1년, 322일, 4시간, 20분 - Togotech

"SAW-핸드폰DPX"의 두 판 사이의 차이
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<li> [[SAW-핸드폰DPX]] - 이 페이지
 
<li> [[SAW-핸드폰DPX]] - 이 페이지
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<li> [[세라믹필터]]
 
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<li> [[유전체필터]]
 
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<li> [[SAW-CLP]]
 
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<li> [[압전체]]
 
 
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<li>필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
 
<li>필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
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<li>3.8x3.8mm
 
<li>3.8x3.8mm
 
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<li>삼성전기 LTCC, 캐비티 패키지, KYH
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<li>삼성전기
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<li>LTCC, 캐비티 패키지, KYH
 
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image:saw_dpx3838_01_001.jpg | 이 상태로 존재함
 
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<li>팬택 & 큐리텔 [[PT-L2200]] 피처폰에서
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<li>SFXG65KC401, Korea PCS(Tx 1765MHz Rx 1855MHz), China 2006 190lot
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image:pt_l2200_013.jpg | FCI 7214 [[PAM]] -> 무라타 [[아이솔레이터]] -> DPX
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image:pt_l2200_015.jpg | LTCC 6층 적층
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<li>뚜껑을 벗기고
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image:pt_l2200_017.jpg | 빨강화살표 전극 - 괜히 넣었다. isolation 특성을 저해한다. 파랑화살표 본딩 - Rx와 Tx를 연결하는 와이어를 공통으로 찍었기 때문에 isolation 특성을 저해한다.
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image:pt_l2200_018.jpg | XG65KC4, KYH 씨 설계로 추정
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<li>불에 태우면
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<li>K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상
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<li>Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic)
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<li>데이타시트
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<li>2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 [[canU701D]]에서
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<li>외관
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image:canu701d_011.jpg | Qualcomm RFT6100 Tx IC, FCI 7214 PAM, Matsushita EFSD1765D2S3 SAW DPX, FCI 7510 LNA, Qualcomm RFR6000 Rx IC
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image:canu701d_013.jpg | EFSD1765D2S3, Matsushita Electronic Components Co., Ltd.(Osaka) LCR Device Company, Ceramic Business Unit, 2003년 규격서에서
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<li>측정
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<li>기밀성 테스트(문제 없다.) 및 온도 특성
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image:canu701d_028.png | 약 130도씨
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<li>납땜 단자 고착 강도
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image:canu701d_029.jpg | 땜납이 떨어진다. LTCC 전극 고착강도가 무척 높다.
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<li>다이
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image:canu701d_030.jpg | AuSn 리드를 칼로 뜯어낸 후
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image:canu701d_031.jpg | 리버스(칩을 2nd 본딩), 알루미늄 웨지 와이어본딩
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image:canu701d_032.jpg | 모든 IDT가 C 직렬연결
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<li>현미경 촬영 거리를 줄이기 위해, 다이를 뜯어내기 위해, 빨갛게 달궈 Ag 에폭시 접착력을 떨어뜨려 다이를 뜯어냄
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image:canu701d_033.jpg | 우물 자국은 이물질이 폭발한 듯
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image:canu701d_034.jpg | 단단한 전극인듯, 산화물 보호막이 있는 듯
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<li>SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz
 
