4년, 113일, 4시간, 53분 - Togotech

"Redmi Note 4X"의 두 판 사이의 차이
 
(같은 사용자의 중간 판 7개는 보이지 않습니다)
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<li>기술자료
 
<li>기술자료
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<li>외부 링크
 
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<li> https://en.wikipedia.org/wiki/Redmi_Note_4
 
<li>출시년도: 2017년 2월
 
<li>출시년도: 2017년 2월
 
<li>사용 네트워크
 
<li>사용 네트워크
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<li>Triquint [[SMR]]-[BAW]] 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
 
<li>Triquint [[SMR]]-[BAW]] 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
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<li>외관
 
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image:redmi_note4x_094.jpg | 금색 뚜껑 제품 1.5x1.3mm 추정
 
image:redmi_note4x_094.jpg | 금색 뚜껑 제품 1.5x1.3mm 추정
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<li>주파수 특성
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image:redmi_note4x_094_001.jpg
 
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image:redmi_note4x_094_004.png
 
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image:redmi_note4x_094_005.png
 
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<li>온도 특성 실험
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image:redmi_note4x_094_001_001.jpg | 허공에 띄워서
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image:redmi_note4x_094_001_002.png | 이 때 측정되는 그래프(peak 추적을 하면서)
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image:redmi_note4x_094_001_003.jpg | Pt100오옴 센서를 근처로
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<li>주파수 온도 특성, 엑셀 데이터
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image:redmi_note4x_094_001_004.png | 백금온도센서 저항값은 에어콘 가동에 잡음이 유도된다.(?)
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image:redmi_note4x_094_001_005.png | 백금온도센서와 필터는 같은 속도로 반응한다.
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image:redmi_note4x_094_001_006.png | -20ppm/'C로 계산된다.
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<li>밤새 주파수 온도 특성
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image:redmi_note4x_094_001_007.png | 17시간 사무실 온도변화
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image:redmi_note4x_094_001_008.png | 온도와 주파수변화 - 주파수는 +드리프트가 생긴다.
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image:redmi_note4x_094_001_009.png | 12시간동안 +30ppm 드리프트가 생긴다. (납땜 스트레스?)
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<li>[[냉매]] 및 열풍기로 온도 특성
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image:redmi_note4x_094_001_010.jpg | 냉매로 얼리면
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image:redmi_note4x_094_001_011.png | 시간에 따른 온도 및 주파수
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image:redmi_note4x_094_001_012.png | 온도에 따른 주파수변화. 얼린 후 온도가 올라가면 물방울이 생겨 주파수특성에 영향을 준다.
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</ol>
 
<li>Taiyo-Yuden(다이요유덴;태양유전) [[SAW-핸드폰RF]] 필터, LAFy 마킹, LTE Band 38(2595MHz, TDD)용이다.
 
<li>Taiyo-Yuden(다이요유덴;태양유전) [[SAW-핸드폰RF]] 필터, LAFy 마킹, LTE Band 38(2595MHz, TDD)용이다.
 
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<li>TCXO
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<li>PMIC, MEDIATEK MT6351V
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<li>3.2x1.5mm PMIC용 [[Xtal세라믹]]
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image:redmi_note4x_199.jpg | 코바링없는 진공에서 다이렉트 실링, 오른쪽 흰점은 인쇄 마킹
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<li>PMIC 주변에 있는 7개의 검정칠한 파워[[인덕터]]
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image:redmi_note4x_194.jpg
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image:redmi_note4x_195.jpg | 노랑 화살표 밑에 PMIC가 있다.
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image:redmi_note4x_196.jpg | 노랑 화살표, 인덕터 표면을 칼로 긁으니 페인트가 벗겨진다.
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image:redmi_note4x_197.jpg | 검정 페인트를 윗면에만 칠했다.
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image:redmi_note4x_198.jpg | 부품이 두꺼워 금속 깡통에 닿기 때문에 칠한다고 하는데, 왼쪽 MLCC가 더 두껍다.
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<li>의견
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<li>인덕터는 비아홀 뚫는다. 그러므로 밑면 전극만 형성시킬 수 있다. 밑면 전극만 사용하면 측면 및 위로 전극이 없다.
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<li>튀어나온 전극이 없기 때문에 더 얇게 만들 수 있다.(측면 전극 제품과 동일 두께라면 밑면 전극 제품은 페라이트를 더 두껍게 만들어 성능을 향상시킬 수 있다는 뜻이다.)
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<li>밑면 전극은 스크린 인쇄해야 한다. 이 인쇄 공법이 없거나 힘들면 어쩔 수 없이 측면 전극을 형성한다.
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<li>이런 측면 전극을 만드는 업체에서는 고객 요청으로 절연 페인트 칠을 한다.
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<li>반면에 MLCC업체에서는 전혀 하지 않는다.(??????)
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<li>[[TCXO]] GPS 칩용
 
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image:redmi_note4x_121.jpg | TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
 
image:redmi_note4x_121.jpg | TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
 
image:redmi_note4x_122.jpg | TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
 
image:redmi_note4x_122.jpg | TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
−
image:redmi_note4x_123.jpg
+
image:redmi_note4x_123.jpg | 약 2.0x1.6mm 크기
 
image:redmi_note4x_124.jpg
 
image:redmi_note4x_124.jpg
 
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438번째 줄: 494번째 줄:
 
image:redmi_note4x_136.jpg
 
image:redmi_note4x_136.jpg
 
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</gallery>
−
<li>AP + RAM PoP(Package On Package)
+
<li>[[모바일AP]] + RAM PoP(Package On Package)
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<ol>
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<li>윗면에는 Micron 회사의 RAM 이다.
 
