"IPhone 5S"의 두 판 사이의 차이

2020년 8월 11일 (화) 14:30 판

Apple, iPhone 5S

링크
1. 전자부품
  1. 핸드폰
    1. Apple iPhone 5S - 이 페이지
기술자료
1. 외부 링크
  1. 위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/IPhone_5S
  2. 2013년
2. 분해제품 모델: A1530, Asia Pacific 용
  1. LTE Bands
    1. 1: 2100
    2. 2: 1900
    3. 3: 1800
    4. 5: 850
    5. 7: 2600
    6. 8: 900
    7. 20: 800 DD
    8. 38: TD 2600
    9. 39: TD 1900
    10. 40: TD 2300
외관
- 모델 A1530, 각 대륙,나라별로 통신주파수가 다르기 때문에 여러 모델이 필요하다.
위 아래에 위치한 안테나를 위해 금속 몸통을 분리했다.
- 검정색은 전파를 통과시키는 유리판
- 전기적으로 분리된 곳
화면 앞판을 뜯으면
1. 전체
  - 안테나 특성을 위해 앞판도 본체와 접지로 확실히 연결되기 위한 금속판 클립이 보인다.
  - 모두 검정색 테이핑
2. 측면 - 접지 연결을 위한 금속 클립
  - 누름버튼 스위치 고정방법
3. 상부, 후면 메인 카메라 부근
4. 메인 보드 윗쪽 실드캔에서
  - AP가 있는 실드캔에 1/2면적에 붙인 보안용 스티커
  - 불에 타지 않고 딱딱한 재질의 방열용 그라파이트 필름
5. 메인 카메라 부근 여러 커넥터 및 절연필름
6. 아랫쪽
7. 아랫쪽, 마이크로 스피커 부근
8. 이어폰, 통화용 MEMS마이크
파우치 2차-리튬 배터리
1. 배터리 분리
  - (매우 잘 늘어나는) 흰색 접착 테이프
  - 배터리 및 RF 커넥터를 누르는 금속판(강도를 위해 두 장을 레이저 용접으로 붙였다.)은 양쪽 나사로 고정한다.
  - 큰 전류를 위한 접촉저항을 낮출 수 있는 커넥터 구조
2. 배터리 보호회로 분해
  - 제조회사 중국 Huizhou Desay, 모델 18S2001-AL, 정격 3.8V 1560mAh
  - 비닐주머니 실링 폭이 넓다. 180도+90도 두 번 접는다.
3. 보호회로 연결
  - 납땜으로 용접용 단자 붙이고,
  - 팩에서 나오는 전극은 레이저 용접으로 연결
4. 전류검출용R ~0.025오옴 저항
  1. 외관 (아마 대만 Cyntec 회사 제품으로 추정)
  2. 온도 특성 TCR 측정 엑셀 데이터
    - 끼워 연결했다.
    - 온도프로파일. 70도 도달한 후 오븐을 OFF해서 자연냉각을 함
    - 측정 저항
    - 온도계수 + 0.00123 인 금속(참고 98Cu2Ni 0.0014, 니크롬80 0.00011, 구리 0.00393, 은 0.0038)
  3. 구조 - PCB에 금속판을 붙였다. 위쪽 더미 금속은 열팽창 때문에 휘는 것을 막기 위해(?)
  4. 레이저 트리밍 및 레이저 트리밍 시뮬레이션
아랫쪽 안테나 부근
1. 안테나
  1. 마이크로 스피커 위로 지나가는 안테나
    - 전면 구멍 위(금속이 없는 부위다.)로 안테나 가 지나간다.
  2. 아래쪽 메인 안테나 와 연결되는 동축 케이블
  3. F-PCB와 함께 수직으로 떨어져 공간을 구성하는 기구물 안테나
  4. 안테나 기능을 수행하면서 부품을 연결하는 F-PCB
    1. 뜯어내면
    2. 특히 이어폰 전선은 FM 안테나 역할을 한다.
      - RFMD 1113 튜너블C
    3. A면
      - 중앙 두 지점이 동축케이블 납땜
      - RFMD 1113 튜너블C
    4. B면
      - 이어폰 단자를 위한 bias-T 로 추정
      - 어떤 안테나와 매칭
2. 이어폰단자, 통화용 MEMS마이크 , 충전단자, 마이크로 스피커
  - 이어폰단자, 통화용 MEMS마이크 , 충전단자용 구멍
  - 이어폰단자, 통화용 MEMS마이크 , 충전단자 등을 연결하는 F-PCB
3. 충전단자 - 먼지가 계속 눌려 쌓인다.
