"플립본딩"의 두 판 사이의 차이

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<li>참조
 
<li>참조
 
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<li> - 비공개
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<li>플립 본딩 - 비공개
 
<li> [[다이본딩]]
 
<li> [[다이본딩]]
 
<li> [[와이어본딩]]
 
<li> [[와이어본딩]]
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<li>참조
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<li> [[플립본딩 이미지센서]]
 
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<li>솔더 플립본딩은 특별히 이곳에 기록하지 않는다.
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<li>SnAg 솔더 플립본딩
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<li>참조: PCB에 "실리콘 다이"의 솔더볼 플립본딩은 이곳에 기록하지 않는다.
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<li> [[TCXO]]
 
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<li>2007.12 출시 [[LG-LB3300]] 슬라이드 피처폰
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image:lb3300_017_001.jpg | 위에 있는 [[세라믹 패키지 수정 공진기]]를 들어내면 프로그래밍할 수 있는 IC가 있다.
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image:lb3300_017_002.jpg | 솔더로 [[플립본딩]] 되었다.
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<li>LED
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<li> [[플래시LED]]
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image:redmi_note4x_174.jpg | 솔더 [[플립본딩]]
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<li> [[찰리플렉싱(Charlieplexing)]] 기술이 적용된 [[7-segment LED]]
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image:bdj_401_01_042_005.jpg | [[레이저 다이싱]]된 [[사파이어]] 다이. bare [[SMD LED]] 다이를 솔더 [[플립본딩]]하였다.
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</gallery>
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</ol>
 
<li>SAW
 
<li>SAW
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 +
<li>[[HTCC 시트]] 기판에서 (자연스러운) 리플로우 솔더링
 
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<li> [[SAW-핸드폰RF]]
 
<li> [[SAW-핸드폰RF]]
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<li>2016.01 출시 삼성 [[SM-A710S]] 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
 
<li>2016.01 출시 삼성 [[SM-A710S]] 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
 
<ol>
 
<ol>
<li> [[SAW-핸드폰DPX]], Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정)
+
<li> [[SAW duplexer]], Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정)
 
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<li>몰딩 수지를 벗기면
 
<li>몰딩 수지를 벗기면
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<li>[[HTCC 시트]] 기판에서, 압력을 가하면서(????) 솔더링
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<li>2020.05 출시 [[샤오미 Redmi Note 9S에서 발견된, RF 필터 17개]]
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<li>중국 B회사(업체명은 알 수 없다), 1814 사이즈
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image:redmi_note9s_010_007_001.jpg | 솔더볼 높이가 매우 낮은 것으로 보아, '''위에서 눌러 납땜하였다.'''
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image:redmi_note9s_010_007_002.jpg | 솔더볼, 왼쪽은 패키지에서 떨어진 면, 오른쪽은 다이에서 떨어진 면
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<li>thermally compression 본딩, 주로 LCD 유리판에 ACP로 DDI를 본딩할 때
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<li>유기물 기판에서 (자연스러운) 리플로우 솔더링
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<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰
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image:redmi_note6pro_017_001_001.jpg | 유기물 기판을 사용해 솔더볼로 플립본딩하였다.
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<li>AuSn 솔더 플립본딩(으로 추정)
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<li> [[UV LED]]
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<li>서울바이오시스(SeoulVioSys) CUD8AF1C, Deep UV LED, 275nm, 제품으로 추정
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image:mtu7251w_029_003.jpg | [[레이저 다이싱]]된 조그마한 [[사파이어]]에 LED 구조가 성장되어 있다. 즉, [[플립본딩]]되어 있다.
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<li>thermally compression 본딩, 주로 LCD 유리판에 ACP로 [[DDI 로직 IC]]를 본딩할 때
 
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<li>기술
 
<li>기술
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image:a710s01_061.jpg | 여러 개 [[TEG]] 중 하나
 
image:a710s01_061.jpg | 여러 개 [[TEG]] 중 하나
 
image:a710s01_062.jpg | 본딩 알갱이를 관찰할 수 있다.
 
image:a710s01_062.jpg | 본딩 알갱이를 관찰할 수 있다.
image:a710s01_063.jpg | 흰선투명박스-유리, 노랑박스-DDI
+
image:a710s01_063.jpg | 흰선투명박스-유리, 노랑박스-[[DDI 로직 IC]]
 
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<li>Au stud, 초음파 플립본딩
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<li>Au stud, 초음파 [[플립본딩]]
 
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<li> [[플립본딩 이미지센서]]
 
<li>LED
 
<li>LED
 
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<li>카메라모듈
+
<li> [[TCXO]]용 실리콘 클럭 IC 다이
 
