"Redmi Note 6 Pro"의 두 판 사이의 차이

2025년 3월 15일 (토) 20:45 기준 최신판

Redmi Note 6 Pro

전자부품
1. 핸드폰
  1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰 - 이 페이지
    1. 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰용 이미지센서모듈
2. 참고
  1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
기술자료
1. 모델: M1806E7TG(Global Version)
2. 외부 링크
  1. https://www.gsmarena.com/xiaomi_redmi_note_6_pro-9333.php
  2. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Redmi_Note_6_Pro
  3. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EC%83%A4%EC%98%A4%EB%AF%B8%20Redmi%20Note%206%20Pro
3. 출시년도: 2018년 10월
  1. Android 9
4. 사용 네트워크
  1. 2G GSM 850/900/1800/1900
  2. 3G HSDPA 850/900/1700(AWS)/1900/2100
  3. 4G 1, 2, 3, 4, 5, 7, 8, 28, 38, 40 아래 밴드에서 폰 기준으로 Tx, Rx
    1. LTE
      1. B1: 2100, 1920~1980(1950), 2110~2170(2140)
      2. B2: 1900, 1850~1910(1880), 1930~1990(1960)
      3. B3: 1800, 1710~1785(1747.5), 1805~1880(1842.5)
      4. B4(AWS): 1700, 1710~1755, 2110~2155
      5. B5: 850, 824~849(836.5), 869~894(881.5)
      6. B7: 2600, 2500~2570(2535), 2620~2690(2655)
      7. B8: 900, 880~915(897.5), 925~960(942.5)
      8. B28: 700, 703~748, 758~803
    2. TD-LTE
      1. B38: 2600, TDD 2570~2620(2595)
      2. B40: 2300, TDD 2300~2400(2350)
5. 기타
  1. Qualcomm Snapdragon 636, 4GB RAM, 64GB Flash Memory
  2. 금속 코어 프레임: 알루미늄 6000 시리즈
  3. 4000mAh 배터리
  4. Qualcomm의 Quick Charge 3.0
  5. 카메라
    1. 전면: 2개 20MP(듀얼 픽셀 기술 활용한 위상차 검출 AF), 2MP
    2. 후면: 2개 12MP, 5MP
  6. 뒤쪽 지문센서(에어리어 방식)
  7. 안면 잠금 해제용 적외선 센서
사용하면서 몇몇 기능
1. MI recovery 3.0 메뉴
  1. 볼륨 up + 전원 버튼을 수초간 누른다
  2. mi 화면이 나오면, 전원 버튼만 뗀다.
    1. Reboot
    2. Wipe Data - 한 참 뒤 초기화 메뉴가 나온다.
    3. Connect with MIAssistant
2. 스톱워치 기능, 아워미터
  - 1000시간 이상 표시 안한다.
외관
- 모델: M1806E7TG
- 사용한 양면 접착테이프는 아노다이징 알루미늄에 더 잘 붙는다.
뒷면 열면
1. 뒷면 커버 중에서 플라스틱 부위에 F-PCB로 만든 셀룰라 안테나가 모두 붙어 있다.
  - 뒷면 커버에 터치 정전식 지문센서 케이블이 연결되어 있다.
  - 그라파이트 시트
  - 안테나
2. 뒷면 커버 구조 및 알루미늄 아노다이징 금속판 접지 위치
  - PC 수지판과 알루미늄 아노다이징 금속판은 접착제를 발라 붙였다.
배터리 들어 올리면
1. 배터리 밑
  - RF 케이블, 아래쪽 인터페이스, 화면/터치 인터페이스 등 3개의 신호선이 지나간다.
  - 금속 코어 프레임 홈 사이로 안테나 커넥터가 양쪽에 있는 RF 케이블이 지나간다.
2. 리튬 이온폴리머 배터리, 파우치 리튬 이차전지
  - 모델 BN48, 3900mAh, 3.85VDC, 최대 4.4V, 크기:1ICP5/65/84 Zhuhai Coslight Battery Co.
  - 보호회로에서 SMD P-PTC. 4층 동박에서 1,4층 연결한 한쪽. 반대편은 2,3층이 연결되어 있다.
아래쪽 마이크로 스피커 박스를 들어올리면
1. 박스를 뜯어냄
  - 보안 테이프를 제거해야 나사를 풀 수 있다.
  - 나사를 풀면 들어올릴 수 있다.
