1년, 321일, 21시간, 58분 - Togotech

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SAW-핸드폰DPX  
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SAW-핸드폰DPX
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<li> [[전자부품]]
 
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<li> [[SAW대문]]
 
<li> [[SAW대문]]
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<ol>
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<li> [[SAW-핸드폰DPX]] - 이 페이지
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<li>참고
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<li> [[FEMiD]]
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<li> [[PAM]]
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<li> [[PAMiD]]
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</ol>
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<li>필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
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<li>3.8x3.8mm 필터를 사용함.
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<li> U-100 2003.10.1 마킹된 휴대폰보드에서
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image:u_100_016.jpg
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image:u_100_017.jpg | Tx, Rx필터로 duplexer 만드는 법
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<li>9.5x7.5mm
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<li>3.0x3.0mm 필터를 사용함.
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<li>삼성전기, 개발품(?) 모델명 모름
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<li>이 상태로 있길래
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image:saw_dpx9575_02_001.jpg
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image:saw_dpx9575_02_003.jpg
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<li>깡통을 벗기니
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image:saw_dpx9575_02_004.jpg
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<li>3.0x3.0mm 쏘필터를 다시 납땜해서
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image:saw_dpx9575_02_005.jpg | 왼쪽 881, 오른쪽 836
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image:saw_dpx9575_02_006.png
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<li>쏘필터 뚜껑을 벗기니
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image:saw_dpx9575_02_007.jpg
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image:saw_dpx9575_02_008.jpg | 왼쪽 881, 오른쪽 836
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image:saw_dpx9575_02_009.jpg | X881 50
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image:saw_dpx9575_02_010.jpg | X836 50
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image:saw_dpx9575_02_011.jpg
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</ol>
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<li>삼성전기, 개발품(?)
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<li>이 상태로 발견. X881XH, X836XH로 추정. 2000년 172로트
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image:saw_dpx9575_03_001.jpg
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image:saw_dpx9575_03_002.png
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</ol>
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</ol>
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<li>후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4
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<ol>
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<li>제품규격서
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<ol>
 +
<li> - 12p
 +
<li> - 15p
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</ol>
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<li> [[StarTAC]] 휴대폰에서
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image:startac01_002.jpg | B면
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image:startac01_006.jpg | [[PAM]] [[커플러]]
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image:startac01_005.jpg | 아래:ANT, 왼쪽:Tx, 오른쪽:Rx
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image:startac01_007.jpg
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</ol>
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<li>삼성전기 X836KP - 2001년 제품
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<ol>
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<li>어떤 측정치구
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image:saw_dpx9575_00_001.jpg
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<li>자재 및 공정
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<ol>
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<li>사용 패키지와 리드(8.0x6.0mm) 비교
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image:lid_ausn10_005.jpg
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image:lid_ausn10_006.jpg
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image:lid_ausn10_007.jpg
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 +
<li>융착 결과 - AuSn 두께가 30um으로 두꺼워야 하는 이유. 패키지가 크면 warpage가 커, 빈공간을 메워야 하므로
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image:lid_ausn10_008.jpg
 +
image:lid_ausn10_009.jpg
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</ol>
 +
<li>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교
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<gallery>
 +
image:saw_dpx9575_02_012.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
 +
image:saw_dpx9575_02_013.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
 +
</gallery>
 +
<li>[[포켓WiFi]]에서 사용된 2.0x1.6mm 제품과 비교하기 위해 분해
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<ol>
 +
<li>비교 사진
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image:saw_dpx9575_01_001.jpg
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image:saw_dpx9575_01_002.jpg
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image:saw_dpx9575_01_003.jpg
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image:saw_dpx9575_01_004.jpg
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image:saw_dpx9575_01_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>칩 전체
 +
<gallery>
 +
image:saw_dpx9575_01_006.jpg | Rx(881.5MHz)
 +
image:saw_dpx9575_01_007.jpg | Tx(836.5MHz)
 +
</gallery>
 +
<li>확대
 +
<gallery>
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image:saw_dpx9575_01_008.jpg
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image:saw_dpx9575_01_009.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>더 확대
 +
<gallery>
 +
image:saw_dpx9575_01_010.jpg | 주기: 4.27um - Rx(881.5MHz)
 +
image:saw_dpx9575_01_011.jpg | 위쪽 주기: 4.56um - Tx(836.5MHz)
 +
</gallery>
 +
<li>무라타 2016과 비교
 +
<gallery>
 +
image:saw_dpx9575_01_012.jpg
 +
image:saw_dpx9575_01_013.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Rx 칩에서, HWP 폰트(유니코드 문자코드 263B, Black Smiling Face)로 만든 패턴인듯.
 +
<gallery>
 +
image:saw_dpx9575_01_014.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>5.0x5.0mm
 +
<ol>
 +
<li>Fujitsu
 +
<ol>
 +
<li>제품규격서
 +
<ol>
 +
<li> - 9p
 +
</ol>
 +
<li>2005.05 제조 [[싸이버뱅크 CP-X310]] PDA폰
 +
<gallery>
 +
image:cp_x310_028_001.jpg
 +
image:cp_x310_029.jpg | M5 마킹
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</gallery>
 +
<li> [[LG-SD1250]] 2003년 3월 제조된 [[핸드폰]]에서
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<ol>
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<li>외관
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<gallery>
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image:lg_sd1250_006.jpg
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image:lg_sd1250_007.jpg | RF단
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image:lg_sd1250_008.jpg | Fujitsu, 836.5/881.5MHz Duplexer, 5.0x5.0mm
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</gallery>
 +
<li>내부
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<gallery>
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image:lg_sd1250_008_001.jpg | 알루미늄 웨지 [[와이어본딩]]
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image:lg_sd1250_008_002.jpg | 실버에폭시 다이본딩
 +
image:lg_sd1250_008_003.jpg | MHA622-03, 다이 크기 2.37x1.96mm
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</gallery>
 +
<li>불에 달궈 다이를 뜯음
 +
<gallery>
 +
image:lg_sd1250_008_004.jpg | 다이를 뜯어내기 위해 빨갛게 달군 후(검정 물질은 땜납 Sn이 산화되면 이렇게 부피가 커지는 듯)
 +
image:lg_sd1250_008_005.jpg | 측면 다이싱
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>3.8x3.8mm
 +
<ol>
 +
<li>삼성전기
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<ol>
 +
<li>LTCC, 캐비티 패키지, KYH
 +
<gallery>
 +
image:saw_dpx3838_01_001.jpg | 이 상태로 존재함
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image:saw_dpx3838_01_002.jpg
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</gallery>
 +
<li>팬택 & 큐리텔 [[PT-L2200]] 피처폰에서
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<ol>
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<li>SFXG65KC401, Korea PCS(Tx 1765MHz Rx 1855MHz), China 2006 190lot
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image:pt_l2200_013.jpg | FCI 7214 [[PAM]] -> 무라타 [[아이솔레이터]] -> DPX
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image:pt_l2200_014.jpg
 +
image:pt_l2200_015.jpg | LTCC 6층 적층
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</gallery>
 +
<li>뚜껑을 벗기고
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<gallery>
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image:pt_l2200_016.jpg
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image:pt_l2200_017.jpg | 빨강화살표 전극 - 괜히 넣었다. isolation 특성을 저해한다. 파랑화살표 본딩 - Rx와 Tx를 연결하는 와이어를 공통으로 찍었기 때문에 isolation 특성을 저해한다.
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image:pt_l2200_018.jpg | XG65KC4, KYH 씨 설계로 추정
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</gallery>
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<li>불에 태우면
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image:pt_l2200_018_001.jpg
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image:pt_l2200_018_002.jpg
 +
image:pt_l2200_018_003.jpg
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</ol>
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<li>K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상
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</ol>
