"Redmi Note 6 Pro"의 두 판 사이의 차이

2022년 12월 6일 (화) 13:03 판

Redmi Note 6 Pro

링크
1. 전자부품
  1. 핸드폰
    1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰 - 이 페이지
  2. 참고
    1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
기술자료
1. 모델: M1806E7TG(Global Version)
2. 외부 링크
  1. https://www.gsmarena.com/xiaomi_redmi_note_6_pro-9333.php
  2. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Redmi_Note_6_Pro
  3. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EC%83%A4%EC%98%A4%EB%AF%B8%20Redmi%20Note%206%20Pro
3. 출시년도: 2018년 10월
  1. Android 9
4. 사용 네트워크
  1. 2G GSM 850/900/1800/1900
  2. 3G HSDPA 850/900/1700(AWS)/1900/2100
  3. 4G 1, 2, 3, 4, 5, 7, 8, 28, 38, 40 아래 밴드에서 폰 기준으로 Tx, Rx
    1. LTE
      1. B1: 2100, 1920~1980(1950), 2110~2170(2140)
      2. B2: 1900, 1850~1910(1880), 1930~1990(1960)
      3. B3: 1800, 1710~1785(1747.5), 1805~1880(1842.5)
      4. B4(AWS): 1700, 1710~1755, 2110~2155
      5. B5: 850, 824~849(836.5), 869~894(881.5)
      6. B7: 2600, 2500~2570(2535), 2620~2690(2655)
      7. B8: 900, 880~915(897.5), 925~960(942.5)
      8. B28: 700, 703~748, 758~803
    2. TD-LTE
      1. B38: 2600, TDD 2570~2620(2595)
      2. B40: 2300, TDD 2300~2400(2350)
5. 기타
  1. Qualcomm Snapdragon 636, 4GB RAM, 64GB Flash
  2. 금속 코어 프레임: 알루미늄 6000 시리즈
  3. 4000mAh 배터리
  4. Qualcomm의 Quick Charge 3.0
  5. 카메라
    1. 전면: 2개 20MP(듀얼 픽셀 기술 활용한 위상차 검출 AF), 2MP
    2. 후면: 2개 12MP, 5MP
  6. 뒤쪽 지문센서(에어리어 방식)
  7. 안면 잠금 해제용 적외선 센서
사용하면서 몇몇 기능
1. MI recovery 3.0 메뉴
  1. 볼륨 up + 전원 버튼을 수초간 누른다
  2. mi 화면이 나오면, 전원 버튼만 뗀다.
    1. Reboot
    2. Wipe Data - 한 참 뒤 초기화 메뉴가 나온다.
    3. Connect with MIAssistant
2. 스톱워치 기능, 아워미터
  - 1000시간 이상 표시 안한다.
외관
- 모델: M1806E7TG
- 사용한 양면 접착테이프는 아노다이징 알루미늄에 더 잘 붙는다.
뒤면 열면
1. 뒤면 커버 중에서 플라스틱 부위에 F-PCB로 만든 셀룰라 안테나가 모두 붙어 있다.
  - 뒤면 커버에 터치 정전식 지문센서 케이블이 연결되어 있다.
  - 그라파이트 시트
  - 안테나
2. 뒤면 커버 구조 및 알루미늄 아노다이징 금속판 접지 위치
  - PC 수지판과 알루미늄 아노다이징 금속판은 접착제를 발라 붙였다.
배터리 들어 올리면
- 금속 코어 프레임 홈 사이로 안테나용 RF 케이블, 아래쪽 인터페이스, 화면/터치 인터페이스 등 3개의 신호선이 지나간다.
아래쪽 마이크로 스피커 박스를 들어올리면
- 보안 테이프를 제거해야 나사를 풀 수 있다.
- 나사를 풀면 들어올릴 수 있다.
전면 카메라 부근
카메라
1. 전면
  - 전면카메라 방열
2. 후면
RF 파트는 실드 깡통이고, PMIC는 방열(거울 반사를 막기 위해) 및 실드 깡통이다.
전력관리IC, Qualcomm PM660L
- PMIC 오른쪽에는, 윗면만 검정 페인트칠한 파워 인덕터 6개가 보인다.