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image:redmi_note4x_138.jpg
 
image:redmi_note4x_138.jpg
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image:redmi_note4x_139.jpg
+
image:redmi_note4x_139.jpg | 밑면 솔더면은 AP이다.
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 +
<li>PoP(Package On Package)
 +
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image:redmi_note4x_140.jpg
 
image:redmi_note4x_140.jpg
−
image:redmi_note4x_141.jpg
+
image:redmi_note4x_141.jpg | 패키지 위에 패키지가 있다.
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<li>두 패키지를 분리하면
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image:redmi_note4x_142.jpg | Mediatek MT6797W AP + Micron RAM
 
image:redmi_note4x_142.jpg | Mediatek MT6797W AP + Micron RAM
 
image:redmi_note4x_143.jpg
 
image:redmi_note4x_143.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>AP 패키지 표면을 레이저 드릴로 EMC를 제거하여 솔더패트를 노출시켰다.
 +
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image:redmi_note4x_144.jpg
 
image:redmi_note4x_144.jpg
 
image:redmi_note4x_145.jpg
 
image:redmi_note4x_145.jpg
−
image:redmi_note4x_146.jpg | 레이저 드릴로 EMC 제거함.
+
image:redmi_note4x_146.jpg | 레이저 드릴로 EMC 제거함. 참고 [[천공]]
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</gallery>
 +
<li>AP 다이분석
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 +
image:redmi_note4x_143_001.jpg | 기판 가장자리 여백에 동박패드 형성후, EMC 몰딩 후 레이저 드릴링해서 솔더 연결했다.
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image:redmi_note4x_143_002.jpg | 휘어 있다(?) RDL 전극 및 PI가 두꺼워서(?)
 +
image:redmi_note4x_143_003.jpg | 17JUL2015 MEDIATEK, 날짜 마킹은 처음봤다.
 +
</gallery>
 +
<li> [[임베디드PCB]]
 +
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 +
image:redmi_note4x_143_004.jpg | 사용 기판은 embedded PCB 이다.
 +
image:redmi_note4x_143_005.jpg | 구리 도금 비아홀로 직접 연결되어 있다. 그래서 떨어지지 않았다.
 +
image:redmi_note4x_143_008.jpg
 +
image:redmi_note4x_143_009.jpg | MLCC가 부착된 기판층 뒤쪽에서
 +
image:redmi_note4x_143_006.jpg | 캐비티 포켓
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>전원용 노이즈필터, 4개 직렬로 연결
+
<li>[[MLCC]] 분석
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_143_007.jpg | 1.0x0.5mm, 구리전극, 비아홀 도금으로 연결됨. ~400pF @1kHz
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image:redmi_note4x_143_010.jpg | 두께 80um, 위아래 더미 15um, 적층 50um 두께, 25층 전극, 층간 2um
 +
image:redmi_note4x_143_011.jpg
 +
image:redmi_note4x_143_012.png | 내부전극 및 외부전극 바렐도금을 위한 seed metal 형성 방법 그림.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>AP 전원용 L-C-L(Tee타입) [[LC필터]], 4개 직렬로 연결
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_109.jpg | 오른쪽 MLCC는 18uF(1kHz)
 
image:redmi_note4x_109.jpg | 오른쪽 MLCC는 18uF(1kHz)
 
image:redmi_note4x_109_001.png | 4개 직렬 특성
 
image:redmi_note4x_109_001.png | 4개 직렬 특성
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>SanDisk SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
+
<li>SanDisk SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded [[Flash Memory]] drive, 14nm
 +
<ol>
 +
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_110.jpg
 
image:redmi_note4x_110.jpg
 
image:redmi_note4x_111.jpg
 
image:redmi_note4x_111.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이 4개 적층 + 메모리 콘트롤러
 +
<gallery>
 
image:redmi_note4x_112.jpg | 128Gb x 4 = 64GB NAND flash
 
image:redmi_note4x_112.jpg | 128Gb x 4 = 64GB NAND flash
 
image:redmi_note4x_113.jpg | flash memory controller
 
image:redmi_note4x_113.jpg | flash memory controller
 
image:redmi_note4x_114.jpg | 다이접착용 필름 두 개가 보인다.
 
image:redmi_note4x_114.jpg | 다이접착용 필름 두 개가 보인다.
 
image:redmi_note4x_115.jpg
 
image:redmi_note4x_115.jpg
 +
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 +
<li>적층다이를 와이어본딩으로 연결
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image:redmi_note4x_116.jpg | wire bonded multi-stack die
 
image:redmi_note4x_116.jpg | wire bonded multi-stack die
 
image:redmi_note4x_117.jpg | Stand-off Stitch Bonding
 
image:redmi_note4x_117.jpg | Stand-off Stitch Bonding
 +
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 +
<li>다이 표면
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<gallery>
 
image:redmi_note4x_118.jpg | 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 정전기 방지용(?) R패턴(?)
 
image:redmi_note4x_118.jpg | 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 정전기 방지용(?) R패턴(?)
 
image:redmi_note4x_119.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.
 
image:redmi_note4x_119.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.
 
image:redmi_note4x_120.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND
 
image:redmi_note4x_120.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>RF transceiver IC 구역
 
<li>RF transceiver IC 구역
 
<ol>
 
<ol>
483번째 줄: 584번째 줄:
 
image:redmi_note4x_133.jpg | Skyworks SKY13418 SP8T Antenna Switch, 0.1~6.0GHz
 
image:redmi_note4x_133.jpg | Skyworks SKY13418 SP8T Antenna Switch, 0.1~6.0GHz
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>쏘필터 8개 1.1x0.9mm
+
<li>[[SAW-핸드폰RF]] 8개 1.1x0.9mm
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_130.jpg
 
image:redmi_note4x_130.jpg
518번째 줄: 619번째 줄:
 
image:redmi_note4x_130_014.jpg
 
image:redmi_note4x_130_014.jpg
 
image:redmi_note4x_130_017.jpg | 구조
 
image:redmi_note4x_130_017.jpg | 구조
−
image:redmi_note4x_130_015.jpg | H881AA0 MP4 KKS G1
+
image:redmi_note4x_130_015.jpg | H881AA0 MP4 KKS G1 김경식
−
image:redmi_note4x_130_016.jpg | 주기: 4.53um
+
image:redmi_note4x_130_016.jpg | 주기:4.53um x 836.5MHz = 3790m/sec
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
529번째 줄: 630번째 줄:
 
image:redmi_note4x_129_001.jpg | 노랑점선 내부가 Tx,Rx 매칭(안테나 포트 매칭은 뒷면에 있다.)
 
image:redmi_note4x_129_001.jpg | 노랑점선 내부가 Tx,Rx 매칭(안테나 포트 매칭은 뒷면에 있다.)
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>Taiyo Yuden 5개
+
<li>Taiyo Yuden 5개 [[SAW-핸드폰DPX]]
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
 
<li>주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
541번째 줄: 642번째 줄:
 
image:redmi_note4x_188_003.jpg | 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.
 
image:redmi_note4x_188_003.jpg | 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>701, LTE Band7
+
<li>701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>주파수 파형
 