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<li>Fujitsu
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<ol>
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<li>FAR-D5CF-881M50-D1F1
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<ol>
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<li>2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 [[IM-U110]] 피처폰
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<ol>
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<li>외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
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image:im_u110_018.jpg
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image:im_u110_018_001.jpg | [[LTCC 제품]] 패키지 위에 가장자리에만 AuSn[[솔더]]가 발라진 평탄한 뚜껑(lid)를 눌러서 납땜하였다.
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</gallery>
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<li>뚜껑(lid)을 벗기면
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image:im_u110_018_002.jpg | [[Al 웨지 와이어본딩]]
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image:im_u110_018_003.jpg | 패키지 4코너에 접지용 비아가 있다.
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</gallery>
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<li>다이 관찰
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<gallery>
 +
image:im_u110_018_004.jpg | Tx 다이에는 5개 본딩, Rx 다이는 10개 본딩
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image:im_u110_018_005.jpg | 유기물 오염
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</gallery>
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<li> [[EMI]] 차폐를 강화시킨 밑면 [[접지]] 패턴
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image:im_u110_018_006.jpg | ANT Tx Rx 단자 위치. 패키지 밑면 T자 접지에 납땜하지 않았다.
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image:im_u110_018_007.jpg | 갈아낸 후 전극 모양
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</gallery>
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<li>패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 [[SAW필터에서 초전성]] 때문에 쉽게 녹는다.
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image:im_u110_018_008.jpg
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image:im_u110_018_009.jpg
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</gallery>
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</ol>
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</ol>
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</ol>
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<li>Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic)
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<ol>
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<li>데이타시트
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<li>2006.10 출시 삼성 월드로밍 [[SCH-V920]] 슬라이드 피처폰
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<ol>
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<li>기술정보
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<ol>
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<li>내부 패턴을 보면 Epcos 설계와 매우 유사
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</ol>
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<li>CDMA, Fc=836.5/881.5MHz, 모델명 EFSD836Mxx
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image:sch_v920_025.jpg
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image:sch_v920_025_001.jpg
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image:sch_v920_025_002.jpg
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image:sch_v920_025_003.jpg | D83FL 88 HR
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image:sch_v920_025_004.jpg
 +
image:sch_v920_025_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>J-CDMA, fc=856.5/911.5MHz, 모델명 EFSD911MD1 또는 EFSD911MD2
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<gallery>
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image:sch_v920_026.jpg
 +
image:sch_v920_026_001.jpg
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image:sch_v920_026_002.jpg
 +
image:sch_v920_026_003.jpg | A8590G12P
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</gallery>
 +
</ol>
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<li>2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 [[canU701D]]에서
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<ol>
 +
<li>외관
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image:canu701d_011.jpg | Qualcomm RFT6100 Tx IC, FCI 7214 PAM, Matsushita EFSD1765D2S3 SAW DPX, FCI 7510 LNA, Qualcomm RFR6000 Rx IC
 +
image:canu701d_012.jpg
 +
image:canu701d_013.jpg | EFSD1765D2S3, Matsushita Electronic Components Co., Ltd.(Osaka) LCR Device Company, Ceramic Business Unit, 2003년 규격서에서
 +
</gallery>
 +
<li>측정
 +
<gallery>
 +
image:canu701d_024.jpg
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image:canu701d_025.png
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</gallery>
 +
<li>기밀성 테스트(문제 없다.) 및 온도 특성
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<gallery>
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image:canu701d_026.jpg
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image:canu701d_027.jpg
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image:canu701d_028.png | 약 130도씨
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</gallery>
 +
<li>납땜 단자 고착 강도
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<gallery>
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image:canu701d_029.jpg | 땜납이 떨어진다. LTCC 전극 고착강도가 무척 높다.
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</gallery>
 +
<li>다이
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image:canu701d_030.jpg | AuSn 리드를 칼로 뜯어낸 후
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image:canu701d_031.jpg | 리버스(칩을 2nd 본딩), 알루미늄 웨지 와이어본딩
 +
image:canu701d_032.jpg | 모든 IDT가 C 직렬연결
 +
</gallery>
 +
<li>현미경 촬영 거리를 줄이기 위해, 다이를 뜯어내기 위해, 빨갛게 달궈 Ag 에폭시 접착력을 떨어뜨려 다이를 뜯어냄
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<gallery>
 +
image:canu701d_033.jpg | 우물 자국은 이물질이 폭발한 듯
 +
image:canu701d_034.jpg | 단단한 전극인듯, 산화물 보호막이 있는 듯
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz
 +
<ol>
 +
<li>규격서 - 6p
 +
<li> [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<ol>
 +
<li>SAWTEK 856331, W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
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<gallery>
 +
image:ms500_01_026.jpg | [[안테나]]와 DPX와의 경로 중간에 [[안테나 커넥터 스위치]]가 있다.
 +
</gallery>
 +
<li>주파수 특성
 +
<gallery>
 +
image:ms500_01_027.jpg
 +
image:ms500_01_027_001.png | 광대역 특성
 +
image:ms500_01_027_002.png | 통과대역 특성
 +
image:ms500_01_027_003.png | 3포트 반사 특성
 +
image:ms500_01_027_004.png | 3포트 매칭
 +
image:ms500_01_027_005.png | Tx/Rx ladder 필터의 지연시간 약 20nsec
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</gallery>
 +
<li>뚜껑 열기(delidding)
 +
<gallery>
 +
image:ms500_01_028.jpg | [[Au 볼 와이어본딩]]에서 와이어가 [[직선 도선 인덕터]]로 동작한다.
 +
image:ms500_01_029.jpg | 왼쪽과 오른쪽 두 패턴 사이를 [[차폐]]하기 위한 Y자 접지 패턴이 이채롭다.
 +
</gallery>
 +
<li>패턴
 +
<gallery>
 +
image:ms500_01_030.jpg | 위쪽이 Tx 패턴일 듯
 +
image:ms500_01_031.jpg | [[정전기]] 파괴
 +
image:ms500_01_032.jpg | 정전기 파괴
 +
image:ms500_01_033.jpg | 글꼴 설계, M자는 [[Copyright]]
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>3.2x2.5mm
 +
<ol>
 +
<li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm [[LTCC 기판]] 캐비티 구리전극, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
 +
<ol>
 +
<li>2008년 1월 제조된 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
 +
<ol>
 +
<li>리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻)
 +
<gallery>
 +
image:sh170_052.jpg
 +
image:sh170_053.jpg
 +
image:sh170_054.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>AuSn 실링
 +
<gallery>
 +
image:sh170_055.jpg
 +
image:sh170_056.jpg | 검정색 칩, 이젝트핀 자국
 +
image:sh170_057.jpg
 +
image:sh170_058.jpg | 기판 구리전극이 뜯어졌다. 칩에서 보호막 두께가 달라 색상이 달리 보인다.
 +
</gallery>
 +
<li>다이 패턴
 +
<gallery>
 +
image:sh170_059.jpg | W734-A1
 +
image:sh170_060.jpg
 +
image:sh170_061.jpg
 +
image:sh170_062.jpg | 융착온도 때문에 금속 확산
 +
</gallery>
 +
<li>어떤 칩 [[다이싱]] 단면
 +
<gallery>
 +
image:sh170_063.jpg | 한쪽면
 +
image:sh170_064.jpg | 같은 칩에서 그 반대 한쪽면
 +
image:sh170_065.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2008.04 제조 삼성 [[SPH-W4700]] 슬라이드 피처폰
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:w4700_020.jpg
 +
image:w4700_021.jpg | Au-Sn [[솔더]]로 리드 실링
 +
</gallery>
 +
<li> [[플립본딩]]
 +
<gallery>
 +
image:w4700_022.jpg | 검정색 다이, 다이 중앙에 이젝트핀 자국
 +
image:w4700_023.jpg
 +
image:w4700_024.jpg | [[LTCC 기판]]은 구리전극에 캐비티 형태
 +
</gallery>
 +
<li>칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
 +
<gallery>
 +
image:w4700_025.jpg | W734-A1, 가중 weighting 전극
 +
</gallery>
 +
<li>칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
 +
<gallery>
 +
image:w4700_026.jpg | 가중 weighting 전극
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>3.0x2.5mm
 +
<ol>
 +
<li>엡코스
 +
<ol>
 +
<li>2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 [[SCH-B8850D]]
 +
<ol>
 +
<li>두 개 제품 외관
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_019.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>위 사진에서 왼쪽에 있는 7662 마킹, 1765/1855MHz Korea PCS용
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_019_7662_001.jpg
 +
image:sch_b8850d_019_7662_002.jpg | 주기 2.17um 1855MHz라면 4025m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>오른쪽에 있는 A21 마킹, 836.5/881.5MHz용
 +
<ol>
 +
<li>다이 패턴
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_019_a21_001.jpg | 위치 1,2,3
 +
image:sch_b8850d_019_a21_002.jpg | 위치 1 주기 4.38um 881MHz라면 3860m/sec
 +
image:sch_b8850d_019_a21_003.jpg | 위치 2 주기 4.63um
 +
image:sch_b8850d_019_a21_004.jpg | 위치 3 주기 4.825um 836MHz라면 4030m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>다이 뒷면을 빨갛게 가열한 후
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_019_a21_005.jpg
 +
image:sch_b8850d_019_a21_006.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>후지쯔
 +
<ol>
 +
<li>제품규격서
 +
<ol>
 +
<li> - 11p
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>밸러스 Rx, SJB(송진백)
 +
<gallery>
 +
image:saw_dpx3025_01_001.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>2.5x2.0mm
 
