"SM-A516N"의 두 판 사이의 차이

2022년 11월 4일 (금) 15:50 판

삼성 갤럭시 A51 휴대폰, SM-A516N

링크
1. 전자부품
  1. 핸드폰
    1. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰 - 이 페이지
기술자료
1. 사용자 설명서 - 152p
2. 외부 링크
  1. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A51
  2. 2019년 12월 출시 발표
3. 규격
  1. 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 메모리
  2. 주파수
    1. NR, band 78
      1. 송신(TX): 3420~3700 MHz, 수신(RX): 3420~3700 MHz
    2. LTE Bands, Band 1/Band 2/Band 3/Band 4/Band 5/Band 7/Band 8/Band 12/Band 13/Band 17/Band 20/Band 26/Band 28/Band 66/Band 38/Band 40/Band 41
      1. Tx 1920~1980/1850~1910/1710~1785/1710~1755/824~849/2500~2570/880~915/699~716/777~787/704~716/832~862/814~849/703~748/1710~1780/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
      2. Rx 2110~2170/1930~1990/1805~1880/2110~2155/869~894/2620~2690/925~960/729~746/746~756/734~746/791~821/859~894/758~803/2110~2180/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
    3. WCDMA(Band 1/Band 2/Band 4/Band 5/Band 8)
      1. TX: 1922.4~1977.6/1852.4~1907.6/1712.4~1752.6/826.4~846.6/882.4~912.6 MHz
      2. RX: 2112.4~2167.6/1932.4~1987.6/2112.4~2152.6/871.4~891.6/927.4~957.6 MHz
    4. GSM850, GSM900, DCS1800, DCS1900
      1. TX: 824.2~848.8 MHz, 880.2~914.8 MHz, 1710.2~1784.8 MHz, 1850.2~1909.8 MHz
      2. RX: 869.2~893.8 MHz, 925.2~959.8 MHz, 1805.2~1879.8 MHz, 1930.2~1989.8 MHz
  3. CPU: EXYNOS980
  4. WiFi:
    1. 2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
    2. 5180~5240, 5260~5320, 5500~5700, 5745~5825 MHz(802.11a/n/ac)
  5. MST: 송수신: 1.6/3.3 KHz, 모듈:ISP7022, 최대5cm
  6. NFC: 송수신: 13.56 MHz
  7. ANT+: 송수신: 2402~2480 MHz, 모듈: S5N5C20X00-6030
    1. 2.4GHz ISM밴드를 사용하는 저전력 센서네트워크용 무선통신규격 이름.
4. 전원켜기 끄기
  1. 전원켜기: 측면 버튼을 몇 초간 길게 누른다.
  2. 전원끄기: 음량 하 버튼 + 측면버튼을 동시에 길게 누르고, 전원 끄기를 선택한다.
    1. 아무 반응이 없으면, 7초 이상 길게 누른다. (강제로 다시 시작하기)
이력
1. 2022/09/30 입수됨
뒤면 커버를 뜯어내면, 양면 접착테이프로 붙어 있다.
- 뒤면 커버는 >PC+PMMA< 수지
뒤면 커버에 붙인 서멀 패드형 방열 테이프. 이쪽으로는 크게 열나는 부품은 없기 때문에 대충 방열해도 된다.
- 불에 태워보니, 회색은 실리콘 방열패드, 검정은 잘 탄다.
NFC+MST(Samsung Pay) 코일
1. (내용중복) 페라이트 시트 에서 자세히 분석
  1. 외관
    - 오른쪽 수지판은 >PC+GF30%< 재질이다.
    - Sunway Communication, A51-5G 2combo
  2. 분해
    - 방열을 위해 사출물 표면에 그라파이트 시트를 붙였다.
    - 뒷면 사출물 표면과 만나는 곳에도 그라파이트 시트가 붙였다.