모바일AP + DRAM+Flash이 결합된 MCP
1. AP 방열
  - 금속 코어프레임과 AP가 속에 있는 깡통이 서멀 패드를 통해 접촉한다.
  - AP는 서멀 패드를 통해 깡통으로 방열된다.
2. MCP SanDisk SDADA4CR-64G, 모바일AP Qualcomm SDM636 SoC
3. MCP = 4GB DRAM + 64GB Flash
  1. 맨 밑에서부터 보면, 2다이로 2층(아마 4GB DRAM), 그 위에 작은 플래시제어기 IC와 큰 다이 2층(64GB Flash)
  2. 총 7다이
4. 모바일AP, Qualcomm SDM636 SoC
  - 4층 PCB, 양쪽 모두 솔더볼 접합이므로 타이바가 없다.
  - 오른쪽이 실리콘 다이
  - 실리콘 다이. 불에 빨갛게 태운 후. 두꺼운 유리질 및 구리 RDL이 관찰된다.
  - 어느 귀퉁이. staggered fill 방식 더미 필 패턴
터치 정전식 지문센서
- 양면 접착테이프로 붙어 있다. 알루미늄 아노다이징을 제거해야 테이프 접착력이 좋은 듯.
- (보이지 않는다.) 왼쪽에 판독IC가 붙어 있다.
- AIC9003, FINGERPRINTS 2015
WiFi 모듈(핸드폰), Qualcomm WCN3980
- Qualcomm WCN3980
셀룰라 주파수 대역을 처리하는 RF 부분
1. 앞면 전체
2. 뒷면에 PAM, Qorvo QM56020
3. PAM, Qorvo RF5212A
  - RF5212A
  - BGA IC 3개, MLCC 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다.
4. 트랜시버 IC, Qualcomm SDR660
  - SDR660
5. SAW, SMR
  1. 위치 번호 #1~#15
    1. 사진
    2. 제조회사
      1. Wisol(와이솔)
      2. Murata(무라타)
      3. Taiyo Yuden(다이요유덴;태양유전)
      4. Kyocera(교세라)
      5. Epcos(엡코스, 현재는 RF360)
      6. Qorvo(코보)
  2. 1.1x0.9mm, SAW-핸드폰RF
    1. #1, 와이솔 HG96AA4 MP1 KWH
    2. #2, 와이솔 HG56BA0 MP9, KYH, KRF
    3. #3, 무라다 DL44-A1
    4. #4, 와이솔 H806BA MP5, WJL
    5. #5, 무라타 DK71-A1
    6. #6, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
    7. #7, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
      - 불에 태워서. 허메틱 실링제품이므로 보호막이 없는 듯
  3. 1.1x0.9mm, SMR
    1. #14, Qorvo, 에폭시 필름 실링
      - TQ 2014, EG9509 FD3a X12 Y10
      - 불에 태워보니, 깨진 진동판을 확인할 수 있다.
  4. 1.4x1.1mm, SAW-핸드폰DPX
    1. #8, Epcos
  5. 1.8x1.4mm, SAW-핸드폰DPX
    1. #11, Kyocera, K202 마킹
      1. 참고 Kyocera SD18 시리즈에서
        
        SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
        Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
      2. 불에 태워서
      3. T(Tx로 추정) B20 601 마킹
      4. R(Rx로 추정) B20 722 마킹
      5. 의견
        
        처음보는 HTCC 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
        타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
        보호막이 없다고 생각됨.
        솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
    2. #10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
      - 사파이어+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다.
      - 얇은 LT가 깨져 세라믹 기판에 붙어 있다.
      - Y199-23 얇은 LT가 깨졌다.