  - SMT 되는 밑면
  - 딱딱하지 않는 수지, 흔들리지 않는 받침점, 그리고 튼튼한 걸쇠
4. 3.5mm 이어폰 커넥터
  - F-PCB와 연결된다.
  - 5단자 SMD
  - 앞 3단자는 점접촉, 뒤 2 단자는 선접촉
  - (어쩔 수 없이) 먼지가 끝단에 쌓인다.
5. 마이크로 스피커
  1. 위치
    - 우측 상단
  2. 외관
    - 전극 연결 방법.
    - 위판은 자석용 금속이다. 전면 구멍 위(금속이 없는 부위다.)로 안테나 가 지나간다.
    - 밑판이 금속이다.(Magnetic Field Shielding 위해 loop를 형성하기 위해????) 오른쪽 백볼륨에 공기가 드나드는 체크밸브(?)가 있다.
  3. LCR-4284A 계측기로 임피던스 측정 엑셀 파일
    1. 임피던스 측정 그래프
      - 공진이 지나고 최저점이 "스피커 공칭임피던스"이다. 7.55오옴 @2.3kHz
      - 위상이 +에서 -로 바뀌는 0지점이 공진주파수이다. 이 때 임피던스는 최대값을 보인다.
    2. DC 바이어스 전류에 따른 임피던스
      - -전류에 코일은 뒤로 후퇴한다. 자석 중심에서 코일에 뒤쪽으로 치우쳐 조립되었다. 전류가 60mA 이상 흐르면 THD가 급격히 나빠진다.
    3. 백볼륨 구멍을 내면
      - 백볼륨에 구멍을 뚫고
      - 백볼륨 전체를 없애면
      - 백볼륨에 구멍이 뚫리면, (당연히)공진주파수가 낮아진다.
  4. 구조
    - 진동판은 비교적 단단한 스폰지 양면에 금속 포일을 양면테이프로 붙였다.
    - 스피커 전면 구멍에 비해 백볼륨 체적이 훨씬 크다. 백볼륨에 스폰지가 있다.
  5. 그림
    - 진동판 후퇴간격이 전진간격에 비해 짧다.
6. 통화용 MEMS마이크, bottom 타입
  - HP SR613 4227 M3, 3.4x2.5mm
  - E2140C 03272
위쪽 안테나 (GPS/WiFi 및 다이버시티) 부근
1. F-PCB에서. 왼쪽 volume 상하 택타일 버튼 스위치, 왼쪽 ring/mute=silent 슬라이드 스위치, 진동모터 접촉단자, 마이크, 플래시LED, 상단 hold(=sleep/wake) 택타일 버튼 스위치용
  1. F-PCB 어셈블리
    - 허용전류에 따라 동박폭 조정
  2. 택타일 스위치
    - 스위치 고정방법
    - 1. 굴곡부위엔 위면동박에 초승달 모양으로 덧댄다. 2. 신호선폭이 좁아야 끊어짐에 유리한 듯.
    - 클릭감 향상을 위해 metal dome 을 3개 사용하고 있다.
  3. ring/mute=silent 슬라이드 스위치
2. 진동모터에서 바타입 ERM 진동모터
  1. 위치 및 고정방법
    - 고정 철판이 안테나 와 관계되는 듯
  2. 분리하면
    - 전기 접점
    - 나사 체결을 위한 브라켓 용접
    - Redmi Note 4X에 사용된 모터(F-PCB부착품)와 크기 비교
  3. 브러시모터 내부
  4. 모터 전원과 직렬로 3개 연결된, 쵸크용 RF용L
    1. 동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다.
      - +에 3개 직렬, -에 3개 직렬
      - 인덕터 방향
      - 서로 coupling되도록 문제없이 장착됨.
    2. 측정 데이터
      - 단품 측정하면 L 하나가 100nH 나온다.
      - 실측. 30nH로 나온다.
