1년, 334일, 9시간, 36분 - Togotech

"IM-U110"의 두 판 사이의 차이

(새 문서: 팬택 주크박스, IM-U110 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li>IT 기기 <ol> <li> 핸드폰 <ol> <li>2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰 - 이 페이...)
 
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<li>인증번호: SKY-IM-U110
 
<li>인증번호: SKY-IM-U110
 
<li>제조년월일: 2006.02.24
 
<li>제조년월일: 2006.02.24
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<li>배터리 팩
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image:im_u110_002.jpg | BAT-3200M 표준형 배터리 팩, cell made in Japan
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<li> [[NFC]] 안테나 및 [[페라이트 시트]]
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image:im_u110_002_001.jpg | NFC 안테나가 배터리 뒷면 플라스틱에 붙어 있어, 분해 도중에 페라이트 시트 중간층이 찢어졌다.
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image:im_u110_002_002.jpg | 시트 중간층이 찢어졌다.
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image:im_u110_002_004.jpg | [[NFC]] 안테나 패턴, NT 로고, B25S MIDDLE, Ver.1.6A
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<li> [[금속각형 2차-리튬]] 배터리
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<li>특징
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<li>압력이 높아지면 찢어지는 [[배출구]]가 오른쪽에 있다.
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<li> [[레이저 용접]]으로 깡통을 밀봉했다.
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<li>낮은 저항을 위해 넓은 면적을 갖는 [[P-PTC]]를 보호회로로 사용했다.
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<li>100회 1A 충방전 용량 측정 엑셀 데이터
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<li>실험1 - 100회 1A충전 0.25A까지충전, 1A방전, 4.2V 3.2V 까지 - 시트1
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<li>실험2 - 100회  2A충전 0.5A까지 충전, 2A방전, 4.2V 3.2V 까지 - 시트2
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<li>실험3 - 실험2 조건과 같게 1000회 - 시트3
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image:im_u110_002_003_004.png | 이틀동안. 주변 온도 때문에 변곡점 발생
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<li>의견
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<li>실험 1회 조건처럼, 많이 방전하고 충전하면 용량변화가 발생된다. (수명이 짧아진다.)
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<li>실험 2회 조건처럼, 2A로 짧은 시간동안 충방전하면 용량변화가 거의 없다. (수명에 영향을 주지 않는다.)
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image:im_u110_006_001.jpg | blue LED가 3개가 독립적으로 켜진다.
 
image:im_u110_006_001.jpg | blue LED가 3개가 독립적으로 켜진다.
 
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<li> [[판스프링 VCM AF]]이 있다.
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<li>외관
 
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image:im_u110_008.jpg | 2BLK30EH 마킹
 
image:im_u110_008.jpg | 2BLK30EH 마킹
 
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image:im_u110_010.jpg | [[열전도성 접착제]]
 
 
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<li> [[판스프링 VCM AF]] 임피던스 특성 분석
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<li>PCB 뒤면에는 IC 두 개가 [[glop-top]] 패키징 되어 있다.
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<li>센서모듈 납땜을 PCB에서 뜯어내면
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<li>센서모듈과 AF 모듈을 분리함.
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image:im_u110_009_002.jpg | 접착제를 발라 붙였다.
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<li> [[판스프링 VCM AF]]
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image:im_u110_009_005.jpg | 아래쪽 스프링은 렌즈바렐과 접착되어 있지 않고 얹혀져 있다.
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image:im_u110_009_007.jpg | 자석은 4개 조각이지만 모두 같은 극으로 배열되어 있다.
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<li>임피던스 특성 분석
 
