1년, 334일, 10시간, 28분 - Togotech

"IM-U110"의 두 판 사이의 차이

(새 문서: 팬택 주크박스, IM-U110 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li>IT 기기 <ol> <li> 핸드폰 <ol> <li>2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰 - 이 페이...)
 
잔글
30번째 줄: 30번째 줄:
 
<li>인증번호: SKY-IM-U110
 
<li>인증번호: SKY-IM-U110
 
<li>제조년월일: 2006.02.24
 
<li>제조년월일: 2006.02.24
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>배터리 팩
 +
<ol>
 +
<li>외형
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_002.jpg | BAT-3200M 표준형 배터리 팩, cell made in Japan
 +
</gallery>
 +
<li> [[NFC]] 안테나 및 [[페라이트 시트]]
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_002_001.jpg | NFC 안테나가 배터리 뒷면 플라스틱에 붙어 있어, 분해 도중에 페라이트 시트 중간층이 찢어졌다.
 +
image:im_u110_002_002.jpg | 시트 중간층이 찢어졌다.
 +
image:im_u110_002_004.jpg | [[NFC]] 안테나 패턴, NT 로고, B25S MIDDLE, Ver.1.6A
 +
</gallery>
 +
<li> [[금속각형 2차-리튬]] 배터리
 +
<ol>
 +
<li>특징
 +
<ol>
 +
<li>압력이 높아지면 찢어지는 [[배출구]]가 오른쪽에 있다.
 +
<li> [[레이저 용접]]으로 깡통을 밀봉했다.
 +
<li>낮은 저항을 위해 넓은 면적을 갖는 [[P-PTC]]를 보호회로로 사용했다.
 +
</ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_002_003.jpg
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
151번째 줄: 177번째 줄:
 
<li>앞면
 
<li>앞면
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Qualcomm RFT6120, 19.20MHz VCTCXO,
+
<li>두 개 사용된, [[세라믹 패키지 수정 발진기]], 3.2x2.5mm, CYPRESS 회사, 2003년 7C80383A Osc IC 다이를 사용함.
 +
<ol>
 +
<li>27.00MHz, 뒷면, Renesas 8J73382ABG NJ36117 옆에서
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_019_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>19.20MHz
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_042_001.jpg | 은전극 블랭크
 +
image:im_u110_042_002.jpg
 +
image:im_u110_042_003.jpg | Cypress 7C80383A
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Qualcomm RFT6120
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:im_u110_014.jpg
 
image:im_u110_014.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>Tx SAW 필터 2.0x1.6mm, Fujitsu FAR-F5EA-836M50-D27A
+
<li> [[VCTCXO]], 3.2x2.5mm
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_014.jpg | 오른쪽 상단, 19.20E D601 마킹
 +
image:im_u110_014_001_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>뜯어서, 내부
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_014_001_002.jpg | 밑면. 납땜안된 4단자는 프로그래밍용 단자
 +
image:im_u110_014_001_003.jpg | Au stud  [[플립본딩]]된 IC
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[SAW-핸드폰RF]] Tx, 2.0x1.6mm, Fujitsu FAR-F5EA-836M50-D27A
 +
<ol>
 +
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:im_u110_015.jpg | 7A
 
image:im_u110_015.jpg | 7A
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>PAM, CDMA/AMPS(824~849MHz) 4x4mm
+
<li>패키징
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_021_002.jpg | [[HTCC 시트]] 상태에서 AuSn[[솔더]]를 전체에 바른 리드를 눌러 납땜했다.
 +
</gallery>
 +
<li>다이
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_021_003.jpg | R0502-8, (색깔이 진한)보호막이 있다.
 +
image:im_u110_021_004.jpg | 다이를 뒷면에서 불에 빨갛게 가열한 후
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[PAM]], CDMA/AMPS(824~849MHz) 4x4mm
 +
<ol>
 +
<li>Agilent WS1111 (Wavics; 웨이브아이씨스 회사 다이)
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:im_u110_016.jpg | Agilent WS1111, 05년 38주차
 
image:im_u110_016.jpg | Agilent WS1111, 05년 38주차
 +
image:im_u110_016_001.jpg | Wavics D-R1D
 +
image:im_u110_016_002.jpg | Wavics
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>커플러
+
</ol>
 +
<li> [[커플러]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:im_u110_017.jpg
+
image:im_u110_017.jpg | [[PAM]]과 [[SAW-핸드폰DPX]] 사이에 있다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>DPX, 3.8x3.8mm, Fujitsu
+
<li> [[SAW-핸드폰DPX]], 3.8x3.8mm, Fujitsu
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
 