3. 카메라 모듈, MEMS마이크 부근, GPS/WiFi 안테나
  - 보드에 HF/e1 글씨 부품은 GPS LNA 모듈이다. 나사는 GPS 안테나 고정용인듯
4. 잡음 제거용 MEMS마이크, bottom 타입
  - 구멍이 뚫린 이유
  - C1281 6616 M1 284
5. 메인 카메라용 듀얼톤 플래시 LED-SMD
  1. 프레넬 렌즈(fresnel lens)
    - 전체가 백색인 유리섬유 유기물기판 인터포저를 사용했다.
    - 렌즈 단면
    - 볼록렌즈보다 두께를 얇게할 수 있다.
  2. 2.0x1.6mm LED 두 개
    - 인터포저에 백색 반사 필름을 붙였다.
  3. LED 칩
    - 금 전기도금 2.0x1.6mm
    - 뒷면, 알루미나(긁어 경도를 파악해 볼 때?) 기판에 12자리 레이저 마킹 1450311M0112
  4. 25개 Au Stud 플립본딩 및 실리콘수지(?) 언더필
6. 후면, 메인 카메라 모듈
  1. 위치
  2. 보호 금속 케이스(Magnetic Field Shielding 목적 ?)
  3. F-PCB와 연결. 내부에 ISP가 없기 때문에 카메라 원신호는 모두 AP로 연결해야 한다.(?)
    - 왼쪽 AF VCM용 전류단자 2개, 오른쪽 접지단자
  4. 조립
  5. AF용 VCM
    - VCM 전류공급용 단자 2개
    - 4코너에 영구자석, leaf spring
  6. Au Double Stacked-Bump 범프본딩 및 초음파플립본딩
    - 세라믹 패키지는 휘어 있어 coplanarity를 극복하기 위해
  7. IR 컷 광학 필터
    - IR필터 업체에서는, 센서를 패키지 속에 넣었기 때문에 inner housing이라고 부르고, 이 표면에 붙이면 된다.
    - IR필터에 검정칠을 하는 이유(?)
    - 레이저 다이싱
    - 유리두께 0.30mm, 코팅두께 약 6um
    - 레이저 피치 10.0um
  8. 세라믹 패키지(질산에 넣은 후 초음파 세척하니, 니켈층이 없어져 그 위 금도금막이 모두 떨어짐)
  9. 다이 대부분 면적은 센서가 차지한다.(ISP 영역이 거의 없다.)
    - 이 6개 막대기(피치 20.0um)는 Canon Stepper를 위한, align용 인식마크
  10. 센서는 앞면에서 두 번 다이싱
7. 핸드폰용 이미지센서 보호 유리
  1. 유리판에 금속사각프레임이 붙어 있다.
    - 구멍이 뚫린 이유
  2. 금속프레임에 사파이어가 붙어 있다.
  3. 두께 250um 사파이어이다. (반사방지 AR;anti-reflection)광학코팅되어 있다.
    - 기계가공(거칠어야 잘 붙는듯) 프레임 + 풀칠
    - 원형 가공면이 taper진 형태
    - taper 가공이 되는 이유(?)
    - 레이저 다이싱, 무반사 코팅이 샌 흔적
8. 위쪽 다이버시티(?) 안테나
  1. 앞에서 볼 때, 우측은 GPS/WiFi 안테나 등이 있어, 좌측에 형성되어 있다.
  2. 진동모터 고정 브라켓도 안테나 역할인듯
    - 고정 철판이 안테나 와 관계되는 듯
    - 저 코일은 진동모터을 위해 사용된 듯
  3. 다이버시티 안테나
    - 뒷면에서 볼 때 오른쪽, 검정은 유리판이다.
  4. 안테나 패턴
  5. F-PCB에 형성된 co-plannar waveguide(CPW) 연결선
  6. 위쪽 누름 버튼 - 매우 튼튼하게 만들었다.
메탈 프레임 전체
- 아래쪽 유리판을 뜯으면(이 공간으로 메인안테나 가 동작해야 한다.)
- 모든 것을 뜯어낸 후 프레임 전체
메인보드
1. 메인보드 PCB 접지
2. 터치 콘트롤러 cumulus chip and meson chip
  1. TI 343S0645 Digitizer Controller IC // Broadcom BCM5976 touch screen IC // TI 65739A0P ???
  2. 두 IC 패턴에 대한 의견 - 동일한 패턴이 IC에 있다. 인접한 두 전극사이 C를 실시간으로 측정하기 위해 개별 ADC가 있는 듯. C값이 비교적 크므로 측정시간이 늦어지는데 이 때 ADC 하나에 스위치를 사용하면 매우 늦어진다. 빠른 터치 반응속도를 위해서. 다른 터치 패널에 사용되는 하나의 IC보다도 더 큰 IC 두 개를 사용한다.