<li>SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz
 
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<li>2.0x1.6mm
 
<li>2.0x1.6mm
 
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<li>2015 [[LG-F570S]] LG Band Play 에서
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<li>#5, 마킹 PMKY
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<li>가장 오른쪽, 와이솔 제품
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<li> [[알루미나 기판]]
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image:lg_f570s_040_007.jpg | 왼쪽이 Tx, 오른쪽이 Rx
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<li> [[SAW-핸드폰DPX]]
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image:lg_f570s_040_008.jpg
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image:lg_f570s_040_009.jpg | Tx 다이, X836AZ2 Tx MP3 PDC
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image:lg_f570s_040_011.jpg | Rx 다이, X836AZ2 Rx MP4 PDC
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<li>#6, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm, 마킹 kA? 4A, PCB 기판
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<li>외관
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image:lg_f570s_040.jpg
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<li>다이1
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image:lg_f570s_040_001.jpg | CY40-A2
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image:lg_f570s_040_002.jpg | [[IC 표식]] 山, 한자 메 산, 일본발음 야마
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image:lg_f570s_040_003.jpg | 주기: 1.90um 3900msec 라면 2053MHz, 직렬만 이렇게 설계된 듯
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image:lg_f570s_040_004.jpg | 병렬 레조네이터에만 이렇게 설계된 듯
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<li>다이2
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image:lg_f570s_040_005.jpg | DH90-A2
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image:lg_f570s_040_006.jpg | 주기 1.78um 3900m/sec라면 2190MHz, 모든 IDT가 이렇게 설계됨.
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<li>#7, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm, 마킹 WAd @2M
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<li>외관
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image:lg_f570s_040.jpg | 왼쪽에서 두 번째, 세라믹 기판 사용품
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<li>SAW 다이1
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image:lg_f570s_040_021.jpg | DW71-A1
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image:lg_f570s_040_022.jpg | x150 대물렌즈, 주기 1.99um 3900m/s라면 중심주파수는 1960MHz
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<li>SAW 다이2
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image:lg_f570s_040_023.jpg
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image:lg_f570s_040_024.jpg | x100 대물렌즈에서, 주기 2.14um 속도 3900m/sec라면 중심주파수는 1822MHz
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</ol>
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<li>#8, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm, 마킹 mAb 4Q
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<ol>
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<li>외형
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image:lg_f570s_040.jpg | 왼쪽, PCB 기판
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<li>Tx 다이
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image:lg_f570s_040_012.jpg | DQ56-A1
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image:lg_f570s_040_016.jpg | 주기 1.972um, 탭 폭이 넓다.
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<li>Rx 다이
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image:lg_f570s_040_013.jpg | CU40-A2
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image:lg_f570s_040_014.jpg | [[정전기]] 파괴 패턴, 오른쪽 lateral IDT가 더 많고 withdrawl 전극 1개 있다.
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image:lg_f570s_040_015.jpg | 주기 1.835um
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<li> [[와이어본딩]] 기술처럼, 플립본딩된 범프볼 관찰
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image:lg_f570s_040_017.jpg | 다이, 기판
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image:lg_f570s_040_018.jpg | 다이를 바라볼 때 / 패키지를 바라볼 때
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image:lg_f570s_040_019.jpg | 패키지를 바라볼 때
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<li>도금용 [[타이바]]가 없는 [[유기물기판]]이다.
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image:lg_f570s_040_020.jpg | 4층 무전해도금 PCB
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<li>#9, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm DPX, 마킹 7T0 91\, Epcos, 구리 기둥 제품
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<ol>
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<li>외관
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<li>다이
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image:lg_f570s_041_001.jpg | 4각형 가장자리 프레임 벽이 있고, 가운데에 구리기둥 3개 있다. 다이를 손톱으로 누르면 쉽게 깨진다. (다이가 얇기 때문이다.)
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image:lg_f570s_041_002.jpg
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image:lg_f570s_041_003.jpg | 다이에서 만든 것이 아니라, 패키지에 만든 기둥이다. 다이와 접촉한다.
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image:lg_f570s_041_004.jpg | AF92B(거울대칭으로 처리함)
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image:lg_f570s_041_005.jpg | 주기 2.08um (~1875MHz)
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<li>한국 SK텔레콤용 [[포켓WiFi]]에서 사용된 무라타 850/1800MHz
 
<li>한국 SK텔레콤용 [[포켓WiFi]]에서 사용된 무라타 850/1800MHz
 
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image:iphone5s01_136_001_002.jpg
 
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<li>2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 [[SM-A710S]]
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<li>[[PAM]] 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
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<li>외관
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image:a710s01_075.jpg | 매칭 소자가 많다.
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image:a710s01_076_001.jpg | 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
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<li>몰딩 수지를 벗기면
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<li>다이를 세라믹 기판에서 분리하면
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<li>다이
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image:a710s01_076_008.jpg | 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um
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image:a710s01_076_010.jpg | [[TEG]] 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴
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<li>Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에
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<li>위치한 곳 및 외관
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image:a710s01_005_003.jpg | 위치
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image:a710s01_026.jpg | 1.8x1.4mm
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<li>표면 상단 수지막을 벗기면
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image:a710s01_027.jpg
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image:a710s01_028.jpg | 다이 뒷면이 거칠지 않다.
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image:a710s01_029.jpg | 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.
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image:a710s01_030.jpg | [[EMC]]에서 둥근 실리카 필러 관찰
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<li>[[알루미나 기판]]에서 다이 분리
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image:a710s01_031.jpg
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image:a710s01_032.jpg
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image:a710s01_033.jpg | 구리 [[도금]]
 