<li>주파수 파형
547번째 줄: 648번째 줄:
 
image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz
 
image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>다이 내부
+
<li>Tx필터 [[FBAR]] 온도 특성 실험-1
 +
<ol>
 +
<li>치구 준비
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_001.jpg | 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함
 +
image:redmi_note4x_189_001_001.png | 주파수 특성 그래프
 +
</gallery>
 +
<li>가열 냄비 준비
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_002.jpg
 +
image:redmi_note4x_189_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Fluorinert 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_004.jpg | Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.
 +
image:redmi_note4x_189_005.jpg | 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,
 +
image:redmi_note4x_189_006.jpg
 +
image:redmi_note4x_189_007.jpg | 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림
 +
</gallery>
 +
<li>실험 방법
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_008.jpg | 별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함
 +
image:redmi_note4x_189_009.jpg | 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림
 +
</gallery>
 +
<li>5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 [[tcf-ibw.txt]]
 +
<li>엑셀 데이터
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_010.png | 온도프로파일
 +
image:redmi_note4x_189_011.png | 피크이득
 +
image:redmi_note4x_189_012.png | -10dB 중심주파수
 +
image:redmi_note4x_189_013.png | -30ppm 온도계수를 갖는다.
 +
image:redmi_note4x_189_014.png | 대역폭
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
 
<ol>
 
<ol>
 +
<li>30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_015.png
 +
</gallery>
 +
<li>그래프
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_016.png | 30~130도씨 온도프로파일
 +
image:redmi_note4x_189_017.png | 피크이득
 +
image:redmi_note4x_189_018.png | -10dB 중심주파수
 +
image:redmi_note4x_189_019.png | -33ppm 온도계수를 갖는다.
 +
image:redmi_note4x_189_020.png | 대역폭
 +
</gallery>
 +
<li>사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
 +
</ol>
 +
<li>다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
 +
<ol>
 +
<li>SAW + BAW 조합이다.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_021.jpg
 +
image:redmi_note4x_189_022.jpg | Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.
 +
</gallery>
 +
<li>F-BAR baw 필터
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_023.jpg | W868-08
 +
image:redmi_note4x_189_024.jpg | 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함
 +
</gallery>
 +
<li>공진기 #1~#6
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_025.jpg | #1
 +
image:redmi_note4x_189_026.jpg | #2
 +
image:redmi_note4x_189_027.jpg | #3
 +
image:redmi_note4x_189_028.jpg | #4
 +
image:redmi_note4x_189_029.jpg | #5
 +
image:redmi_note4x_189_030.jpg | #6
 +
</gallery>
 +
<li>Rx saw 필터
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_031.jpg | W1895-14
 +
image:redmi_note4x_189_032.jpg | 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
578번째 줄: 753번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>Tx:1880MHz
 
<li>Tx:1880MHz
 +
<ol>
 +
<li>전체
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_190_009.jpg | X019-21
 
image:redmi_note4x_190_009.jpg | X019-21
 +
image:redmi_note4x_190_009_001.jpg | 배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해
 +
</gallery>
 +
<li>withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_190_009_002.jpg | 굵은 전극이 궁금해서
 
image:redmi_note4x_190_010.jpg | 주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec
 
image:redmi_note4x_190_010.jpg | 주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec
 +
image:redmi_note4x_190_010_001.jpg | 굵은 전극 형태
 +
</gallery>
 +
<li>90도로 배열된 C패턴
 +
<gallery>
 
image:redmi_note4x_190_011.jpg
 
image:redmi_note4x_190_011.jpg
 
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 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>7A4, LTE Band1
 
<li>7A4, LTE Band1
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</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
+
<li>Murata [[SAW-핸드폰DPX]], 마킹 CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
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</ol>
 
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>[[가속도센서]], [[자이로센서]](각속도센서), BOSCH, BMI160
 +
<ol>
 +
<li> - 21p
 +
<li>패키지 분해
 +
<gallery>
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image:redmi_note4x_200.jpg | 높은 IC를 찾아 표면을 긁어서 찾음.
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image:redmi_note4x_201.jpg | 유기물 PCB에 다이본딩
 +
</gallery>
 +
<li>다이 분해
 +
<gallery>
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image:redmi_note4x_202.jpg
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</gallery>
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<li>readout IC ID
 +
<gallery>
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image:redmi_note4x_203.jpg | BOSCH BAI160C C2014
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</gallery>
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<li>3축 Gyroscope MEMS [[자이로센서]]
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image:redmi_note4x_204.jpg
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image:redmi_note4x_205.jpg
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image:redmi_note4x_206.jpg
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image:redmi_note4x_207.jpg
 +
image:redmi_note4x_208.jpg | 직각사각형 movable plate를 static plate가 마주보고(면적을 넓게) 있다.
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<li>3축 Accelerometer MEMS [[가속도센서]]
 +
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image:redmi_note4x_209.jpg
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image:redmi_note4x_210.jpg
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image:redmi_note4x_211.jpg
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image:redmi_note4x_212.jpg
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image:redmi_note4x_213.jpg | 주기 6.0um
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image:redmi_note4x_214.jpg
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image:redmi_note4x_215.jpg | 주기 6.0um
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<li>위 모서리에 [[리모트콘트롤]]용 [[IR통신]]용 LED (앞에 검정 플라스틱 창이 있다.)
 
<li>위 모서리에 [[리모트콘트롤]]용 [[IR통신]]용 LED (앞에 검정 플라스틱 창이 있다.)
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image:redmi_note4x_137.jpg | 매우 얇은 금도금
 
image:redmi_note4x_137.jpg | 매우 얇은 금도금
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image:redmi_note4x_137_001.jpg | [[SIM]] tray, Dual SIM(Micro-SIM/Nano-SIM)+Micro SDXC
 
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<li>리시버 [[스피커]]
 
<li>리시버 [[스피커]]
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image:redmi_note4x_186.jpg
 
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2020년 8월 1일 (토) 15:27 기준 최신판

Xiaomi, Redmi Note 4X

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰 - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 외부 링크
      2. https://en.wikipedia.org/wiki/Redmi_Note_4
      3. 출시년도: 2017년 2월
      4. 사용 네트워크
        1. 2G GSM 850/900/1800/1900, CDMA800 & TD-SCDMA
        2. 3G HSDPA 850/900/1900/2100
        3. 4G 1, 3, 5, 7, 8, 38, 39, 40, 41 - Mediatek model, 아래 밴드에서 폰 기준으로 Tx, Rx
          1. B1: 2100, 1920~1980(1950), 2110~2170(2140)
          2. B2: 1900, 1850~1910(1880), 1930~1990(1960) - 이 밴드 듀플렉서가 있다.
          3. B3: 1800, 1710~1785(1747.5), 1805~1880(1842.5)
          4. B5: 850, 824~849(836.5), 869~894(881.5)
          5. B7: 2600, 2500~2570(2535), 2620~2690(2655)
          6. B8: 900, 880~915(897.5), 925~960(942.5)
          7. B38: 2600, TDD 2570~2620(2595) TY SAW 필터 발견
          8. B39: 1900, TDD 1880~1920(1900)
          9. B40: 2300, TDD 2300~2400(2350) Triquint BAW 필터 발견
          10. B41: 2500, TDD 2496~2690(2593)
    2. 외관
      • redmi note4x 001.jpg
      • redmi note4x 002.jpg
    3. finger ring stand용 조이개
      • redmi note4x 003.jpg

      • conical 형태를 갖는 peen shape로 눌러, rivet head를 expanded 형태로 만들었다.

