"Redmi Note 6 Pro"의 두 판 사이의 차이
잔글 |
잔글 |
||
(같은 사용자의 중간 판 4개는 보이지 않습니다) | |||
1번째 줄: | 1번째 줄: | ||
Redmi Note 6 Pro | Redmi Note 6 Pro | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li> [[전자부품]] |
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>IT 기기 |
<ol> | <ol> | ||
<li> [[핸드폰]] | <li> [[핸드폰]] | ||
<ol> | <ol> | ||
<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰 - 이 페이지 | <li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰 - 이 페이지 | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>참고 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰 | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
101번째 줄: | 105번째 줄: | ||
<li>배터리 들어 올리면 | <li>배터리 들어 올리면 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:redmi_note6pro_003.jpg | | + | image:redmi_note6pro_003.jpg | RF 케이블, 아래쪽 인터페이스, 화면/터치 인터페이스 등 3개의 신호선이 지나간다. |
+ | image:redmi_note6pro_003_001.jpg | 금속 코어 프레임 홈 사이로 [[안테나 커넥터]]가 양쪽에 있는 RF 케이블이 지나간다. | ||
</gallery> | </gallery> | ||
<li>아래쪽 [[마이크로 스피커]] 박스를 들어올리면 | <li>아래쪽 [[마이크로 스피커]] 박스를 들어올리면 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>박스를 뜯어냄 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_004.jpg | [[보안 테이프]]를 제거해야 나사를 풀 수 있다. | image:redmi_note6pro_004.jpg | [[보안 테이프]]를 제거해야 나사를 풀 수 있다. | ||
image:redmi_note6pro_005.jpg | 나사를 풀면 들어올릴 수 있다. | image:redmi_note6pro_005.jpg | 나사를 풀면 들어올릴 수 있다. | ||
</gallery> | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
<li>전면 카메라 부근 | <li>전면 카메라 부근 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
113번째 줄: | 121번째 줄: | ||
image:redmi_note6pro_007.jpg | image:redmi_note6pro_007.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li> [[핸드폰용 이미지센서]] |
<ol> | <ol> | ||
<li>전면 | <li>전면 | ||
124번째 줄: | 132번째 줄: | ||
image:redmi_note6pro_009.jpg | image:redmi_note6pro_009.jpg | ||
image:redmi_note6pro_010.jpg | image:redmi_note6pro_010.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>모두 4개 분리 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_008_001.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_008_002.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>후면 AF 메인카메라 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li> [[판스프링 VCM AF]] 액추에이터에 렌즈바렐 원통을 풀칠로 붙였다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_001.jpg | 토치불에 녹는 [[알루미늄]] 주조 프레임에 넣었다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[광학렌즈]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_002.jpg | 6매, 두꺼운 스페이서는 수지재질 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>IR 차단 [[광학필터]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>광학필터 아래쪽은 밀봉되어 공기배출구가 없다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_004.jpg | 광학필터 가장자리에 검정색 잉크로 인쇄 | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_003.jpg | 4면 모두 풀칠로 밀봉함. | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_005.jpg | 광학필터 수지프레임 또한 풀칠로 밀봉됨. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>광학필터는 [[유리]]로 만들었다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_007.jpg | 불에 태워도 버티고, [[탄화텅스텐]]바늘로 긁어보니 유리다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_008.jpg | 깨뜨리니 똑 부러졌다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>Ball Stitch On Ball(BSOB) [[Au 볼 와이어본딩]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_006.