"IPhone 5S"의 두 판 사이의 차이
242번째 줄: | 242번째 줄: | ||
image:iphone5s01_052.jpg | image:iphone5s01_052.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>모터 전원과 직렬로 3개 연결된, [[ | + | <li>모터 전원과 직렬로 3개 연결된, 쵸크용 [[RF용L]] |
<ol> | <ol> | ||
<li>동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다. | <li>동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다. | ||
248번째 줄: | 248번째 줄: | ||
image:iphone5s01_047_001.jpg | image:iphone5s01_047_001.jpg | ||
image:iphone5s01_047_002.jpg | image:iphone5s01_047_002.jpg | ||
− | image:iphone5s01_047_003 | + | image:iphone5s01_047_003.jpg | +에 3개 직렬, -에 3개 직렬 |
− | + | image:iphone5s01_047_004.jpg | 인덕터 방향 | |
+ | image:iphone5s01_047_008.png | 서로 coupling되도록 문제없이 장착됨. | ||
</gallery> | </gallery> | ||
<li>측정 데이터 | <li>측정 데이터 | ||
267번째 줄: | 268번째 줄: | ||
image:iphone5s01_053.jpg | 구멍이 뚫린 이유 | image:iphone5s01_053.jpg | 구멍이 뚫린 이유 | ||
image:iphone5s01_055.jpg | image:iphone5s01_055.jpg | ||
− | image:iphone5s01_057.jpg | + | image:iphone5s01_057.jpg | C1281 6616 M1 284 |
image:iphone5s01_057_001.jpg | image:iphone5s01_057_001.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
286번째 줄: | 287번째 줄: | ||
<li>LED 칩 | <li>LED 칩 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_058_004.jpg | 금 전기[[도금]] | + | image:iphone5s01_058_004.jpg | 금 전기[[도금]] 2.0x1.6mm |
image:iphone5s01_058_005.jpg | 뒷면, 알루미나(긁어 경도를 파악해 볼 때?) 기판에 12자리 레이저 마킹 1450311M0112 | image:iphone5s01_058_005.jpg | 뒷면, 알루미나(긁어 경도를 파악해 볼 때?) 기판에 12자리 레이저 마킹 1450311M0112 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
443번째 줄: | 444번째 줄: | ||
image:iphone5s01_112_002.jpg | 와이어본딩타입 다이를 유기물층으로 RDL을 만들었다. | image:iphone5s01_112_002.jpg | 와이어본딩타입 다이를 유기물층으로 RDL을 만들었다. | ||
image:iphone5s01_112_003.jpg | image:iphone5s01_112_003.jpg | ||
− | image:iphone5s01_112_004.jpg | + | image:iphone5s01_112_004.jpg | [[IDT C]] |
− | image:iphone5s01_112_005.jpg | + | image:iphone5s01_112_005.jpg | [[IDT C]] |
− | image:iphone5s01_112_006.jpg | + | image:iphone5s01_112_006.jpg | [[IDT C]] |
image:iphone5s01_112_007.jpg | Broadcom BCM5976 2011 | image:iphone5s01_112_007.jpg | Broadcom BCM5976 2011 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
459번째 줄: | 460번째 줄: | ||
<li>WiFi, TDD 밴드 | <li>WiFi, TDD 밴드 | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>[[실드코팅]]되어 있다. |
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_099.jpg | image:iphone5s01_099.jpg | ||
465번째 줄: | 466번째 줄: | ||
<li>TDD용 듀얼 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ???? | <li>TDD용 듀얼 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ???? | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_100.jpg | + | image:iphone5s01_100.jpg | 1.8x1.4mm dual filter |
image:iphone5s01_101.jpg | image:iphone5s01_101.jpg | ||
image:iphone5s01_102.jpg | 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다. | image:iphone5s01_102.jpg | 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다. | ||
476번째 줄: | 477번째 줄: | ||
image:iphone5s01_109.jpg | image:iphone5s01_109.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>Ag 페이스트 스프레이 | + | <li>Ag 페이스트 스프레이 [[실드코팅]] 스핀 코팅)된 WiFi 모듈 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_110.jpg | image:iphone5s01_110.jpg | ||
491번째 줄: | 492번째 줄: | ||