  3. 밝은 회색영역은 PMS(Polymeric Magnet Sheet)이다. 아마 Sendust(Fe-Si-Al) 재료로 만들 것이다. 진한 회색영역에는 페라이트 시트가 있다.
    - NFC용 영역과 MST용 영역이 다르다.
    - 페라이트 계 시트는 정사각형으로 부러져(air gap 존재) 있고, PMS는 부러져 있지 않다.
  4. 코일 관찰
    - MST
    - NFC
파우치 2차-리튬, 모델:EB-BA516ABY, 정격 3.86V 4370mAh 16.87Wh, 제조자:Ningde Amperex Technology(암페렉스 테크놀로지)
1. 사진
  - 제조년월 2020.05.30
2. 5A 충방전, 49싸이클 측정 엑셀 파일
  - 42시간이후부터 문제가 있다.
  - 충방전싸이클당 방전용량 (3700mAh@5A, 4370mAh정격용량이므로 85% 나온다.)
3. 5A 방전시 표면온도는 50'C이다.
4. 300V 8A 용량을 갖는 3.81mm 피치용 터미날블록에서 문제를 일으켰다.
5. 보호회로
  1. 앞 뒤면
  2. 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용하는 BGA 전력용 스위칭 FET
    - 두 다이가 180도 본딩되어 있다.
    - Panasonic WK0064
  3. SMD타입 전류검출용R 저저항
    - U자홈으로 갈아내면서 트리밍했다.
    - 2.05mΩ
아래쪽 안테나 및 스피커,USB-C,3.5mm 단자구멍
USB-C 단자구멍. 침수라벨
- 빨강은 침수되었다는 표시?
접지. 안테나를 위해서는 핸드폰 전체 금속 프레임이 반드시 확실한 접지로 취급한다.
- 위쪽
- 물이 닿았던, 아래쪽
(내용중복) 코인타입 ERM 진동모터
테이프를 뜯어보니, 아무것도 아니다. OLED 디스플레이를 바로 볼 수 있는 여러 구멍이 있다. (표준화를 위해 다른 어떤 부품을 설치하기 위한 옵션으로 뚫어놓았다.)
스크류 5개가 부족하다. 먼저 분해했던 사람이 나사 5개를 체결하지 않았다.
(내용중복) under-display fingerprint sensor, 광학식 지문센서 -> 자세히 분석
1. 모듈
2. 내부
  - Anti-Aliasing(안티에일리어싱)을 위해 약 15도 회전시켜 다이본딩
3. 렌즈 및 광학필터
  - 렌즈 3매
4. OLED 디스플레이 패널을 보면
  - 밝은 영역으로 통과하는 지문을 판독한다.
  - 지문센서 쪽에서 볼 때 투과사진
  - 지문센서 쪽에서 볼 때 투과사진
5. 카메라
  - Au 볼 와이어본딩
  - 이지스테크(Egis Technology, ET713
  - 약 6.85um 피치 흑백 센서이다. 마이크로렌즈가 붙어 있다.
  - 약 180x180 픽셀이다.
전면 카메라를 위해, OLED 디스플레이 패턴이 형성되어 있지 않는 구멍
리시버용 스피커
솔더 필렛이 형성될 수 없는 2단자 LGA 부품에서는 납땜 불량에서 솔더 과다 불량에 해당되는 문제점이 있다.
정전식 터치스크린을 뜯으면
1. 사진
  - ams-OSRAM MFSH2 TB81H
2. 참고, 아래 사진은 2014년 10월 출시된 SM-G5308W용 터치 스크린 패턴이다. 이 패턴과 같은 모양을 갖는다.
3. 이 핸드폰이 (침수로 인해) 고장난 현상(좌측 터치영역이 동작하지 않는다. qwerty자판으로 볼 때 1 이 2로 입력된다.)
터치패널을 분리하면
OLED용 DDI
- IC 두께만큼 양면접착테이프로 보강
OLED 후면, 방열구리판에 기포 방열패드
- 투명양면접착테이프에 공기층(을 쉽게 빼기 위한?) 격자무늬
- 검정 테이프는 불에 쉽게 탄다.
금속 메인프레임
- 그라파이트 시트 그리고 검정색은 접착테이프
메인보드
1. 앞면 및 뒷면
  - 앞면
  - 금속 메인프레임과 맞닿는, 뒷면
2. 10층 PCB
3. 앞면 부품
  1. 카메라 장착 방법
    - 양면테이프로 PCB에 붙인다.
  2. 앞면 방열
    - 비교적 두꺼운, 히트 스프레더용 금속 방열판 테이프
  3. 실드 깡통을 벗기면
    1. 대부분 L, C인 수동부품이 많다.
      - 파워 IC 영역에는 내부에 검정 금속 방열판 캔을 씌웠다.
      - 파워 인덕터 및 평활용 MLCC
    2. 뜯어보면
      - PMIC 두 개
      - 파워 인덕터 내부
  4. 실드코팅으로 차폐시킨 RF 모듈 4개가 보인다.
    1. 전체
      - RF영역
    2. 무라타(?) 스위치+LNA 모듈인듯. 두 개가 있다.
      1. #1
      2. #2
        