<li>2.5x2.0mm
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>3G 통신모듈에서. 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
+
<li>와이솔
 +
<ol>
 +
<li>2010/10 삼성 [[GT-B6520]] 휴대폰에서
 +
<ol>
 +
<li>위치
 +
<gallery>
 +
image:gt_b6520_012.jpg | SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치
 +
</gallery>
 +
<li>2번 [[SAW-핸드폰DPX]] 2.5x2.0mm, 와이솔 제품
 +
<gallery>
 +
image:gt_b6520_016.jpg | 칩 두께가 서로 다르다.
 +
image:gt_b6520_016_001.jpg | XG50PD5-MP6 Rx HJD
 +
image:gt_b6520_016_002.jpg | XG50PD5-MP? Tx HJD
 +
</gallery>
 +
<li>3번 [[SAW-핸드폰DPX]] 2.5x2.0mm, 와이솔(?) 제품
 +
<gallery>
 +
image:gt_b6520_017.jpg | 칩 두께가 서로 다르다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>Epcos
 +
<ol>
 +
<li>2011.02 출시 삼성 와이즈 [[SHW-A240S]] 폴더 피처폰
 +
<ol>
 +
<li>W-CDMA Band1(1950/2140MHz), Epcos 제조, 모델명 B7696(B39212B7696M810)
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:shw_a240s_013.jpg | 왼쪽에 있는 모자형태 패키지. 가장자리에 접지 비아가 많다. 18+14+4=36개
 +
</gallery>
 +
<li>은전극을 사용한 [[LTCC 제품]]으로, 솔더 [[플립본딩]]되어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:shw_a240s_013_001.jpg | 은전극 기둥인 [[접지]] 비아가 쉽게 뽑힌다.
 +
</gallery>
 +
<li>SAW 다이
 +
<gallery>
 +
image:shw_a240s_013_002.jpg | LR81H 마킹, Bevel cut 때문에 가장자리에 검은 테두리가 보인다.
 +
image:shw_a240s_013_003.jpg | Rx파트 주기: 1.84um 2140MHz라면 3940m/sec
 +
image:shw_a240s_013_004.jpg | Tx파트 주기: 1.98um 1950MHz라면 3860m/sec
 +
</gallery>
 +
<li> [[다이싱]]은 Bevel cut
 +
<gallery>
 +
image:shw_a240s_013_005.jpg
 +
image:shw_a240s_013_006.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]]
 +
<ol>
 +
<li>칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_058.jpg
 +
image:shv_e210k_059.jpg | 레이저 마킹 판독성을 높이깅 위해 검정 니켈 [[도금]]
 +
</gallery>
 +
<li> [[LTCC 기판]]
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_060.jpg | SAW 다이가 있을 때. 접지 비아가 무척 많다.
 +
image:shv_e210k_060_000.jpg | SAW 다이를 제거한 후
 +
</gallery>
 +
<li>다이 패턴
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_060_001.jpg | 솔더볼
 +
image:shv_e210k_060_002.jpg | 정전기로 파괴된 3군데 확대 영역
 +
</gallery>
 +
<li>[[정전기]] 파괴 영역1
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_060_003.jpg
 +
image:shv_e210k_060_004.jpg
 +
image:shv_e210k_060_005.jpg
 +
image:shv_e210k_060_006.jpg | 주기 2.33um, 3900m/s라면 약 1675MHz
 +
</gallery>
 +
<li>[[정전기]] 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_060_007.jpg
 +
image:shv_e210k_060_008.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[정전기]] 파괴 영역3
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_060_009.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[다이싱]], V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.)
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_060_010.jpg
 +
image:shv_e210k_060_011.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>무라타
 +
<ol>
 +
<li>2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 [[SCH-B8850D]] , 2.5x2.0mm, 마킹 DP S24, J-CDMA(851, 906)로 추정
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_020.jpg
 +
image:sch_b8850d_020_000.jpg | ㄷ자 패턴으로 L 형성
 +
</gallery>
 +
<li>다이1
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_020_001_001.jpg
 +
image:sch_b8850d_020_001_002.jpg | 주기 4.18um, 906MHz라면 3790m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>다이2
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_020_002_001.jpg
 +
image:sch_b8850d_020_002_002.jpg | 주기 4.49um, 851MHz라면 3820m/sec
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[3G통신모듈]]에서
 +
<ol>
 +
<li>한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>통신모듈
 
<li>통신모듈
46번째 줄: 598번째 줄:
 
image:saw_dpx2520_01_010.jpg
 
image:saw_dpx2520_01_010.jpg
 
image:saw_dpx2520_01_014.jpg | probing 바늘 자국. 밀리지 않아 거의 원형이다.
 
