IC 및 3 방향에 더미 실리콘다이
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 
</ol>
 
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</ol>
82번째 줄: 153번째 줄:
 
<li> [[Palm TX]] PDA에서
 
<li> [[Palm TX]] PDA에서
 
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<gallery>
−
image:palm_tx_013.jpg | Samsung K9F1G08U0A NAND [[Flash]] 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit [[Flash]], Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile [[DRAM]](=low-power SDRAM)
+
image:palm_tx_013.jpg | Samsung K9F1G08U0A NAND [[Flash]] 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit [[Flash]], Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile [[DRAM]](=low-power[[SDRAM]])
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li> [[Tektronix TDS540]] 오실로스코프, A13 firmface board에서
 
<li> [[Tektronix TDS540]] 오실로스코프, A13 firmface board에서
92번째 줄: 163번째 줄:
 
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</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li> [[E1421B VXI 메인프레임]]에 꼽혀 사용되는 command module(Agilent E1406A)
 +
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 +
image:e1406a01_004.jpg | [[Flash]] M28F001 1Mbit, HM628128B 1Mbit [[SRAM]], 78C313K Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>Macronix(MX)
 
<li>Macronix(MX)
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<li> [[Palm m100]] PDA에서
 
<li> [[Palm m100]] PDA에서
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:palm_m100_006.jpg | MX(Macronix) C003304 742-2123 B0C8 1C0544A1 [[Flash Memory]], OKI M51V18165 16Mbit DRAM,  ETC CHB-03F [[전자석버저]]
+
image:palm_m100_006.jpg | MX(Macronix) C003304 742-2123 B0C8 1C0544A1 [[Flash Memory]], OKI M51V18165 16Mbit [[DRAM]],  ETC CHB-03F [[전자석버저]]
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li> [[PalmOne Zire72]] PDA에서
 
<li> [[PalmOne Zire72]] PDA에서
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:palm_zire72_012.jpg | MX05-081760011PA
 
image:palm_zire72_012.jpg | MX05-081760011PA
 +
</gallery>
 +
<li> [[IT Telecom ITT-RSE2F 하이패스 노변장치]]
 +
<gallery>
 +
image:dsrc_rse02_015.jpg | IDT 70V25, 8Kx16 [[SRAM]], 7416244 16-bit buffers, MX29LV640 Macronix 64Mbit [[Flash]]
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>Microchip
 
<li>Microchip
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373 노트북에서
+
<li>2003년 03월 출시 [[LG IBM T40 노트북]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:ibm_t40_108.jpg | SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
 
image:ibm_t40_108.jpg | SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
113번째 줄: 192번째 줄:
 
<li>Micron
 
<li>Micron
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>SSD에서
+
<li> [[SSD]]에서
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:ssd02_004.jpg | TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
+
image:ssd02_004.jpg | TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND [[Flash Memory]], 32GB
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
 
<li>3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:3g_module01_014.jpg | 맨 아래, IBA98 마킹 칩
 
image:3g_module01_014.jpg | 맨 아래, IBA98 마킹 칩
−
image:flash02_001.jpg | 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정
+
image:flash02_001.jpg | 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 [[DRAM]]으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정
 
image:flash02_002.jpg | 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.
 
image:flash02_002.jpg | 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.
 
image:flash02_003.jpg
 
image:flash02_003.jpg
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<li>Samsung, SEC, 삼성전자
 
<li>Samsung, SEC, 삼성전자
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
+
<li>2011.02 출시 [[삼성 ES75 디지털 콤팩트카메라]] , K9F5608U0D-J, 32MByte
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:es75_006.jpg
+
image:es75_006.jpg | [[단추형 리튬 이차전지]] 추정
 
image:es75_011.jpg
 
image:es75_011.jpg
−
image:es75_012.jpg | PCB 전기도금
+
image:es75_012.jpg | [[타이바]]
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li> [[Palm TX]] PDA에서
 