  3. Broadcom, Touchscreen Controller
    - 와이어본딩타입 다이를 유기물층으로 RDL을 만들었다.
    - IDT C
    - IDT C
    - IDT C
    - Broadcom BCM5976 2011
  4. TI, Touchscreen Line Driver
    - 와이어본딩타입이 아닌, 처음부터 BGA타입으로 다이를 만들었다.
    - TI 2012
    - CDPF3246C0
3. WiFi, TDD 밴드
  1. 실드코팅되어 있다.
  2. TDD용 듀얼 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ????
    - 1.8x1.4mm dual filter
    - 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다.
    - 이젝트 핀 자국
    - 플립본딩
    - 칩 두 개
  3. Ag 페이스트 스프레이 실드코팅 스핀 코팅)된 WiFi 모듈
  4. 모자 형태로 두 번 다이싱
    - 밑면에 Ag 페이스트가 듬뿍(스핀 코팅 증거?)
    - 4변에 동박 노출시켜 Ag와 접지
  5. 표면을 깍아보면
    - Broadcom BCM43342, WIFI/BT/NFC/FM
  6. PCB
  7. PCB 뜯어내고 밑면 윗면 관찰
    - 밑면
    - 윗면
  8. 1.6x1.2x0.3mm XTAL
    - 무라타가 TEW를 샀기 때문에, TEW 제품으로 추정
    - 낱개 상태로 AuSn 리드 실링을 함
  9. SAW #1
    - 주기 1.56um 그렇다면 2.53GHz(?)용
  10. SAW #2
    - 주기 1.645um 2.4GHz WiFi용으로 추정
  11. IC #1
  12. IC #2 - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
    - 두 다이 두께가 다르다.
4. 송수신 칩
  1. 전체
    - 실드캔 벗기면
    - Qualcomm MDM9615M // Qualcomm WTR1605L
  2. 사진
  3. 주변 매칭 RF용L
  4. BAW 필터
    - 실리콘 웨이퍼 뒷면
    - EG9480 D4, TQS 2013, X02 Y26
    - E???85 RX_D3, TQS 2013, X03 Y21 - 위치별 좌표 표시
  5. BAW 필터를 위한 매칭 RF용L - 수직으로 세우는 무라타 0.4x0.2mm LQP02HQ 하이Q 시리즈와 수평장착 LQP02TN 표준(흰점마킹) 박막인덕터
    - 내부전극 방향과 외부전극이 서 있는 방향에 따라 (기생-C 및 coupling 효과로) Q값이 결정되는 듯.
5. 다이버시티 스위치-SAW 모듈(?) 무라타 제조
  1. 외관
  2. 표면부터 긁어 관찰
    - 스위치 3개(?) 다이
    - SAW 6다이(듀얼4, 싱글2) = 총 10밴드
    - 스위치 2개 다이는 투명하다.
  3. RF스위치IC
    1. K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
      - M4793
      - FET
      - IDT C
    2. Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
      - 폴리싱 전
      - 폴리싱 후
      - 측면 사파이어, 레이저 다이싱 두께 약 125um
    3. Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
      - 폴리싱 전
      - 폴리싱 후
      - FET
      - Peregrine 송골매
      - 사파이어 두께 약 125um
  4. SAW 측면 관찰
    - roof-1이 saw 다이와 함께 다이싱됨. 매우 딱딱한 재료. 이 roof-1 재료를 레이저로 구멍을 뚫어 사용
    - saw die와 roof-1 접착면 뜯어 촬영
    - roof-1과 -2 접착면을 뜯어 촬영
  5. 싱글 WLP SAW-1
    - 아래 주기: 4.94um, 위 주기: 4.88um, 우측 주기: 2.89um
  6. 싱글 WLP SAW-2
    - DL08-A1
  7. 듀얼 WLP SAW-1,2,3,4
    - DL04-A1, DL00-A1
    - DK97-A1
    - DK14-A1, DK13-A1
    - DK41-A1, DK42-A1
6. 모바일AP + RAM PoP(Package On Package)
  1. 보드에서
    - 특별히 캔 오른쪽에는 딱딱하고 두꺼운 방열용 어떤 판(graphite heat spreader sheet)이 붙어 있다.