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>후면 카메라 모듈에서 OEF1055 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>렌즈바렐에 나사가 있어 촛점을 조정할 수 있는 구조이다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_015.jpg | 센서 공간을 위한 [[배출구]]1 | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_016.jpg | 하양 화살표가 메운 배출구 | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_017.jpg | 하양 화살표에 배출구가 있고, 레이저다이싱된 IR 차단 광학필터는 배출구를 막고 있지 않다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_018.jpg | 배출구 단면 | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_019.jpg | IR 필터 위 공간은, 나사산과 골 사이 빈틈으로 회전 [[배출구]]2가 형성된다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>전면 어느 카메라 모듈에서 A20S08E | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>폐쇄된 공간이면 [[유기물 휘발]]을 위한 [[배출구]](vent hole)가 있다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_009.jpg | 노랑화살표를 보면 배출구(vent hole)가 있다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_010.jpg | IR 차단 광학필터 프레임을 뜯어보면 | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_011.jpg | 렌즈 바렐에 있는 배출구 | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_012.jpg | IR 차단 광학필터 프레임에 있는 배출구 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>Ball Stitch On Ball(BSOB) [[Au 볼 와이어본딩]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_013.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_009_014.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li> [[핸드폰용 근접센서]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_007.jpg | 초록색 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>패키징 상태 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_021_001.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_021_002.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>Proximity with Ambient Light Sensor(PS+ALS) | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_021_003.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_021_004.jpg | B6015 | ||
+ | image:redmi_note6pro_021_005.jpg | 대만 sensortek(stk) | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[와이어본딩 패드]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_021_006.jpg | 조명1 | ||
+ | image:redmi_note6pro_021_007.jpg | 조명2 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
130번째 줄: | 221번째 줄: | ||
image:redmi_note6pro_011.jpg | image:redmi_note6pro_011.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li> [[전력관리IC]] |
+ | <ol> | ||
+ | <li>Qualcomm PM660L | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_014.jpg | image:redmi_note6pro_014.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li> [[파워 인덕터]] |
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_014_002.jpg | 윗면만 검정 페인트칠한 6개에서 어느 하나의 내부 | ||
+ | image:redmi_note6pro_014_001.jpg | 주변에 다른 형태의 [[파워 인덕터]] | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li> [[모바일AP]] + DRAM+Flash이 결합된 [[MCP]] | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>[[모바일AP]] 발열 [[방열]]을 위해 |
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_006.jpg | 금속 코어프레임과 AP가 속에 있는 깡통이 [[서멀 패드]]를 통해 접촉한다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_006_001.jpg | 구리판 [[히트 스프레더]] | ||
+ | image:redmi_note6pro_012.jpg | AP는 [[서멀 패드]]를 통해 깡통으로 방열된다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>[[MCP]] SanDisk SDADA4CR-64G, [[모바일AP]] Qualcomm SDM636 SoC | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image: | + | image:redmi_note6pro_015.jpg |
+ | image:redmi_note6pro_015_001.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li> [[MCP]] = 4GB [[DRAM]] + 64GB [[Flash]] |
+ | <ol> | ||
+ | <li>맨 밑에서부터 보면, 2다이로 2층(아마 4GB DRAM), 그 위에 작은 플래시제어기 IC와 큰 다이 2층(64GB Flash) | ||
+ | <li>총 7다이 | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li> [[모바일AP]], Qualcomm SDM636 SoC | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image: | + | image:redmi_note6pro_015_002.jpg | 4층 PCB, 양쪽 모두 솔더볼 접합이므로 [[타이바]]가 없다. |