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<li>임피던스 측정 엑셀파일  
 
<li>임피던스 측정 엑셀파일  
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<li> [[광학렌즈]] 바렐
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image:im_u110_009_013.jpg | 유리렌즈 3매. 각 렌즈 사이에는 검정 플라스틱 스페이서가 있다.
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<li>센서 모듈, 센서 다이는 소니 제조
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image:im_u110_009_014.jpg | 렌즈 하우징을 붙였던 접착제
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image:im_u110_009_015.jpg | 13.5x13.0mm
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image:im_u110_009_016.jpg | IR 차단 광학필터를 풀로 붙였다.
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<li> [[3.5mm 이어폰 커넥터]]
 
<li> [[3.5mm 이어폰 커넥터]]
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<li>앞면
 
<li>앞면
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Qualcomm RFT6120, 19.20MHz VCTCXO,
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<li>두 개 사용된, [[세라믹 패키지 수정 발진기]], 3.2x2.5mm, CYPRESS 회사, 2003년 7C80383A Osc IC 다이를 사용함.
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<ol>
 +
<li>27.00MHz, 뒷면, Renesas 8J73382ABG NJ36117 옆에서
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image:im_u110_019_001.jpg
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</gallery>
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<li>19.20MHz
 +
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image:im_u110_042_001.jpg | 은전극 블랭크
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image:im_u110_042_002.jpg
 +
image:im_u110_042_003.jpg | Cypress 7C80383A
 +
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 +
</ol>
 +
<li>Qualcomm RFT6120
 
<gallery>
 
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image:im_u110_014.jpg
 
image:im_u110_014.jpg
 
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−
<li>Tx SAW 필터 2.0x1.6mm, Fujitsu FAR-F5EA-836M50-D27A
+
<li> [[VCTCXO]], 3.2x2.5mm
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_014.jpg | 오른쪽 상단, 19.20E D601 마킹
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image:im_u110_014_001_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>뜯어서, 내부
 +
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 +
image:im_u110_014_001_002.jpg | 밑면. 납땜안된 4단자는 프로그래밍용 단자
 +
image:im_u110_014_001_003.jpg | Au stud  [[플립본딩]]된 IC
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[SAW-핸드폰RF]] Tx, 2.0x1.6mm, Fujitsu FAR-F5EA-836M50-D27A
 +
<ol>
 +
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:im_u110_015.jpg | 7A
 
image:im_u110_015.jpg | 7A
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>PAM, CDMA/AMPS(824~849MHz) 4x4mm
+
<li>패키징
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_021_002.jpg | [[HTCC 시트]] 상태에서 AuSn[[솔더]]를 전체에 바른 리드를 눌러 납땜했다.
 +
</gallery>
 +
<li>다이
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_021_003.jpg | R0502-8, (색깔이 진한)보호막이 있다.
 +
image:im_u110_021_004.jpg | 다이를 뒷면에서 불에 빨갛게 가열한 후
 +
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 +
</ol>
 +
<li> [[PAM]], CDMA/AMPS(824~849MHz) 4x4mm
 +
<ol>
 +
<li>Agilent WS1111 (Wavics; 웨이브아이씨스 회사 다이)
 
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<gallery>
 
image:im_u110_016.jpg | Agilent WS1111, 05년 38주차
 
image:im_u110_016.jpg | Agilent WS1111, 05년 38주차
 +
image:im_u110_016_001.jpg | Wavics D-R1D
 +
image:im_u110_016_002.jpg | Wavics
 
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</gallery>
−
<li>커플러
+
</ol>
 +
<li> [[커플러]]
 
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−
image:im_u110_017.jpg
+
image:im_u110_017.jpg | [[PAM]]과 [[SAW-핸드폰DPX]] 사이에 있다.
 
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</gallery>
−
<li>DPX, 3.8x3.8mm, Fujitsu
+
<li> [[SAW-핸드폰DPX]], 3.8x3.8mm, Fujitsu
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
 
<li>외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
 
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image:im_u110_018.jpg
 
image:im_u110_018.jpg
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image:im_u110_018_001.jpg | LTCC
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image:im_u110_018_001.jpg | [[LTCC 제품]] 패키지 위에 가장자리에만 AuSn[[솔더]]가 발라진 평탄한 뚜껑(lid)를 눌러서 납땜하였다.
 