image:saw_dpx2520_01_014.jpg | probing 바늘 자국. 밀리지 않아 거의 원형이다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>Triquint
 +
<ol>
 +
<li>CDMA 1x EV-DO USB Modem
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:3g_module03_003.jpg
 +
image:3g_module03_003_017.png
 +
image:3g_module03_003_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
 +
<gallery>
 +
image:3g_module03_003_008.jpg
 +
image:3g_module03_003_009.jpg
 +
image:3g_module03_003_010.jpg
 +
image:3g_module03_003_011.jpg
 +
image:3g_module03_003_012.jpg
 +
image:3g_module03_003_014.jpg | Tx필터 813077C AC
 +
image:3g_module03_003_015.jpg | Rx필터 813256
 +
image:3g_module03_003_016.jpg | 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2.0x1.6mm
 +
<ol>
 +
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]]
 +
<ol>
 +
<li>메인보드에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005.jpg | Epcos 2016 도금타입 CSP
 +
image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
 +
</gallery>
 +
<li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_003.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_004.jpg | 위에서 볼 때
 +
image:iphone5s01_136_005_005.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_006.jpg | 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
 +
image:iphone5s01_136_005_007.jpg | AISGC 또는 AI56C
 +
image:iphone5s01_136_005_008.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2014.07 제조 [[LG-F460S]] LG G3 Cat.6 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_010.jpg | #1~#26 위치
 +
image:lg_f460s_015.jpg | 왼쪽 2.0x1.6mm (유사크기) 5개 모두가 [[SAW-핸드폰DPX]]인듯
 +
</gallery>
 +
<li>#4 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<ol>
 +
<li>보라색 [[알루미나 기판]] 위에 [[전기도금 주조]]로 만든 [[PCB-L]] 인덕터가 보인다.
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_001.jpg | 왼쪽 DPX는 다이 뒷면이 거칠어 뿌였다. 오른쪽이 이번 분석품으로 다이가 투명하다. 투명한 다이 아래로 인덕터가 보인다.
 +
image:lg_f460s_015_001_002.jpg | 다이를 뜯어보면, 인덕터 4개가 보인다.
 +
image:lg_f460s_015_001_003.jpg | 왼쪽 DPX 다이도 경사지게 사진찍으면 투명하게 보인다. 인덕터 두께
 +
</gallery>
 +
<li>다이 AC09B
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_004.jpg | 위쪽은 Rx 패턴, 아래는 Tx 패턴
 +
</gallery>
 +
<li>IDT 패턴
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_005.jpg
 +
image:lg_f460s_015_001_006.jpg | 주기 1.87um, ~2.1GHz
 +
image:lg_f460s_015_001_008.jpg | apodized IDT
 +
</gallery>
 +
<li> [[IC 표식]]에서 레이어 공정 표식(5-layer인듯) 및 [[광학 해상도 차트]]
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_007.jpg
 +
image:lg_f460s_015_001_009.jpg | 이 회사 [[포토마스크]] CAD 프로그램은 구멍 뚫린 폰트 적용은 허용 안되는 듯.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>#5 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_001.jpg | 왼쪽 다이가 해당된다.
 +
</gallery>
 +
<li>#6, 2.0x1,6mm, HTCC [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_007_001.jpg | 무라타 DY89A1
 +
image:lg_f460s_015_007_002.jpg | 마주보는 전극이 녹는 곳과 녹지 않는 곳이 나누어진다.
 +
image:lg_f460s_015_007_003.jpg | 전극면적이 작은곳이 녹지 않는다.
 +
</gallery>
 +
<li>#8 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]], 무라타 제조
 +
<ol>
 +
<li>기판 뒷면에서
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_003_001.jpg | 솔더링 패드를 제거하고(PCB 동박 1층을 제거한 후). 많은 비아는 모두 접지와 연결되는 [[실드 비아]]이다.
 +
image:lg_f460s_015_003_002.jpg | 쏘필터 패턴이 보일 때까지 PCB를 깍아보면. 4층 PCB를 사용
 +
</gallery>
 +
<li>Tx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_003_003.jpg
 +
image:lg_f460s_015_003_004.jpg | 시간당 온도차이가 커져 [[ESD 손상]]
 +
image:lg_f460s_015_003_005.jpg | [[ESD 손상]]
 +
</gallery>
 +
<li>Rx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_003_006.jpg | 유기물 코팅으로 3차원 배선용 절연막으로 사용했다.
 +
image:lg_f460s_015_003_007.jpg | DMS 패턴 부근에서, 저항을 낮추기 위한 두꺼운 배선 형태
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>#14 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]], 무라타 제조
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_014_001.jpg | Rx, CN72A1, 금속 총면적이 작은 곳은 멀쩡한다.
 +
image:lg_f460s_015_014_002.jpg | Tx, 여기서 맨 아래 왼쪽을 보면
 +
image:lg_f460s_015_014_003.jpg | 금속 총면적이 작은 곳(위쪽 IDT)은 비교적 멀쩡한다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2015 [[LG-F570S]] LG Band Play 에서
 +
<ol>
 +
<li>#5, 마킹 PMKY
 +
<ol>
 +
<li>가장 오른쪽, 와이솔 제품
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[알루미나 기판]]
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_007.jpg | 왼쪽이 Tx, 오른쪽이 Rx
 +
</gallery>
 +
<li> [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_008.jpg
 +
image:lg_f570s_040_009.jpg | Tx 다이, X836AZ2 Tx MP3 PDC
 +
image:lg_f570s_040_010.jpg
 +
image:lg_f570s_040_011.jpg | Rx 다이, X836AZ2 Rx MP4 PDC
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>#6, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm, 마킹 kA? 4A, PCB 기판
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이1
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_001.jpg | CY40-A2
 +
image:lg_f570s_040_002.jpg | [[IC 표식]] 山, 한자 메 산, 일본발음 야마
 +
image:lg_f570s_040_003.jpg | 주기: 1.90um 3900msec 라면 2053MHz, 직렬만 이렇게 설계된 듯
 +
image:lg_f570s_040_004.jpg | 병렬 레조네이터에만 이렇게 설계된 듯
 +
</gallery>
 +
<li>다이2
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_005.jpg | DH90-A2
 +
image:lg_f570s_040_006.jpg | 주기 1.78um 3900m/sec라면 2190MHz, 모든 IDT가 이렇게 설계됨.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>#7, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm, 마킹 WAd @2M
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040.jpg | 왼쪽에서 두 번째, 세라믹 기판 사용품
 +
</gallery>
 +
<li>SAW 다이1
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_021.jpg | DW71-A1
 +
image:lg_f570s_040_022.jpg | x150 대물렌즈, 주기 1.99um 3900m/s라면 중심주파수는 1960MHz
 +
</gallery>
 +
<li>SAW 다이2
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_023.jpg
 +
image:lg_f570s_040_024.jpg | x100 대물렌즈에서, 주기 2.14um 속도 3900m/sec라면 중심주파수는 1822MHz
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>#8, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm, 마킹 mAb 4Q
 +
<ol>
 +
<li>외형
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040.jpg | 왼쪽, PCB 기판
 +
</gallery>
 +
<li>Tx 다이
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_012.jpg | DQ56-A1
 +
image:lg_f570s_040_016.jpg | 주기 1.972um, 탭 폭이 넓다.
 +
</gallery>
 +
<li>Rx 다이
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_013.jpg | CU40-A2
 +
image:lg_f570s_040_014.jpg | [[정전기]] 파괴 패턴, 오른쪽 lateral IDT가 더 많고 withdrawl 전극 1개 있다.
 +
image:lg_f570s_040_015.jpg | 주기 1.835um
 +
</gallery>
 +
<li> [[와이어본딩]] 기술처럼, 플립본딩된 범프볼 관찰
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_017.jpg | 다이, 기판
 +
image:lg_f570s_040_018.jpg | 다이를 바라볼 때 / 패키지를 바라볼 때
 +
image:lg_f570s_040_019.jpg | 패키지를 바라볼 때
 +
</gallery>
 +
<li>도금용 [[타이바]]가 없는 [[유기물기판]]이다.
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_040_020.jpg | 4층 무전해도금 PCB
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>#9, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm DPX, 마킹 7T0 91\, Epcos, 구리 기둥 제품
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_041.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_041_001.jpg | 4각형 가장자리 프레임 벽이 있고, 가운데에 구리기둥 3개 있다. 다이를 손톱으로 누르면 쉽게 깨진다. (다이가 얇기 때문이다.)
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image:lg_f570s_041_002.jpg
 +
image:lg_f570s_041_003.jpg | 다이에서 만든 것이 아니라, 패키지에 만든 기둥이다. 다이와 접촉한다.
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image:lg_f570s_041_004.jpg | AF92B(거울대칭으로 처리함)
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image:lg_f570s_041_005.jpg | 주기 2.08um (~1875MHz)
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</gallery>
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</ol>
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</ol>
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<li>한국 SK텔레콤용 [[포켓WiFi]]에서 사용된 무라타 850/1800MHz
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<ol>
 +
<li>2.0x1.6mm 1800MHz용
 +
<ol>
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<li>외형
 +
<gallery>
 +
image:mobile_router01_017.jpg
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</gallery>
 +
<li>내부
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<gallery>
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image:mobile_router01_017_001.jpg | 왼쪽 Tx, 오른쪽 Rx
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image:mobile_router01_017_002.jpg | Rx 아래 - 밸런스 출력
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</gallery>
 +
<li>Rx 칩
 +
<gallery>
 +
image:mobile_router01_017_003.jpg
 +
image:mobile_router01_017_004.jpg
 +
image:mobile_router01_017_005.jpg
 +
image:mobile_router01_017_006.jpg | interdigitated C(IDT C)
 +
image:mobile_router01_017_007.jpg | 절연
 +
image:mobile_router01_017_008.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Tx 칩에서
 +
<gallery>
 +
image:mobile_router01_017_009.jpg
 +
image:mobile_router01_017_010.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>칩에서 범프볼(와이어가 길게 존재함)
 +
<ol>
 +
</ol><gallery>
 +
image:mobile_router01_017_011.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>2.0x1.6mm  850MHz용
 +
<ol>
 +
<li>외형
 +
<gallery>
 +
image:mobile_router01_018.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Rx 칩
 +
<gallery>
 +
image:saw_dpx2016_01_001.jpg
 +
image:saw_dpx2016_01_003.jpg
 +
image:saw_dpx2016_01_007.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Tx 칩
 +
<gallery>
 +
image:saw_dpx2016_01_002.jpg
 +
image:saw_dpx2016_01_004.jpg
 +
image:saw_dpx2016_01_005.jpg
 +
image:saw_dpx2016_01_006.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
 +
<ol>
 +
<li>#09, Epcos
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note6pro_013_009_001.jpg
 +
image:redmi_note6pro_013_009_002.jpg
 +
image:redmi_note6pro_013_009_003.jpg | 직렬 6폴 패턴
 +
image:redmi_note6pro_013_009_004.jpg | 오염 물질
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>1.8x1.4mm
 +
<ol>
 +
<li>크기 비교 사진
 +
<ol>
 +
<li>9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
 +
<ol>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
 +
<gallery>
 +
image:saw_dpx9575_02_012.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual [[PAMiD]])?
 +
<ol>
 +
<li>모듈에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_001_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_001_002.jpg
 +
image:iphone5s01_136_001_003.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2016.01 출시 삼성 [[SM-A710S]] 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>[[PAM]] 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_075.jpg | 주변 매칭소자가 많다.
 +
image:a710s01_076.jpg
 +
image:a710s01_076_001.jpg | 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
 +
</gallery>
 +
<li>몰딩 수지를 벗기면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_076_002.jpg
 +
image:a710s01_076_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>솔더 [[플립본딩]]된 다이를 [[알루미나 기판]]에서 분리하면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_076_004.jpg
 +
image:a710s01_076_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_076_006.jpg
 +
image:a710s01_076_007.jpg
 +
image:a710s01_076_008.jpg | 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um
 +
image:a710s01_076_009.jpg
 +
image:a710s01_076_010.jpg | [[TEG]] 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에
 +
<ol>
 +
<li>위치한 곳 및 외관
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_005_003.jpg | 위치
 +
image:a710s01_026.jpg | 1.8x1.4mm
 +
</gallery>
 +
<li>표면 상단 수지막을 벗기면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_027.jpg
 +
image:a710s01_028.jpg | 다이 뒷면이 거칠지 않다.
 +
image:a710s01_029.jpg | 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.