<ol>
 
<ol>
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
+
<li>2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 [[IM-U660K]] 피처폰
 +
<gallery>
 +
image:im_u660k_025.jpg | Au 스터드 초음파 [[플립본딩]], KDS IC 마킹
 +
</gallery>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_123.jpg | hollow 내부 공간에 TCXO용 IC를 Au stud 초음파 [[플립본딩]]
 +
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 +
<li> [[만도 KMD-100 RF하이패스 단말기]] , 로스윈PLL 모듈속에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>후면 메인 카메라에서. Au Double Stacked-Bump [[범프본딩]] 및 초음파 [[플립본딩]]
+
<li>IC 칩 뒷면. 용 직사각형 초음파혼 팁으로 비빈 자국???
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_069.jpg | 세라믹 패키지는 휘어 있어 coplanarity를 극복하기 위해
+
image:hipass_rf01_087_004.jpg
 +
image:hipass_rf01_087_005.jpg
 +
image:hipass_rf01_087_006.jpg
 
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<li>전면 카메라
+
<li>IC 본딩패드가 떨어진 Gold Stud Bump - 이 용도를 위한 플립칩용 패드로 개발이 되지 않은 IC인듯. 매우 쉽게 떨어졌기 때문에
 
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<gallery>
image:iphone5s01_202.jpg | F-PCB를 뜯으면, [[플립본딩]]된 이미지센서 뒷면이 보임.
+
image:hipass_rf01_087_012.jpg
 +
image:hipass_rf01_087_013.jpg
 
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</ol>
 
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<li>TCXO
 
 
<li>SAW
 
<li>SAW
 
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<li> [[LTCC 기판]]에서
 
<li> [[LTCC 기판]]에서
 
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<li> [[SAW-핸드폰DPX]], 3.2x2.5mm, 무라타
+
<li> [[SAW duplexer]], 3.2x2.5mm, 무라타
 
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image:w4700_023.jpg
 
image:w4700_023.jpg
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</ol>
<li> [[SAW-GPS]] 무라타 1.1x0.9mm
+
<li> [[GPS용 RF SAW 필터]] 무라타 1.1x0.9mm
 
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image:a710s01_077_005.jpg | 그림설명. 파단면에서 아래를 바라볼 때, 위를 쳐다볼 때
 
image:a710s01_077_005.jpg | 그림설명. 파단면에서 아래를 바라볼 때, 위를 쳐다볼 때
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image:a710s01_012_006.jpg | 2595x2841 pixels, 가로 110um 세로 120um 타원형 크기
 
image:a710s01_012_006.jpg | 2595x2841 pixels, 가로 110um 세로 120um 타원형 크기
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<li>2005.02 출시 [[싸이버뱅크 CP-X310]] PDA폰에서
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image:cp_x310_027_001_003.jpg | 다이 뒷면을 금속전극으로 코팅하였다. 왜?
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image:cp_x310_027_001_004.jpg | Au Stud Bump 높이가 매우 높다. 세라믹 캐비티 패키지의 바닥면에 위치한 플립본딩면 평탄도가 나쁘기 때문(캐비티 패키지이므로)으로 추측
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<li>2006.10 출시 삼성 월드로밍 [[SCH-V920]] 슬라이드 피처폰
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<li> [[SAW-핸드폰RF]] , 2.0x1.4mm, Fujitsu Media Devices(FMD)제품에서
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image:sch_v920_027_001_002.jpg | 패키지에서 입력접지와 출력접지가 분리되어 있다.
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image:sch_v920_027_001_003.jpg | 811675A 마킹, 매우 긴 aperture
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image:sch_v920_027_001_005.jpg | [[플립본딩]]되어 있는 스터드 범프볼의 접착력
 
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image:a710s01_010_022.jpg | SAW
 
image:a710s01_010_022.jpg | SAW
 
image:a710s01_010_023.jpg | SAW
 
image:a710s01_010_023.jpg | SAW
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<li> [[Teclast P80X에서 발견된, 중국산 RF SAW 필터 8개]]
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<li>#6, 1109, 마킹 a2 sQ, 주기 2.00um(x1/4=0.50um), 아마 ????MHz
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image:teclast_p80x_009_006_003.jpg | Au 볼 범핑 및 [[플립본딩]] 품질
 
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<li>자이로, 가속도 센서에서
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<li> [[자이로센서]]
 
<ol>
 
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<li>[[SIXAXIS]]에서 , Murata, gyro sensor, ENC-03RC, 8.0x4.0x2.0mm, 1-axis
 