전면 카메라 부근
샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰용 이미지센서모듈
핸드폰용 근접센서
1. 외관
  - 초록색
2. 패키징 상태
3. Proximity with Ambient Light Sensor(PS+ALS)
  - B6015
  - 대만 sensortek(stk)
4. 와이어본딩 패드
  - 조명1
  - 조명2
RF 파트는 실드 깡통이고, PMIC는 방열(거울 반사를 막기 위해) 및 실드 깡통이다.
전력관리IC
1. Qualcomm PM660L
2. 파워 인덕터
  - 윗면만 검정 페인트칠한 6개에서 어느 하나의 내부
  - 주변에 다른 형태의 파워 인덕터
모바일AP + DRAM+Flash이 결합된 MCP
1. 모바일AP 발열 방열을 위해
  - 금속 코어프레임과 AP가 속에 있는 깡통이 서멀 패드를 통해 접촉한다.
  - 구리판 히트 스프레더
  - AP는 서멀 패드를 통해 깡통으로 방열된다.
2. MCP SanDisk SDADA4CR-64G, 모바일AP Qualcomm SDM636 SoC
3. MCP = 4GB DRAM + 64GB Flash
  1. 맨 밑에서부터 보면, 2다이로 2층(아마 4GB DRAM), 그 위에 작은 플래시제어기 IC와 큰 다이 2층(64GB Flash Memory)
  2. 총 7다이
4. 모바일AP, Qualcomm SDM636 SoC
  - 4층 PCB, 양쪽 모두 솔더볼 접합이므로 타이바가 없다.
  - 오른쪽이 실리콘 다이
  - 실리콘 다이. 불에 빨갛게 태운 후. 두꺼운 유리질 및 구리 RDL이 관찰된다.
  - 어느 귀퉁이. staggered fill 방식 더미 필 패턴
터치 정전식 지문센서
- 양면 접착테이프로 붙어 있다. 알루미늄 아노다이징을 제거해야 테이프 접착력이 좋은 듯.
- (보이지 않는다.) 왼쪽에 판독IC가 붙어 있다.
- AIC9003, FINGERPRINTS 2015
WiFi 모듈(핸드폰), Qualcomm WCN3980
- Qualcomm WCN3980
세라믹 패키지 수정 공진기
- 솔더링 면 캐비티에 NTC 온도센서
(추정) 가속도센서 및 자이로센서
1. 불에 태우고, 물속에서 초음파세척하니 뚜껑이 떨어지고, 일부 MEMS 구조체가 깨졌다.
2. 다이 구성. PCB 위에 판독IC, 위에 실리콘 스페이서 더미 다이, 위에 한쪽은 가속도센서, 한쪽은 자이로센서
3. 작은 다이, 자이로센서로 추정
4. 큰 다이, 가속도센서로 추정
MEMS마이크
1. 크기: 3.3x2.5mm, 모두 bottom 타입(밑 PCB에 구멍 형성)
2. 아래쪽 통화용 마이크, 마킹 S2220
  - Knowles S6.13
3. 위쪽 소음제거용 마이크, 마킹 S2235
  - Knowles S6.11
셀룰라 주파수 대역을 처리하는 RF 부분
1. 뒷면에
  1. PAM, Qorvo QM56020
    - 사진에서 왼쪽에 8N6로 마킹된 RF360 회사의 SAW 필터(PCB 기판 사용)가 보인다.
    - 실리콘 다이 7개가 보인다.
    - 납땜 패드
    - 내부
  2. 1.1x0.9mm SAW-핸드폰RF
    - 유기물 기판을 사용해 솔더링으로 플립본딩하였다.
    - AR55D
    - tap 위치(검은점처럼 보이는)가 오르락 내리락 한다.
    - 주기 1.54um, 쏘속도 4000m/sec라면 2.6GHz 필터이다.
2. 앞면 전체
3. 튜너블 커패시터
  1. 동일한 모델이 위쪽 메인 PCB에도 있고,
    - 위치별 #1~#4
    - 1 Qorvo
    - 2 D1QM1311901
    - 3
    - 4
  2. 아래쪽 PCB에도 있다.
    - IC 표식, 마킹이름도 D1QM1311901로 똑같다.
4. PAM, Qorvo RF5212A, PCB에 있는 코일패턴은 임피던스 RF트랜스이다.(Tr 출력 임피던스는 매우 낮고, 부하는 50오옴이므로)
  - RF5212A
  - BGA IC 3개, MLCC 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다.
