"SM-A516N"의 두 판 사이의 차이
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<li>규격 | <li>규격 | ||
<ol> | <ol> | ||
+ | <li>메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 메모리 | ||
<li>주파수 | <li>주파수 | ||
<ol> | <ol> | ||
81번째 줄: | 82번째 줄: | ||
<li> [[NFC]]+MST(Samsung Pay) 코일 | <li> [[NFC]]+MST(Samsung Pay) 코일 | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> [[페라이트 시트]] 에서 자세히 분석 | + | <li>(내용중복) [[페라이트 시트]] 에서 자세히 분석 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_003.jpg | 오른쪽 [[수지]]판은 >PC+GF30%< 재질이다. | ||
+ | image:sm_a516n_004.jpg | Sunway Communication, A51-5G 2combo | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>분해 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_065.jpg | 방열을 위해 사출물 표면에 [[그라파이트 시트]]를 붙였다. | ||
+ | image:sm_a516n_065_001.jpg | 뒷면 사출물 표면과 만나는 곳에도 [[그라파이트 시트]]가 붙였다. | ||
+ | image:sm_a516n_065_002.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>밝은 회색영역은 PMS(Polymeric Magnet Sheet)이다. 아마 Sendust(Fe-Si-Al) 재료로 만들 것이다. 진한 회색영역에는 [[페라이트 시트]]가 있다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_065_003.jpg | NFC용 영역과 MST용 영역이 다르다. | ||
+ | image:sm_a516n_065_004.jpg | 페라이트 계 시트는 정사각형으로 부러져(air gap 존재) 있고, PMS는 부러져 있지 않다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>코일 관찰 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_065_005.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_065_006.jpg | MST | ||
+ | image:sm_a516n_065_007.jpg | NFC | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
<li> [[파우치 2차-리튬]], 모델:EB-BA516ABY, 정격 3.86V 4370mAh 16.87Wh, 제조자:Ningde Amperex Technology(암페렉스 테크놀로지) | <li> [[파우치 2차-리튬]], 모델:EB-BA516ABY, 정격 3.86V 4370mAh 16.87Wh, 제조자:Ningde Amperex Technology(암페렉스 테크놀로지) | ||
141번째 줄: | 166번째 줄: | ||
image:sm_a516n_011.jpg | 물이 닿았던, 아래쪽 | image:sm_a516n_011.jpg | 물이 닿았던, 아래쪽 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> [[코인타입]] ERM 진동모터 | + | <li>(내용중복) [[코인타입]] ERM 진동모터 |
+ | <ol> | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:sm_a516n_012.jpg | 완충[[접착테이프]]에 YH 마킹 | image:sm_a516n_012.jpg | 완충[[접착테이프]]에 YH 마킹 | ||
image:sm_a516n_012_001.jpg | 완충[[접착테이프]]를 뜯으면 Y934H B0428 | image:sm_a516n_012_001.jpg | 완충[[접착테이프]]를 뜯으면 Y934H B0428 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
+ | <li>회전이 시작되는 전압 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>실험 방법 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_012_002.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>8번 측정한 엑셀 파일 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_012_003.png | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>실험 결과에 대한 의견 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>정지했을 때 두 군데 접점이 연결된다. 두 접점별로 접촉저항이 다르다. | ||
+ | <li>접촉저항이 높은 지점에서는 전류가 적게 흐른다. 회전하면 전류가 많이 흐른다. | ||
+ | <li>접촉저항이 낮은 지점에서는 전류가 많이 흐른다. 회전하면 전류가 적게 흐른다. | ||
+ | <li>회전하면 정지 지점과 무관하게 일정한 전류가 흐른다. | ||
+ | <li>회전하는 전압은 0.65V ~ 0.9V 사이이다. | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
<li>테이프를 뜯어보니, 아무것도 아니다. OLED 디스플레이를 바로 볼 수 있는 여러 구멍이 있다. (표준화를 위해 다른 어떤 부품을 설치하기 위한 옵션으로 뚫어놓았다.) | <li>테이프를 뜯어보니, 아무것도 아니다. OLED 디스플레이를 바로 볼 수 있는 여러 구멍이 있다. (표준화를 위해 다른 어떤 부품을 설치하기 위한 옵션으로 뚫어놓았다.) | ||
<gallery> | <gallery> | ||
154번째 줄: | 203번째 줄: | ||
image:sm_a516n_015.jpg | image:sm_a516n_015.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>under-display fingerprint sensor, [[광학식 지문센서]] -> 자세히 분석 | + | <li>(내용중복) under-display fingerprint sensor, [[광학식 지문센서]] -> 자세히 분석 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>모듈 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:sm_a516n_013.jpg | image:sm_a516n_013.jpg | ||
image:sm_a516n_023.jpg | image:sm_a516n_023.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
+ | <li>내부 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_019.jpg | Anti-Aliasing(안티에일리어싱)을 위해 약 15도 회전시켜 [[다이본딩]] | ||