 +
image:a710s01_030.jpg | [[EMC]]에서 둥근 실리카 필러 관찰
 +
</gallery>
 +
<li>[[알루미나 기판]]에서 다이 분리
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_031.jpg
 +
image:a710s01_032.jpg
 +
image:a710s01_033.jpg | 구리 [[도금]]
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, 7개 사용하는데,
 +
<ol>
 +
<li>Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP [[SMR]]-[BAW]] 참조
 +
<li>Murata 1.55x1.15mm 한 개 (아래 참조)
 +
<li>Taiyo Yuden 5개 - 1개 FBAR+SAW조합, 1개 [[사파이어]]접합, 3개 SAW
 +
<ol>
 +
<li>주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_188.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>측면
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_188_001.jpg | 두께가 다르다.
 +
image:redmi_note4x_188_002.jpg | 금속이 세라믹보다 두꺼운 이유는 세라믹을 자른 후 도금을 했기 때문에다.
 +
image:redmi_note4x_188_003.jpg | 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.
 +
</gallery>
 +
<li>701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
 +
<ol>
 +
<li>주파수 파형
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz
 +
</gallery>
 +
<li>Tx필터 온도 특성 실험-1
 +
<ol>
 +
<li>치구 준비
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_001.jpg | 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함
 +
image:redmi_note4x_189_001_001.png | 주파수 특성 그래프
 +
</gallery>
 +
<li>가열 냄비 준비
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_002.jpg
 +
image:redmi_note4x_189_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[과불소화 액체]]는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_004.jpg | Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.
 +
image:redmi_note4x_189_005.jpg | 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,
 +
image:redmi_note4x_189_006.jpg
 +
image:redmi_note4x_189_007.jpg | 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림
 +
</gallery>
 +
<li>실험 방법
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_008.jpg | 별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함
 +
image:redmi_note4x_189_009.jpg | 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림
 +
</gallery>
 +
<li>5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 [[tcf-ibw.txt]]
 +
<li>엑셀 데이터
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_010.png | 온도프로파일
 +
image:redmi_note4x_189_011.png | 피크이득
 +
image:redmi_note4x_189_012.png | -10dB 중심주파수
 +
image:redmi_note4x_189_013.png | -30ppm 온도계수를 갖는다.
 +
image:redmi_note4x_189_014.png | 대역폭
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
 +
<ol>
 +
<li>30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_015.png
 +
</gallery>
 +
<li>그래프
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_016.png | 30~130도씨 온도프로파일
 +
image:redmi_note4x_189_017.png | 피크이득
 +
image:redmi_note4x_189_018.png | -10dB 중심주파수
 +
image:redmi_note4x_189_019.png | -33ppm 온도계수를 갖는다.
 +
image:redmi_note4x_189_020.png | 대역폭
 +
</gallery>
 +
<li>사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
 +
</ol>
 +
<li>다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
 +
<ol>
 +
<li>SAW + BAW 조합이다.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_021.jpg
 +
image:redmi_note4x_189_022.jpg | Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.
 +
</gallery>
 +
<li>F-BAR baw 필터
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_023.jpg | W868-08
 +
image:redmi_note4x_189_024.jpg | 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함
 +
</gallery>
 +
<li>공진기 #1~#6
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_025.jpg | #1
 +
image:redmi_note4x_189_026.jpg | #2
 +
image:redmi_note4x_189_027.jpg | #3
 +
image:redmi_note4x_189_028.jpg | #4
 +
image:redmi_note4x_189_029.jpg | #5
 +
image:redmi_note4x_189_030.jpg | #6
 +
</gallery>
 +
<li>Rx saw 필터
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_031.jpg | W1895-14
 +
image:redmi_note4x_189_032.jpg | 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
 +
<ol>
 +
<li>주파수 파형
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_190.png | 1877MHz
 +
</gallery>
 +
<li>땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_190_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[사파이어]]+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_190_002.jpg | 초경에 긁히지 않는 것으로 보아 [[사파이어]] 맞다.
 +
image:redmi_note4x_190_003.jpg
 +
image:redmi_note4x_190_004.jpg | LT두께 20um+[[사파이어]]두께 250um, 레이저 펀칭7번, 간격 약 27um
 +
</gallery>
 +
<li>다이를 뜯어냄
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_190_005.jpg | 밀어보니, 레이저 다이싱에 문제가 있어, [[사파이어]]가 깨진다.
 +
image:redmi_note4x_190_006.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Rx
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_190_007.jpg | X077-22
 +
image:redmi_note4x_190_008.jpg | 주기:1.98um x 1960MHz = 3880m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>Tx:1880MHz
 +
<ol>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_190_009.jpg | X019-21
 +
image:redmi_note4x_190_009_001.jpg | 배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해
 +
</gallery>
 +
<li>withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_190_009_002.jpg | 굵은 전극이 궁금해서
 +
image:redmi_note4x_190_010.jpg | 주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec
 +
image:redmi_note4x_190_010_001.jpg | 굵은 전극 형태
 +
</gallery>
 +
<li>90도로 배열된 C패턴
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_190_011.jpg
 +
image:redmi_note4x_190_012.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>7A4, LTE Band1
 +
<ol>
 +
<li>주파수 파형
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_191.png | 1950MHz
 +
</gallery>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_191_001.jpg
 +
image:redmi_note4x_191_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Rx
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_191_003.jpg | Rx 다이, V8151-31
 +
image:redmi_note4x_191_004.jpg | Rx 어느 패턴에서 주기: 1.865um 2140MHz 쏘속도 3990m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>Tx
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_191_005.jpg | Tx 다이
 +
image:redmi_note4x_191_006.jpg | Tx 어느 패턴에서 주기: 1.949um 1950MHz 쏘속도 3800m/sec
 +
image:redmi_note4x_191_007.jpg | 우측 상단, 90도 돌아간 C전용 패턴에서 주기: 1.695um
 +
image:redmi_note4x_191_008.jpg | 좌측 하단, 90도 돌아간 C전용 직렬 패턴에서 주기:1.65um. 굳이 직렬로 C를 만들 이유는 내전압 때문이다. (칩 위아래로만 초전이 발생되므로 길게 연결된 패턴 때문에)
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
 +
<ol>
 +
<li>주파수 파형
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_192.png | 897.5MHz
 +
</gallery>
 +
<li>다이 내부
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_192_001.jpg | 트위저로 금속 뚜껑을 누르면서 작업했는데 다이가 깨져 있다. 리드와 다이 뒷면이 붙어 있지 않다.
 +
image:redmi_note4x_192_002.jpg | 풀칠
 +
image:redmi_note4x_192_003.jpg | 풀칠 수
 +
image:redmi_note4x_192_004.jpg | 다이 분리
 +
image:redmi_note4x_192_005.jpg | 다이
 +
image:redmi_note4x_192_006.jpg | Rx 다이, 주기: 4.12um 942.5MHz 3880m/sec
 +
image:redmi_note4x_192_007.jpg | Tx 다이, 주기: 4.28um 897.5MHz 3840m/sec
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>7E4, LTE Band5
 +
<ol>
 +
<li>주파수 파형
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_193.png | 836.5MHz
 +
</gallery>
 +
<li>다이 내부
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_193_001.jpg | 다이 뒷면 밝기가 달리 보인다.
 +
image:redmi_note4x_193_002.jpg | 다이를 작게 할 수 없어, 벽이 얇아졌다.
 +
image:redmi_note4x_193_003.jpg
 +
image:redmi_note4x_193_004.jpg | 기판 전극표면이 비교적 평탄하다.
 +
image:redmi_note4x_193_005.jpg | 본딩이 쉽게 떨어진다.(그렇게 플립본딩한 듯)
 +
image:redmi_note4x_193_006.jpg | Rx 881.5MHz, 주기: 4.46um (쏘속도 3930m/sec)
 +
image:redmi_note4x_193_007.jpg | Tx 836.5MHz, 어느 전극에서, 윗쪽 주기 4.60um, 아래쪽 주기 4.58um (쏘속도 3850m/sec)
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
 +
<ol>
 +
<li>#11, Kyocera, K202 마킹
 +
<ol>
 +
<li>참고 Kyocera SD18 시리즈에서
 +
<ol>
 +
<li>SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
 +
<li>Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
 +
</ol>
 +
<li>불에 태워서
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note6pro_013_011_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>T(Tx로 추정) B20 601 마킹
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note6pro_013_011_002.jpg
 +
image:redmi_note6pro_013_011_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>R(Rx로 추정) B20 722 마킹
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note6pro_013_011_004.jpg
 +
image:redmi_note6pro_013_011_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>의견
 +
<ol>
 +
<li>처음보는 [[HTCC]] 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
 +
<li>타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
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<li>보호막이 없다고 생각됨.
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<li>솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
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</ol>
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</ol>
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<li>#10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
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image:redmi_note6pro_013_010_001.jpg | [[사파이어]]+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다.
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image:redmi_note6pro_013_010_002.jpg | 얇은 LT가 깨져 세라믹 기판에 붙어 있다.
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image:redmi_note6pro_013_010_003.jpg | Y199-23 얇은 LT가 깨졌다.
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image:redmi_note6pro_013_010_004.jpg | Y196-09
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<li>#12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
 +
<gallery>
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image:redmi_note6pro_013_012_001.jpg
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image:redmi_note6pro_013_012_002.jpg
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image:redmi_note6pro_013_012_003.jpg | [[사파이어]]+LT 접합 다이, X857 -06
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</gallery>
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<li>#13, Murata, GY35-A1
 +
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image:redmi_note6pro_013_013_001.jpg | 불에 태워서
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image:redmi_note6pro_013_013_002.jpg | 본딩된 전극 손상이 크다. [[SAW필터에서 초전성]]
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</ol>
 +
</ol>
 +
<li>1.55x1.15mm
 +
<ol>
 +
<li>크기 비교 사진
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<ol>
 +
<li>9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
 +
<ol>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm
 +
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image:saw_dpx9575_02_013.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
 +
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</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
 +
<ol>
 +
<li>Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
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image:redmi_note4x_127.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>패키징
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image:redmi_note4x_127_001.jpg | 패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm  여유 0.33mm 및 0.31mm
 +
image:redmi_note4x_127_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_127_003.jpg | EK18
 +
image:redmi_note4x_127_004.jpg | 주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>1.4x1.1mm
 +
<ol>
 +
<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
 +
<ol>
 +
<li>#8, Epcos
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note6pro_013_008_001.jpg
 