      - Y196-09
    3. #12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
      - 사파이어+LT 접합 다이, X857 -06
    4. #13, Murata, GY35-A1
      - 불에 태워서
      - 본딩된 전극 손상이 크다. SAW필터에서 초전성
  6. 2.0x1.6mm, SAW-핸드폰DPX
    1. #09, Epcos
      - 직렬 6폴 패턴
      - 오염 물질
  7. Quadplexer(?), SMR
    1. #15, Qorvo, Hard PR로 만든 WLP
      - 불에 태워서. (사진 속 작은) 다이 하나는 잃어버림
      - 다이 A
      - 다이 B
      - 다이 C

@@ 8번째 줄: / 8번째 줄: @@
 <ol>
 <li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰 - 이 페이지
+</ol>
+<li>참고
+<ol>
+<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰
 </ol>
 </ol>
@@ 130번째 줄: / 134번째 줄: @@
 image:redmi_note6pro_011.jpg
 </gallery>
-<li>PMIC
+<li> [[전력관리IC]], Qualcomm PM660L
 <gallery>
-image:redmi_note6pro_014.jpg
+image:redmi_note6pro_014.jpg | PMIC 오른쪽에는, 윗면만 검정 페인트칠한 [[파워 인덕터]] 6개가 보인다.
 </gallery>
-<li>AP + RAM+Flash
+<li> [[모바일AP]] + DRAM+Flash이 결합된 [[MCP]]
 <ol>
 <li>AP [[방열]]
 <gallery>
-image:redmi_note6pro_012.jpg
+image:redmi_note6pro_006.jpg | 금속 코어프레임과 AP가 속에 있는 깡통이 [[서멀 패드]]를 통해 접촉한다.
+image:redmi_note6pro_012.jpg | AP는 [[서멀 패드]]를 통해 깡통으로 방열된다.
+</gallery>
+<li>[[MCP]] SanDisk SDADA4CR-64G, [[모바일AP]] Qualcomm SDM636 SoC
+<gallery>
+image:redmi_note6pro_015.jpg
+image:redmi_note6pro_015_001.jpg
 </gallery>
-<li>IC
+<li> [[MCP]] = 4GB [[DRAM]] + 64GB [[Flash]]
+<ol>
+<li>맨 밑에서부터 보면, 2다이로 2층(아마 4GB DRAM), 그 위에 작은 플래시제어기 IC와 큰 다이 2층(64GB Flash)
+<li>총 7다이
+</ol>
+<li> [[모바일AP]], Qualcomm SDM636 SoC
 <gallery>
-image:redmi_note6pro_015.jpg | SanDisk SDADA4CR-64G, Qualcomm SDM636 SoC
+image:redmi_note6pro_015_002.jpg | 4층 PCB, 양쪽 모두 솔더볼 접합이므로 [[타이바]]가 없다.
+image:redmi_note6pro_015_003.jpg | 오른쪽이 실리콘 다이
+image:redmi_note6pro_015_004.jpg | 실리콘 다이. 불에 빨갛게 태운 후. 두꺼운 유리질 및 구리 RDL이 관찰된다.
+image:redmi_note6pro_015_005.jpg | 어느 귀퉁이. staggered fill 방식 [[더미 필 패턴]]
 </gallery>
 </ol>
@@ 153번째 줄: / 171번째 줄: @@
 image:redmi_note6pro_020_005.jpg | AIC9003, FINGERPRINTS 2015
 </gallery>
-<li>RF
+<li> [[WiFi 모듈(핸드폰)]], Qualcomm WCN3980
+<gallery>
+image:redmi_note6pro_016.jpg | Qualcomm WCN3980
+</gallery>
+<li>셀룰라 주파수 대역을 처리하는 RF 부분
 <ol>
-<li>전체
+<li>앞면 전체
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_013.jpg
 </gallery>
-<li>Qorvo PAM RF5212A
+<li>뒷면에 [[PAM]], Qorvo QM56020
+<gallery>
+image:redmi_note6pro_017.jpg
+</gallery>
+<li> [[PAM]], Qorvo RF5212A
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_018.jpg | RF5212A
-image:redmi_note6pro_018_001.jpg | BGA IC 3개, MLCC 1개
+image:redmi_note6pro_018_001.jpg | BGA IC 3개, MLCC 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다.