      • redmi note4x 005.jpg
    4. 분해시작

      • 케이스를 접합하거나 나사를 사용하지 않고, 플라스틱끼리 끼워 조립한다.

      • 배터리가 가장 넓다.

    5. 안테나
      1. 다이버시티 안테나인지, 아니면 하단은 저주파 1GHz, 상단은 2GHz 전용인지 정확하지 않음.
      2. 상단
        • redmi note4x 008.jpg

        • 위쪽 메탈케이스 표면 5군데와 접지 연결 및 안테나 3군데 연결 방법

        • 메탈 케이스 접지

        • 위쪽 안테나는 양면접착제로 붙어 있다.

        • 2면에 걸쳐 일정한 높이를 갖어야 안테나 방향성 이득이 좋다. GPS/BT/WiFi2.4+5G 안테나와 다이버시티 안테나

      3. 하단

        • 아래쪽 메탈케이스와 3군데 연결 및 안테나와 연결방법

        • 아랫쪽 안테나와 메탈 케이스 접지 접촉

        • 안테나는 양면접착제로 붙어 있다.

        • 아랫쪽에 있는 메인안테나. 2면에 걸쳐 일정한 높이를 갖어야 안테나 방향성 이득이 좋다. 800~2600MHz 모두 매칭되어 있다.

        • 금속은 전파를 반사하므로 금속을 사용하면 안된다.

      4. 하단 안테나 매칭

        • 아래쪽 메인 안테나와 케이블 연결 매칭

        • 메인 마이크 입구 및 안테나 접지와 연결되는 단자패드

        • 그 중 중간 단자만 사용하는 회로(스위치?) 1GHz 최적매칭 및 2GHz 최적 매칭을 위한 선택???

        • redmi note4x 043 001.jpg

        • 측면 전극이 없는 부품에 많은 솔더를 바른 납땜

      5. LDS(Laser Direct Structuring)에 사용된 플라스틱 도금 기술

        • laser induced selective activation(LISA) electroless plating 을 위해서 앞 뒤로 전기 연결하기 위한 원뿔 사출.

        • 앞뒤 연결을 위한, 반대편 원뿔. 반대편에서 전극이 튀어나온 것이 보인다.

      6. 메탈 케이스를 피해서 설치된, 위 아래 안테나 위치
        • redmi note4x 020.jpg
    6. 지문 센서
      1. 위치
        • redmi note4x 021.jpg

        • 지문센서 부착방법.

        • redmi note4x 021 001.jpg
      2. PCB

        • FPMJ012 17269006

        • 납땜 패드만(?) 전기도금한다.(?)

      3. 표면에 열풍을 가하면

        • 페인트 칠이다. 지문 기름성분이 잘 안묻는 수지 코팅만 했다.

      4. 다이

        • 5.9x5.75mm die size

        • 5.6x4.4mm sensing area size, 112x88=9856 cells

        • redmi note4x 021 007.jpg
        • redmi note4x 021 008.jpg

        • 50x50um pitch

        • 7033

      5. 동작원리
        • redmi note4x 021 011.jpg
        • redmi note4x 021 012.jpg
    7. 안테나 접지면 기준이 되는 후면 메탈 커버

      • anodized aluminum 금속 케이스를 접지면으로 만들기 위해 산화피막을 제거하고, PCB 접지와 연결하기 위한 스프링 핀 연결

      • 풀칠

      • anodized aluminum에서 산화피막을 제거

      • anodized aluminum 금속 케이스를 접지면으로 만들기 위해 산화피막을 레이저로 제거하고, PCB 접지와 연결하기 위한 스프링 인터커넥터 핀 연결

      • 메탈케이스를 접지 시키기 위해서, mid-금속 프레임 산화피막을 표면을 레이저로 깍음

      • 메탈케이스를 완전히 분해한 후 살펴보니

    8. 마이크로 스피커
      1. 위치하는 곳(휴대폰 밑이다.) 및 외형

        • 스피커 박스. 메탈케이스와 연결을 위한 포고핀 3개, 왼쪽 스피커 구멍, 오른쪽은 메인 마이크를 위한 공기 통로

        • 메인 마이크 및 90도 꺽인 공기 통로

        • 스피커 박스

      2. 스피커 박스를 뜯으면

        • 스피커 박스속 백볼륨에 있는, 금속판에 붙어 있는 스폰지

        • 스피커 진동판 및 마주보고 있는 금속판

        • redmi note4x 036.jpg
      3. 백볼륨 속의 스폰지
        • redmi note4x 037.jpg
        • redmi note4x 038.jpg
        • redmi note4x 039.jpg
        • redmi note4x 040.jpg

        • 참조: 욕실용이므로 Polyester 수지 스폰지로 추정함.

    9. 메인 마이크
      1. 메인 마이크와 맨 아래 버튼 스위치용 백라이트 LED 연결
        • redmi note4x 045.jpg
        • redmi note4x 046.jpg
      2. 메인 MEMS마이크, XN7A7 7722 3014

        • bottom 타입이다.

        • 납땜으로 금속 뚜껑을 붙임

        • E2140C 11581

        • redmi note4x 050.jpg
        • redmi note4x 051.jpg

        • 실리콘 MEMS 마이크 뒷면

      3. C embedded PCB 분석, PCB C

        • PCB top(1층) 동박

        • top(1층) 동박

        • 1층과 2층 동박사이에 있는 FR4 유전체

        • 2층 동박

        • 2층 동박을 벗기면, 하양 유전체가 보인다. 이 유전체 두께로 C값을 좌우한다.

        • 하양 유전체 두께는 매우 얇다. 유전율을 높일수 없어서 두께를 얇게해서 C값을 높인다.

        • 3층 동박. 두 개의 C가 형성되어 있다.

        • 납땜을 위한 bottom면(4층) 동박

    10. 귀쪽에 위치한, 소음 제거용 MEMS마이크
      1. 외형
        • redmi note4x 076.jpg

        • MN7A7 7719 3021

      2. 패키지 분해

        • PCB 3개를 붙여서 만들었다.