5. 트랜시버 IC, Qualcomm SDR660
  - SDR660
6. SAW, SMR
  1. 위치 번호 #1~#15
    1. 사진
    2. 제조회사
      1. Wisol(와이솔)
      2. Murata(무라타)
      3. Taiyo Yuden(다이요유덴;태양유전)
      4. Kyocera(교세라)
      5. Epcos(엡코스, 현재는 RF360)
      6. Qorvo(코보)
  2. 1.1x0.9mm, SAW-핸드폰RF
    1. #1, 와이솔 HG96AA4 MP1 KWH
    2. #2, 와이솔 HG56BA0 MP9, KYH, KRF
    3. #3, 무라다 DL44-A1
    4. #4, 와이솔 H806BA MP5, WJL
    5. #5, 무라타 DK71-A1
    6. #6, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
    7. #7, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
      - 불에 태워서. 허메틱 실링제품이므로 보호막이 없는 듯
  3. 1.1x0.9mm, SMR
    1. #14, Qorvo, 에폭시 필름 실링
      - TQ 2014, EG9509 FD3a X12 Y10
      - 불에 태워보니, 깨진 진동판을 확인할 수 있다.
  4. 1.4x1.1mm, SAW-핸드폰DPX
    1. #8, Epcos
  5. 1.8x1.4mm, SAW-핸드폰DPX
    1. #11, Kyocera, K202 마킹
      1. 참고 Kyocera SD18 시리즈에서
        
        SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
        Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
      2. 불에 태워서
      3. T(Tx로 추정) B20 601 마킹
      4. R(Rx로 추정) B20 722 마킹
      5. 의견
        
        처음보는 HTCC 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
        타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
        보호막이 없다고 생각됨.
        솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
    2. #10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
      - 사파이어+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다.
      - 얇은 LT가 깨져 세라믹 기판에 붙어 있다.
      - Y199-23 얇은 LT가 깨졌다.
      - Y196-09
    3. #12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
      - 사파이어+LT 접합 다이, X857 -06
    4. #13, Murata, GY35-A1
      - 불에 태워서
      - 본딩된 전극 손상이 크다. SAW필터에서 초전성
  6. 2.0x1.6mm, SAW-핸드폰DPX
    1. #09, Epcos
      - 직렬 6폴 패턴
      - 오염 물질
  7. Quadplexer(?), SMR
    1. #15, Qorvo, Hard PR로 만든 WLP
      - 불에 태워서. (사진 속 작은) 다이 하나는 잃어버림
      - 다이 A
      - 다이 B
      - 다이 C

@@ 2번째 줄: / 2번째 줄: @@
 <ol>
 <li> [[전자부품]]
-<ol>
-<li>IT 기기
 <ol>
 <li> [[핸드폰]]
 <ol>
 <li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰 - 이 페이지
+<ol>
+<li> [[샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰용 이미지센서모듈]]
+</ol>
 </ol>
 <li>참고
 <ol>
 <li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰
-</ol>
 </ol>
 </ol>
@@ 54번째 줄: / 54번째 줄: @@
 <li>기타
 <ol>
-<li>Qualcomm Snapdragon 636, 4GB RAM, 64GB Flash
+<li>Qualcomm Snapdragon 636, 4GB RAM, 64GB [[Flash Memory]]
 <li>금속 코어 프레임: 알루미늄 6000 시리즈
 <li>4000mAh 배터리
@@ 89번째 줄: / 89번째 줄: @@
 image:redmi_note6pro_001_002.jpg | 사용한 [[양면 접착테이프]]는 아노다이징 알루미늄에 더 잘 붙는다.
 </gallery>
-<li>뒤면 열면
+<li>뒷면 열면
 <ol>
-<li>뒤면 커버 중에서 플라스틱 부위에 [[F-PCB]]로 만든 [[셀룰라 안테나]]가 모두 붙어 있다.
+<li>뒷면 커버 중에서 플라스틱 부위에 [[F-PCB]]로 만든 [[셀룰라 안테나]]가 모두 붙어 있다.
 <gallery>
-image:redmi_note6pro_001.jpg | 뒤면 커버에 [[터치 정전식 지문센서]] 케이블이 연결되어 있다.