 </gallery>
-<li>Qualcomm RF Transceiver SDR660
+<li> [[트랜시버 IC]], Qualcomm SDR660
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_019.jpg | SDR660
 </gallery>
-<li>[[SAW-핸드폰RF]] 및 [[SMR]]
+<li> [[SAW]], [[SMR]]
+<ol>
+<li>위치 번호 #1~#15
 <ol>
-<li>위치 번호
+<li>사진
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_013_000_001.jpg
 </gallery>
-<li>1.1x0.9mm
+<li>제조회사
+<ol>
+<li>Wisol(와이솔)
+<li>Murata(무라타)
+<li>Taiyo Yuden(다이요유덴;태양유전)
+<li>Kyocera(교세라)
+<li>Epcos(엡코스, 현재는 RF360)
+<li>Qorvo(코보)
+</ol>
+</ol>
+<li>1.1x0.9mm, [[SAW-핸드폰RF]]
 <ol>
 <li>#1, 와이솔 HG96AA4 MP1 KWH
@@ 196번째 줄: / 234번째 줄: @@
 image:redmi_note6pro_013_005_001.jpg
 </gallery>
-<li>#6, Taiyo Yuden
+<li>#6, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_013_006_001.jpg
 </gallery>
-<li>#7, Taiyo Yuden
+<li>#7, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_013_007_001.jpg | 불에 태워서. 허메틱 실링제품이므로 보호막이 없는 듯
 </gallery>
-<li>#14, Qorvo, [[SMR]], 에폭시 필름 실링
+</ol>
+<li>1.1x0.9mm, [[SMR]]
+<ol>
+<li>#14, Qorvo, 에폭시 필름 실링
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_013_014_001.jpg
@@ 221번째 줄: / 262번째 줄: @@
 <li>1.8x1.4mm, [[SAW-핸드폰DPX]]
 <ol>
-<li>#11, 교세라, K202 마킹
+<li>#11, Kyocera, K202 마킹
 <ol>
-<li>참고 교세라 SD18 시리즈, 1814
+<li>참고 Kyocera SD18 시리즈에서
 <ol>
-<li>SD18-0847R8UUD1, Band20, K203
+<li>SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
-<li>SD18-0847R8UUB1, Band20, K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
+<li>Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
 </ol>
 <li>불에 태워서
@@ 245번째 줄: / 286번째 줄: @@
 <ol>
 <li>처음보는 [[HTCC]] 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
-<li>타회사와 달리, 유일하게 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
+<li>타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
 <li>보호막이 없다고 생각됨.
 <li>솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
@@ 257번째 줄: / 298번째 줄: @@
 image:redmi_note6pro_013_010_004.jpg | Y196-09
 </gallery>
-<li>#12, Taiyo Yuden
+<li>#12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_013_012_001.jpg
@@ 269번째 줄: / 310번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li>2.0x1.6mm
+<li>2.0x1.6mm, [[SAW-핸드폰DPX]]
 <ol>
-<li>#09, Epcos, [[SAW-핸드폰DPX]]
+<li>#09, Epcos
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_013_009_001.jpg
 image:redmi_note6pro_013_009_002.jpg
-image:redmi_note6pro_013_009_003.jpg
+image:redmi_note6pro_013_009_003.jpg | 직렬 6폴 패턴
-image:redmi_note6pro_013_009_004.jpg | 오염 액체물질
+image:redmi_note6pro_013_009_004.jpg | 오염 물질
 </gallery>
 </ol>
-<li>Quadplexer(?)
+<li>Quadplexer(?), [[SMR]]
 <ol>
-<li>#15, Qorvo, [[SMR]]
+<li>#15, Qorvo, Hard PR로 만든 WLP
 <gallery>
-image:redmi_note6pro_013_015_001.jpg | 불에 태워서. 떨어진 다이 하나는 잃어버림
+image:redmi_note6pro_013_015_001.jpg | 불에 태워서. (사진 속 작은) 다이 하나는 잃어버림
 image:redmi_note6pro_013_015_002.jpg | 다이 A
 image:redmi_note6pro_013_015_003.jpg | 다이 B
@@ 291번째 줄: / 332번째 줄: @@
 </ol>
 </ol>
-<li> [[PAM]], Qorvo QM56020
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_017.jpg
-</gallery>
-<li> [[WiFi 모듈(핸드폰)]], Qualcomm WCN3980
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_016.jpg
-</gallery>
 </ol>