+ | image:redmi_note6pro_015_003.jpg | 오른쪽이 실리콘 다이 | ||
+ | image:redmi_note6pro_015_004.jpg | 실리콘 다이. 불에 빨갛게 태운 후. 두꺼운 유리질 및 구리 RDL이 관찰된다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_015_005.jpg | 어느 귀퉁이. staggered fill 방식 [[더미 필 패턴]] | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
153번째 줄: | 267번째 줄: | ||
image:redmi_note6pro_020_005.jpg | AIC9003, FINGERPRINTS 2015 | image:redmi_note6pro_020_005.jpg | AIC9003, FINGERPRINTS 2015 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>RF | + | <li> [[WiFi 모듈(핸드폰)]], Qualcomm WCN3980 |
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_016.jpg | Qualcomm WCN3980 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[Xtal세라믹]] 공진기 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_022.jpg | 솔더링 면 캐비티에 [[NTC 온도센서]] | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>(추정) [[가속도]] 및 [[자이로]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>불에 태우고, 물속에서 초음파세척하니 뚜껑이 떨어지고, 일부 MEMS 구조체가 깨졌다. | ||
+ | <li>다이 구성. PCB 위에 판독IC, 위에 실리콘 스페이서 더미 다이, 위에 한쪽은 가속도, 한쪽은 자이로 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_024_001.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>작은 다이, 자이로 센서로 추정 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_024_002.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_024_003.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_024_004.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_024_005.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>큰 다이, 가속도 센서로 추정 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_024_006.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_024_007.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li> [[MEMS마이크]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>크기: 3.3x2.5mm, 모두 bottom 타입(밑 PCB에 구멍 형성) | ||
+ | <li>아래쪽 통화용 마이크, 마킹 S2220 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_025_001.jpg | Knowles S6.13 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>위쪽 소음제거용 마이크, 마킹 S2235 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_025_002.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_025_003.jpg | Knowles S6.11 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>셀룰라 주파수 대역을 처리하는 RF 부분 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>뒷면에 | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li>전체 | + | <li> [[PAM]], Qorvo QM56020 |
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_017.jpg | 사진에서 왼쪽에 8N6로 마킹된 RF360 회사의 SAW 필터(PCB 기판 사용)가 보인다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_017_000_001.jpg | 실리콘 다이 7개가 보인다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_017_000_002.jpg | 납땜 패드 | ||
+ | image:redmi_note6pro_017_000_003.jpg | 내부 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>1.1x0.9mm [[SAW-핸드폰RF]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_017_001_001.jpg | 유기물 기판을 사용해 솔더링으로 [[플립본딩]]하였다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_017_001_002.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_017_001_003.jpg | AR55D | ||
+ | image:redmi_note6pro_017_001_004.jpg | tap 위치(검은점처럼 보이는)가 오르락 내리락 한다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_017_001_005.jpg | 주기 1.54um, 쏘속도 4000m/sec라면 2.6GHz 필터이다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>앞면 전체 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_013.jpg | image:redmi_note6pro_013.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>Qorvo PAM RF5212A | + | <li> [[튜너블C]] |
+ | <ol> | ||
+ | <li>동일한 모델이 위쪽 메인 PCB에도 있고, | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_023_001.jpg | 위치별 #1~#4 | ||