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<li>AuSn 납땜된 뚜껑을 벗기면
+
<li>뚜껑(lid)을 벗기면
 
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image:im_u110_018_002.jpg | 알루미늄 웨지 와이어본딩
+
image:im_u110_018_002.jpg | [[Al 웨지 와이어본딩]]
 
image:im_u110_018_003.jpg | 패키지 4코너에 접지용 비아가 있다.
 
image:im_u110_018_003.jpg | 패키지 4코너에 접지용 비아가 있다.
 
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<li>다이 관찰
 
<li>다이 관찰
 
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image:im_u110_018_004.jpg | Tx 5본딩, Rx 10본딩
+
image:im_u110_018_004.jpg | Tx 다이에는 5개 본딩, Rx 다이는 10개 본딩
 
image:im_u110_018_005.jpg | 유기물 오염
 
image:im_u110_018_005.jpg | 유기물 오염
 
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</gallery>
−
<li>
+
<li> [[EMI]] 차폐를 강화시킨 밑면 [[접지]] 패턴
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<ol>
+
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−
</ol>
+
image:im_u110_018_006.jpg | ANT Tx Rx 단자 위치. 패키지 밑면 T자 접지에 납땜하지 않았다.
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image:im_u110_018_007.jpg | 갈아낸 후 전극 모양
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<li>패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 [[SAW필터에서 초전성]] 때문에 쉽게 녹는다.
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image:im_u110_018_008.jpg
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image:im_u110_018_009.jpg
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<li>뒷면에 있는 Rx 파트
 
<li>뒷면에 있는 Rx 파트
 
<ol>
 
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<li>전체
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<ol>
 +
<li>사진
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image:im_u110_019.jpg
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<li>IC
 
<li>IC
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Renesas 8J73382ABG NJ36117
+
<li>Renesas 8J73382ABG NJ36117, IC 다이가 2개로 stacking 본딩, Renesas 마킹을 확인함
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image:im_u110_019_004.jpg | 투명한 [[언더필]]
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<li>Qualcomm MSM6500  CDMA2000 1x EV-DO용 SoC
 
<li>Qualcomm MSM6500  CDMA2000 1x EV-DO용 SoC
 
<li>Samsung K9K8G08U0M 1GB NAND Flash
 
<li>Samsung K9K8G08U0M 1GB NAND Flash
 
<li>Samsung K5L568JBM [[MCP]] memory(256Mb NOR flash+128Mb UtRAM)
 
<li>Samsung K5L568JBM [[MCP]] memory(256Mb NOR flash+128Mb UtRAM)
 
<li>Qualcomm RFR6120 CDMA Rx RFIC
 
<li>Qualcomm RFR6120 CDMA Rx RFIC
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image:im_u110_020.jpg
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<li>전체
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<li>세라믹 3층 구조 [[압전체 레조네이터]]
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image:im_u110_019_002_001.jpg
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image:im_u110_019_002_002.jpg | 흰색 뚜껑 밑에 빈 공간이 있다.
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<li>32.768kHz [[Xtal세라믹]] 공진기
 
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image:im_u110_019.jpg
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image:im_u110_019_003_001.jpg
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image:im_u110_020.jpg | Qualcomm RFR6120
+
image:im_u110_019_003_002.jpg | 알루미나 세라믹 리드
 
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−
<li>Rx SAW 필터 2.0x1.6mm Fujitsu FAR-F5EB-881M50-B28R(?)
+
<li> [[SAW-핸드폰RF]], Rx, 2.0x1.6mm Fujitsu FAR-F5EB-881M50-B28R(?)
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<li>외형
 