        L-C-L 3단자 LC필터
        
        PSEMI 회사 제조
    3. 솔더링 패드, 2사분면 IC는 Murata 452, 4사분면 IC는 Qorvo 78077
    4. 측면 구조. 위 Qorvo 78077(6층 PCB), 아래 Murata 452(4층 PCB)
    5. Qorvo 78077
      1. 외관
      2. 조개면
        
        쪼개면
      3. 주요 부품 분리
        
        금속실드(확실히 PCB쪽인 아래가 얇다.)
        
        주요 부품
      4. 반도체 다이 5개
        
        앰프, 솔더댐 방열(?) hard PR로 도금하여 만든 인덕터. 금도금(?)
        
        스위치
        
        앰프
    6. Murata 452, (Diversity OMH LFEM;LFEM=lna+FEM)
      1. 외관
      2. 내부
        
        오른쪽 상단에 SAW 하나 분실했다.
      3. 스위치 + LNA
        
        PSEMI(Peregrine Semiconductor) INU F1201_1 F01
      4. SAW #1
      5. SAW #2
      6. SAW #3
      7. SAW #4
      8. SAW #5
  5. 아날로그 RF IC (WiFi용으로 검색됨. 디지털신호처리 파트는 없는 듯)
    1. 좌측 최상단
      - S620 W2006, 마킹필름
    2. 다이패턴
      - S5N5 C20X00
      - 화살표 2군데 확대하면
      - 박막형 RF용 인덕터 표면위로 점퍼
      - 박막형 RF용 인덕터 밑으로 점퍼
  6. NXP 55303, NFC
    1. 외관
      - 리솔더링한 후, 오른쪽 윗쪽 BGA 부품
    2. Au 볼 와이어본딩하므로, 본딩패드가 있는 유기물기판 동박에는 전기금도금을 위한 타이바 연결되어 있다.
    3. 실리콘 다이 마킹: HPN553VOB, 2016
  7. SAMSUNG SHANNON5510, RF Transceiver IC
  8. Murata K21 JrCVB(Main Low-Middle Band LFEMID) LFEM=lna+FEM
    1. 윗면, 아랫면
      - 투명한 SAW 다이 12개, 불투명 다이 11개(SAW 다이는 7개)가 집적되어 있다.
    2. LTCC 기판
      - 스위치 IC는 4개이다. 나머지 19개는 SAW필터이다.
      - 다층형 RF용 인덕터 높이는 좌측이 0.3mm, 우측이 0.2mm 이다.
      - 높이 0.3mm 다층형 RF용 인덕터 납땜된 상태로 촬영
    3. 다층형 RF용 인덕터 0.4x0.2mm
    4. 23개 다이(19번 잃어버림. 9번과 같은 크기로 추측)
    5. #01
    6. #02
    7. #03
    8. #04
    9. #05
    10. #06
    11. #07
    12. #08
    13. #09
    14. #10
    15. #11
    16. #12
    17. #13
    18. #14
      1. WLP 납땜
      2. 다이 관찰
    19. #15, Si접합 투명다이 7개 모두는 IDT가 약 5도 기울어져 있다.
      1. 위에서 볼 때
      2. 옆에서 볼 때
        