<li> [[Palm TX]] PDA에서
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:palm_tx_013.jpg | Samsung K9F1G08U0A NAND [[Flash]] 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit [[Flash]], Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile [[DRAM]](=low-power SDRAM)
+
image:palm_tx_013.jpg | Samsung K9F1G08U0A NAND [[Flash]] 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit [[Flash]], Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile [[DRAM]](=low-power[[SDRAM]])
 +
</gallery>
 +
<li> [[아이트로닉스 ITE-1000 내비게이션]]에서
 +
<ol>
 +
<li>삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND [[Flash Memory]] - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
 +
<ol>
 +
<li>질산에 한 번
 +
<gallery>
 +
image:ite1000_01_078_011.jpg
 +
image:ite1000_01_078_012.jpg | [[EMC]] 와 [[와이어본딩]]
 +
</gallery>
 +
<li>질산에 더(두번째)
 +
<gallery>
 +
image:ite1000_01_078_013.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>질산에 더(세번째)
 +
<gallery>
 +
image:ite1000_01_078_014.jpg | 6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄
 +
image:ite1000_01_078_015.jpg | 64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.
 +
image:ite1000_01_078_016.jpg
 +
image:ite1000_01_078_017.jpg | 2006 SAMSUNG K9F1208R0C
 +
image:ite1000_01_078_018.jpg | 삼성 [[IC 표식]] 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2012.09 출시 삼성 [[갤럭시 노트2]] 스마트폰
 +
<gallery>
 +
image:shv_e250s01_028_001_001.jpg
 +
image:shv_e250s01_028_001_002.jpg | [[다이본딩]]으로 다이 8개를 쌓았고, [[Au 볼 와이어본딩]]으로 연속 연결하였다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
144번째 줄: 251번째 줄:
 
<li>SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
 
<li>SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
+
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
153번째 줄: 260번째 줄:
 
<li>다이 4개 적층 + 메모리 콘트롤러
 
<li>다이 4개 적층 + 메모리 콘트롤러
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_112.jpg | 128Gb x 4 = 64GB NAND flash
+
image:redmi_note4x_112.jpg | 128Gb x 4 = 64GB NAND [[Flash Memory]]
−
image:redmi_note4x_113.jpg | flash memory controller
+
image:redmi_note4x_113.jpg | [[Flash Memory]] controller
 
image:redmi_note4x_114.jpg | 다이접착용 필름 두 개가 보인다.
 
image:redmi_note4x_114.jpg | 다이접착용 필름 두 개가 보인다.
 
image:redmi_note4x_115.jpg
 
image:redmi_note4x_115.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>적층다이를 와이어본딩으로 연결
+
<li>적층다이를 [[Au 볼 와이어본딩]]으로 연결
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_116.jpg | wire bonded multi-stack die
 
image:redmi_note4x_116.jpg | wire bonded multi-stack die
 
image:redmi_note4x_117.jpg | Stand-off Stitch Bonding
 
image:redmi_note4x_117.jpg | Stand-off Stitch Bonding
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>다이 표면
+
<li> [[와이어본딩 패드]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_118.jpg | 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 정전기 방지용(?) R패턴(?)
+
image:redmi_note4x_118.jpg | 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 [[ESD 손상]]을 막기 위한 [[TVS다이오드]] 패턴(?)
 
image:redmi_note4x_119.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.
 
image:redmi_note4x_119.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.
 
image:redmi_note4x_120.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND
 
image:redmi_note4x_120.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND
171번째 줄: 278번째 줄:
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>Sharp
 +
<ol>
 +
<li>1998 Motorola [[StarTAC]] AMPS 휴대폰 보드에서
 +
<gallery>
 +
image:startac01_012.jpg | Motorola SC431037CVH // ATMEL 25128T2 // Sharp F800BGHB [[Flash]]
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>Spansion
 