    - Elpida 8Gbit DDR3 RAM이 PoP되어 있음
  2. 주변에 사용된 Low ESR, ESL MLCC
  3. 뜯어내면
    - PoP
    - AP 다이방열을 위해 위에 있는 RAM과 완전 밀착
    - AP 밑면 솔더링
  4. 모바일AP
    1. 임베디드PCB
      - MLCC 1.0x0.5mm 도금으로 연결됨
    2. AP 다이
      - 분해시 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐
      - 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함
  5. RAM Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
    - 다이 두 개를 다이본딩, 와이어본딩
    - 위쪽 다이 ELPIDA F440AAA
    - 아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA
    - 구리본딩인듯. 와이어를 찾을 수 없었음.
7. 뒷면, 전체를 감싼 실드 캔 하나
8. RF front end
  - Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata(?) QE // Avago A7900
9. PMIC
  - Dialog Semiconductor, 338S1216-A2 PMIC
  - NXP LCP18A1, Apple M7 coprocessor
10. 지자기센서 나침반
  1. 위치하는 곳
    - 한 쪽 귀퉁이
  2. 외관
    - AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
  3. 뜯어내면
    - 인터포저를 사용한 이유는 높게 설치하기 위해서(?)
    - 두 번 다이싱
    - 솔더볼이 없는 부위에 magnetic concentrator 가 있다.
  4. 다이 - 핸드폰은 주로 수평면에 놓이면 X,Y축 지자기는 확실히 검출하나, Z축으로는 감도가 낮을 것이 확실함.
    - 4164 AKM 2011
  5. 홀 센싱 패턴이 8개(?)
    - 남아 있는 magnetic concentrator(가 있어야 Z축을 감지하는 듯)
11. 주변 장치와 연결되는 커넥터 주변
12. Flash Memory SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
  1. 외관
    - 17.0x12.0mm SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
  2. 뜯어내어
    - /
    - 솔더링면
    - 측면 - 전기도금을 위한 동박연결
  3. 질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
    - 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층
    - 맨 밑 콘트롤러 IC 및 3 방향에 더미 실리콘다이
13. 다이버시티 안테나 부근의 튜너블C
  1. RFMD RF1112 Antenna Tuning, Programmable Array of Capacitors
    - 주변에 매칭용 여러 부품을 사용하고 있음.
  2. 폴리이미드 층이 있는 다이
    - 1.98x1.6mm
  3. 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
    - IDT C
    - IDT C
    - IDT C
    - IDT C 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
  4. IDT C 중요 치수
    - 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF
    - 추정 동작 원리
  5. 세라믹 부품(밸룬?)
14. 다이버시티 안테나 부근(=GPS/WiFi 근처임)의 GPS LNA 필터 모듈
  1. 윗면은 실드코팅, 그러나 측면은 뚫여 있어...
    - Skyworks GPS Rx LNA Filter FEM, 78614 ??? 3.0x2.5mm
  2. 금속 펜스가 쳐져 있는 듯
  3. 밑면
  4. 질산에 녹이면,
    - 0.4x0.2 MLCC 6개, 적층형L 2개, 박막형L 1개, 권선형L 1개, SAW 필터, LNA
  5. Skyworks 회사의 SAW-모듈에 사용된 SAW-GPS
    - 947x855um
    - 주기: 2.56um 주파수: 1575MHz 속도: 4035/sec
  6. LNA
    - GaAs를 유리판에서 키운듯. (투명 유리판 813x795um 만 남아 있음)
15. 3축 자이로 센서
  - Bosch Sensortec BMA220(?) 3-axis gyroscope
  - 3축 가속도 센서와 비교(IC 위치가 위 아래로 다르다.)
  - 가열하여 밀어보면, 접착면 풀이 유리질처럼 보인다.
16. 3축 가속도 센서
  - STM 3-axis accelerometer
  - IC가 위에 있다.
  - 본딩패드가 접착면 두께와 같다.
앞면, 화면 패널 위쪽
1. 리시버용 스피커
  1. 리시버 왼쪽에, 카메라 왼쪽 등 두 군데에 빛을 감지하는 창이 있다.
    - 리시버 구멍 밑에는 마이크도 있다.
    - 금속망을 사용했다.