+ | image:sm_a516n_020.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>렌즈 및 광학필터 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_021.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_023_001.jpg | 렌즈 3매 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[OLED]] 디스플레이 패널을 보면 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_024.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_031.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_032.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_033.jpg | 밝은 영역으로 통과하는 지문을 판독한다. | ||
+ | image:sm_a516n_034.jpg | 지문센서 쪽에서 볼 때 투과사진 | ||
+ | image:sm_a516n_035.jpg | 지문센서 쪽에서 볼 때 투과사진 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>카메라 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_022.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_025.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_026.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_027.jpg | [[Au 볼 와이어본딩]] | ||
+ | image:sm_a516n_028.jpg | 이지스테크(Egis Technology, ET713 | ||
+ | image:sm_a516n_029.jpg | 약 6.85um 피치 흑백 센서이다. 마이크로렌즈가 붙어 있다. | ||
+ | image:sm_a516n_030.jpg | 약 180x180 픽셀이다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
<li>전면 카메라를 위해, [[OLED]] 디스플레이 패턴이 형성되어 있지 않는 구멍 | <li>전면 카메라를 위해, [[OLED]] 디스플레이 패턴이 형성되어 있지 않는 구멍 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
169번째 줄: | 250번째 줄: | ||
image:sm_a516n_016_001.jpg | image:sm_a516n_016_001.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li>솔더 필렛이 형성될 수 없는 2단자 LGA 부품에서는 [[납땜 불량]]에서 솔더 과다 불량에 해당되는 문제점이 있다. |
<gallery> | <gallery> | ||
image:sm_a516n_043.jpg | image:sm_a516n_043.jpg | ||
219번째 줄: | 300번째 줄: | ||
image:sm_a516n_053.jpg | 앞면 | image:sm_a516n_053.jpg | 앞면 | ||
image:sm_a516n_054.jpg | 금속 메인프레임과 맞닿는, 뒷면 | image:sm_a516n_054.jpg | 금속 메인프레임과 맞닿는, 뒷면 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>10층 PCB | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_076.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
<li>앞면 부품 | <li>앞면 부품 | ||
245번째 줄: | 330번째 줄: | ||
</ol> | </ol> | ||
<li> [[실드코팅]]으로 차폐시킨 RF 모듈 4개가 보인다. | <li> [[실드코팅]]으로 차폐시킨 RF 모듈 4개가 보인다. | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>전체 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:sm_a516n_063.jpg | RF영역 | image:sm_a516n_063.jpg | RF영역 | ||
− | |||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li>무라타(?) 스위치+LNA 모듈인듯. 두 개가 있다. |
<ol> | <ol> | ||
+ | <li>#1 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_067.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_067_001.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>#2 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_068.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_068_001.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_068_002.jpg | L-C-L 3단자 [[LC필터]] | ||
+ | image:sm_a516n_068_003.jpg | PSEMI 회사 제조 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>솔더링 패드, 2사분면 IC는 Murata 452, 4사분면 IC는 Qorvo 78077 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_003.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>측면 구조. 위 Qorvo 78077(6층 PCB), 아래 Murata 452(4층 PCB) | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_003_001.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_063_003_002.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_063_003_003.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>Qorvo 78077 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_069.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>조개면 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_005_001.jpg | 쪼개면 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>주요 부품 분리 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_005_002.jpg | 금속실드(확실히 PCB쪽인 아래가 얇다.) | ||