<li>Spansion
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> , 프린터용 [[LAN카드]], HP Jetdirect 620n(J7934g)에서
+
<li> [[HP Jetdirect 620n, 프린터용 LAN카드]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:print_card01_001.jpg
 
image:print_card01_001.jpg
 
image:print_card01_002.jpg | Qimonda [[DRAM]], Spansion [[Flash]]
 
image:print_card01_002.jpg | Qimonda [[DRAM]], Spansion [[Flash]]
 +
</gallery>
 +
<li> [[HFR HT4008T 네트워크 스위치]]
 +
<gallery>
 +
image:ht4008t_014.jpg | SEC 512Mb [[DRAM]] 2개, Spansion [[Flash Memory]]
 +
</gallery>
 +
<li> [[Agilent 34410A DMM]]
 +
<gallery>
 +
image:34410a01_012.jpg | Spansion S2-series [[Flash Memory]], CY7C68001 USB drive
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
185번째 줄: 307번째 줄:
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:lan_card07_001.jpg | 39VF512, 64kB
 
image:lan_card07_001.jpg | 39VF512, 64kB
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<li> [[PCMCIA WiFi 카드]]
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image:wlan_pcmcia02_005.jpg | SST 39VF010 1Mb [[Flash Memory]], 길이가 더 긴 AMD AM29LV010B [[Flash Memory]]도 탑재가능하도록 납땜 패드 형성
 
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<li>STM
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<li>STM, STMicroelectronics
 
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<li>Fujitsu Notebook E8410 노트북에서
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<li>2007년 07월 출시 [[Fujitsu E8410 노트북]]
 
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image:fujitsue8410_064.jpg | SPI Flash 메모리
 
image:fujitsue8410_064.jpg | SPI Flash 메모리
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<li> [[MJ Research PTC-200 펠티어 오븐]], CPU 보드에서
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image:ptc200_083_001.jpg | ATMEL AT27C512R one-time [[PROM]] 512kb, ATMEL AT28HC256 [[EEPROM]] 256kb, STMicroelectronics M29F040B 4Mb [[Flash]]
 
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<li>Toshiba, 도시바
 
<li>Toshiba, 도시바
 
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<li>1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
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<li>1Gbit - [[삼성 SL-C460W 컬러레이저 복합기]]
 
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image:slc460w_07_012.jpg | 1Gbit Flash(128MB)
 
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image:flash01_003.jpg | 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
 
image:flash01_003.jpg | 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
 
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image:flash01_005.jpg | NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
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image:flash01_006.jpg | 본딩패드 밑에도 회로
 
image:flash01_006.jpg | 본딩패드 밑에도 회로
 
image:flash01_007.jpg | 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
 
image:flash01_007.jpg | 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
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image:a710s01_025.jpg | 두 다이를 쌓았다.
 
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<li>Winbond
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<li> [[Pegatron IPM41-D3, Micro-ATX 마더보드]]
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image:pentiume6700_01_008.jpg | 직렬 [[Flash Memory]]
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<li>1996년 제조 [[LG 센세이션 GA53P 데스크탑 PC]]에서
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<ol>
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<li>배터리 옆 BIOS [[Flash Memory]]를 뜯어내면
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image:lg_ga53p_016.jpg | [[배터리누액]]으로 부식되어 IC 소켓 핀이 부러짐
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image:lg_ga53p_017.jpg | Winbond W29EE011-15, 128kbyte [[Flash Memory]]
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<li>2016.02 출시 삼성 [[갤럭시 S7용 이미지센서모듈]]
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image:gs7_1_025.jpg
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image:gs7_1_027.jpg | winbond Q32FWXGIG serial [[Flash Memory]]
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<li> [[만도 KMD-100 RF하이패스 단말기]]
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<ol>
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<li>LM4871 [[오디오앰프IC]], UDA1330ATS stereo filter [[DAC]], Winbond 25X16VS1G 16Mbit Serial [[Flash Memory]]
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image:hipass_rf01_013.jpg
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2025년 3월 12일 (수) 09:31 기준 최신판