        • reverse top 형태로 만드는 이유

        • redmi note4x 079.jpg
      3. 프레임 구조
        • redmi note4x 080.jpg
        • redmi note4x 081.jpg
      4. PCB C
        • redmi note4x 082.jpg

        • C embedded PCB를 사용했다.

      5. MEMS 진동판 - 메인 마이크에 사용된 MEMS 진동판과 같다.

        • E2140C 03322

        • redmi note4x 085.jpg
    11. 메인보드 방열 및 차폐

      • 메인회로는 방열특성을 높이기 위해 표면을 검게처리함.

      • 디스플레이와 만나는 면은 검게 처리된 동테이프

    12. 카메라
      1. 후면 메인 카메라용 Dual-tone LED flash
        1. 기술
          1. 기존 단일 LED 플래시로 사진을 찍으면 부자연스럽고 차가운 톤으로 사진이 찍힌다.
          2. 서로 다른 색온도를 갖는 두 LED를 사용해서 색상 균형을 쉽게 맞출 수 있다.
          3. 2013년 9월 iPhone 5S에서 처음으로 등장. 흰색white과 호박색amber 사용함.
          4. 주변광의 화이트밸런스를 판단하여 플래시 색상을 조정한다.(맞나?)
        2. Dual-tone LED-SMD
          • redmi note4x 171.jpg

          • 넓은 동박이 드라이브 IC 두 출력에 각각 연결되어 있다.

          • 흰색white과 호박색amber

        3. 형광체를 뜯어내면

          • AlN(알루미늄 나이트라이드) 기판에 두꺼운 구리전극+은 도금위에

        4. 켜보면
          • redmi note4x 173 001.jpg
          • redmi note4x 173 002.jpg
        5. LED 다이를 뜯으면

          • 솔더링플립칩 본딩

      2. 후면 메인 카메라 - 핸드폰용 이미지센서
        1. 위치

          • 카메라 모듈 뒷면 방열

          • 카메라 모듈 뒤면에 동테이프

        2. 카메라 뒷면 방열판
          • redmi note4x 147.jpg
          • redmi note4x 148.jpg
        3. 외관

          • 후면 메인 카메라

        4. VCM 분해
          • redmi note4x 107 001.jpg
          • redmi note4x 107 002.jpg
          • redmi note4x 107 003.jpg
        5. IR컷 필터 분해

          • OHP0046

          • redmi note4x 107 005.jpg
        6. 이미지 센서
          • redmi note4x 107 006.jpg
          • redmi note4x 107 007.jpg
        7. red dot pitch 약 2.2um, 파랑 점에 결점이 있다. phase detect auto focus(PDAF)를 위한 센서 픽셀. 한 축으로만 배열되어 예를 들면 수평 자동초점을 맞춘다. 센서 전영역에 걸쳐 형성되어 있으면 전영역에 자동초점을 맞출 수 있다.
          • redmi note4x 107 008.jpg
          • redmi note4x 107 009.jpg
        8. S5K3L8 삼성전자제조, 4208x3120(13M), 1.12um, 1/3.1", pixel type:ISOCELL, PDAF auto focus
          • redmi note4x 107 010.jpg
      3. 전면 보조 카메라

        • 전면 보조 카메라

    13. 적외선 근접센서(IR proximity sensors) 및 조도센서(Ambient Light Sensor)
      1. 사진

        • 적외선 근접센서 및 조도센서 위치

        • 고무마개에는 Tx/Rx isolation을 위한 중간벽이 보인다.

        • 설치위치를 높이기 위해

      2. 외관

        • 적외선 근접센서. 통화를 위해 귀에 대면 화면을 꺼지게 한다. (참고로 화면밝기를 조정하기 위해 주변밝기를 검출하는 조도센서 Ambient Light Sensor도 겸할 수 있다.)

        • redmi note4x 068.jpg

        • 발광부 광원이 직접 수광부로 가는 것을 차단(isolation을 높이는 행위)하기 위해 도랑을 파, 검정 뚜껑에 있는 벽으로 확실히 차단하고 있다.

      3. 분해
        • redmi note4x 070.jpg
        • redmi note4x 071.jpg

        • 각도에 따라 검출하는 기능은 아니다. 큰 면적은 에너지가 작은 반사빛을 검출하기 위해 면적이 크고, 작은 영역은 빛을 직접 받는 조도센서인듯

      4. 인터포저(interposer)

        • 센서 바닥의 8군데 패드와 1:1 매칭되는 인터포저 패드

        • 센서 설치를 높이기 위한 단순하게 두꺼운 PCB 인터포저

    14. 메인 PCB에서 방열

      • 깡통이 튀어나온 부분(AP와 RAM이 PoP 되어 있어 두껍다.)은 anodized aluminum mid-frame은 오목하게 들어가 있다.

      • 3군데 방열실리콘용 IC는 Micron 6QB47 D9TPL RAM, Mediatek MT6351V PMIC, Dialog DA9214 step down converter

      • 쑥색은 테이프가 아니라 페인트칠이다.

      • 전력변환 수동부품 영역에는 실리콘 접착제(방열? 진동억제?) 도포

      • redmi note4x 090.jpg

      • BGA bare die에서 붙인 마킹 필름이 떨어졌다.

    15. 하단 안테나에서 온 동축케이블과 연결된, 안테나 RF스위치IC. TDD용 PAM과 W-CDMA PAM을 따로 스위칭하기 위해서(?)
      1. 외관

        • 회사 마크가 RFMD

        • redmi note4x 094 006.jpg
      2. 다이 분석
        • redmi note4x 131 001.jpg

        • M1D1643A01 RFMD 2013

        • redmi note4x 131 003.jpg
        • redmi note4x 131 004.jpg
    16. Skyworks 77645-11, multimode multiband(MMMB) PAM, TDD용 전용. 7개 듀플렉서를 사용하는 W-CDMA용 PAM은 따로 존재한다.
      1. 부근 부품
        • redmi note4x 092.jpg
        • redmi note4x 093.jpg
        • redmi note4x 094.jpg
      2. Triquint SMR-[BAW]] 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
        1. 외관

          • 금색 뚜껑 제품 1.5x1.3mm 추정

        2. 주파수 특성
          • redmi note4x 094 001.jpg
          • redmi note4x 094 004.png
          • redmi note4x 094 005.png
        3. 온도 특성 실험

          • 허공에 띄워서

          • 이 때 측정되는 그래프(peak 추적을 하면서)

          • Pt100오옴 센서를 근처로

        4. 주파수 온도 특성, 엑셀 데이터

          • 백금온도센서 저항값은 에어콘 가동에 잡음이 유도된다.(?)