+ | image:sm_a516n_063_005_003.jpg | 주요 부품 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>반도체 다이 5개 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_005_004.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_063_005_005.jpg | 앰프, 솔더댐 방열(?) hard PR로 도금하여 만든 인덕터. 금도금(?) | ||
+ | image:sm_a516n_063_005_006.jpg | 스위치 | ||
+ | image:sm_a516n_063_005_007.jpg | 앰프 | ||
+ | image:sm_a516n_063_005_008.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>Murata 452, (Diversity OMH LFEM;LFEM=lna+FEM) | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_070.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>내부 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_070_001.jpg | 오른쪽 상단에 SAW 하나 분실했다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>스위치 + LNA | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_070_002.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_070_003.jpg | PSEMI(Peregrine Semiconductor) INU F1201_1 F01 | ||
+ | image:sm_a516n_070_004.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>SAW #1 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_070_005.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_070_006.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>SAW #2 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_070_007.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_070_008.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>SAW #3 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_070_009.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_070_010.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>SAW #4 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_070_011.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_070_012.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>SAW #5 | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>아날로그 RF IC (WiFi용으로 검색됨. 디지털신호처리 파트는 없는 듯) | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>좌측 최상단 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_071.jpg | S620 W2006, 마킹필름 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이패턴 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_071_002.jpg | S5N5 C20X00 | ||
+ | image:sm_a516n_071_001.jpg | 화살표 2군데 확대하면 | ||
+ | image:sm_a516n_071_003.jpg | [[박막형 RF용 인덕터]] 표면위로 점퍼 | ||
+ | image:sm_a516n_071_004.jpg | [[박막형 RF용 인덕터]] 밑으로 점퍼 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
<li>NXP 55303, NFC | <li>NXP 55303, NFC | ||
− | <li> | + | <ol> |
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_063_003.jpg | 리솔더링한 후, 오른쪽 윗쪽 BGA 부품 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[Au 볼 와이어본딩]]하므로, 본딩패드가 있는 유기물기판 동박에는 전기금도금을 위한 [[타이바]] 연결되어 있다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_004.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>실리콘 다이 마킹: HPN553VOB, 2016 | ||
</ol> | </ol> | ||
<li>SAMSUNG SHANNON5510, RF Transceiver IC | <li>SAMSUNG SHANNON5510, RF Transceiver IC | ||
260번째 줄: | 457번째 줄: | ||
image:sm_a516n_063_002_002.jpg | image:sm_a516n_063_002_002.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>Murata K21 JrCVB | + | <li>Murata K21 JrCVB(Main Low-Middle Band LFEMID) LFEM=lna+FEM |
<ol> | <ol> | ||
<li>윗면, 아랫면 | <li>윗면, 아랫면 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:sm_a516n_063_001.jpg | 투명한 SAW 다이 12개, 불투명 다이 | + | image:sm_a516n_063_001.jpg | 투명한 SAW 다이 12개, 불투명 다이 11개(SAW 다이는 7개)가 집적되어 있다. |
image:sm_a516n_063_001_001.jpg | image:sm_a516n_063_001_001.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
350번째 줄: | 547번째 줄: | ||
image:sm_a516n_063_001_043.jpg | image:sm_a516n_063_001_043.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>#14 | + | <li>#14 |
<ol> | <ol> | ||
<li>WLP 납땜 | <li>WLP 납땜 | ||
365번째 줄: | 562번째 줄: | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li>#15, Si접합 | + | <li>#15, Si접합 투명다이 7개 모두는 IDT가 약 5도 기울어져 있다. |
+ | <ol> | ||
+ | <li>위에서 볼 때 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:sm_a516n_063_001_008.jpg | image:sm_a516n_063_001_008.jpg | ||