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2023년 1월 4일 (수) 21:11 기준 최신판

SAW-핸드폰DPX

  1. 전자부품
    1. SAW대문
      1. SAW-핸드폰DPX - 이 페이지
      2. 참고
        1. FEMiD
        2. PAM
        3. PAMiD
  2. 필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
    1. 3.8x3.8mm 필터를 사용함.
      1. U-100 2003.10.1 마킹된 휴대폰보드에서
        • u 100 001.jpg
        • u 100 014.jpg
        • u 100 015.jpg
        • u 100 016.jpg

        • Tx, Rx필터로 duplexer 만드는 법

  3. 9.5x7.5mm
    1. 3.0x3.0mm 필터를 사용함.
      1. 삼성전기, 개발품(?) 모델명 모름
        1. 이 상태로 있길래
          • saw dpx9575 02 001.jpg
          • saw dpx9575 02 002.png
          • saw dpx9575 02 003.jpg
        2. 깡통을 벗기니
          • saw dpx9575 02 004.jpg
        3. 3.0x3.0mm 쏘필터를 다시 납땜해서

          • 왼쪽 881, 오른쪽 836

          • saw dpx9575 02 006.png
        4. 쏘필터 뚜껑을 벗기니
          • saw dpx9575 02 007.jpg

          • 왼쪽 881, 오른쪽 836

          • X881 50

          • X836 50

          • saw dpx9575 02 011.jpg
      2. 삼성전기, 개발품(?)
        1. 이 상태로 발견. X881XH, X836XH로 추정. 2000년 172로트
          • saw dpx9575 03 001.jpg
          • saw dpx9575 03 002.png
    2. 후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4
      1. 제품규격서
        1. - 12p
        2. - 15p
      2. StarTAC 휴대폰에서
    3. 삼성전기 X836KP - 2001년 제품
      1. 어떤 측정치구
        • saw dpx9575 00 001.jpg
      2. 자재 및 공정
        1. 사용 패키지와 리드(8.0x6.0mm) 비교
          • lid ausn10 005.jpg
          • lid ausn10 006.jpg
          • lid ausn10 007.jpg
        2. 융착 결과 - AuSn 두께가 30um으로 두꺼워야 하는 이유. 패키지가 크면 warpage가 커, 빈공간을 메워야 하므로
          • lid ausn10 008.jpg
          • lid ausn10 009.jpg
      4. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교