<li>표면을 깍아보면 | <li>표면을 깍아보면 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_117.jpg | + | image:iphone5s01_117.jpg | Broadcom BCM43342, WIFI/BT/NFC/FM |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>PCB | <li>PCB | ||
532번째 줄: | 533번째 줄: | ||
</ol> | </ol> | ||
<li>송수신 칩 | <li>송수신 칩 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>전체 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_120.jpg | 실드캔 벗기면 | image:iphone5s01_120.jpg | 실드캔 벗기면 | ||
− | image:iphone5s01_159.jpg | + | image:iphone5s01_159.jpg | Qualcomm MDM9615M // Qualcomm WTR1605L |
+ | </gallery> | ||
+ | <li>사진 | ||
+ | <gallery> | ||
image:iphone5s01_121.jpg | image:iphone5s01_121.jpg | ||
image:iphone5s01_122.jpg | image:iphone5s01_122.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_125.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>주변 매칭 [[RF용L]] | ||
+ | <gallery> | ||
image:iphone5s01_123.jpg | image:iphone5s01_123.jpg | ||
image:iphone5s01_124.jpg | image:iphone5s01_124.jpg | ||
− | + | </gallery> | |
+ | <li>BAW 필터와 주변 매칭 [[RF용L]] | ||
+ | <gallery> | ||
image:iphone5s01_126.jpg | image:iphone5s01_126.jpg | ||
− | image:iphone5s01_127.jpg | + | image:iphone5s01_127.jpg | 수직으로 세우는 무라타 0.4x0.2mm LQP02HQ 하이Q 시리즈와 수평장착 LQP02TN 표준(흰점마킹) 박막인덕터 |
</gallery> | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
<li>[[모바일AP]] + [[RAM]] PoP(Package On Package) | <li>[[모바일AP]] + [[RAM]] PoP(Package On Package) | ||
<ol> | <ol> | ||
549번째 줄: | 562번째 줄: | ||
image:iphone5s01_128.jpg | 특별히 캔 오른쪽에는 딱딱하고 두꺼운 방열용 어떤 판이 붙어 있다. | image:iphone5s01_128.jpg | 특별히 캔 오른쪽에는 딱딱하고 두꺼운 방열용 어떤 판이 붙어 있다. | ||
image:iphone5s01_129.jpg | image:iphone5s01_129.jpg | ||
− | image:iphone5s01_130.jpg | + | image:iphone5s01_130.jpg | Elpida 8Gbit DDR3 RAM이 PoP되어 있음 |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>주변에 사용된 Low ESR, ESL [[MLCC]] | <li>주변에 사용된 Low ESR, ESL [[MLCC]] | ||
562번째 줄: | 575번째 줄: | ||
image:iphone5s01_130_001.jpg | AP 다이방열을 위해 위에 있는 RAM과 완전 밀착 | image:iphone5s01_130_001.jpg | AP 다이방열을 위해 위에 있는 RAM과 완전 밀착 | ||
image:iphone5s01_130_002.jpg | AP 밑면 솔더링 | image:iphone5s01_130_002.jpg | AP 밑면 솔더링 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>[[모바일AP]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li> [[임베디드PCB]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_130_004.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_130_005.jpg | [[MLCC]] 1.0x0.5mm 도금으로 연결됨 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>AP 다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_130_006.jpg | 분해시 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐 | ||
+ | image:iphone5s01_130_007.jpg | 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>[[RAM]] Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_130_008.jpg | 다이 두 개를 다이본딩, 와이어본딩 | ||
+ | image:iphone5s01_130_009.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_130_010.jpg | 위쪽 다이 ELPIDA F440AAA | ||
+ | image:iphone5s01_130_011.jpg | 아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA | ||
+ | image:iphone5s01_130_012.jpg | 구리본딩인듯. 와이어를 찾을 수 없었음. | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
570번째 줄: | 604번째 줄: | ||
<li>RF front end | <li>RF front end | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_135.jpg | + | image:iphone5s01_135.jpg | Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata(?) QE // Avago A7900 |