371번째 줄: | 570번째 줄: | ||
image:sm_a516n_063_001_010.jpg | image:sm_a516n_063_001_010.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
+ | <li>옆에서 볼 때 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_001_058.jpg | 총두께 125um에서 압전체웨이퍼 두께는 6.5um로 약 5%이다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
<li>#16 | <li>#16 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
408번째 줄: | 612번째 줄: | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>단품 SAW 필터 관련 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>쏘필터 #1,#2,#3 그리고 세라믹 다이플렉서 #4 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_001.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>#1, [[SAW-GPS]] HG89XA4, HBC LMH | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_075.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_002.jpg | RF Transceiver IC에 바로 붙어 있다. 즉, 트랜시버 IC에서 GPS 신호도 처리한다. | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_003.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_004.jpg | HG89XA4, HBC LMH | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_005.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>#2, 다이 분석 실패 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_074.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_006.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>#3, (중복 내용) [[GPS extractor 필터]], WG89PE4 HJD KSJ | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_007.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>내부 다이 및 PCB | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_008.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_009.jpg | 6층. [[PCB-L]]을 형성시켰다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>SAW 다이. [[IDT C]] 설계 방식이 매우 특이하다. [[low ESL]] 또는 ESR을 위해서 이렇게 설계한 듯 하다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_010.jpg | 아래쪽 패턴에는 전극막 한 층이 더 있다. | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_011.jpg | 좁은 틈새가 C를 형성시킨다. 1차: 알루미늄-IDT, 2차: 알루미늄-두꺼운막, 3차: 금 두꺼운막 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>#4, [[세라믹필터]]인 다이플렉서 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_063_006_012.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
428번째 줄: | 673번째 줄: | ||
</gallery> | </gallery> | ||
<li>열이 많이 발생하여 확실히 방열하고 있는 두 부품 | <li>열이 많이 발생하여 확실히 방열하고 있는 두 부품 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 메모리 | ||
+ | <li>AP: Samsung Exynos 980(엑시노스 980) | ||
+ | <li>외관 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:sm_a516n_059.jpg | 삼성 S2MU106X 배터리 IC, Samsung Exynos 980(엑시노스 980) [[모바일AP]] | image:sm_a516n_059.jpg | 삼성 S2MU106X 배터리 IC, Samsung Exynos 980(엑시노스 980) [[모바일AP]] | ||
− | image:sm_a516n_060.jpg | [[모바일AP]]가 있는 곳에는 [[검정 금속 방열판]] 캔을 씌웠다. | + | image:sm_a516n_060.jpg | 삼성 KM2V8001CM-B707 Flash+DRAM [[모바일AP]]가 있는 곳에는 [[검정 금속 방열판]] 캔을 씌웠다. |
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li>두 칩을 뜯으면 |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image: | + | image:sm_a516n_060_001.jpg | 메모리에서 왼쪽 볼은 Flash, AP와 직접 연결되는 오른쪽은 DRAM |
+ | </gallery> | ||
+ | <li>AP | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_060_002.jpg | 인터포저(4층 PCB)에서 다이를 뜯으면 | ||
+ | image:sm_a516n_060_003.jpg | 다이 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>메모리 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_060_004.jpg | 인터포저는 3층인듯 | ||
+ | image:sm_a516n_060_005.jpg | 가운데 작은 IC는 플래시 콘트롤러 | ||
+ | image:sm_a516n_060_006.jpg | 좌우 3-다이 총 6개는 DRAM일 것이고, 위에 쌓이는 4개는 flash 다이 | ||
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</ol> | </ol> | ||
− | <li> [[실드코팅]]으로 | + | <li>Qorvo QPA4580, [[실드코팅]]으로 차폐시켰다. |
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<ol> | <ol> | ||
<li>외관 | <li>외관 | ||
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image:sm_a516n_066_007.jpg | 내부, 와이어본딩 된 PA 다이가 2개 있다. | image:sm_a516n_066_007.jpg | 내부, 와이어본딩 된 PA 다이가 2개 있다. | ||