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2021년 3월 24일 (수) 15:32 판

SAW-핸드폰DPX

  1. SAW대문
    1. SAW-핸드폰DPX - 이 페이지
  2. 필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
    1. 3.8x3.8mm 필터를 사용함.
      1. U-100 2003.10.1 마킹된 휴대폰보드에서
        • u 100 001.jpg
        • u 100 014.jpg
        • u 100 015.jpg
        • u 100 016.jpg

        • Tx, Rx필터로 duplexer 만드는 법

    2. 3.0x3.0mm 필터를 사용함.
      1. 삼성전기, 개발품(?) 모델명 모름
        1. 이 상태로 있길래
          • saw dpx9575 02 001.jpg
          • saw dpx9575 02 002.png
          • saw dpx9575 02 003.jpg
        2. 깡통을 벗기니
          • saw dpx9575 02 004.jpg
        3. 3.0x3.0mm 쏘필터를 다시 납땜해서

          • 왼쪽 881, 오른쪽 836

          • saw dpx9575 02 006.png
        4. 쏘필터 뚜껑을 벗기니
          • saw dpx9575 02 007.jpg

          • 왼쪽 881, 오른쪽 836

          • X881 50

          • X836 50

          • saw dpx9575 02 011.jpg
  3. 9.5x7.5mm
    1. 후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4
      1. 제품규격서 - 12p
      2. StarTAC 휴대폰에서
    2. 삼성전기 X836KP - 2001년 제품
      1. 자재 및 공정
        1. 사용 패키지와 리드(8.0x6.0mm) 비교
          • lid ausn10 005.jpg
          • lid ausn10 006.jpg
          • lid ausn10 007.jpg
        2. 융착 결과 - AuSn 두께가 30um으로 두꺼워야 하는 이유. 패키지가 크면 warpage가 커, 빈공간을 메워야 하므로
          • lid ausn10 008.jpg
          • lid ausn10 009.jpg
      2. 2017년 Redmi Note 4X 휴대폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교

        • 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm

        • 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm

      3. 포켓WiFi에서 사용된 2.0x1.6mm 제품과 비교하기 위해 분해
        1. 비교 사진
          • saw dpx9575 01 001.jpg
          • saw dpx9575 01 002.jpg
          • saw dpx9575 01 003.jpg
          • saw dpx9575 01 004.jpg
          • saw dpx9575 01 005.jpg
        2. 칩 전체

          • Rx(881.5MHz)

          • Tx(836.5MHz)

        3. 확대
          • saw dpx9575 01 008.jpg
          • saw dpx9575 01 009.jpg
        4. 더 확대

          • 주기: 4.27um - Rx(881.5MHz)

          • 위쪽 주기: 4.56um - Tx(836.5MHz)

        5. 무라타 2016과 비교
          • saw dpx9575 01 012.jpg
          • saw dpx9575 01 013.jpg
        6. Rx 칩에서, HWP 폰트(유니코드 문자코드 263B, Black Smiling Face)로 만든 패턴인듯.
          • saw dpx9575 01 014.jpg
  4. 5.0x5.0mm
    1. Fujitsu
      1. 싸이버뱅크 CP-X310 PDA 폰에서

        • 싸이버뱅크 CVC-100 RF 보드를 떼어내면

        • 안테나 접점과 연결되는 Fujitsu SAW-핸드폰DPX

        • RF 모듈 앞면, Qualcomm MSM5500 Modem, RFT3100 Tx Processor, IFR3500 Rx Processor, Skyworks CX77105-16P PAM(824~849MHz), MAX2538E Mixer, LMX2354 PLL

        • cp x310 028 001.jpg

        • Fujitsu 5.0x5.0mm SAW-핸드폰DPX

      2. LG-SD1250 2003년 3월 제조된 핸드폰에서
        1. 외관
          • lg sd1250 006.jpg

          • RF단

          • Fujitsu, 836.5/881.5MHz Duplexer, 5.0x5.0mm

        2. 내부

          • 알루미늄 웨지 와이어본딩

          • 실버에폭시 다이본딩

          • MHA622-03, 다이 크기 2.37x1.96mm

        3. 불에 달궈 다이를 뜯음

          • 다이를 뜯어내기 위해 빨갛게 달군 후(검정 물질은 땜납 Sn이 산화되면 이렇게 부피가 커지는 듯)