        • 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm

        • 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm

      5. 포켓WiFi에서 사용된 2.0x1.6mm 제품과 비교하기 위해 분해
        1. 비교 사진
          • saw dpx9575 01 001.jpg
          • saw dpx9575 01 002.jpg
          • saw dpx9575 01 003.jpg
          • saw dpx9575 01 004.jpg
          • saw dpx9575 01 005.jpg
        2. 칩 전체

          • Rx(881.5MHz)

          • Tx(836.5MHz)

        3. 확대
          • saw dpx9575 01 008.jpg
          • saw dpx9575 01 009.jpg
        4. 더 확대

          • 주기: 4.27um - Rx(881.5MHz)

          • 위쪽 주기: 4.56um - Tx(836.5MHz)

        5. 무라타 2016과 비교
          • saw dpx9575 01 012.jpg
          • saw dpx9575 01 013.jpg
        6. Rx 칩에서, HWP 폰트(유니코드 문자코드 263B, Black Smiling Face)로 만든 패턴인듯.
          • saw dpx9575 01 014.jpg
  4. 5.0x5.0mm
    1. Fujitsu
      1. 제품규격서
        1. - 9p
      2. 2005.05 제조 싸이버뱅크 CP-X310 PDA폰
        • cp x310 028 001.jpg

        • M5 마킹

      3. LG-SD1250 2003년 3월 제조된 핸드폰에서
        1. 외관
          • lg sd1250 006.jpg

          • RF단

          • Fujitsu, 836.5/881.5MHz Duplexer, 5.0x5.0mm

        2. 내부

          • 알루미늄 웨지 와이어본딩

          • 실버에폭시 다이본딩

          • MHA622-03, 다이 크기 2.37x1.96mm

        3. 불에 달궈 다이를 뜯음

          • 다이를 뜯어내기 위해 빨갛게 달군 후(검정 물질은 땜납 Sn이 산화되면 이렇게 부피가 커지는 듯)

          • 측면 다이싱

  5. 3.8x3.8mm
    1. 삼성전기
      1. LTCC, 캐비티 패키지, KYH

        • 이 상태로 존재함

        • saw dpx3838 01 002.jpg
      2. 팬택 & 큐리텔 PT-L2200 피처폰에서
        1. SFXG65KC401, Korea PCS(Tx 1765MHz Rx 1855MHz), China 2006 190lot
        2. 뚜껑을 벗기고
          • pt l2200 016.jpg

          • 빨강화살표 전극 - 괜히 넣었다. isolation 특성을 저해한다. 파랑화살표 본딩 - Rx와 Tx를 연결하는 와이어를 공통으로 찍었기 때문에 isolation 특성을 저해한다.

          • XG65KC4, KYH 씨 설계로 추정

        3. 불에 태우면
          • pt l2200 018 001.jpg
          • pt l2200 018 002.jpg
          • pt l2200 018 003.jpg
      3. K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상
    2. Fujitsu
      1. FAR-D5CF-881M50-D1F1
        1. 2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰
          1. 외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
            • im u110 018.jpg

            • LTCC 제품 패키지 위에 가장자리에만 AuSn솔더가 발라진 평탄한 뚜껑(lid)를 눌러서 납땜하였다.

          2. 뚜껑(lid)을 벗기면
          3. 다이 관찰

            • Tx 다이에는 5개 본딩, Rx 다이는 10개 본딩

            • 유기물 오염

          4. EMI 차폐를 강화시킨 밑면 접지 패턴

            • ANT Tx Rx 단자 위치. 패키지 밑면 T자 접지에 납땜하지 않았다.

            • 갈아낸 후 전극 모양

          5. 패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 SAW필터에서 초전성 때문에 쉽게 녹는다.
            • im u110 018 008.jpg
            • im u110 018 009.jpg
    3. Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic)
      1. 데이타시트
      2. 2006.10 출시 삼성 월드로밍 SCH-V920 슬라이드 피처폰
        1. 기술정보
          1. 내부 패턴을 보면 Epcos 설계와 매우 유사
        2. CDMA, Fc=836.5/881.5MHz, 모델명 EFSD836Mxx
          • sch v920 025.jpg
          • sch v920 025 001.jpg
          • sch v920 025 002.jpg

          • D83FL 88 HR

          • sch v920 025 004.jpg
          • sch v920 025 005.jpg
        3. J-CDMA, fc=856.5/911.5MHz, 모델명 EFSD911MD1 또는 EFSD911MD2
          • sch v920 026.jpg
          • sch v920 026 001.jpg
          • sch v920 026 002.jpg

          • A8590G12P

      3. 2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 canU701D에서
        1. 외관

          • Qualcomm RFT6100 Tx IC, FCI 7214 PAM, Matsushita EFSD1765D2S3 SAW DPX, FCI 7510 LNA, Qualcomm RFR6000 Rx IC

          • canu701d 012.jpg

          • EFSD1765D2S3, Matsushita Electronic Components Co., Ltd.(Osaka) LCR Device Company, Ceramic Business Unit, 2003년 규격서에서

        2. 측정
          • canu701d 024.jpg
          • canu701d 025.png
        3. 기밀성 테스트(문제 없다.) 및 온도 특성
          • canu701d 026.jpg
          • canu701d 027.jpg

          • 약 130도씨

        4. 납땜 단자 고착 강도

          • 땜납이 떨어진다. LTCC 전극 고착강도가 무척 높다.

        5. 다이

          • AuSn 리드를 칼로 뜯어낸 후

          • 리버스(칩을 2nd 본딩), 알루미늄 웨지 와이어본딩

          • 모든 IDT가 C 직렬연결

        6. 현미경 촬영 거리를 줄이기 위해, 다이를 뜯어내기 위해, 빨갛게 달궈 Ag 에폭시 접착력을 떨어뜨려 다이를 뜯어냄

          • 우물 자국은 이물질이 폭발한 듯

          • 단단한 전극인듯, 산화물 보호막이 있는 듯

    4. SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz
      1. 규격서 - 6p
      2. SAW-핸드폰DPX
        1. SAWTEK 856331, W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
        2. 주파수 특성
          • ms500 01 027.jpg

          • 광대역 특성

          • 통과대역 특성

          • 3포트 반사 특성

          • 3포트 매칭

          • Tx/Rx ladder 필터의 지연시간 약 20nsec

        3. 뚜껑 열기(delidding)
        4. 패턴

          • 위쪽이 Tx 패턴일 듯

          • 정전기 파괴

          • 정전기 파괴

          • 글꼴 설계, M자는 Copyright

  6. 3.2x2.5mm
    1. 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 기판 캐비티 구리전극, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
      1. 2008년 1월 제조된 LG-SH170 슬라이드 피처폰
        1. 리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻)
          • sh170 052.jpg
          • sh170 053.jpg
          • sh170 054.jpg
        2. AuSn 실링
          • sh170 055.jpg

          • 검정색 칩, 이젝트핀 자국

          • sh170 057.jpg

          • 기판 구리전극이 뜯어졌다. 칩에서 보호막 두께가 달라 색상이 달리 보인다.