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</ol> | </ol> | ||
− | + | <li> 필터 3개 | |
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− | |||
− | <li> 필터 | ||
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<ol> | <ol> | ||
<li>외관 | <li>외관 | ||
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</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li> | + | <li>IC처럼 패키징된 4개 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>화살표 1,2,3,4 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image: | + | image:sm_a516n_064_004.jpg |
− | image: | + | image:sm_a516n_064_004_001.jpg |
+ | </gallery> | ||
+ | <li>화살표 1, 다이오드 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_064_004_002.jpg | 2단자 | ||
+ | image:sm_a516n_064_004_004.jpg | 은도금된 구리선 볼본딩 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>화살표 2,3,4 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sm_a516n_064_004_003.jpg | ||
+ | image:sm_a516n_064_004_004.jpg | 모두 스위치 또는 LNA로 추정 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> |
2022년 11월 4일 (금) 13:10 판
삼성 갤럭시 A51 휴대폰, SM-A516N
- 링크
- 기술자료
- 사용자 설명서 - 152p
- 외부 링크
- 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A51
- 2019년 12월 출시 발표
- 규격
- 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 메모리
- 주파수
- NR, band 78
- 송신(TX): 3420~3700 MHz, 수신(RX): 3420~3700 MHz
- LTE Bands, Band 1/Band 2/Band 3/Band 4/Band 5/Band 7/Band 8/Band 12/Band 13/Band 17/Band 20/Band 26/Band 28/Band 66/Band 38/Band 40/Band 41
- Tx 1920~1980/1850~1910/1710~1785/1710~1755/824~849/2500~2570/880~915/699~716/777~787/704~716/832~862/814~849/703~748/1710~1780/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
- Rx 2110~2170/1930~1990/1805~1880/2110~2155/869~894/2620~2690/925~960/729~746/746~756/734~746/791~821/859~894/758~803/2110~2180/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
- WCDMA(Band 1/Band 2/Band 4/Band 5/Band 8)
- TX: 1922.4~1977.6/1852.4~1907.6/1712.4~1752.6/826.4~846.6/882.4~912.6 MHz
- RX: 2112.4~2167.6/1932.4~1987.6/2112.4~2152.6/871.4~891.6/927.4~957.6 MHz
- GSM850, GSM900, DCS1800, DCS1900
- TX: 824.2~848.8 MHz, 880.2~914.8 MHz, 1710.2~1784.8 MHz, 1850.2~1909.8 MHz
- RX: 869.2~893.8 MHz, 925.2~959.8 MHz, 1805.2~1879.8 MHz, 1930.2~1989.8 MHz
- NR, band 78
- CPU: EXYNOS980
- WiFi:
- 2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
- 5180~5240, 5260~5320, 5500~5700, 5745~5825 MHz(802.11a/n/ac)
- MST: 송수신: 1.6/3.3 KHz, 모듈:ISP7022, 최대5cm
- NFC: 송수신: 13.56 MHz
- ANT+: 송수신: 2402~2480 MHz, 모듈: S5N5C20X00-6030
- 2.4GHz ISM밴드를 사용하는 저전력 센서네트워크용 무선통신규격 이름.
- 전원켜기 끄기
- 전원켜기: 측면 버튼을 몇 초간 길게 누른다.
- 전원끄기: 음량 하 버튼 + 측면버튼을 동시에 길게 누르고, 전원 끄기를 선택한다.
- 아무 반응이 없으면, 7초 이상 길게 누른다. (강제로 다시 시작하기)
- 이력
- 2022/09/30 입수됨
- 뒤면 커버를 뜯어내면, 양면 접착테이프로 붙어 있다.
- 뒤면 커버에 붙인 서멀 패드형 방열 테이프. 이쪽으로는 크게 열나는 부품은 없기 때문에 대충 방열해도 된다.
- NFC+MST(Samsung Pay) 코일
- 파우치 2차-리튬, 모델:EB-BA516ABY, 정격 3.86V 4370mAh 16.87Wh, 제조자:Ningde Amperex Technology(암페렉스 테크놀로지)
- 사진
- 5A 충방전, 49싸이클 측정 엑셀 파일
- 5A 방전시 표면온도는 50'C이다.
- 300V 8A 용량을 갖는 3.81mm 피치용 터미날블록에서 문제를 일으켰다.
- 보호회로
- 앞 뒤면
- 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용하는 BGA 전력용 스위칭 FET
- SMD타입 전류검출용R 저저항
- 앞 뒤면
- 사진
- 아래쪽 안테나 및 스피커,USB-C,3.5mm 단자구멍
- USB-C 단자구멍. 침수라벨
- 접지. 안테나를 위해서는 핸드폰 전체 금속 프레임이 반드시 확실한 접지로 취급한다.
- (내용중복) 코인타입 ERM 진동모터
- 테이프를 뜯어보니, 아무것도 아니다. OLED 디스플레이를 바로 볼 수 있는 여러 구멍이 있다. (표준화를 위해 다른 어떤 부품을 설치하기 위한 옵션으로 뚫어놓았다.)
- 스크류 5개가 부족하다. 먼저 분해했던 사람이 나사 5개를 체결하지 않았다.
- (내용중복) under-display fingerprint sensor, 광학식 지문센서 -> 자세히 분석
- 전면 카메라를 위해, OLED 디스플레이 패턴이 형성되어 있지 않는 구멍
- 리시버용 스피커
- 솔더 필렛이 형성될 수 없는 2단자 LGA 부품에서는 납땜 불량에서 솔더 과다 불량에 해당되는 문제점이 있다.
- 정전식 터치스크린을 뜯으면
- 사진
- 참고, 아래 사진은 2014년 10월 출시된 SM-G5308W용 터치 스크린 패턴이다. 이 패턴과 같은 모양을 갖는다.
- 이 핸드폰이 (침수로 인해) 고장난 현상(좌측 터치영역이 동작하지 않는다. qwerty자판으로 볼 때 1 이 2로 입력된다.)