<li>[[SIXAXIS]]에서 , Murata, gyro sensor, ENC-03RC, 8.0x4.0x2.0mm, 1-axis
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image:dualshock3_058.jpg | PCB에 초음파 플립본딩
 
image:dualshock3_058.jpg | PCB에 초음파 플립본딩
 
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<li> 삼성 블루 [[블루 ST550]] 디지털 콤팩트카메라에서 2축 가속도센서에서
+
</ol>
 +
<li> [[가속도센서]]
 +
<ol>
 +
<li>압전 저항식, 2축
 +
<ol>
 +
<li>2009.08 출시 [[삼성 VLUU ST550 디지털 콤팩트카메라]]
 
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image:st550_011_001.jpg
 
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image:st550_011_009.jpg
 
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2025년 3월 23일 (일) 21:29 기준 최신판

플립본딩

  1. 전자부품
    1. 연결
      1. 플립본딩 - 이 페이지
    2. 참조
      1. 플립 본딩 - 비공개
      2. 다이본딩
      3. 와이어본딩
    3. 참조
      1. 플립본딩 이미지센서
  2. 기술자료
  3. SnAg 솔더 플립본딩
    1. 참조: PCB에 "실리콘 다이"의 솔더볼 플립본딩은 이곳에 기록하지 않는다.
    2. TCXO
      1. 2007.12 출시 LG-LB3300 슬라이드 피처폰
    3. LED
      1. 플래시LED
      2. 찰리플렉싱(Charlieplexing) 기술이 적용된 7-segment LED
    4. SAW
      1. HTCC 시트 기판에서 (자연스러운) 리플로우 솔더링
        1. SAW-핸드폰RF
          1. 2008.04 제조 삼성 SPH-W4700 슬라이드 피처폰
        2. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
          1. SAW duplexer, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정)
            1. 몰딩 수지를 벗기면
            2. 다이를 세라믹 기판에서 분리하면
      2. HTCC 시트 기판에서, 압력을 가하면서(????) 솔더링
        1. 2020.05 출시 샤오미 Redmi Note 9S에서 발견된, RF 필터 17개
          1. 중국 B회사(업체명은 알 수 없다), 1814 사이즈
      3. 유기물 기판에서 (자연스러운) 리플로우 솔더링
        1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰
  4. AuSn 솔더 플립본딩(으로 추정)
    1. UV LED
      1. 서울바이오시스(SeoulVioSys) CUD8AF1C, Deep UV LED, 275nm, 제품으로 추정
  5. thermally compression 본딩, 주로 LCD 유리판에 ACP로 DDI 로직 IC를 본딩할 때
    1. 기술
      1. anisotropic conductive paste(ACP;비등방성 도전성 페이스트) 본딩 알갱이(금도금의 구형태 수지)를 관찰할 수 있다.
    2. OLED
      1. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
  6. Au stud, 초음파 플립본딩
    1. 플립본딩 이미지센서
    2. LED
      1. 플래시LED
        1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
          1. 25개 Au Stud 플립본딩 및 실리콘수지(?) 언더필
    3. TCXO용 실리콘 클럭 IC 다이
      1. 2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 IM-U660K 피처폰
      2. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
      3. 만도 KMD-100 RF하이패스 단말기 , 로스윈PLL 모듈속에서
        1. IC 칩 뒷면. 용 직사각형 초음파혼 팁으로 비빈 자국???
        2. IC 본딩패드가 떨어진 Gold Stud Bump - 이 용도를 위한 플립칩용 패드로 개발이 되지 않은 IC인듯. 매우 쉽게 떨어졌기 때문에
    4. SAW
      1. LTCC 기판에서
        1. SAW duplexer, 3.2x2.5mm, 무라타
      2. GPS용 RF SAW 필터 무라타 1.1x0.9mm
      3. SAW-WiFi, 1.4x1.1mm 무라타 SAFEA2G45MB0F3K로 추정
        1. 전체
        2. 왼쪽 아래
        3. 왼쪽 위
        4. 가운데 위
      4. 2005.02 출시 싸이버뱅크 CP-X310 PDA폰에서
      5. 2006.10 출시 삼성 월드로밍 SCH-V920 슬라이드 피처폰
        1. SAW-핸드폰RF , 2.0x1.4mm, Fujitsu Media Devices(FMD)제품에서
      6. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
        1. HG40BC3 MP2 RHO
        2. 1.5x1.1mm GPS LNA+SAW 모듈
      7. Teclast P80X에서 발견된, 중국산 RF SAW 필터 8개
        1. #6, 1109, 마킹 a2 sQ, 주기 2.00um(x1/4=0.50um), 아마 ????MHz
    5. 자이로센서
      1. SIXAXIS에서 , Murata, gyro sensor, ENC-03RC, 8.0x4.0x2.0mm, 1-axis
    6. 가속도센서
      1. 압전 저항식, 2축
        1. 2009.08 출시 삼성 VLUU ST550 디지털 콤팩트카메라