          • 측면 다이싱

  5. 3.8x3.8mm
    1. 삼성전기
      1. LTCC, 캐비티 패키지, KYH

        • 이 상태로 존재함

        • saw dpx3838 01 002.jpg
      2. 팬택 & 큐리텔 PT-L2200 피처폰에서
        1. SFXG65KC401, Korea PCS(Tx 1765MHz Rx 1855MHz), China 2006 190lot
        2. 뚜껑을 벗기고
          • pt l2200 016.jpg

          • 빨강화살표 전극 - 괜히 넣었다. isolation 특성을 저해한다. 파랑화살표 본딩 - Rx와 Tx를 연결하는 와이어를 공통으로 찍었기 때문에 isolation 특성을 저해한다.

          • XG65KC4, KYH 씨 설계로 추정

        3. 불에 태우면
          • pt l2200 018 001.jpg
          • pt l2200 018 002.jpg
          • pt l2200 018 003.jpg
      3. K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상
    2. Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic)
      1. 데이타시트
      2. 2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 canU701D에서
        1. 외관

          • Qualcomm RFT6100 Tx IC, FCI 7214 PAM, Matsushita EFSD1765D2S3 SAW DPX, FCI 7510 LNA, Qualcomm RFR6000 Rx IC

          • canu701d 012.jpg

          • EFSD1765D2S3, Matsushita Electronic Components Co., Ltd.(Osaka) LCR Device Company, Ceramic Business Unit, 2003년 규격서에서

        2. 측정
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          • canu701d 025.png
        3. 기밀성 테스트(문제 없다.) 및 온도 특성
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          • canu701d 027.jpg

          • 약 130도씨

        4. 납땜 단자 고착 강도

          • 땜납이 떨어진다. LTCC 전극 고착강도가 무척 높다.

        5. 다이

          • AuSn 리드를 칼로 뜯어낸 후

          • 리버스(칩을 2nd 본딩), 알루미늄 웨지 와이어본딩

          • 모든 IDT가 C 직렬연결

        6. 현미경 촬영 거리를 줄이기 위해, 다이를 뜯어내기 위해, 빨갛게 달궈 Ag 에폭시 접착력을 떨어뜨려 다이를 뜯어냄

          • 우물 자국은 이물질이 폭발한 듯

          • 단단한 전극인듯, 산화물 보호막이 있는 듯

    3. SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz
      1. 규격서 - 6p
      2. Motorola MS500 휴대폰에서
        1. 세트에서. W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
          • ms500 01 026.jpg
        2. 주파수 특성
          • ms500 01 027.jpg

          • 광대역 특성

          • 통과대역 특성

          • 3포트 반사 특성

          • 3포트 매칭

          • Tx/Rx ladder 필터의 지연시간 약 20nsec

        3. 뚜껑 열기

          • 와이어본딩이 L로 동작하므로 정교하게 연결한다.

          • 두 패턴 사이에 Y자 접지 패턴이 이채롭다.

        4. 패턴

          • 위쪽이 Tx 패턴일 듯

          • 정전기 파괴

          • 정전기 파괴

          • 글꼴 설계, M자는 Copyright

  6. 3.2x2.5mm
    1. 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
      1. LG-SH170 에서
        1. 리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻)
          • sh170 052.jpg
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          • sh170 054.jpg
        2. AuSn 실링
          • sh170 055.jpg

          • 검정색 칩, 이젝트핀 자국

          • sh170 057.jpg

          • 기판 구리전극이 뜯어졌다. 칩에서 보호막 두께가 달라 색상이 달리 보인다.

        3. 칩 패턴
          • sh170 059.jpg
          • sh170 060.jpg
          • sh170 061.jpg

          • 융착온도 때문에 금속 확산

        4. 어떤 칩 다이싱 단면

          • 한쪽면

          • 같은 칩에서 그 반대 한쪽면

          • sh170 065.jpg
      2. SPH-W4700
        1. 외관
          • w4700 020.jpg
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        2. 플립 본딩

          • 검정색 칩, 이젝트핀 자국

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          • LTCC 구리전극 캐비티

        3. 칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임

          • W734-A1

        4. 칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
          • w4700 026.jpg
  7. 3.0x2.5mm
    1. 밸러스 Rx, SJB
      • saw dpx3025 01 001.jpg
  8. 2.5x2.0mm
    1. 세트에서 발견
      1. 와이솔, 핸드폰 GT-B6520에서

        • SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치

        • 2 듀플렉서 칩 두께가 서로 다르다.