          • 백금온도센서와 필터는 같은 속도로 반응한다.

          • -20ppm/'C로 계산된다.

        5. 밤새 주파수 온도 특성

          • 17시간 사무실 온도변화

          • 온도와 주파수변화 - 주파수는 +드리프트가 생긴다.

          • 12시간동안 +30ppm 드리프트가 생긴다. (납땜 스트레스?)

        6. 냉매 및 열풍기로 온도 특성

          • 냉매로 얼리면

          • 시간에 따른 온도 및 주파수

          • 온도에 따른 주파수변화. 얼린 후 온도가 올라가면 물방울이 생겨 주파수특성에 영향을 준다.

      3. Taiyo-Yuden(다이요유덴;태양유전) SAW-핸드폰RF 필터, LAFy 마킹, LTE Band 38(2595MHz, TDD)용이다.
        1. 외관, 1.4x1.1mm 로 추정

          • TDD용이므로 Tx 큰 전력도 통과하도록 내전력 특성이 좋아야 한다.

        2. 특성 그래프
          • redmi note4x 094 002.png
          • redmi note4x 094 003.png
        3. 내부

          • 세라믹 기판이 더 크다. (반면에 1814 듀플렉서는 기판이 더 작다.)

          • redmi note4x 094 010.jpg
          • redmi note4x 094 011.jpg
          • redmi note4x 094 012.jpg
          • redmi note4x 094 013.jpg
          • redmi note4x 094 014.jpg

          • W837 5-16

          • redmi note4x 094 016.jpg
    17. Skyworks 77912-51, W-CDMA용 PAM (LTE B7,38,41,40,AXGP 등 2300~2690MHz)
      • redmi note4x 132.jpg
      • redmi note4x 094 007.jpg
      • redmi note4x 094 008.jpg
    18. Mediatek MT6631N, WiFi abgn+ac, BT4.1, GPS, FM 칩
      1. 사진
        • redmi note4x 095.jpg
        • redmi note4x 096.jpg

        • Murata, GPS Rx saw filter, 1.1x0.9mm

        • redmi note4x 098.jpg
      2. 세라믹필터 기술로 만든 triplexer 측정
        • redmi note4x 106.jpg

        • 1.5GHz GPS 포트

        • 2.4GHz WiFi/BT 포트

        • 5GHz WiFi 포트

      3. 무라타 GPS용 쏘필터는 분석하지 않음.
      4. 83C 227 마킹, Triquint WiFi/BT용 SMR-[BAW]] 필터. 1.5x1.3mm 실측크기
        1. 주파수 특성
          • redmi note4x 098 001.png
          • redmi note4x 098 002.png
          • redmi note4x 098 003.png
          • redmi note4x 098 004.png
        2. 패키징
          • redmi note4x 099.jpg

          • Au stud 초음파 플립 본딩

          • redmi note4x 101.jpg

          • 실리콘 결정은 특별한 벽개면이 존재한다.

        3. 칩
          • redmi note4x 103.jpg

          • TQS 2013 EG9489 D6A

          • redmi note4x 105.jpg
    19. PMIC, MEDIATEK MT6351V
      1. 3.2x1.5mm PMIC용 Xtal세라믹

        • 코바링없는 진공에서 다이렉트 실링, 오른쪽 흰점은 인쇄 마킹

      2. PMIC 주변에 있는 7개의 검정칠한 파워인덕터
        • redmi note4x 194.jpg

        • 노랑 화살표 밑에 PMIC가 있다.

        • 노랑 화살표, 인덕터 표면을 칼로 긁으니 페인트가 벗겨진다.

        • 검정 페인트를 윗면에만 칠했다.

        • 부품이 두꺼워 금속 깡통에 닿기 때문에 칠한다고 하는데, 왼쪽 MLCC가 더 두껍다.

      3. 의견
        1. 인덕터는 비아홀 뚫는다. 그러므로 밑면 전극만 형성시킬 수 있다. 밑면 전극만 사용하면 측면 및 위로 전극이 없다.
        2. 튀어나온 전극이 없기 때문에 더 얇게 만들 수 있다.(측면 전극 제품과 동일 두께라면 밑면 전극 제품은 페라이트를 더 두껍게 만들어 성능을 향상시킬 수 있다는 뜻이다.)
        3. 밑면 전극은 스크린 인쇄해야 한다. 이 인쇄 공법이 없거나 힘들면 어쩔 수 없이 측면 전극을 형성한다.
        4. 이런 측면 전극을 만드는 업체에서는 고객 요청으로 절연 페인트 칠을 한다.
        5. 반면에 MLCC업체에서는 전혀 하지 않는다.(??????)
    20. TCXO GPS 칩용

      • TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.

      • TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.

      • 약 2.0x1.6mm 크기

      • redmi note4x 124.jpg
    21. 메인 보드 뒷면
      • redmi note4x 136.jpg
    22. 모바일AP + RAM PoP(Package On Package)
      1. 윗면에는 Micron 회사의 RAM 이다.
        • redmi note4x 138.jpg

        • 밑면 솔더면은 AP이다.

      2. PoP(Package On Package)
        • redmi note4x 140.jpg

        • 패키지 위에 패키지가 있다.

      3. 두 패키지를 분리하면

        • Mediatek MT6797W AP + Micron RAM

        • redmi note4x 143.jpg
      4. AP 패키지 표면을 레이저 드릴로 EMC를 제거하여 솔더패트를 노출시켰다.
        • redmi note4x 144.jpg
        • redmi note4x 145.jpg

        • 레이저 드릴로 EMC 제거함. 참고 천공

      5. AP 다이분석

        • 기판 가장자리 여백에 동박패드 형성후, EMC 몰딩 후 레이저 드릴링해서 솔더 연결했다.

        • 휘어 있다(?) RDL 전극 및 PI가 두꺼워서(?)

        • 17JUL2015 MEDIATEK, 날짜 마킹은 처음봤다.

      6. 임베디드PCB

        • 사용 기판은 embedded PCB 이다.

        • 구리 도금 비아홀로 직접 연결되어 있다. 그래서 떨어지지 않았다.

        • redmi note4x 143 008.jpg

        • MLCC가 부착된 기판층 뒤쪽에서

        • 캐비티 포켓

      7. MLCC 분석

        • 1.0x0.5mm, 구리전극, 비아홀 도금으로 연결됨. ~400pF @1kHz

        • 두께 80um, 위아래 더미 15um, 적층 50um 두께, 25층 전극, 층간 2um

        • redmi note4x 143 011.jpg

        • 내부전극 및 외부전극 바렐도금을 위한 seed metal 형성 방법 그림.