image:iphone5s01_136.jpg | image:iphone5s01_136.jpg | ||
image:iphone5s01_137.jpg | image:iphone5s01_137.jpg | ||
580번째 줄: | 614번째 줄: | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_141.jpg | image:iphone5s01_141.jpg | ||
− | image:iphone5s01_142.jpg | + | image:iphone5s01_142.jpg | Dialog Semiconductor, 338S1216-A2 PMIC |
− | image:iphone5s01_143.jpg | + | image:iphone5s01_143.jpg | NXP LCP18A1, Apple M7 coprocessor |
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>지자기센서 | + | <li>지자기센서 [[나침반]] |
<ol> | <ol> | ||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
<li>위치하는 곳 | <li>위치하는 곳 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
598번째 줄: | 625번째 줄: | ||
<li>외관 | <li>외관 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_145.jpg | + | image:iphone5s01_145.jpg | AKM AK8963 3-axis electronic compass IC |
image:iphone5s01_146.jpg | image:iphone5s01_146.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
<li>뜯어내면 | <li>뜯어내면 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_147.jpg | + | image:iphone5s01_147.jpg | 인터포저를 사용한 이유는 높게 설치하기 위해서(?) |
image:iphone5s01_148.jpg | image:iphone5s01_148.jpg | ||
image:iphone5s01_149.jpg | image:iphone5s01_149.jpg | ||
image:iphone5s01_150.jpg | 두 번 다이싱 | image:iphone5s01_150.jpg | 두 번 다이싱 | ||
− | image:iphone5s01_151.jpg | | + | image:iphone5s01_151.jpg | 솔더볼이 없는 부위에 magnetic concentrator 가 있다. |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>다이 - 핸드폰은 주로 수평면에 놓이면 X,Y축 지자기는 확실히 검출하나, Z축으로는 감도가 낮을 것이 확실함. | <li>다이 - 핸드폰은 주로 수평면에 놓이면 X,Y축 지자기는 확실히 검출하나, Z축으로는 감도가 낮을 것이 확실함. | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_152.jpg | image:iphone5s01_152.jpg | ||
− | image:iphone5s01_153.jpg | + | image:iphone5s01_153.jpg | 4164 AKM 2011 |
image:iphone5s01_154.jpg | image:iphone5s01_154.jpg | ||
image:iphone5s01_155.jpg | image:iphone5s01_155.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>센싱 | + | <li>[[홀]] 센싱 패턴이 8개(?) |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_156.jpg | | + | image:iphone5s01_156.jpg | 남아 있는 magnetic concentrator(가 있어야 Z축을 감지하는 듯) |
image:iphone5s01_157.jpg | image:iphone5s01_157.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
630번째 줄: | 657번째 줄: | ||
<li>외관 | <li>외관 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_160.jpg | 17.0x12.0mm | + | image:iphone5s01_160.jpg | 17.0x12.0mm SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>뜯어내어 | <li>뜯어내어 | ||
644번째 줄: | 671번째 줄: | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li>다이버시티 [[안테나]] | + | <li>다이버시티 [[안테나]] 부근의 [[튜너블C]] |
<ol> | <ol> | ||
<li>RFMD RF1112 Antenna Tuning, Programmable Array of Capacitors | <li>RFMD RF1112 Antenna Tuning, Programmable Array of Capacitors | ||
659번째 줄: | 686번째 줄: | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_165.jpg | image:iphone5s01_165.jpg | ||
− | image:iphone5s01_166.jpg | + | image:iphone5s01_166.jpg | [[IDT C]] |
− | image:iphone5s01_167.jpg | + | image:iphone5s01_167.jpg | [[IDT C]] |
− | image:iphone5s01_168.jpg | + | image:iphone5s01_168.jpg | [[IDT C]] |
− | image:iphone5s01_169.jpg | 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기 | + | image:iphone5s01_169.jpg | [[IDT C]] 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기 |