        • XG50PD5-MP6 Rx HJD

        • XG50PD5-MP? Tx HJD

      2. 3G통신모듈에서
        1. 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
          1. 통신모듈

            • RF 면

            • QSC6240

          2. 외관
            • 3g module01 017.jpg
            • 3g module01 018.jpg
          3. 에폭시를 제거하면

            • Rx, Tx

            • Tx 칩이 더 얇다. 먼저 본딩했다.

          4. 칩 뜯는 방법

            • 위로 올라가지 않게 위에서 누른다.

            • 칼날을 밀어 넣기 전

            • 칼날을 밀어 넣은 후

          5. 패키지와 칩. Tx칩은 큰 내전력이 요구되므로, Rx칩과 공정이 달라, 표면 구조가 다르기 때문에 다른 빛깔로 관찰된다.
            • saw dpx2520 01 006.jpg
          6. Rx 칩. 아래 중앙이 Ant, 아래 좌우가 diffential out(좌우 대칭)

            • 왼쪽 육교 패턴 일부는 높아서, 칼에 의해 잘린 흔적이 보인다.

            • saw dpx2520 01 011.jpg
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            • saw dpx2520 01 013.jpg

            • 정렬키와 (갈색)보호막

          7. Tx 칩

            • Tx

            • 1폴 공진기로 등가회로

            • saw dpx2520 01 009.jpg
            • saw dpx2520 01 010.jpg

            • probing 바늘 자국. 밀리지 않아 거의 원형이다.

        2. CDMA 1x EV-DO USB Modem
          1. 외관
            • 3g module03 003.jpg
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            • 3g module03 003 001.jpg
          2. Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
            • 3g module03 003 008.jpg
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            • Tx필터 813077C AC

            • Rx필터 813256

            • 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴

  9. 2.0x1.6mm
    1. 2015 LG-F570S LG Band Play 에서
      1. #5, 마킹 PMKY
        1. 가장 오른쪽, 와이솔 제품
          • lg f570s 040.jpg
        2. 알루미나 기판

          • 왼쪽이 Tx, 오른쪽이 Rx

        3. SAW-핸드폰DPX
          • lg f570s 040 008.jpg

          • Tx 다이, X836AZ2 Tx MP3 PDC

          • lg f570s 040 010.jpg

          • Rx 다이, X836AZ2 Rx MP4 PDC

      2. #6, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 kA? 4A, PCB 기판
        1. 외관
          • lg f570s 040.jpg
        2. 다이1

          • CY40-A2

          • IC 표식 山, 한자 메 산, 일본발음 야마

          • 주기: 1.90um 3900msec 라면 2053MHz, 직렬만 이렇게 설계된 듯

          • 병렬 레조네이터에만 이렇게 설계된 듯

        3. 다이2

          • DH90-A2

          • 주기 1.78um 3900m/sec라면 2190MHz, 모든 IDT가 이렇게 설계됨.

      3. #7, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 WAd @2M
        1. 외관

          • 왼쪽에서 두 번째, 세라믹 기판 사용품

        2. SAW 다이1

          • DW71-A1

          • x150 대물렌즈, 주기 1.99um 3900m/s라면 중심주파수는 1960MHz

        3. SAW 다이2
          • lg f570s 040 023.jpg

          • x100 대물렌즈에서, 주기 2.14um 속도 3900m/sec라면 중심주파수는 1822MHz

      4. #8, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 mAb 4Q
        1. 외형

          • 왼쪽, PCB 기판

        2. Tx 다이

          • DQ56-A1

          • 주기 1.972um, 탭 폭이 넓다.

        3. Rx 다이

          • CU40-A2

          • 정전기 파괴 패턴, 오른쪽 lateral IDT가 더 많고 withdrawl 전극 1개 있다.

          • 주기 1.835um

        4. 와이어본딩 기술처럼, 플립본딩된 범프볼 관찰

          • 다이, 기판

          • 다이를 바라볼 때 / 패키지를 바라볼 때

          • 패키지를 바라볼 때

        5. 도금용 타이바가 없는 유기물기판이다.