+image:redmi_note6pro_001.jpg | 뒷면 커버에 [[터치 정전식 지문센서]] 케이블이 연결되어 있다.
 image:redmi_note6pro_001_003.jpg | [[그라파이트 시트]]
 image:redmi_note6pro_001_004.jpg | 안테나
 </gallery>
-<li>뒤면 커버 구조 및 알루미늄 아노다이징 금속판 접지 위치
+<li>뒷면 커버 구조 및 알루미늄 아노다이징 금속판 접지 위치
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_001_005.jpg
@@ 104번째 줄: / 104번째 줄: @@
 </ol>
 <li>배터리 들어 올리면
+<ol>
+<li>배터리 밑
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_003.jpg | RF 케이블, 아래쪽 인터페이스, 화면/터치 인터페이스 등 3개의 신호선이 지나간다.
 image:redmi_note6pro_003_001.jpg | 금속 코어 프레임 홈 사이로 [[안테나 커넥터]]가 양쪽에 있는 RF 케이블이 지나간다.
 </gallery>
+<li>리튬 이온폴리머 배터리, [[파우치 리튬 이차전지]]
+<gallery>
+image:redmi_note6pro_026_001.jpg | 모델 BN48, 3900mAh, 3.85VDC, 최대 4.4V, 크기:1ICP5/65/84 Zhuhai Coslight Battery Co.
+image:redmi_note6pro_026_002.jpg | 보호회로에서 [[SMD P-PTC]]. 4층 동박에서 1,4층 연결한 한쪽. 반대편은 2,3층이 연결되어 있다.
+</gallery>
+</ol>
 <li>아래쪽 [[마이크로 스피커]] 박스를 들어올리면
 <ol>
@@ 121번째 줄: / 129번째 줄: @@
 image:redmi_note6pro_007.jpg
 </gallery>
-<li> [[핸드폰용 이미지센서]]
+<li> [[샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰용 이미지센서모듈]]
-<ol>
-<li>전면
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_008.jpg | 전면카메라 방열
-</gallery>
-<li>후면
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_002.jpg
-image:redmi_note6pro_009.jpg
-image:redmi_note6pro_010.jpg
-</gallery>
-<li>모두 4개 분리
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_008_001.jpg
-image:redmi_note6pro_008_002.jpg
-</gallery>
-<li>후면 AF 메인카메라
-<ol>
-<li> [[판스프링 VCM AF]] 액추에이터에 렌즈바렐 원통을 풀칠로 붙였다.
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_009_001.jpg | 토치불에 녹는 [[알루미늄]] 주조 프레임에 넣었다.
-</gallery>
-<li> [[광학렌즈]]
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_009_002.jpg | 6매, 두꺼운 스페이서는 수지재질
-</gallery>
-<li>IR 차단 [[광학필터]]
-<ol>
-<li>광학필터 아래쪽은 밀봉되어 공기배출구가 없다.
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_009_004.jpg | 광학필터 가장자리에 검정색 잉크로 인쇄
-image:redmi_note6pro_009_003.jpg | 4면 모두 풀칠로 밀봉함.
-image:redmi_note6pro_009_005.jpg | 광학필터 수지프레임 또한 풀칠로 밀봉됨.
-</gallery>
-<li>광학필터는 [[유리]]로 만들었다.
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_009_007.jpg | 불에 태워도 버티고, [[탄화텅스텐]]바늘로 긁어보니 유리다.
-image:redmi_note6pro_009_008.jpg | 깨뜨리니 똑 부러졌다.
-</gallery>
-</ol>
-<li>Ball Stitch On Ball(BSOB) [[Au 볼 와이어본딩]]
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_009_006.jpg
-</gallery>
-</ol>
-<li>후면 카메라 모듈에서 OEF1055
-<ol>
-<li>렌즈바렐에 나사가 있어 촛점을 조정할 수 있는 구조이다.
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_009_015.jpg | 센서 공간을 위한 [[배출구]]1
-image:redmi_note6pro_009_016.jpg | 하양 화살표가 메운 배출구
-image:redmi_note6pro_009_017.jpg | 하양 화살표에 배출구가 있고, 레이저다이싱된 IR 차단 광학필터는 배출구를 막고 있지 않다.
-image:redmi_note6pro_009_018.jpg | 배출구 단면
-image:redmi_note6pro_009_019.jpg | IR 필터 위 공간은, 나사산과 골 사이 빈틈으로 회전 [[배출구]]2가 형성된다.