+ | image:redmi_note6pro_023_002.jpg | #1 Qorvo | ||
+ | image:redmi_note6pro_023_003.jpg | #2 D1QM1311901 | ||
+ | image:redmi_note6pro_023_004.jpg | #3 | ||
+ | image:redmi_note6pro_023_005.jpg | #4 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>아래쪽 PCB에도 있다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_023_002_001.jpg | [[IC 표식]], 마킹이름도 D1QM1311901로 똑같다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li> [[PAM]], Qorvo RF5212A, PCB에 있는 코일패턴은 임피던스 [[RF트랜스]]이다.(Tr 출력 임피던스는 매우 낮고, 부하는 50오옴이므로) | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_018.jpg | RF5212A | image:redmi_note6pro_018.jpg | RF5212A | ||
− | image:redmi_note6pro_018_001.jpg | BGA IC 3개, MLCC 1개 | + | image:redmi_note6pro_018_001.jpg | BGA IC 3개, MLCC 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다. |
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>Qualcomm | + | <li> [[트랜시버 IC]], Qualcomm SDR660 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_019.jpg | SDR660 | image:redmi_note6pro_019.jpg | SDR660 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>[[SAW | + | <li> [[SAW]], [[SMR]] |
+ | <ol> | ||
+ | <li>위치 번호 #1~#15 | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>사진 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_013_000_001.jpg | image:redmi_note6pro_013_000_001.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>1.1x0.9mm | + | <li>제조회사 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>Wisol(와이솔) | ||
+ | <li>Murata(무라타) | ||
+ | <li>Taiyo Yuden(다이요유덴;태양유전) | ||
+ | <li>Kyocera(교세라) | ||
+ | <li>Epcos(엡코스, 현재는 RF360) | ||
+ | <li>Qorvo(코보) | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>1.1x0.9mm, [[SAW-핸드폰RF]] | ||
<ol> | <ol> | ||
<li>#1, 와이솔 HG96AA4 MP1 KWH | <li>#1, 와이솔 HG96AA4 MP1 KWH | ||
196번째 줄: | 396번째 줄: | ||
image:redmi_note6pro_013_005_001.jpg | image:redmi_note6pro_013_005_001.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>#6, Taiyo Yuden | + | <li>#6, Taiyo Yuden, 허메틱 실링 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_013_006_001.jpg | image:redmi_note6pro_013_006_001.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>#7, Taiyo Yuden | + | <li>#7, Taiyo Yuden, 허메틱 실링 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_013_007_001.jpg | 불에 태워서. 허메틱 실링제품이므로 보호막이 없는 듯 | image:redmi_note6pro_013_007_001.jpg | 불에 태워서. 허메틱 실링제품이므로 보호막이 없는 듯 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | </ol> |
+ | <li>1.1x0.9mm, [[SMR]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>#14, Qorvo, 에폭시 필름 실링 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_013_014_001.jpg | image:redmi_note6pro_013_014_001.jpg | ||
221번째 줄: | 424번째 줄: | ||
<li>1.8x1.4mm, [[SAW-핸드폰DPX]] | <li>1.8x1.4mm, [[SAW-핸드폰DPX]] | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li>#11, | + | <li>#11, Kyocera, K202 마킹 |
<ol> | <ol> | ||
− | <li>참고 | + | <li>참고 Kyocera SD18 시리즈에서 |
<ol> | <ol> | ||
− | + | <li>SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design) | |
− | <li>SD18-0847R8UUB1, Band20, K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design) | + | <li>Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다. |
</ol> | </ol> | ||
<li>불에 태워서 | <li>불에 태워서 | ||
245번째 줄: | 448번째 줄: | ||
<ol> | <ol> | ||
<li>처음보는 [[HTCC]] 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다. | <li>처음보는 [[HTCC]] 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다. | ||
− | <li>타회사와 달리, | + | <li>타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다. |
<li>보호막이 없다고 생각됨. | <li>보호막이 없다고 생각됨. | ||