  2. 리시버 분해
    - 리시버 뜯어내면 전기접점 4개가 보인다.
    - 진동판은 폼형태의 두꺼운 재질
    - 영구자석 외곽에 고정 코일 및 내부에 진동 코일 두 개가 있다.
2. 리시버 바로 옆에 있는 3번째 MEMS마이크
  - 리시버 sound outlet port hole과 마이크용 sound inlet 구멍
  - sound inlet
  - M1663 2472 M2 106
3. 전면 카메라
  1. 뜯어내면
    - 세라믹 기판을 사용했다.
  2. 센서 방열을 위한 동박
    - 위쪽 화면 패널에서, 왼쪽 검은 테이프가 이 전면 카메라용 방열테이프이다.
  3. 센서 뒷면
    - 전도성 양면 접착제로 금속판을 고정함
    - F-PCB를 뜯으면, 플립본딩된 센서 IC가 보임.
  4. IR 컷 필터
    - 렌즈어셈블리를 뜯으면
    - 유리로 만든 IR 컷 필터
4. 색온도 센서 겸용(?아니듯) 조도센서(Ambient Light Sensor) - 포토센서
  1. 전면 카메라 바로 옆에 있다.
  2. 색온도센서용 중성색 회색을 내기 위한 뿌옇게(거품?) 처리한 창
  3. 고무 프레임
  4. 패키징
    - BGA 연결
    - 발연질산으로 녹인후(45도 측면 연결전극 및 뒷면 BGA가 사라졌다.)
    - 실리콘 MEMS 가공(45도)
  5. 다이
    - 유리판을 통해 촬영. A2581C, TAOS 2008 MASK WORK
    - 질산으로 풀을 녹여 뜯어낸 후,
    - 연마가루로 광을 낸 후(가장자리가 얇아서 쉽게 깨진다.)
5. 적외선 근접센서(IR proximity sensors)
  - 발광 수광부간 철저한 isolation을 위한 패키징 구조
  - 구형 렌즈가 금속 리드 프레임에 사출되어 붙어 있음.
앞면, 화면 패널 아래쪽
1. Home Button Assembly - 지문센서 및 택타일 스위치
  1. 지문센서 택타일 누름스위치
    - 누르면 들어가도록 설계되어 있다.
    - 택타일 스위치가 동작되도록 뒤에서 받치고 있다.
    - 택타일 스위치가 있다.
    - 지문센서 모듈을 분리하면
  2. 붙어 있는 택타일 스위치를 뜯어 분해하면
    - 레이저 용접. 지문센서 모듈 전체가 택타일 스위치를 누른다.
    - 지문센서 전체를 움직이는 탄성을 가져야하므로 크게 만든듯. 백색인데, 은도금은 아닌듯.
  3. 지문센서 금속 프레임
    - 금속에 검정 코팅했다. 긁어도 벗겨지지 않는다.
    - CNC 기계 가공으로 모든 형상을 만들었다.
  4. 지문센서를 찾기 위해 계속 분해
    - 레이저 용접 판을 뜯으면, F-PCB가 있다.
    - F-PCB를 뜯으면, 지문센서 IC가 나타난다. F-PCB에 IC를 다이본딩/와이어본딩한 후에 커버창을 붙였다.
  5. 지문센서를 눌러도 문제가 없도록 한 고정 방법
  6. 지문센서 측면
    - 지문센서 IC는 두 번 다이싱으로 잘랐다.
    - 지문센서 커버창은 레이저 다이싱. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.
  7. 보호창(protective window) Double Side Polished (DSP) 사파이어에 IC는 풀로 붙였다.
    - 손가락이 닿는 앞면
    - 뒷면(센서 부착면)
    - 측면 및 뒷면을 긁어보니. 사파이어 맞다.
  8. 지문센서 다이
    - 88x88 = 7744 cells
    - 와이어본딩을 위한 MEMS 가공
    - TMDR92(AuthenTec 어센텍. 2012년 애플이 356M달러에 인수했다.)
    - 피치 51um
    - Copyright 마크
앞면, 화면 패널
1. (안테나 성능을 높이기 위한) 전면 접지판 및 방열(AP, 백라이트 LED 등)을 위한 금속판
  1. 접지
    - 전면 접지가 나사로 연결되어 측면 클립과 연결된다. 측면 클립은 뒷면 금속 프레임과 연결된다.