Flash Memory

  1. 전자부품
    1. ROM
      1. Flash - 이 페이지
      2. Flash Memory - 이 페이지
        1. UFS(유니버설 플래시 스토리지)
    2. 참고
      1. Flash 대신에 NV-SRAM을 사용하는 이유
    3. 참고
      1. 메모리카드
        1. 특히, e MMC(멀티미디어카드)
  2. Flash Memory
    1. 기술
      1. 또다른 용어: FROM, flash ROM
        1. ML-7110B, 파드(pod) 에서
      2. TDK, 메모리콘트롤러 카탈로그
        1. P/E cycle = program/erase cycle, 수명
    2. 추정
      1. 토너 카트리지에서 정품인증용 회로보드에서

        • 외부와 단자 4개로 연결된다.

        • 콘트롤러와 serial Flash(?)

    3. Foresee, Flash Drive
      1. YF-006G 안드로이드 태블릿에서

        • Foresee NCEMAHBD-08G, 32GB로 추정

        • 두꺼운(이 높은 공간에 콘트롤러 다이를 다이본딩+와이어본딩) 작은 flash 다이위에 얇은 큰 falsh 다이를 올림

    4. AMD
      1. Agilent 1260 LC 액체 크로마토그래피
      2. Palm Vx PDA에서
      3. Palm m500 PDA에서

        • AM29LV320DB 32Mbit Flash

      4. PCMCIA WiFi 카드

        • SST 39VF010 1Mb Flash Memory, 길이가 더 긴 AMD AM29LV010B Flash Memory도 탑재가능하도록 납땜 패드 형성

    5. ATMEL
      1. UTHE 10H 초음파발생기

        • Atmel AT29C256 32KB Flash, NXP 8-bit P80C32SBAA MCU는 80C51 인텔 MCU 코어를 사용한다.

    6. cFeon
      1. 인포콤 LHP-1103 RF하이패스 단말기
      2. 2010년 4월 제조된, 집 주방용 코스텔 비디오폰 CVK-106AX
      3. LightON HBAP-54G AP
        1. cFeon F32-100HIP 32Mb Serial-Flash Memory, IC Plus IP101A LF LAN IC, Atheros AR2317-AC1A WiFi칩, ISSI IS42S16800E-7TL 128Mb DRAM
          • in wall poe ap01 016.jpg
    7. Chingis Technology
      1. 2013년 11월 출시 Gigabyte P34 노트북 , 노트북용 이미지센서

        • Taiwan, Chingis Technology, Pm25LD512, Serial Flash, 512 Kbit

    8. Excel Semiconductor inc.(ESI) 한국 성남시
      1. 만도 KMD-100 RF하이패스 단말기
        • hipass rf01 037.jpg

        • ES29LV320ET, 8Mbit Flash

    9. GigaDevice
      1. 2016.02 출시 삼성 갤럭시 S7용 이미지센서모듈
      2. 2018.06 출시한 샤오미 미밴드3

        • 25LQ32, 32Mbit Serial

    10. Hynix
      1. SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash Memory
        1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
          1. 외관, SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash Memory

            • 17.0x12.0mm

          2. 디솔더링한 후
          3. 발연질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐

            • 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층

            • 맨 밑 콘트롤러 IC 및 3 방향에 더미 실리콘다이

    11. Intel
      1. Palm TX PDA에서

        • Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-powerSDRAM)

      2. Tektronix TDS540 오실로스코프, A13 firmface board에서
        1. 외관, 펌웨어를 보관하는 메모리보드
          • tds540 09 001.jpg

          • intel N28F010-200 1024kbit NOR Flash, 12V, 10만회

      3. E1421B VXI 메인프레임에 꼽혀 사용되는 command module(Agilent E1406A)

        • Flash M28F001 1Mbit, HM628128B 1Mbit SRAM, 78C313K Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs

    12. Macronix(MX)
      1. Palm m100 PDA에서
      2. PalmOne Zire72 PDA에서

        • MX05-081760011PA

      3. IT Telecom ITT-RSE2F 하이패스 노변장치

        • IDT 70V25, 8Kx16 SRAM, 7416244 16-bit buffers, MX29LV640 Macronix 64Mbit Flash

    13. Microchip
      1. 2003년 03월 출시 LG IBM T40 노트북

        • SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application

    14. Micron
      1. SSD에서
      2. 3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서

        • 맨 아래, IBA98 마킹 칩

        • 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정

        • 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.