<li>외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:im_u110_018.jpg
 
image:im_u110_018.jpg
−
image:im_u110_018_001.jpg | LTCC
+
image:im_u110_018_001.jpg | [[LTCC 제품]] 패키지 위에 가장자리에만 AuSn[[솔더]]가 발라진 평탄한 뚜껑(lid)를 눌러서 납땜하였다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>AuSn 납땜된 뚜껑을 벗기면
+
<li>뚜껑(lid)을 벗기면
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:im_u110_018_002.jpg | 알루미늄 웨지 와이어본딩
+
image:im_u110_018_002.jpg | [[Al 웨지 와이어본딩]]
 
image:im_u110_018_003.jpg | 패키지 4코너에 접지용 비아가 있다.
 
image:im_u110_018_003.jpg | 패키지 4코너에 접지용 비아가 있다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>다이 관찰
 
<li>다이 관찰
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:im_u110_018_004.jpg | Tx 5본딩, Rx 10본딩
+
image:im_u110_018_004.jpg | Tx 다이에는 5개 본딩, Rx 다이는 10개 본딩
 
image:im_u110_018_005.jpg | 유기물 오염
 
image:im_u110_018_005.jpg | 유기물 오염
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>
+
<li> [[EMI]] 차폐를 강화시킨 밑면 [[접지]] 패턴
−
<ol>
+
<gallery>
−
</ol>
+
image:im_u110_018_006.jpg | ANT Tx Rx 단자 위치. 패키지 밑면 T자 접지에 납땜하지 않았다.
 +
image:im_u110_018_007.jpg | 갈아낸 후 전극 모양
 +
</gallery>
 +
<li>패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 [[SAW필터에서 초전성]] 때문에 쉽게 녹는다.
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_018_008.jpg
 +
image:im_u110_018_009.jpg
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>뒷면에 있는 Rx 파트
 
<li>뒷면에 있는 Rx 파트
 
<ol>
 
<ol>
 +
<li>전체
 +
<ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_019.jpg
 +
</gallery>
 
<li>IC
 
<li>IC
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Renesas 8J73382ABG NJ36117
+
<li>Renesas 8J73382ABG NJ36117, IC 다이가 2개로 stacking 본딩, Renesas 마킹을 확인함
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_019_004.jpg | 투명한 [[언더필]]
 +
</gallery>
 
<li>Qualcomm MSM6500  CDMA2000 1x EV-DO용 SoC
 
<li>Qualcomm MSM6500  CDMA2000 1x EV-DO용 SoC
 
<li>Samsung K9K8G08U0M 1GB NAND Flash
 
<li>Samsung K9K8G08U0M 1GB NAND Flash
 
<li>Samsung K5L568JBM [[MCP]] memory(256Mb NOR flash+128Mb UtRAM)
 
<li>Samsung K5L568JBM [[MCP]] memory(256Mb NOR flash+128Mb UtRAM)
 
<li>Qualcomm RFR6120 CDMA Rx RFIC
 
<li>Qualcomm RFR6120 CDMA Rx RFIC
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_020.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>전체
+
<li>세라믹 3층 구조 [[압전체 레조네이터]]
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_019_002_001.jpg
 +
image:im_u110_019_002_002.jpg | 흰색 뚜껑 밑에 빈 공간이 있다.
 +
</gallery>
 +
<li>32.768kHz [[Xtal세라믹]] 공진기
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:im_u110_019.jpg
+
image:im_u110_019_003_001.jpg
−
image:im_u110_020.jpg | Qualcomm RFR6120
+
image:im_u110_019_003_002.jpg | 알루미나 세라믹 리드
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>Rx SAW 필터 2.0x1.6mm Fujitsu FAR-F5EB-881M50-B28R(?)
+
<li> [[SAW-핸드폰RF]], Rx, 2.0x1.6mm Fujitsu FAR-F5EB-881M50-B28R(?)
 +
<ol>
 +
<li>외형
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:im_u110_021.jpg | 8R
 
image:im_u110_021.jpg | 8R
−
image:im_u110_021_001.jpg | 시트상태에서 리드융착하고 다이싱으로 잘랐다.
+
image:im_u110_021_001.jpg | [[HTCC 시트]] 상태에서 AuSn[[솔더]]가 발라진 리드를 눌러 납땜하고 [[다이싱]]으로 잘랐다.
−
image:im_u110_021_002.jpg | AuSn 리드
+
</gallery>
−
image:im_u110_021_003.jpg | R0502-8, (색깔이 진한)보호막이 있다.
+
<li>다이 패턴
−
image:im_u110_021_004.jpg | 다이를 뒷면에서 불에 빨갛게 가열한 후
+
<gallery>
 +
image:im_u110_015_001.jpg | P4012-01
 +
image:im_u110_015_002.jpg
 +
image:im_u110_015_003.jpg | 0.6um [[spark gap]], 주기 4.51um, f0=881.5MHz라면 쏘속도 3975m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>불에 빨갛게 달군 후
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_015_004.jpg
 +
image:im_u110_015_005.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>
 