        총두께 125um에서 압전체웨이퍼 두께는 6.5um로 약 5%이다.
    20. #16
    21. #17
    22. #18
    23. #19 - 잃어버림
    24. RF스위치IC
      1. 스위치-1, Peregrine
      2. 스위치-2, Peregrine
      3. 스위치-3, Peregrine
      4. 스위치-4, Peregrine
  9. 단품 SAW 필터 관련
    1. 쏘필터 #1,#2,#3 그리고 세라믹 다이플렉서 #4
    2. #1, SAW-GPS HG89XA4, HBC LMH
      - RF Transceiver IC에 바로 붙어 있다. 즉, 트랜시버 IC에서 GPS 신호도 처리한다.
      - HG89XA4, HBC LMH
    3. #2, 다이 분석 실패
    4. #3, (중복 내용) GPS extractor 필터, WG89PE4 HJD KSJ
      1. 외관
      2. 내부 다이 및 PCB
        
        6층. PCB-L을 형성시켰다.
      3. SAW 다이. IDT C 설계 방식이 매우 특이하다. low ESL 또는 ESR을 위해서 이렇게 설계한 듯 하다.
        
        아래쪽 패턴에는 전극막 한 층이 더 있다.
        
        좁은 틈새가 C를 형성시킨다. 1차: 알루미늄-IDT, 2차: 알루미늄-두꺼운막, 3차: 금 두꺼운막
    5. #4, 세라믹필터인 다이플렉서
4. 뒤면 부품
  1. 디스플레이쪽으로, 금속 메인프레임과 맞닿게 그라파이트 시트로 방열
    - 빨갛게 태운 후
  2. (금속 메인프레임과 닿아 확실히 방열이 되어야 하는) 뒷면 방열
  3. 비교적 두꺼운, 방열 검정 스폰지 테이프 밑에는 그라파이트 시트가 깡통에 붙는다.
    - 두 IC에 말랑말랑 하양, 회색 서멀 패드가 붙어 있다.
  4. 열이 많이 발생하여 확실히 방열하고 있는 두 부품
    1. 외관
      - 삼성 S2MU106X 배터리 IC, Samsung Exynos 980 모바일AP
      - 삼성 KM2V8001CM-B707 Flash+DRAM 모바일AP가 있는 곳에는 검정 금속 방열판 캔을 씌웠다.
    2. 두 칩을 뜯으면
      - 메모리에서 왼쪽 볼은 Flash, 모바일AP와 직접 연결되는 오른쪽은 DRAM
    3. 모바일AP, Samsung Exynos 980(엑시노스 980)
      - 인터포저(4층 PCB)에서 다이를 뜯으면
      - 다이
    4. 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 Flash 메모리
      - 인터포저는 3층인듯
      - 가운데 작은 IC는 플래시 콘트롤러
      - 좌우 3-다이 총 6개는 DRAM일 것이고, 위에 쌓이는 4개는 flash 다이
  5. (PAM에서 내용중복) Qorvo QPA4580 PAM, 실드코팅으로 차폐시켰다.
    1. 외관
    2. 측면 관찰하면
      - 처마처럼 튀어나왔다.
      - 노랑 화살표에 잘린 PCB 동박이 보인다.
    3. 측면 금속 코팅을 칼로 긁어보니
    4. 타이바. 타이바가 반드시 있어야 하므로, 이왕이면 전기도금을 하면 좋을 것이다.
      - 절단된 PCB에서 구리 타이바가 노출되어 있다.
    5. 꼭지점을 칼로 절단한 후
      - 윗쪽과 아래쪽의 금속코팅 두께에 큰 차이가 없다.
    6. 내부
      - 내부, 와이어본딩 된 PA 다이가 2개 있다.
  6. (PAM에서 내용중복) Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, PAM
    1. 3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
    2. PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이
      - PK5226 01 SKYWORKS C M 2016
    3. MIPI 콘트롤러 silicon 다이
      - PK1136 01 SKYWORKS C M 2016
  7. 필터 3개
    1. 외관
      - 왼쪽에서부터 무라타-와이솔-엡코스
      - 레이저 마킹 품질
    2. 디캡핑(decapping)
      - 와이솔 제품은 쉽게 벗겨진다.
    3. 다이싱 관찰
      1. 무라타
        