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>중요 치수 | + | <li>[[IDT C]] 중요 치수 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_170.jpg | 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF | image:iphone5s01_170.jpg | 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF | ||
676번째 줄: | 703번째 줄: | ||
<li>다이버시티 [[안테나]] 부근(=GPS/WiFi 근처임)의 GPS LNA 필터 모듈 | <li>다이버시티 [[안테나]] 부근(=GPS/WiFi 근처임)의 GPS LNA 필터 모듈 | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li>윗면은 | + | <li>윗면은 [[실드코팅]], 그러나 측면은 뚫여 있어... |
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_173.jpg | Skyworks GPS Rx LNA Filter FEM, 78614 ??? 3.0x2.5mm | image:iphone5s01_173.jpg | Skyworks GPS Rx LNA Filter FEM, 78614 ??? 3.0x2.5mm | ||
693번째 줄: | 720번째 줄: | ||
image:iphone5s01_177.jpg | 0.4x0.2 MLCC 6개, 적층형L 2개, 박막형L 1개, 권선형L 1개, SAW 필터, LNA | image:iphone5s01_177.jpg | 0.4x0.2 MLCC 6개, 적층형L 2개, 박막형L 1개, 권선형L 1개, SAW 필터, LNA | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li>Skyworks 회사의 [[SAW-모듈]]에 사용된 [[SAW-GPS]] |
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_178.jpg | 947x855um | image:iphone5s01_178.jpg | 947x855um | ||
700번째 줄: | 727번째 줄: | ||
image:iphone5s01_181.jpg | image:iphone5s01_181.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>LNA | + | <li>[[LNA]] |
<gallery> | <gallery> | ||
image:iphone5s01_182.jpg | GaAs를 유리판에서 키운듯. (투명 유리판 813x795um 만 남아 있음) | image:iphone5s01_182.jpg | GaAs를 유리판에서 키운듯. (투명 유리판 813x795um 만 남아 있음) | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li>3축 자이로 | + | <li>3축 [[자이로]] 센서 |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_183.jpg | Bosch Sensortec BMA220(?) 3-axis | + | image:iphone5s01_183.jpg | Bosch Sensortec BMA220(?) 3-axis gyroscope |
image:iphone5s01_183_001.jpg | image:iphone5s01_183_001.jpg | ||
− | image:iphone5s01_183_002.jpg | 3축 가속도 센서와 비교(IC 위치가 위 아래로 다르다.) | + | image:iphone5s01_183_002.jpg | 3축 [[가속도]] 센서와 비교(IC 위치가 위 아래로 다르다.) |
image:iphone5s01_183_003.jpg | 가열하여 밀어보면, 접착면 풀이 유리질처럼 보인다. | image:iphone5s01_183_003.jpg | 가열하여 밀어보면, 접착면 풀이 유리질처럼 보인다. | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>3축 가속도 | + | <li>3축 [[가속도]] 센서 |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:iphone5s01_184.jpg | STM 3-axis | + | image:iphone5s01_184.jpg | STM 3-axis accelerometer |
image:iphone5s01_184_001.jpg | IC가 위에 있다. | image:iphone5s01_184_001.jpg | IC가 위에 있다. | ||
image:iphone5s01_184_002.jpg | 본딩패드가 접착면 두께와 같다. | image:iphone5s01_184_002.jpg | 본딩패드가 접착면 두께와 같다. | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | </ol> | + | </ol> |
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2020년 8월 1일 (토) 16:09 판
Apple, iPhone 5S
- 링크
- 기술자료
- 외부 링크
- 위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/IPhone_5S
- 2013년
- 분해제품 모델: A1530, Asia Pacific 용
- LTE Bands
- 1: 2100
- 2: 1900
- 3: 1800
- 5: 850
- 7: 2600
- 8: 900
- 20: 800 DD
- 38: TD 2600
- 39: TD 1900
- 40: TD 2300
- LTE Bands
- 외부 링크
- 외관
- 위 아래에 위치한 안테나를 위해 금속 몸통을 분리했다.
- 화면 앞판을 뜯으면
- 파우치 2차-리튬 배터리
- 배터리 분리
- 배터리 보호회로 분해
- 보호회로 연결
팩에서 나오는 전극은 레이저 용접으로 연결
- 전류검출용R ~0.025오옴 저항
- 외관
- 온도 특성 TCR 측정 엑셀 데이터
- 구조 - PCB에 금속판을 붙였다. 위쪽 더미 금속은 열팽창 때문에 휘는 것을 막기 위해(?)