- 사진
- 터치패널을 분리하면
- OLED용 DDI
- OLED 후면, 방열구리판에 기포 방열패드
- 금속 메인프레임
그라파이트 시트 그리고 검정색은 접착테이프
- 메인보드
- 앞면 및 뒷면
- 10층 PCB
- 앞면 부품
- 카메라 장착 방법
- 앞면 방열
비교적 두꺼운, 히트 스프레더용 금속 방열판 테이프
- 실드 깡통을 벗기면
- 실드코팅으로 차폐시킨 RF 모듈 4개가 보인다.
- 전체
- 무라타(?) 스위치+LNA 모듈인듯. 두 개가 있다.
- #1
- #2
L-C-L 3단자 LC필터
- #1
- 솔더링 패드, 2사분면 IC는 Murata 452, 4사분면 IC는 Qorvo 78077
- 측면 구조. 위 Qorvo 78077(6층 PCB), 아래 Murata 452(4층 PCB)
- Qorvo 78077
- 외관
- 조개면
- 주요 부품 분리
- 반도체 다이 5개
- 외관
- Murata 452, (Diversity OMH LFEM;LFEM=lna+FEM)
- 외관
- 내부
- 스위치 + LNA
- SAW #1
- SAW #2
- SAW #3
- SAW #4
- SAW #5
- 외관
- 전체
- 아날로그 RF IC (WiFi용으로 검색됨. 디지털신호처리 파트는 없는 듯)
- 좌측 최상단
- 다이패턴
박막형 RF용 인덕터 표면위로 점퍼
박막형 RF용 인덕터 밑으로 점퍼
- 좌측 최상단
- NXP 55303, NFC
- 외관
- Au 볼 와이어본딩하므로, 본딩패드가 있는 유기물기판 동박에는 전기금도금을 위한 타이바 연결되어 있다.
- 실리콘 다이 마킹: HPN553VOB, 2016
- 외관
- SAMSUNG SHANNON5510, RF Transceiver IC
- Murata K21 JrCVB(Main Low-Middle Band LFEMID) LFEM=lna+FEM
- 윗면, 아랫면
- LTCC 기판
다층형 RF용 인덕터 높이는 좌측이 0.3mm, 우측이 0.2mm 이다.
높이 0.3mm 다층형 RF용 인덕터 납땜된 상태로 촬영
- 다층형 RF용 인덕터 0.4x0.2mm
- 23개 다이(19번 잃어버림. 9번과 같은 크기로 추측)
- #01
- #02
- #03
- #04
- #05
- #06
- #07
- #08
- #09
- #10
- #11
- #12
- #13
- #14
- WLP 납땜
- 다이 관찰
- WLP 납땜
- #15, Si접합 투명다이 7개 모두는 IDT가 약 5도 기울어져 있다.
- 위에서 볼 때
- 옆에서 볼 때
- 위에서 볼 때
- #16
- #17
- #18
- #19 - 잃어버림
- RF스위치IC
- 스위치-1, Peregrine
- 스위치-2, Peregrine
- 스위치-3, Peregrine
- 스위치-4, Peregrine
- 스위치-1, Peregrine
- 윗면, 아랫면
- 단품 SAW 필터 관련
- 카메라 장착 방법
- 뒤면 부품
- 디스플레이쪽으로, 금속 메인프레임과 맞닿게 그라파이트 시트로 방열
- (금속 메인프레임과 닿아 확실히 방열이 되어야 하는) 뒷면 방열
- 비교적 두꺼운, 방열 검정 스폰지 테이프 밑에는 그라파이트 시트가 깡통에 붙는다.
두 IC에 말랑말랑 하양, 회색 서멀 패드가 붙어 있다.
- 열이 많이 발생하여 확실히 방열하고 있는 두 부품
- 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 메모리
- AP: Samsung Exynos 980(엑시노스 980)
- 외관
삼성 S2MU106X 배터리 IC, Samsung Exynos 980(엑시노스 980) 모바일AP
- 두 칩을 뜯으면
- AP
- 메모리
- Qorvo QPA4580, 실드코팅으로 차폐시켰다.
- Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, Power Amplifier Module(PAM)
- 3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
- PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이
- MIPI 콘트롤러 silicon 다이
- 3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
- 필터 3개
- 외관
레이저 마킹 품질
- 디캡핑(decapping)
- 다이싱 관찰
- 무라타
- 와이솔
- 엡코스
- 무라타
- 외관
- IC처럼 패키징된 4개
- 화살표 1,2,3,4
- 화살표 1, 다이오드
- 화살표 2,3,4
- 화살표 1,2,3,4
- 디스플레이쪽으로, 금속 메인프레임과 맞닿게 그라파이트 시트로 방열
- 앞면 및 뒷면