        긴쪽 50um
        
        짧은쪽
      2. 와이솔
        
        긴쪽 100um
        
        짧은쪽
      3. 엡코스
        
        긴쪽 40um
        
        짧은쪽
  8. IC처럼 패키징된 4개
    1. 화살표 1,2,3,4
    2. 화살표 1, 다이오드
      - 2단자 소자이다.
      - 은도금(?)된 Cu 볼 와이어본딩
    3. 화살표 2,3,4
      - 솔더 레지스트에 고랑을 팠다.
      - 모두 스위치 또는 LNA로 추정

@@ 674번째 줄: / 674번째 줄: @@
 <li>열이 많이 발생하여 확실히 방열하고 있는 두 부품
 <ol>
-<li>메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 메모리
-<li>AP: Samsung Exynos 980(엑시노스 980)
 <li>외관
 <gallery>
-image:sm_a516n_059.jpg | 삼성 S2MU106X 배터리 IC, Samsung Exynos 980(엑시노스 980) [[모바일AP]]
+image:sm_a516n_059.jpg | 삼성 S2MU106X 배터리 IC, Samsung Exynos 980 [[모바일AP]]
 image:sm_a516n_060.jpg | 삼성 KM2V8001CM-B707 Flash+DRAM [[모바일AP]]가 있는 곳에는 [[검정 금속 방열판]] 캔을 씌웠다.
 </gallery>
 <li>두 칩을 뜯으면
 <gallery>
-image:sm_a516n_060_001.jpg | 메모리에서 왼쪽 볼은 Flash, AP와 직접 연결되는 오른쪽은 DRAM
+image:sm_a516n_060_001.jpg | 메모리에서 왼쪽 볼은 [[Flash]], [[모바일AP]]와 직접 연결되는 오른쪽은 [[DRAM]]
 </gallery>
-<li>AP
+<li> [[모바일AP]], Samsung Exynos 980(엑시노스 980)
 <gallery>
 image:sm_a516n_060_002.jpg | 인터포저(4층 PCB)에서 다이를 뜯으면
 image:sm_a516n_060_003.jpg | 다이
 </gallery>
-<li>메모리
+<li>메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X S[[DRAM]], 128GB UFS 2.1 규격 내장 [[Flash]] 메모리
 <gallery>
 image:sm_a516n_060_004.jpg | 인터포저는 3층인듯
@@ 697번째 줄: / 695번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li>Qorvo QPA4580, [[실드코팅]]으로 차폐시켰다.
+<li>([[PAM]]에서 내용중복) Qorvo QPA4580 [[PAM]], [[실드코팅]]으로 차폐시켰다.
 <ol>
 <li>외관
@@ 724번째 줄: / 722번째 줄: @@
 <li>내부
 <gallery>
-image:sm_a516n_066_007.jpg | 내부, 와이어본딩 된 PA 다이가 2개 있다.
+image:sm_a516n_066_007.jpg | 내부, [[와이어본딩]] 된 PA 다이가 2개 있다.
 </gallery>
 </ol>
-<li>Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, Power Amplifier Module(PAM)
+<li>([[PAM]]에서 내용중복) Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, [[PAM]]
 <ol>
 <li>3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
@@ 780번째 줄: / 778번째 줄: @@
 image:sm_a516n_064_004_001.jpg
 </gallery>
-<li>화살표 1, 다이오드
+<li>화살표 1, [[다이오드]]
 <gallery>
-image:sm_a516n_064_004_002.jpg | 2단자
+image:sm_a516n_064_004_002.jpg | 2단자 소자이다.
-image:sm_a516n_064_004_004.jpg | 은도금된 구리선 볼본딩
+image:sm_a516n_064_004_004.jpg | 은도금(?)된 [[Cu 볼 와이어본딩]]
 </gallery>
 <li>화살표 2,3,4
 <gallery>
-image:sm_a516n_064_004_003.jpg
+image:sm_a516n_064_004_003.jpg | [[솔더 레지스트]]에 고랑을 팠다.
 image:sm_a516n_064_004_004.jpg | 모두 스위치 또는 LNA로 추정
 </gallery>