        • flash02 003.jpg

        • 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.

        • MICRON 글씨 높이가 5um

    15. Samsung, SEC, 삼성전자
      1. 2011.02 출시 삼성 ES75 디지털 콤팩트카메라 , K9F5608U0D-J, 32MByte
      2. Palm TX PDA에서

        • Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-powerSDRAM)

      3. 아이트로닉스 ITE-1000 내비게이션에서
        1. 삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND Flash Memory - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
          1. 질산에 한 번
          2. 질산에 더(두번째)
            • ite1000 01 078 013.jpg
          3. 질산에 더(세번째)

            • 6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄

            • 64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.

            • ite1000 01 078 016.jpg

            • 2006 SAMSUNG K9F1208R0C

            • 삼성 IC 표식 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um

      4. 2012.09 출시 삼성 갤럭시 노트2 스마트폰
    16. Sandisk
      1. SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
        1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
          1. 외관
            • redmi note4x 110.jpg
            • redmi note4x 111.jpg
          2. 다이 4개 적층 + 메모리 콘트롤러
          3. 적층다이를 Au 볼 와이어본딩으로 연결

            • wire bonded multi-stack die

            • Stand-off Stitch Bonding

          4. 와이어본딩 패드

            • 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 ESD 손상을 막기 위한 TVS다이오드 패턴(?)

            • SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.

            • SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND

    17. Sharp
      1. 1998 Motorola StarTAC AMPS 휴대폰 보드에서

        • Motorola SC431037CVH // ATMEL 25128T2 // Sharp F800BGHB Flash

    18. Spansion
      1. HP Jetdirect 620n, 프린터용 LAN카드
      2. HFR HT4008T 네트워크 스위치
      3. Agilent 34410A DMM
    19. SST(Silicon Storage Technology)
      1. LAN카드 3C905CX-TX-M, PCI Lan Card에서

        • 39VF512, 64kB

      2. PCMCIA WiFi 카드

        • SST 39VF010 1Mb Flash Memory, 길이가 더 긴 AMD AM29LV010B Flash Memory도 탑재가능하도록 납땜 패드 형성

    20. STM, STMicroelectronics
      1. 2007년 07월 출시 Fujitsu E8410 노트북

        • SPI Flash 메모리

      2. MJ Research PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서

        • ATMEL AT27C512R one-time PROM 512kb, ATMEL AT28HC256 EEPROM 256kb, STMicroelectronics M29F040B 4Mb Flash

    21. Toshiba, 도시바
      1. 1Gbit - 삼성 SL-C460W 컬러레이저 복합기

        • 1Gbit Flash(128MB)

        • TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.

        • flash01 002.jpg

        • 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor

        • flash01 004.jpg

        • NAND Flash Memory EEPROM으로 적혀있음

        • 본딩패드 밑에도 회로

        • 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함

        • 3차원 배선

        • inter-digital capacitor

      2. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S에서

        • 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB RAM, 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB

        • 메모리 밑면에 형성된 솔더볼

        • 태우면. 좌상단에 별도 콘트롤러 IC가 보인다.

        • 두 다이를 쌓았다.

    22. Winbond
      1. Pegatron IPM41-D3, Micro-ATX 마더보드
      2. 1996년 제조 LG 센세이션 GA53P 데스크탑 PC에서
        1. 배터리 옆 BIOS Flash Memory를 뜯어내면
      3. 2016.02 출시 삼성 갤럭시 S7용 이미지센서모듈
      4. 만도 KMD-100 RF하이패스 단말기
        1. LM4871 오디오앰프IC, UDA1330ATS stereo filter DAC, Winbond 25X16VS1G 16Mbit Serial Flash Memory
          • hipass rf01 013.jpg
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