<li>솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?) | <li>솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?) | ||
257번째 줄: | 460번째 줄: | ||
image:redmi_note6pro_013_010_004.jpg | Y196-09 | image:redmi_note6pro_013_010_004.jpg | Y196-09 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>#12, Taiyo Yuden | + | <li>#12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_013_012_001.jpg | image:redmi_note6pro_013_012_001.jpg | ||
269번째 줄: | 472번째 줄: | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li>2.0x1.6mm | + | <li>2.0x1.6mm, [[SAW-핸드폰DPX]] |
<ol> | <ol> | ||
− | <li>#09, Epcos | + | <li>#09, Epcos |
<gallery> | <gallery> | ||
image:redmi_note6pro_013_009_001.jpg | image:redmi_note6pro_013_009_001.jpg | ||
image:redmi_note6pro_013_009_002.jpg | image:redmi_note6pro_013_009_002.jpg | ||
− | image:redmi_note6pro_013_009_003.jpg | + | image:redmi_note6pro_013_009_003.jpg | 직렬 6폴 패턴 |
− | image:redmi_note6pro_013_009_004.jpg | 오염 | + | image:redmi_note6pro_013_009_004.jpg | 오염 물질 |
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li>Quadplexer(?) | + | <li>Quadplexer(?), [[SMR]] |
<ol> | <ol> | ||
− | <li>#15, Qorvo, | + | <li>#15, Qorvo, Hard PR로 만든 WLP |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:redmi_note6pro_013_015_001.jpg | 불에 태워서. | + | image:redmi_note6pro_013_015_001.jpg | 불에 태워서. (사진 속 작은) 다이 하나는 잃어버림 |
image:redmi_note6pro_013_015_002.jpg | 다이 A | image:redmi_note6pro_013_015_002.jpg | 다이 A | ||
image:redmi_note6pro_013_015_003.jpg | 다이 B | image:redmi_note6pro_013_015_003.jpg | 다이 B | ||
291번째 줄: | 494번째 줄: | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
</ol> | </ol> |
2022년 12월 9일 (금) 12:39 기준 최신판
Redmi Note 6 Pro
- 전자부품
- IT 기기
- 핸드폰
- 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰 - 이 페이지
- 참고
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
- 핸드폰
- IT 기기
- 기술자료
- 모델: M1806E7TG(Global Version)
- 외부 링크
- 출시년도: 2018년 10월
- Android 9
- 사용 네트워크
- 2G GSM 850/900/1800/1900
- 3G HSDPA 850/900/1700(AWS)/1900/2100
- 4G 1, 2, 3, 4, 5, 7, 8, 28, 38, 40 아래 밴드에서 폰 기준으로 Tx, Rx
- LTE
- B1: 2100, 1920~1980(1950), 2110~2170(2140)
- B2: 1900, 1850~1910(1880), 1930~1990(1960)
- B3: 1800, 1710~1785(1747.5), 1805~1880(1842.5)
- B4(AWS): 1700, 1710~1755, 2110~2155
- B5: 850, 824~849(836.5), 869~894(881.5)
- B7: 2600, 2500~2570(2535), 2620~2690(2655)
- B8: 900, 880~915(897.5), 925~960(942.5)
- B28: 700, 703~748, 758~803
- TD-LTE
- B38: 2600, TDD 2570~2620(2595)
- B40: 2300, TDD 2300~2400(2350)
- LTE
- 기타
- Qualcomm Snapdragon 636, 4GB RAM, 64GB Flash
- 금속 코어 프레임: 알루미늄 6000 시리즈
- 4000mAh 배터리
- Qualcomm의 Quick Charge 3.0
- 카메라
- 전면: 2개 20MP(듀얼 픽셀 기술 활용한 위상차 검출 AF), 2MP
- 후면: 2개 12MP, 5MP
- 뒤쪽 지문센서(에어리어 방식)
- 안면 잠금 해제용 적외선 센서
- 사용하면서 몇몇 기능
- MI recovery 3.0 메뉴
- 볼륨 up + 전원 버튼을 수초간 누른다
- mi 화면이 나오면, 전원 버튼만 뗀다.
- Reboot
- Wipe Data - 한 참 뒤 초기화 메뉴가 나온다.
- Connect with MIAssistant
- 스톱워치 기능, 아워미터
- MI recovery 3.0 메뉴
- 외관
사용한 양면 접착테이프는 아노다이징 알루미늄에 더 잘 붙는다.
- 뒤면 열면
- 뒤면 커버 중에서 플라스틱 부위에 F-PCB로 만든 셀룰라 안테나가 모두 붙어 있다.
뒤면 커버에 터치 정전식 지문센서 케이블이 연결되어 있다.
- 뒤면 커버 구조 및 알루미늄 아노다이징 금속판 접지 위치
- 뒤면 커버 중에서 플라스틱 부위에 F-PCB로 만든 셀룰라 안테나가 모두 붙어 있다.
- 배터리 들어 올리면
금속 코어 프레임 홈 사이로 안테나 커넥터가 양쪽에 있는 RF 케이블이 지나간다.
- 아래쪽 마이크로 스피커 박스를 들어올리면
- 박스를 뜯어냄
보안 테이프를 제거해야 나사를 풀 수 있다.
- 박스를 뜯어냄
- 전면 카메라 부근
- 핸드폰용 이미지센서
- 전면
- 후면
- 모두 4개 분리
- 후면 AF 메인카메라
- 판스프링 VCM AF 액추에이터에 렌즈바렐 원통을 풀칠로 붙였다.
토치불에 녹는 알루미늄 주조 프레임에 넣었다.
- 광학렌즈
- IR 차단 광학필터
- Ball Stitch On Ball(BSOB) Au 볼 와이어본딩
- 판스프링 VCM AF 액추에이터에 렌즈바렐 원통을 풀칠로 붙였다.
- 후면 카메라 모듈에서 OEF1055
- 전면 어느 카메라 모듈에서 A20S08E
- 폐쇄된 공간이면 유기물 휘발을 위한 배출구(vent hole)가 있다.