-</gallery>
-</ol>
-<li>전면 어느 카메라 모듈에서 A20S08E
-<ol>
-<li>폐쇄된 공간이면 [[유기물 휘발]]을 위한 [[배출구]](vent hole)가 있다.
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_009_009.jpg | 노랑화살표를 보면 배출구(vent hole)가 있다.
-image:redmi_note6pro_009_010.jpg | IR 차단 광학필터 프레임을 뜯어보면
-image:redmi_note6pro_009_011.jpg | 렌즈 바렐에 있는 배출구
-image:redmi_note6pro_009_012.jpg | IR 차단 광학필터 프레임에 있는 배출구
-</gallery>
-<li>Ball Stitch On Ball(BSOB) [[Au 볼 와이어본딩]]
-<gallery>
-image:redmi_note6pro_009_013.jpg
-image:redmi_note6pro_009_014.jpg
-</gallery>
-</ol>
-</ol>
 <li> [[핸드폰용 근접센서]]
 <ol>
@@ 217번째 줄: / 153번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li>RF 파트는 [[실드 깡통]]이고, PMIC는 [[방열]](거울 반사를 막기 위해) 및 [[실드 깡통]]이다.
+<li>RF 파트는 [[실드 깡통]]이고, [[PMIC]]는 [[방열]](거울 반사를 막기 위해) 및 [[실드 깡통]]이다.
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_011.jpg
@@ 233번째 줄: / 169번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li> [[모바일AP]] + DRAM+Flash이 결합된 [[MCP]]
+<li> [[모바일AP]] + [[DRAM]]+Flash이 결합된 [[MCP]]
 <ol>
 <li>[[모바일AP]] 발열 [[방열]]을 위해
@@ 248번째 줄: / 184번째 줄: @@
 <li> [[MCP]] = 4GB [[DRAM]] + 64GB [[Flash]]
 <ol>
-<li>맨 밑에서부터 보면, 2다이로 2층(아마 4GB DRAM), 그 위에 작은 플래시제어기 IC와 큰 다이 2층(64GB Flash)
+<li>맨 밑에서부터 보면, 2다이로 2층(아마 4GB [[DRAM]]), 그 위에 작은 플래시제어기 IC와 큰 다이 2층(64GB [[Flash Memory]])
 <li>총 7다이
 </ol>
@@ 271번째 줄: / 207번째 줄: @@
 image:redmi_note6pro_016.jpg | Qualcomm WCN3980
 </gallery>
-<li> [[Xtal세라믹]] 공진기
+<li> [[세라믹 패키지 수정 공진기]]
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_022.jpg | 솔더링 면 캐비티에 [[NTC 온도센서]]
 </gallery>
-<li>(추정) [[가속도]] 및 [[자이로]]
+<li>(추정) [[가속도센서]] 및 [[자이로센서]]
 <ol>
 <li>불에 태우고, 물속에서 초음파세척하니 뚜껑이 떨어지고, 일부 MEMS 구조체가 깨졌다.
-<li>다이 구성. PCB 위에 판독IC, 위에 실리콘 스페이서 더미 다이, 위에 한쪽은 가속도, 한쪽은 자이로
+<li>다이 구성. PCB 위에 판독IC, 위에 실리콘 스페이서 더미 다이, 위에 한쪽은 [[가속도센서]], 한쪽은 [[자이로센서]]
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_024_001.jpg
 </gallery>
-<li>작은 다이, 자이로 센서로 추정
+<li>작은 다이, [[자이로센서]]로 추정
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_024_002.jpg
@@ 289번째 줄: / 225번째 줄: @@
 image:redmi_note6pro_024_005.jpg
 </gallery>
-<li>큰 다이, 가속도 센서로 추정
+<li>큰 다이, [[가속도센서]]로 추정
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_024_006.jpg
@@ 332번째 줄: / 268번째 줄: @@
 image:redmi_note6pro_013.jpg
 </gallery>
-<li> [[튜너블C]]
+<li> [[튜너블 커패시터]]
 <ol>
 <li>동일한 모델이 위쪽 메인 PCB에도 있고,
@@ 350번째 줄: / 286번째 줄: @@
 <gallery>
 image:redmi_note6pro_018.jpg | RF5212A
-image:redmi_note6pro_018_001.jpg | BGA IC 3개, MLCC 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다.
+image:redmi_note6pro_018_001.jpg | BGA IC 3개, [[MLCC]] 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다.
 </gallery>
 <li> [[트랜시버 IC]], Qualcomm SDR660