          • 4층 무전해도금 PCB

      5. #9, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm DPX, 마킹 7T0 91\, Epcos, 구리 기둥 제품
        1. 외관
          • lg f570s 041.jpg
        2. 다이

          • 4각형 가장자리 프레임 벽이 있고, 가운데에 구리기둥 3개 있다. 다이를 손톱으로 누르면 쉽게 깨진다. (다이가 얇기 때문이다.)

          • lg f570s 041 002.jpg

          • 다이에서 만든 것이 아니라, 패키지에 만든 기둥이다. 다이와 접촉한다.

          • AF92B(거울대칭으로 처리함)

          • 주기 2.08um (~1875MHz)

    2. 한국 SK텔레콤용 포켓WiFi에서 사용된 무라타 850/1800MHz
      1. 2.0x1.6mm 1800MHz용
        1. 외형
          • mobile router01 017.jpg
        2. 내부

          • 왼쪽 Tx, 오른쪽 Rx

          • Rx 아래 - 밸런스 출력

        3. Rx 칩
          • mobile router01 017 003.jpg
          • mobile router01 017 004.jpg
          • mobile router01 017 005.jpg

          • interdigitated C(IDT C)

          • 절연

          • mobile router01 017 008.jpg
        4. Tx 칩에서
          • mobile router01 017 009.jpg
          • mobile router01 017 010.jpg
        5. 칩에서 범프볼(와이어가 길게 존재함)
          • mobile router01 017 011.jpg
        6. 2.0x1.6mm 850MHz용
          1. 외형
            • mobile router01 018.jpg
          2. Rx 칩
            • saw dpx2016 01 001.jpg
            • saw dpx2016 01 003.jpg
            • saw dpx2016 01 007.jpg
          3. Tx 칩
            • saw dpx2016 01 002.jpg
            • saw dpx2016 01 004.jpg
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            • saw dpx2016 01 006.jpg
      2. Apple iPhone 5S에서
        1. Avago A790720, Dual PAMiD
          1. 메인보드에서

            • Epcos 2016 도금타입 CSP

            • 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.

          2. CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
            • iphone5s01 136 005 002.jpg
          3. Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP SAW-핸드폰DPX
            • iphone5s01 136 005 003.jpg

            • 위에서 볼 때

            • iphone5s01 136 005 005.jpg

            • 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.

            • AISGC 또는 AI56C

            • iphone5s01 136 005 008.jpg
    3. 1.8x1.4mm
      1. 2017년 Redmi Note 4X 휴대폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm

        • 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm

      2. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서, 7개 사용하는데,
        1. Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 참조
        2. Murata 1.55x1.15mm 한 개 (아래 참조)
        3. Taiyo Yuden 5개 - 1개 FBAR+SAW조합, 1개 사파이어접합, 3개 SAW
          1. 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
            • redmi note4x 188.jpg
          2. 측면

            • 두께가 다르다.

            • 금속이 세라믹보다 두꺼운 이유는 세라믹을 자른 후 도금을 했기 때문에다.

            • 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.

          3. 701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
            1. 주파수 파형

              • 2535MHz

            2. Tx필터 온도 특성 실험-1
              1. 치구 준비

                • 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함

                • 주파수 특성 그래프

              2. 가열 냄비 준비
                • redmi note4x 189 002.jpg
                • redmi note4x 189 003.jpg
              3. 과불소화 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.

                • Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.

                • 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,

                • redmi note4x 189 006.jpg

                • 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림

              4. 실험 방법

                • 별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함

                • 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림

              5. 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
              6. 엑셀 데이터

                • 온도프로파일

                • 피크이득

                • -10dB 중심주파수

                • -30ppm 온도계수를 갖는다.

                • 대역폭

            3. Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
              1. 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
                • redmi note4x 189 015.png
              2. 그래프

                • 30~130도씨 온도프로파일

                • 피크이득

                • -10dB 중심주파수

                • -33ppm 온도계수를 갖는다.

                • 대역폭

              3. 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
            4. 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
              1. SAW + BAW 조합이다.
                • redmi note4x 189 021.jpg

                • Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.

              2. F-BAR baw 필터

                • W868-08

                • 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함

              3. 공진기 #1~#6
                  1. 1
                  1. 2
                  1. 3
                  1. 4
                  1. 5
                  1. 6
              4. Rx saw 필터

                • W1895-14

                • 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec

          4. 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
            1. 주파수 파형

              • 1877MHz

            2. 땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
              • redmi note4x 190 001.jpg
            3. 사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.