    23. AP 전원용 L-C-L(Tee타입) LC필터, 4개 직렬로 연결

      • 오른쪽 MLCC는 18uF(1kHz)

      • 4개 직렬 특성

    24. SanDisk SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded Flash Memory drive, 14nm
      1. 외관
        • redmi note4x 110.jpg
        • redmi note4x 111.jpg
      2. 다이 4개 적층 + 메모리 콘트롤러

        • 128Gb x 4 = 64GB NAND flash

        • flash memory controller

        • 다이접착용 필름 두 개가 보인다.

        • redmi note4x 115.jpg
      3. 적층다이를 와이어본딩으로 연결

        • wire bonded multi-stack die

        • Stand-off Stitch Bonding

      4. 다이 표면

        • 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 정전기 방지용(?) R패턴(?)

        • SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.

        • SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND

    25. RF transceiver IC 구역
      1. Mediatek MT6176V transceiver RF IC

        • Mediatek MT6176V transceiver RF IC

        • transceiver RF IC 주변 filter

        • 대충 회로도

      2. Rx 다이버시티
        1. Rx 다이버시티용 스위치

          • Skyworks SKY13418 SP8T Antenna Switch, 0.1~6.0GHz

        2. SAW-핸드폰RF 8개 1.1x0.9mm
          • redmi note4x 130.jpg
          • redmi note4x 130 001.jpg

          • 측정을 위해 #1~#8 번호부여

          • 회로도

        3. 노랑점선: 안테나, 쏘필터 그리고 이들 사이 매칭영역, 주황점선: 모듈과 트랜시버IC 사이의 매칭영역

          • 모든 매칭이 가능한 pi 구조로 PCB를 만든다.

        4. 필터 8개 주파수특성 측정을 위해 간이 연결
          • redmi note4x 130 003.jpg
        5. 필터 8개 주파수특성 엑셀 데이터
          • redmi note4x 130 012.png
        6. 필터 8개 주파수특성 그래프

          • P2 YE

          • 46 ~cD

          • X6 AB

          • PO ~cB

          • 24 MD

          • XT fC

          • MH8 0 1

          • P5 YA

        7. #7번 필터, 2017년 8월, China 제조
          • redmi note4x 130 014.jpg

          • 구조

          • H881AA0 MP4 KKS G1 김경식

          • 주기:4.53um x 836.5MHz = 3790m/sec

      3. 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개
        1. 전체

          • 701/F01, 7B1/Fb3, 1003/VK5Q, 7A4/F3j, CG/3J, 7G6/Ek9, 7E4/Dq8

          • 노랑점선 내부가 Tx,Rx 매칭(안테나 포트 매칭은 뒷면에 있다.)

        2. Taiyo Yuden 5개 SAW-핸드폰DPX
          1. 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
            • redmi note4x 188.jpg
          2. 측면

            • 두께가 다르다.

            • 금속이 세라믹보다 두꺼운 이유는 세라믹을 자른 후 도금을 했기 때문에다.

            • 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.

          3. 701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
            1. 주파수 파형

              • 2535MHz

            2. Tx필터 FBAR 온도 특성 실험-1
              1. 치구 준비

                • 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함

                • 주파수 특성 그래프

              2. 가열 냄비 준비
                • redmi note4x 189 002.jpg
                • redmi note4x 189 003.jpg
              3. Fluorinert 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.

                • Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.

                • 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,

                • redmi note4x 189 006.jpg

                • 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림

              4. 실험 방법

                • 별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함

                • 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림

              5. 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
              6. 엑셀 데이터

                • 온도프로파일

                • 피크이득

                • -10dB 중심주파수

                • -30ppm 온도계수를 갖는다.

                • 대역폭

            3. Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
              1. 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
                • redmi note4x 189 015.png
              2. 그래프

                • 30~130도씨 온도프로파일

                • 피크이득

                • -10dB 중심주파수

                • -33ppm 온도계수를 갖는다.

                • 대역폭

              3. 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
            4. 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
              1. SAW + BAW 조합이다.
                • redmi note4x 189 021.jpg

                • Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.

              2. F-BAR baw 필터

                • W868-08

                • 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함

              3. 공진기 #1~#6
                  1. 1
                  1. 2
                  1. 3
                  1. 4
                  1. 5
                  1. 6
              4. Rx saw 필터

                • W1895-14

                • 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec

          4. 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
            1. 주파수 파형

              • 1877MHz

            2. 땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
              • redmi note4x 190 001.jpg
            3. 사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.

              • 초경에 긁히지 않는 것으로 보아 사파이어 맞다.

              • redmi note4x 190 003.jpg

              • LT두께 20um+사파이어두께 250um, 레이저 펀칭7번, 간격 약 27um

            4. 다이를 뜯어냄

              • 밀어보니, 레이저 다이싱에 문제가 있어, 사파이어가 깨진다.

              • redmi note4x 190 006.jpg
            5. Rx

              • X077-22

              • 주기:1.98um x 1960MHz = 3880m/sec

            6. Tx:1880MHz
              1. 전체

                • X019-21

                • 배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해

              2. withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.

                • 굵은 전극이 궁금해서

                • 주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec

                • 굵은 전극 형태

              3. 90도로 배열된 C패턴
                • redmi note4x 190 011.jpg
                • redmi note4x 190 012.jpg
          5. 7A4, LTE Band1
            1. 주파수 파형

              • 1950MHz

            2. 전체
              • redmi note4x 191 001.jpg
              • redmi note4x 191 002.jpg
            3. Rx

              • Rx 다이, V8151-31

              • Rx 어느 패턴에서 주기: 1.865um 2140MHz 쏘속도 3990m/sec

            4. Tx

              • Tx 다이

              • Tx 어느 패턴에서 주기: 1.949um 1950MHz 쏘속도 3800m/sec

              • 우측 상단, 90도 돌아간 C전용 패턴에서 주기: 1.695um

              • 좌측 하단, 90도 돌아간 C전용 직렬 패턴에서 주기:1.65um. 굳이 직렬로 C를 만들 이유는 내전압 때문이다. (칩 위아래로만 초전이 발생되므로 길게 연결된 패턴 때문에)

          6. 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
            1. 주파수 파형

              • 897.5MHz

            2. 다이 내부

              • 트위저로 금속 뚜껑을 누르면서 작업했는데 다이가 깨져 있다. 리드와 다이 뒷면이 붙어 있지 않다.