- Ball Stitch On Ball(BSOB) Au 볼 와이어본딩
- 폐쇄된 공간이면 유기물 휘발을 위한 배출구(vent hole)가 있다.
- 전면
- 핸드폰용 근접센서
- 외관
- 패키징 상태
- Proximity with Ambient Light Sensor(PS+ALS)
- 와이어본딩 패드
- 외관
- RF 파트는 실드 깡통이고, PMIC는 방열(거울 반사를 막기 위해) 및 실드 깡통이다.
- 전력관리IC
- 모바일AP + DRAM+Flash이 결합된 MCP
- 터치 정전식 지문센서
- WiFi 모듈(핸드폰), Qualcomm WCN3980
- Xtal세라믹 공진기
솔더링 면 캐비티에 NTC 온도센서
- (추정) 가속도 및 자이로
- 불에 태우고, 물속에서 초음파세척하니 뚜껑이 떨어지고, 일부 MEMS 구조체가 깨졌다.
- 다이 구성. PCB 위에 판독IC, 위에 실리콘 스페이서 더미 다이, 위에 한쪽은 가속도, 한쪽은 자이로
- 작은 다이, 자이로 센서로 추정
- 큰 다이, 가속도 센서로 추정
- MEMS마이크
- 크기: 3.3x2.5mm, 모두 bottom 타입(밑 PCB에 구멍 형성)
- 아래쪽 통화용 마이크, 마킹 S2220
- 위쪽 소음제거용 마이크, 마킹 S2235
- 셀룰라 주파수 대역을 처리하는 RF 부분
- 뒷면에
- 앞면 전체
- 튜너블C
- 동일한 모델이 위쪽 메인 PCB에도 있고,
- 아래쪽 PCB에도 있다.
IC 표식, 마킹이름도 D1QM1311901로 똑같다.
- 동일한 모델이 위쪽 메인 PCB에도 있고,
- PAM, Qorvo RF5212A, PCB에 있는 코일패턴은 임피던스 RF트랜스이다.(Tr 출력 임피던스는 매우 낮고, 부하는 50오옴이므로)
- 트랜시버 IC, Qualcomm SDR660
- SAW, SMR
- 위치 번호 #1~#15
- 사진
- 제조회사
- Wisol(와이솔)
- Murata(무라타)
- Taiyo Yuden(다이요유덴;태양유전)
- Kyocera(교세라)
- Epcos(엡코스, 현재는 RF360)
- Qorvo(코보)
- 사진
- 1.1x0.9mm, SAW-핸드폰RF
- #1, 와이솔 HG96AA4 MP1 KWH
- #2, 와이솔 HG56BA0 MP9, KYH, KRF
- #3, 무라다 DL44-A1
- #4, 와이솔 H806BA MP5, WJL
- #5, 무라타 DK71-A1
- #6, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
- #7, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
- #1, 와이솔 HG96AA4 MP1 KWH
- 1.1x0.9mm, SMR
- #14, Qorvo, 에폭시 필름 실링
- #14, Qorvo, 에폭시 필름 실링
- 1.4x1.1mm, SAW-핸드폰DPX
- #8, Epcos
- #8, Epcos
- 1.8x1.4mm, SAW-핸드폰DPX
- #11, Kyocera, K202 마킹
- 참고 Kyocera SD18 시리즈에서
- SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
- Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
- 불에 태워서
- T(Tx로 추정) B20 601 마킹
- R(Rx로 추정) B20 722 마킹
- 의견
- 처음보는 HTCC 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
- 타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
- 보호막이 없다고 생각됨.
- 솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
- 참고 Kyocera SD18 시리즈에서
- #10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
사파이어+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다.
- #12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
사파이어+LT 접합 다이, X857 -06
- #13, Murata, GY35-A1
본딩된 전극 손상이 크다. SAW필터에서 초전성
- #11, Kyocera, K202 마킹
- 2.0x1.6mm, SAW-핸드폰DPX
- #09, Epcos
- #09, Epcos
- Quadplexer(?), SMR
- #15, Qorvo, Hard PR로 만든 WLP
- #15, Qorvo, Hard PR로 만든 WLP
- 위치 번호 #1~#15