−
<ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>
 
−
<ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>
 
−
<ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>
 
−
<ol>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2022년 12월 17일 (토) 00:08 판

팬택 주크박스, IM-U110

  1. 전자부품
    1. IT 기기
      1. 핸드폰
        1. 2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰 - 이 페이지
  2. 설명
    1. SKY Juke Box, IM-U110, 음악, 끝없이 이어지다.
    2. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EC%A3%BC%ED%81%AC%EB%B0%95%EC%8A%A4%ED%8F%B0
    3. 2.4Mbps CDMA1x EV-DO 통신
    4. 1GB flash, MP3 200여곡(4.5MB기준)
  3. 외관
    1. 사진

      • 플립타입폰, SKY june

      • JUKEBOX란 글씨가 보인다. 배터리 BAT-3200M 표준형 배터리 팩

    2. 라벨
      1. 항공기 기내, 병원에서는 전원을 꺼 주십시오.
      2. 인증번호: SKY-IM-U110
      3. 제조년월일: 2006.02.24
  4. 배터리 팩
    1. 외형

      • BAT-3200M 표준형 배터리 팩, cell made in Japan

    2. NFC 안테나 및 페라이트 시트

      • NFC 안테나가 배터리 뒷면 플라스틱에 붙어 있어, 분해 도중에 페라이트 시트 중간층이 찢어졌다.

      • 시트 중간층이 찢어졌다.

      • NFC 안테나 패턴, NT 로고, B25S MIDDLE, Ver.1.6A

    3. 금속각형 2차-리튬 배터리
      1. 특징
        1. 압력이 높아지면 찢어지는 배출구가 오른쪽에 있다.
        2. 레이저 용접으로 깡통을 밀봉했다.
        3. 낮은 저항을 위해 넓은 면적을 갖는 P-PTC를 보호회로로 사용했다.
      2. 사진
        • im u110 002 003.jpg
  5. 뒤면 커버를 열어 분해하면
    • im u110 003.jpg

    • 두께를 낮추기 위해 차폐 커버 케이스에 구멍을 뚫었다.

  6. 셀룰라 안테나. 상품설명에 인테나라고 함.
    • im u110 005.jpg

    • 836/881MHz용

  7. 핸드폰용 이미지센서 2.0Mpixel, AF
    1. 플래시LED

      • 딱딱한 수지 볼록광학렌즈를 올려놓고 풀칠했다.

      • blue LED가 3개가 독립적으로 켜진다.

    2. 판스프링 VCM AF이 있다.
    3. 판스프링 VCM AF 임피던스 특성 분석
      1. 임피던스 측정 엑셀파일
        • im u110 010 001.png
      2. 의견
        1. 매우 공진Q값이 크다. 이는 댐핑이 없다는 뜻이다.
  8. 3.5mm 이어폰 커넥터

    • 뒤쪽에 구멍이 뚫려 있다. 먼지가 축적되지 않는다. 그러나 본체 내부로 들어간다.

  9. 메인보드 위 아래에서 차폐함. 차폐 커버는 플라스틱에 실드 코팅

    • 앞에서 볼 때

    • 뒤에서 볼 때

  10. 앞면
    1. 전면 아래에 음악을 위한 3개 터치센서 버튼이 있다.
      • im u110 022.jpg
    2. 터치센서용 전극 주변에 형성한 가드링

      • 하양 페인트칠 밑에 3개 전극이 있다.

      • Guarding technique to remove stray capacitances

    3. 터치센서 IC
    4. 구조는 헤드폰용 스피커이다. , 스프링 접점
      • im u110 024.jpg
  11. 폴더용 회전 힌지를 통과하는 F-PCB

    • Rigid(2층 동박)+Flexible(5층동박) 결합 부위

  12. 바타입 ERM 진동모터용 비틀림 스프링 접점
    • im u110 026.jpg
  13. 폴더 닫힘 동작을 감지하는 홀스위치를 위한, 자석 고정 방법

    • 강력한 접착제 때문에 실드 코팅막이 벗겨졌다.

  14. 폴더 앞면 및 뒷면에 있는, 바로 붙어 있는 듀얼 핸드폰 LCD
    1. 2.0인치 QVGA TFT LCD
    2. DDI. 2022년에 볼 때, 이 때는 IC가 매우 크다.