    - 메인 보드 접지와 서로 연결되는 접지 스프링 단자
  2. 방열을 위한 그라파이트
    - 화면 백라이트와 붙어 있는 금속판(방열 및 실딩)을 뜯어내면, 메인보드와 맞붙는 영역에만 방열필름이 붙어 있다.
    - 잘 쪼개져 벌어지는 그라파이트를 고정하기 양쪽 보호 테이프
    - 전체(접착테이프+그라파이트+보호테이프) 두께 ~30um
    - graphite heat spreader sheet
  3. 그라파이트 필름을 뜯어
    - 열을 가해서 뜯어낸 후
    - 빨갛게 태운 후에도 그대로이다. 두께 20um. 그러면 양쪽 테이프 두께는 각각 ~5um.
2. 화면 패널 4변에서 플라스틱 부착물을 뜯어냄
  - 방열판과 나사로 체결되어 메인보드 접지와 더 확실한 연결을 위한 금속 프레임
  - 강화유리에 풀로 붙인 플라스틱 프레임(안테나 때문에 비금속 재료를 사용한다.)
3. LCD 백라이트
  - 사이드뷰(side-view ) LED-SMD 8개
  - LCD 백라이트를 뜯으면
4. LCD 패널
  - LCD용 DDI를 위한 MLCC
  - 전달 시간을 맞추기 위해 길이 조정(?)
  - 레이저로 마킹(이 때 발생하는 가루를 잘 제거해야 한다.)한 글씨와 카메라 인식 패턴

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 <gallery>
 image:iphone5s01_112.jpg
+</gallery>
+<li>두 IC 패턴에 대한 의견 			- 동일한 패턴이 IC에 있다. 			인접한 두 전극사이 C를 실시간으로 측정하기 위해 개별 ADC가 있는 듯. 			C값이 비교적 크므로 측정시간이 늦어지는데 이 때 ADC 하나에 스위치를 사용하면 매우 늦어진다.			빠른 터치 반응속도를 위해서. 다른 터치 패널에 사용되는 하나의 IC보다도 더 큰 IC 두 개를 사용한다.
+<gallery>
+image:iphone5s01_112_003.jpg
+image:iphone5s01_112_008.jpg
 </gallery>
 <li>Broadcom, Touchscreen Controller
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 <gallery>
 image:iphone5s01_126.jpg
+image:iphone5s01_126_032.jpg
+image:iphone5s01_126_033.jpg | 실리콘 웨이퍼 뒷면
+image:iphone5s01_126_034.jpg | EG9480 D4, TQS 2013, X02 Y26
+image:iphone5s01_126_035.jpg | E???85 RX_D3, TQS 2013, X03 Y21 - 위치별 좌표 표시
 </gallery>
 <li>BAW 필터를 위한 매칭 [[RF용L]] - 수직으로 세우는 무라타 0.4x0.2mm LQP02HQ 하이Q 시리즈와 수평장착 LQP02TN 표준(흰점마킹) 박막인덕터
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 image:iphone5s01_126_003.jpg | 스위치 2개 다이는 투명하다.
 </gallery>
+<li> [[RF스위치IC]]
+<ol>
+<li>K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
+<gallery>
+image:iphone5s01_126_016.jpg | M4793
+image:iphone5s01_126_017.jpg
+image:iphone5s01_126_018.jpg | FET
+image:iphone5s01_126_019.jpg | [[IDT C]]
+</gallery>
+<li>Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
+<gallery>
+image:iphone5s01_126_020.jpg | 폴리싱 전
+image:iphone5s01_126_021.jpg | 폴리싱 후
+image:iphone5s01_126_022.jpg
+image:iphone5s01_126_023.jpg
+image:iphone5s01_126_024.jpg | 측면 [[사파이어]], 레이저 [[다이싱]] 두께 약 125um
+</gallery>
+<li>Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
+<gallery>
+image:iphone5s01_126_025.jpg | 폴리싱 전
+image:iphone5s01_126_026.jpg | 폴리싱 후
+image:iphone5s01_126_027.jpg | FET
+image:iphone5s01_126_028.jpg
+image:iphone5s01_126_029.jpg | Peregrine 송골매
+image:iphone5s01_126_030.jpg | [[사파이어]] 두께 약 125um
+image:iphone5s01_126_031.jpg
+</gallery>
+</ol>
 <li>SAW 측면 관찰
 <gallery>