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image:im_u110_021.jpg | 8R
 
image:im_u110_021.jpg | 8R
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image:im_u110_021_001.jpg | 시트상태에서 리드융착하고 다이싱으로 잘랐다.
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image:im_u110_021_001.jpg | [[HTCC 시트]] 상태에서 AuSn[[솔더]]가 발라진 리드를 눌러 납땜하고 [[다이싱]]으로 잘랐다.
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image:im_u110_021_002.jpg | AuSn 리드
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image:im_u110_021_003.jpg | R0502-8, (색깔이 진한)보호막이 있다.
+
<li>다이 패턴
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image:im_u110_021_004.jpg | 다이를 뒷면에서 불에 빨갛게 가열한 후
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image:im_u110_015_001.jpg | P4012-01
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image:im_u110_015_002.jpg
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image:im_u110_015_003.jpg | 0.6um [[spark gap]], 주기 4.51um, f0=881.5MHz라면 쏘속도 3975m/sec
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<li>불에 빨갛게 달군 후
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2022년 12월 23일 (금) 13:52 기준 최신판

팬택 주크박스, IM-U110

  1. 전자부품
    1. IT 기기
      1. 핸드폰
        1. 2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰 - 이 페이지
  2. 설명
    1. SKY Juke Box, IM-U110, 음악, 끝없이 이어지다.
    2. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EC%A3%BC%ED%81%AC%EB%B0%95%EC%8A%A4%ED%8F%B0
    3. 2.4Mbps CDMA1x EV-DO 통신
    4. 1GB flash, MP3 200여곡(4.5MB기준)
  3. 외관
    1. 사진

      • 플립타입폰, SKY june

      • JUKEBOX란 글씨가 보인다. 배터리 BAT-3200M 표준형 배터리 팩

    2. 라벨
      1. 항공기 기내, 병원에서는 전원을 꺼 주십시오.
      2. 인증번호: SKY-IM-U110
      3. 제조년월일: 2006.02.24
  4. 배터리 팩
    1. 외형

      • BAT-3200M 표준형 배터리 팩, cell made in Japan

    2. NFC 안테나 및 페라이트 시트

      • NFC 안테나가 배터리 뒷면 플라스틱에 붙어 있어, 분해 도중에 페라이트 시트 중간층이 찢어졌다.

      • 시트 중간층이 찢어졌다.

      • NFC 안테나 패턴, NT 로고, B25S MIDDLE, Ver.1.6A

    3. 금속각형 2차-리튬 배터리
      1. 특징
        1. 압력이 높아지면 찢어지는 배출구가 오른쪽에 있다.
        2. 레이저 용접으로 깡통을 밀봉했다.
        3. 낮은 저항을 위해 넓은 면적을 갖는 P-PTC를 보호회로로 사용했다.
      2. 사진
        • im u110 002 003.jpg
      3. 100회 1A 충방전 용량 측정 엑셀 데이터
        1. 실험1 - 100회 1A충전 0.25A까지충전, 1A방전, 4.2V 3.2V 까지 - 시트1
          • im u110 002 003 001.png
          • im u110 002 003 002.png
        2. 실험2 - 100회 2A충전 0.5A까지 충전, 2A방전, 4.2V 3.2V 까지 - 시트2
          • im u110 002 003 003.png
        3. 실험3 - 실험2 조건과 같게 1000회 - 시트3

          • 이틀동안. 주변 온도 때문에 변곡점 발생

        4. 의견
          1. 실험 1회 조건처럼, 많이 방전하고 충전하면 용량변화가 발생된다. (수명이 짧아진다.)
          2. 실험 2회 조건처럼, 2A로 짧은 시간동안 충방전하면 용량변화가 거의 없다. (수명에 영향을 주지 않는다.)
  5. 뒤면 커버를 열어 분해하면
    • im u110 003.jpg

    • 두께를 낮추기 위해 차폐 커버 케이스에 구멍을 뚫었다.