      • 전면창 DDI

      • 뒤면 메인 LCD용 DDI 두 개

    3. 백라이트(BLU)
    4. BLU LED

      • F-PCB에 부품 마운팅

      • 에지타입 LED 3개 사용. MLCC가 붙어 있다.

    5. 이방성 도전 접착제

      • Hitachi 제조 LCD, 문제가 될 수 있는 기포가 많다.

      • 눌린 금속공 직경 ~6um

      • 이방성 도전 접착제 도포에 문제가 있어 기포가 많다.

    6. TEG
    7. LCD유리와 F-PCB를 서로 부착

      • 오른쪽 금색 + 표시가 F-PCB 동박으로 만든 정렬키

  15. RF 파트
    1. 앞면
      1. 두 개 사용된, 세라믹 패키지 수정 발진기, 3.2x2.5mm, CYPRESS 회사, 2003년 7C80383A Osc IC 다이를 사용함.
        1. 27.00MHz, 뒷면, Renesas 8J73382ABG NJ36117 옆에서
          • im u110 019 001.jpg
        2. 19.20MHz

          • 은전극 블랭크

          • im u110 042 002.jpg

          • Cypress 7C80383A

      2. Qualcomm RFT6120
        • im u110 014.jpg
      3. VCTCXO, 3.2x2.5mm
        1. 외관

          • 오른쪽 상단, 19.20E D601 마킹

          • im u110 014 001 001.jpg
        2. 뜯어서, 내부

          • 밑면. 납땜안된 4단자는 프로그래밍용 단자

          • Au stud 플립본딩된 IC

      4. SAW-핸드폰RF Tx, 2.0x1.6mm, Fujitsu FAR-F5EA-836M50-D27A
        1. 외관

          • 7A

        2. 패키징

          • HTCC 시트 상태에서 AuSn솔더를 전체에 바른 리드를 눌러 납땜했다.

        3. 다이

          • R0502-8, (색깔이 진한)보호막이 있다.

          • 다이를 뒷면에서 불에 빨갛게 가열한 후

      5. PAM, CDMA/AMPS(824~849MHz) 4x4mm
        1. Agilent WS1111 (Wavics; 웨이브아이씨스 회사 다이)

          • Agilent WS1111, 05년 38주차

          • Wavics D-R1D

          • Wavics

      6. 커플러
      7. SAW-핸드폰DPX, 3.8x3.8mm, Fujitsu
        1. 외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
          • im u110 018.jpg

          • LTCC 제품 패키지 위에 가장자리에만 AuSn솔더가 발라진 평탄한 뚜껑(lid)를 눌러서 납땜하였다.

        2. 뚜껑(lid)을 벗기면
        3. 다이 관찰

          • Tx 다이에는 5개 본딩, Rx 다이는 10개 본딩

          • 유기물 오염

        4. EMI 차폐를 강화시킨 밑면 접지 패턴

          • ANT Tx Rx 단자 위치. 패키지 밑면 T자 접지에 납땜하지 않았다.

          • 갈아낸 후 전극 모양

        5. 패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 SAW필터에서 초전성 때문에 쉽게 녹는다.
          • im u110 018 008.jpg
          • im u110 018 009.jpg
    2. 뒷면에 있는 Rx 파트
      1. 전체
        1. 사진
          • im u110 019.jpg
        2. IC
          1. Renesas 8J73382ABG NJ36117, IC 다이가 2개로 stacking 본딩, Renesas 마킹을 확인함
          2. Qualcomm MSM6500 CDMA2000 1x EV-DO용 SoC
          3. Samsung K9K8G08U0M 1GB NAND Flash
          4. Samsung K5L568JBM MCP memory(256Mb NOR flash+128Mb UtRAM)
          5. Qualcomm RFR6120 CDMA Rx RFIC
            • im u110 020.jpg
      2. 세라믹 3층 구조 압전체 레조네이터
        • im u110 019 002 001.jpg

        • 흰색 뚜껑 밑에 빈 공간이 있다.

      3. 32.768kHz Xtal세라믹 공진기
        • im u110 019 003 001.jpg

        • 알루미나 세라믹 리드

      4. SAW-핸드폰RF, Rx, 2.0x1.6mm Fujitsu FAR-F5EB-881M50-B28R(?)
        1. 외형
        2. 다이 패턴

          • P4012-01

          • im u110 015 002.jpg

          • 0.6um spark gap, 주기 4.51um, f0=881.5MHz라면 쏘속도 3975m/sec

        3. 불에 빨갛게 달군 후
          • im u110 015 004.jpg
          • im u110 015 005.jpg
원본 주소 "http://www.togotech.co.kr/index.php?title=IM-U110&oldid=63585"