- 레이저 트리밍 및 레이저 트리밍 시뮬레이션
- 외관
- 배터리 분리
- 아랫쪽 안테나 부근
- 위쪽 안테나 (GPS/WiFi 및 다이버시티) 부근
- 진동모터에서 바타입 ERM 진동모터
- 위치 및 고정방법
고정 철판이 안테나 와 관계되는 듯
- 분리하면
나사 체결을 위한 브라켓 용접
Redmi Note 4X에 사용된 모터(F-PCB부착품)와 크기 비교
- 브러시모터 내부
- 모터 전원과 직렬로 3개 연결된, 쵸크용 RF용L
- 동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다.
- 측정 데이터
- 동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다.
- 위치 및 고정방법
- 카메라 모듈, MEMS마이크 부근, GPS/WiFi 안테나
보드에 HF/e1 글씨 부품은 GPS LNA 모듈이다. 나사는 GPS 안테나 고정용인듯
- 잡음 제거용 MEMS마이크
- 메인 카메라용 듀얼톤 플래시 LED-SMD
- 후면, 메인 카메라 모듈
- 카메라 렌즈 보호 유리
- 유리판에 금속사각프레임이 붙어 있다.
- 금속프레임에 사파이어가 붙어 있다.
- 두께 250um 사파이어이다. (반사방지 AR;anti-reflection)광학코팅되어 있다.
- 이 용도 사파이어에 대해 (2020/07/28 김정환 왈)
- 주로 2인치 사파이어(당연히 단결정) 웨이퍼를 사용한다.
- 중국 여러 공장에서, 2인치 크기를 가장 싸게 만들 수 있다.
- 직경이 작아야 양면 연마 때 평행도를 쉽게 맞출 수 있다.
- 당연히 레이저 다이싱이다. 두께 250um 정도는 쉽게 바로 따낼 수 있다. (레이저 다이싱하면 붙어 있지 않고 뚝뚝 떨어질 정도로 자른다.???)
- 테이퍼 형태는 오목한 곳에 쉽게 넣기 위함일 것이다.
- 핸드폰 조립을 위해서도(이 핸드폰에서는 평면 프레임에 붙였기 때문에 해당사항은 아니지만)
- IR 코팅을 위해서도
- 주로 2인치 사파이어(당연히 단결정) 웨이퍼를 사용한다.
- 유리판에 금속사각프레임이 붙어 있다.
- 위쪽 다이버시티(?) 안테나
- 진동모터에서 바타입 ERM 진동모터
- 메탈 프레임 전체
아래쪽 유리판을 뜯으면(이 공간으로 메인안테나 가 동작해야 한다.)
- 메인보드
- 메인보드 PCB 접지
- 터치 콘트롤러 cumulus chip and meson chip
- TI 343S0645 Digitizer Controller IC // Broadcom BCM5976 touch screen IC // TI 65739A0P ???
- Broadcom, Touchscreen Controller
- TI, Touchscreen Line Driver
- TI 343S0645 Digitizer Controller IC // Broadcom BCM5976 touch screen IC // TI 65739A0P ???
- WiFi, TDD 밴드
- 송수신 칩
- 모바일AP + RAM PoP(Package On Package)
- 뒷면, 전체를 감싼 실드 캔 하나
- RF front end
- PMIC
- 지자기센서 나침반
- 위치하는 곳
- 외관
- 뜯어내면
- 다이 - 핸드폰은 주로 수평면에 놓이면 X,Y축 지자기는 확실히 검출하나, Z축으로는 감도가 낮을 것이 확실함.
- 홀 센싱 패턴이 8개(?)
- 위치하는 곳
- 주변 장치와 연결되는 커넥터 주변
- Flash Memory SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
- 외관
- 뜯어내어
측면 - 전기도금을 위한 동박연결
- 질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
- 외관
- 다이버시티 안테나 부근의 튜너블C
- 다이버시티 안테나 부근(=GPS/WiFi 근처임)의 GPS LNA 필터 모듈
- 3축 자이로 센서
3축 가속도 센서와 비교(IC 위치가 위 아래로 다르다.)
- 3축 가속도 센서
- 메인보드 PCB 접지