  6. 셀룰라 안테나. 상품설명에 인테나라고 함.
    • im u110 005.jpg

    • 836/881MHz용

  7. 핸드폰용 이미지센서 2.0Mpixel, AF
    1. 플래시LED

      • 딱딱한 수지 볼록광학렌즈를 올려놓고 풀칠했다.

      • blue LED가 3개가 독립적으로 켜진다.

    2. 외관

      • 2BLK30EH 마킹

      • im u110 009.jpg
    3. PCB 뒤면에는 IC 두 개가 glop-top 패키징 되어 있다.
      • im u110 010.jpg
      • im u110 010 002.jpg
    4. 센서모듈 납땜을 PCB에서 뜯어내면
      • im u110 009 001.jpg
    5. 센서모듈과 AF 모듈을 분리함.

      • 접착제를 발라 붙였다.

    6. 판스프링 VCM AF
      1. 사진
        • im u110 009 003.jpg
        • im u110 009 004.jpg

        • 아래쪽 스프링은 렌즈바렐과 접착되어 있지 않고 얹혀져 있다.

        • im u110 009 006.jpg

        • 자석은 4개 조각이지만 모두 같은 극으로 배열되어 있다.

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        • im u110 009 009.jpg
        • im u110 009 010.jpg
      2. 임피던스 특성 분석
        1. 임피던스 측정 엑셀파일
          • im u110 010 001.png
        2. 의견
          1. 매우 공진Q값이 크다. 이는 댐핑이 없다는 뜻이다.
    7. 광학렌즈 바렐
      • im u110 009 011.jpg
      • im u110 009 012.jpg

      • 유리렌즈 3매. 각 렌즈 사이에는 검정 플라스틱 스페이서가 있다.

    8. 센서 모듈, 센서 다이는 소니 제조

      • 렌즈 하우징을 붙였던 접착제

      • 13.5x13.0mm

      • IR 차단 광학필터를 풀로 붙였다.

  8. 3.5mm 이어폰 커넥터

    • 뒤쪽에 구멍이 뚫려 있다. 먼지가 축적되지 않는다. 그러나 본체 내부로 들어간다.

  9. 메인보드 위 아래에서 차폐함. 차폐 커버는 플라스틱에 실드 코팅

    • 앞에서 볼 때

    • 뒤에서 볼 때

  10. 앞면
    1. 전면 아래에 음악을 위한 3개 터치센서 버튼이 있다.
      • im u110 022.jpg
    2. 터치센서용 전극 주변에 형성한 가드링

      • 하양 페인트칠 밑에 3개 전극이 있다.

      • Guarding technique to remove stray capacitances

    3. 터치센서 IC
    4. 구조는 헤드폰용 스피커이다. , 스프링 접점
      • im u110 024.jpg
  11. 폴더용 회전 힌지를 통과하는 F-PCB

    • Rigid(2층 동박)+Flexible(5층동박) 결합 부위

  12. 바타입 ERM 진동모터용 비틀림 스프링 접점
    • im u110 026.jpg
  13. 폴더 닫힘 동작을 감지하는 홀스위치를 위한, 자석 고정 방법

    • 강력한 접착제 때문에 실드 코팅막이 벗겨졌다.

  14. 폴더 앞면 및 뒷면에 있는, 바로 붙어 있는 듀얼 핸드폰 LCD
    1. 2.0인치 QVGA TFT LCD
    2. DDI. 2022년에 볼 때, 이 때는 IC가 매우 크다.

      • 전면창 DDI

      • 뒤면 메인 LCD용 DDI 두 개

    3. 백라이트(BLU)
    4. BLU LED

      • F-PCB에 부품 마운팅

      • 에지타입 LED 3개 사용. MLCC가 붙어 있다.

    5. 이방성 도전 접착제

      • Hitachi 제조 LCD, 문제가 될 수 있는 기포가 많다.

      • 눌린 금속공 직경 ~6um

      • 이방성 도전 접착제 도포에 문제가 있어 기포가 많다.