              • 초경에 긁히지 않는 것으로 보아 사파이어 맞다.

              • redmi note4x 190 003.jpg

              • LT두께 20um+사파이어두께 250um, 레이저 펀칭7번, 간격 약 27um

            4. 다이를 뜯어냄

              • 밀어보니, 레이저 다이싱에 문제가 있어, 사파이어가 깨진다.

              • redmi note4x 190 006.jpg
            5. Rx

              • X077-22

              • 주기:1.98um x 1960MHz = 3880m/sec

            6. Tx:1880MHz
              1. 전체

                • X019-21

                • 배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해

              2. withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.

                • 굵은 전극이 궁금해서

                • 주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec

                • 굵은 전극 형태

              3. 90도로 배열된 C패턴
                • redmi note4x 190 011.jpg
                • redmi note4x 190 012.jpg
          5. 7A4, LTE Band1
            1. 주파수 파형

              • 1950MHz

            2. 전체
              • redmi note4x 191 001.jpg
              • redmi note4x 191 002.jpg
            3. Rx

              • Rx 다이, V8151-31

              • Rx 어느 패턴에서 주기: 1.865um 2140MHz 쏘속도 3990m/sec

            4. Tx

              • Tx 다이

              • Tx 어느 패턴에서 주기: 1.949um 1950MHz 쏘속도 3800m/sec

              • 우측 상단, 90도 돌아간 C전용 패턴에서 주기: 1.695um

              • 좌측 하단, 90도 돌아간 C전용 직렬 패턴에서 주기:1.65um. 굳이 직렬로 C를 만들 이유는 내전압 때문이다. (칩 위아래로만 초전이 발생되므로 길게 연결된 패턴 때문에)

          6. 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
            1. 주파수 파형

              • 897.5MHz

            2. 다이 내부

              • 트위저로 금속 뚜껑을 누르면서 작업했는데 다이가 깨져 있다. 리드와 다이 뒷면이 붙어 있지 않다.

              • 풀칠

              • 풀칠 수

              • 다이 분리

              • 다이

              • Rx 다이, 주기: 4.12um 942.5MHz 3880m/sec

              • Tx 다이, 주기: 4.28um 897.5MHz 3840m/sec

          7. 7E4, LTE Band5
            1. 주파수 파형

              • 836.5MHz

            2. 다이 내부

              • 다이 뒷면 밝기가 달리 보인다.

              • 다이를 작게 할 수 없어, 벽이 얇아졌다.

              • redmi note4x 193 003.jpg

              • 기판 전극표면이 비교적 평탄하다.

              • 본딩이 쉽게 떨어진다.(그렇게 플립본딩한 듯)

              • Rx 881.5MHz, 주기: 4.46um (쏘속도 3930m/sec)

              • Tx 836.5MHz, 어느 전극에서, 윗쪽 주기 4.60um, 아래쪽 주기 4.58um (쏘속도 3850m/sec)

      3. Apple iPhone 5S에서
        1. Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
          1. 모듈에서
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            • iphone5s01 136 001 001.jpg
          2. 1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP SAW-핸드폰DPX
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            • iphone5s01 136 001 003.jpg
      4. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S
        1. PAM 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
          1. 외관

            • 매칭 소자가 많다.

            • a710s01 076.jpg

            • 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.

          2. 몰딩 수지를 벗기면
            • a710s01 076 002.jpg
            • a710s01 076 003.jpg
          3. 다이를 세라믹 기판에서 분리하면
            • a710s01 076 004.jpg
            • a710s01 076 005.jpg
          4. 다이
            • a710s01 076 006.jpg
            • a710s01 076 007.jpg

            • 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um

            • a710s01 076 009.jpg

            • TEG 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴

        2. Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에
          1. 위치한 곳 및 외관

            • 위치

            • 1.8x1.4mm

          2. 표면 상단 수지막을 벗기면
            • a710s01 027.jpg

            • 다이 뒷면이 거칠지 않다.

            • 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.

            • EMC에서 둥근 실리카 필러 관찰

          3. 알루미나 기판에서 다이 분리
    4. 1.55x1.15mm
      1. 2017년 Redmi Note 4X 휴대폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm

        • 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm

      2. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
        1. Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
          1. 외관
            • redmi note4x 127.jpg
          2. 패키징

            • 패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm 여유 0.33mm 및 0.31mm

            • redmi note4x 127 002.jpg
          3. 다이

            • EK18

            • 주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)

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