              • 풀칠

              • 풀칠 수

              • 다이 분리

              • 다이

              • Rx 다이, 주기: 4.12um 942.5MHz 3880m/sec

              • Tx 다이, 주기: 4.28um 897.5MHz 3840m/sec

          7. 7E4, LTE Band5
            1. 주파수 파형

              • 836.5MHz

            2. 다이 내부

              • 다이 뒷면 밝기가 달리 보인다.

              • 다이를 작게 할 수 없어, 벽이 얇아졌다.

              • redmi note4x 193 003.jpg

              • 기판 전극표면이 비교적 평탄하다.

              • 본딩이 쉽게 떨어진다.(그렇게 플립본딩한 듯)

              • Rx 881.5MHz, 주기: 4.46um (쏘속도 3930m/sec)

              • Tx 836.5MHz, 어느 전극에서, 윗쪽 주기 4.60um, 아래쪽 주기 4.58um (쏘속도 3850m/sec)

        3. Murata SAW-핸드폰DPX, 마킹 CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
          1. 외관
            • redmi note4x 127.jpg
          2. 패키징

            • 패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm 여유 0.33mm 및 0.31mm

            • redmi note4x 127 002.jpg
          3. 다이

            • EK18

            • 주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)

        4. Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 듀플렉서
          1. 외관
            • redmi note4x 128.jpg
          2. 유기물 PCB

            • PCB 내부에 L을 많이 넣었다. 그래야 2GHz Duplexer가 된다.

            • WLP에 구리 기둥이 있다. EMC 수지 색상이 지금까지 분석했던 것과 다르다.

            • PCB 내부에 C도 넣었다. 내부에 L과 C가 많아 비아홀도 많다.

          3. 다이 분리
            • redmi note4x 128 004.jpg
          4. 두 다이
            • redmi note4x 128 005.jpg
            • redmi note4x 128 006.jpg
            • redmi note4x 128 007.jpg
          5. 빈공간을 유지하는, 벽과 지붕
          6. 본딩 패드와 검사용 패드

            • 인접한 다이와 연결된 패턴이 있다.

            • 용도가 다른 패드. 사각형 바늘

          7. 발연질산에 넣어서

            • 왼쪽 Rx 다이, 오른쪽 Tx 다이(주파수가 낮다.)

            • Rx 다이 (11개 공진기에 색상은 5가지)

            • Tx 다이

            • 에폭시 PR이 잘 붙은 물질(산화물, 금속)이 있다. 접착력이 낮은 표면에서는 홈을 파서 전단 접착력을 향상시킨 것으로 추측된다.

            • Si-유전체-금속-압전체-금속-유전체 구조

    26. 가속도센서, 자이로센서(각속도센서), BOSCH, BMI160
      1. - 21p
      2. 패키지 분해

        • 높은 IC를 찾아 표면을 긁어서 찾음.

        • 유기물 PCB에 다이본딩

      3. 다이 분해
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      4. readout IC ID

        • BOSCH BAI160C C2014

      5. 3축 Gyroscope MEMS 자이로센서
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        • 직각사각형 movable plate를 static plate가 마주보고(면적을 넓게) 있다.

      6. 3축 Accelerometer MEMS 가속도센서
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        • 주기 6.0um

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        • 주기 6.0um

    27. 위 모서리에 리모트콘트롤용 IR통신용 LED (앞에 검정 플라스틱 창이 있다.)

      • 수분이 침투한 듯

    28. 전면 상단에 3색 LED-모듈

      • 3색 LED

    29. 진동모터

      • 진동모터 고정방법 및 (매우싼) 나사

      • 소형 진동모터. 너무 소형이어서 진동량이 매우 작아 문제이다.

    30. 플라스틱 보호 커버(뭔가 누르기 위해 존재?)
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    31. 카드접점

      • 매우 얇은 금도금

      • SIM tray, Dual SIM(Micro-SIM/Nano-SIM)+Micro SDXC

    32. 리시버 스피커
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      • AAC 회사 제품인 듯

    33. 디스플레이 파트
      1. 강화유리(+LCD)와 anodized aluminum mid-frame과 분리
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        • (아랫쪽) anodized aluminum mid-frame, (윗쪽) LCD 패널 접착은 가장자리 테두리로 양면접착제

        • (왼쪽) LCD 패널, (오른쪽) anodized aluminum mid-frame

      2. anodized aluminum mid-frame에서 방열용 검정색 테이프 필름 두 가지

        • LCD패널 뒷면에 접촉하는 anodized aluminum mid-frame에서 검정색 테이프

        • anodized aluminum mid-frame에서 검정색 테이프를 뜯으면

        • 유기물 테이프이다.

        • 메인 PCB가 접촉하고 있는 영역에만 붙어 있는 graphite sheet

        • 메인 PCB가 접촉하고 있는 영역에만 붙어 있는 graphite sheet

        • anodized aluminum mid-frame에서 산화피막을 레이저로 벗긴 부분

      3. anodized aluminum 금속 mid-frame과 플라스틱 동시 사출 구조

        • 20170628, X1602-V.3 JYH M3-1

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      4. 강화유리와 능동LCD 패널 뜯기, 강화유리만 깨끗하게 뜯어내는 것에 실패

        • 뜨거운 물을 부으면, LCD 두 유리창 접착제를 뜯어낼 수 있지만, 한 쪽 유리판이 깨진다.

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        • 터치 패널용 그리드영역 감지를 위한 X, Y 전선 및 매우 긴 DDI(1080x1920 pixels)

      5. LCD용 LED-SMD 백라이트

        • LCD 백라이트용, 12개 LED, 6S2P

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    34. 파우치 2차-리튬 배터리
      1. 세트에서

        • 큰 전류를 위한 배터리 연결 커넥터

        • 배터리 부착은 풀칠로

      2. 외관

        • 15.5Wh, 3.85V, 436678 크기, 풀칠 영역 경계선 표시

        • 모델: BN41, 최고충전전압 4.4V 공칭전압 3.85V 4000mAh, 제조회사: Sunwoda Electronic Co., Ltd. 제조일: 2017년 8월 2일

      3. 배터리 보호 회로
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        • FET 스위치, 뒷면은 비교적 두꺼운 금속 코팅 및 딱딱한 투명 수지로 도포함.(열방출 및 강도향상)

        • 전류감지용 저저항, FET 스위치, P-PTC 퓨즈

      4. 양면 F-PCB와 더미 Rigid-PCB 접합한 유기물기판 (휨강도와 FET스위치 열방출?)
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      5. 전류검출용R 저저항
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        • 그라인딩으로 저항값 트리밍

      6. FET 스위치,
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      7. P-PTC, 고전류를 위해 두 개 병렬로 쌓아 만들었다.
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