    6. TEG
    7. LCD유리와 F-PCB를 서로 부착

      • 오른쪽 금색 + 표시가 F-PCB 동박으로 만든 정렬키

  15. RF 파트
    1. 앞면
      1. 두 개 사용된, 세라믹 패키지 수정 발진기, 3.2x2.5mm, CYPRESS 회사, 2003년 7C80383A Osc IC 다이를 사용함.
        1. 27.00MHz, 뒷면, Renesas 8J73382ABG NJ36117 옆에서
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        2. 19.20MHz

          • 은전극 블랭크

          • im u110 042 002.jpg

          • Cypress 7C80383A

      2. Qualcomm RFT6120
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      3. VCTCXO, 3.2x2.5mm
        1. 외관

          • 오른쪽 상단, 19.20E D601 마킹

          • im u110 014 001 001.jpg
        2. 뜯어서, 내부

          • 밑면. 납땜안된 4단자는 프로그래밍용 단자

          • Au stud 플립본딩된 IC

      4. SAW-핸드폰RF Tx, 2.0x1.6mm, Fujitsu FAR-F5EA-836M50-D27A
        1. 외관

          • 7A

        2. 패키징

          • HTCC 시트 상태에서 AuSn솔더를 전체에 바른 리드를 눌러 납땜했다.

        3. 다이

          • R0502-8, (색깔이 진한)보호막이 있다.

          • 다이를 뒷면에서 불에 빨갛게 가열한 후

      5. PAM, CDMA/AMPS(824~849MHz) 4x4mm
        1. Agilent WS1111 (Wavics; 웨이브아이씨스 회사 다이)

          • Agilent WS1111, 05년 38주차

          • Wavics D-R1D

          • Wavics

      6. 커플러
      7. SAW-핸드폰DPX, 3.8x3.8mm, Fujitsu
        1. 외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
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          • LTCC 제품 패키지 위에 가장자리에만 AuSn솔더가 발라진 평탄한 뚜껑(lid)를 눌러서 납땜하였다.

        2. 뚜껑(lid)을 벗기면
        3. 다이 관찰

          • Tx 다이에는 5개 본딩, Rx 다이는 10개 본딩

          • 유기물 오염

        4. EMI 차폐를 강화시킨 밑면 접지 패턴

          • ANT Tx Rx 단자 위치. 패키지 밑면 T자 접지에 납땜하지 않았다.

          • 갈아낸 후 전극 모양

        5. 패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 SAW필터에서 초전성 때문에 쉽게 녹는다.
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          • im u110 018 009.jpg
    2. 뒷면에 있는 Rx 파트
      1. 전체
        1. 사진
          • im u110 019.jpg
        2. IC
          1. Renesas 8J73382ABG NJ36117, IC 다이가 2개로 stacking 본딩, Renesas 마킹을 확인함
          2. Qualcomm MSM6500 CDMA2000 1x EV-DO용 SoC
          3. Samsung K9K8G08U0M 1GB NAND Flash
          4. Samsung K5L568JBM MCP memory(256Mb NOR flash+128Mb UtRAM)
          5. Qualcomm RFR6120 CDMA Rx RFIC
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      2. 세라믹 3층 구조 압전체 레조네이터
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        • 흰색 뚜껑 밑에 빈 공간이 있다.

      3. 32.768kHz Xtal세라믹 공진기
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        • 알루미나 세라믹 리드

      4. SAW-핸드폰RF, Rx, 2.0x1.6mm Fujitsu FAR-F5EB-881M50-B28R(?)
        1. 외형
        2. 다이 패턴

          • P4012-01

          • im u110 015 002.jpg

          • 0.6um spark gap, 주기 4.51um, f0=881.5MHz라면 쏘속도 3975m/sec

        3. 불에 빨갛게 달군 후
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          • im u110 015 005.jpg
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