        3. 다이 패턴

          • W734-A1

          • sh170 060.jpg
          • sh170 061.jpg

          • 융착온도 때문에 금속 확산

        4. 어떤 칩 다이싱 단면

          • 한쪽면

          • 같은 칩에서 그 반대 한쪽면

          • sh170 065.jpg
      2. 2008.04 제조 삼성 SPH-W4700 슬라이드 피처폰
        1. 외관
          • w4700 020.jpg

          • Au-Sn 솔더로 리드 실링

        2. 플립본딩

          • 검정색 다이, 다이 중앙에 이젝트핀 자국

          • w4700 023.jpg

          • LTCC 기판은 구리전극에 캐비티 형태

        3. 칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임

          • W734-A1, 가중 weighting 전극

        4. 칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임

          • 가중 weighting 전극

  7. 3.0x2.5mm
    1. 엡코스
      1. 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D
        1. 두 개 제품 외관
          • sch b8850d 019.jpg
        2. 위 사진에서 왼쪽에 있는 7662 마킹, 1765/1855MHz Korea PCS용
          • sch b8850d 019 7662 001.jpg

          • 주기 2.17um 1855MHz라면 4025m/sec

        3. 오른쪽에 있는 A21 마킹, 836.5/881.5MHz용
          1. 다이 패턴

            • 위치 1,2,3

            • 위치 1 주기 4.38um 881MHz라면 3860m/sec

            • 위치 2 주기 4.63um

            • 위치 3 주기 4.825um 836MHz라면 4030m/sec

          2. 다이 뒷면을 빨갛게 가열한 후
            • sch b8850d 019 a21 005.jpg
            • sch b8850d 019 a21 006.jpg
    2. 후지쯔
      1. 제품규격서
        1. - 11p
    3. 밸러스 Rx, SJB(송진백)
      • saw dpx3025 01 001.jpg
  8. 2.5x2.0mm
    1. 와이솔
      1. 2010/10 삼성 GT-B6520 휴대폰에서
        1. 위치

          • SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치

        2. 2번 SAW-핸드폰DPX 2.5x2.0mm, 와이솔 제품

          • 칩 두께가 서로 다르다.

          • XG50PD5-MP6 Rx HJD

          • XG50PD5-MP? Tx HJD

        3. 3번 SAW-핸드폰DPX 2.5x2.0mm, 와이솔(?) 제품

          • 칩 두께가 서로 다르다.

    2. Epcos
      1. 2011.02 출시 삼성 와이즈 SHW-A240S 폴더 피처폰
        1. W-CDMA Band1(1950/2140MHz), Epcos 제조, 모델명 B7696(B39212B7696M810)
          1. 외관

            • 왼쪽에 있는 모자형태 패키지. 가장자리에 접지 비아가 많다. 18+14+4=36개

          2. 은전극을 사용한 LTCC 제품으로, 솔더 플립본딩되어 있다.

            • 은전극 기둥인 접지 비아가 쉽게 뽑힌다.

          3. SAW 다이

            • LR81H 마킹, Bevel cut 때문에 가장자리에 검은 테두리가 보인다.

            • Rx파트 주기: 1.84um 2140MHz라면 3940m/sec

            • Tx파트 주기: 1.98um 1950MHz라면 3860m/sec

          4. 다이싱은 Bevel cut
            • shw a240s 013 005.jpg
            • shw a240s 013 006.jpg
      2. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K
        1. 칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
          1. 외관
            • shv e210k 058.jpg

            • 레이저 마킹 판독성을 높이깅 위해 검정 니켈 도금

          2. LTCC 기판

            • SAW 다이가 있을 때. 접지 비아가 무척 많다.

            • SAW 다이를 제거한 후

          3. 다이 패턴

            • 솔더볼

            • 정전기로 파괴된 3군데 확대 영역

          4. 정전기 파괴 영역1
            • shv e210k 060 003.jpg
            • shv e210k 060 004.jpg
            • shv e210k 060 005.jpg

            • 주기 2.33um, 3900m/s라면 약 1675MHz

          5. 정전기 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
            • shv e210k 060 007.jpg
            • shv e210k 060 008.jpg
          6. 정전기 파괴 영역3
            • shv e210k 060 009.jpg
          7. 다이싱, V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.)
            • shv e210k 060 010.jpg
            • shv e210k 060 011.jpg
    3. 무라타
      1. 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D , 2.5x2.0mm, 마킹 DP S24, J-CDMA(851, 906)로 추정
        1. 외관
          • sch b8850d 020.jpg

          • ㄷ자 패턴으로 L 형성

        2. 다이1
          • sch b8850d 020 001 001.jpg

          • 주기 4.18um, 906MHz라면 3790m/sec

        3. 다이2
          • sch b8850d 020 002 001.jpg

          • 주기 4.49um, 851MHz라면 3820m/sec

      2. 3G통신모듈에서
        1. 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
          1. 통신모듈

            • RF 면

            • QSC6240

          2. 외관
            • 3g module01 017.jpg
            • 3g module01 018.jpg
          3. 에폭시를 제거하면

            • Rx, Tx

            • Tx 칩이 더 얇다. 먼저 본딩했다.

          4. 칩 뜯는 방법

            • 위로 올라가지 않게 위에서 누른다.

            • 칼날을 밀어 넣기 전

            • 칼날을 밀어 넣은 후

          5. 패키지와 칩. Tx칩은 큰 내전력이 요구되므로, Rx칩과 공정이 달라, 표면 구조가 다르기 때문에 다른 빛깔로 관찰된다.
            • saw dpx2520 01 006.jpg
          6. Rx 칩. 아래 중앙이 Ant, 아래 좌우가 diffential out(좌우 대칭)

            • 왼쪽 육교 패턴 일부는 높아서, 칼에 의해 잘린 흔적이 보인다.

            • saw dpx2520 01 011.jpg
            • saw dpx2520 01 012.jpg
            • saw dpx2520 01 013.jpg

            • 정렬키와 (갈색)보호막

          7. Tx 칩

            • Tx

            • 1폴 공진기로 등가회로

            • saw dpx2520 01 009.jpg
            • saw dpx2520 01 010.jpg

            • probing 바늘 자국. 밀리지 않아 거의 원형이다.

    4. Triquint
      1. CDMA 1x EV-DO USB Modem
        1. 외관
          • 3g module03 003.jpg
          • 3g module03 003 017.png
          • 3g module03 003 001.jpg
        2. Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
          • 3g module03 003 008.jpg
          • 3g module03 003 009.jpg
          • 3g module03 003 010.jpg
          • 3g module03 003 011.jpg
          • 3g module03 003 012.jpg

          • Tx필터 813077C AC

          • Rx필터 813256

          • 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴

  9. 2.0x1.6mm
    1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
      1. Avago A790720, Dual PAMiD
        1. 메인보드에서

          • Epcos 2016 도금타입 CSP

          • 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.

        2. CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
          • iphone5s01 136 005 002.jpg
        3. Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP SAW-핸드폰DPX
          • iphone5s01 136 005 003.jpg

          • 위에서 볼 때

          • iphone5s01 136 005 005.jpg

          • 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.

          • AISGC 또는 AI56C

          • iphone5s01 136 005 008.jpg
    2. 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
      1. 전체
          1. 1~#26 위치

        • 왼쪽 2.0x1.6mm (유사크기) 5개 모두가 SAW-핸드폰DPX인듯

      2. #4 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX
        1. 보라색 알루미나 기판 위에 전기도금 주조로 만든 PCB-L 인덕터가 보인다.

          • 왼쪽 DPX는 다이 뒷면이 거칠어 뿌였다. 오른쪽이 이번 분석품으로 다이가 투명하다. 투명한 다이 아래로 인덕터가 보인다.

          • 다이를 뜯어보면, 인덕터 4개가 보인다.

          • 왼쪽 DPX 다이도 경사지게 사진찍으면 투명하게 보인다. 인덕터 두께

        2. 다이 AC09B

          • 위쪽은 Rx 패턴, 아래는 Tx 패턴

        3. IDT 패턴
          • lg f460s 015 001 005.jpg

          • 주기 1.87um, ~2.1GHz

          • apodized IDT

        4. IC 표식에서 레이어 공정 표식(5-layer인듯) 및 광학 해상도 차트
          • lg f460s 015 001 007.jpg

          • 이 회사 포토마스크 CAD 프로그램은 구멍 뚫린 폰트 적용은 허용 안되는 듯.

      3. #5 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX

        • 왼쪽 다이가 해당된다.

      4. #6, 2.0x1,6mm, HTCC SAW-핸드폰DPX

        • 무라타 DY89A1

        • 마주보는 전극이 녹는 곳과 녹지 않는 곳이 나누어진다.

        • 전극면적이 작은곳이 녹지 않는다.

      5. #8 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX, 무라타 제조
        1. 기판 뒷면에서

          • 솔더링 패드를 제거하고(PCB 동박 1층을 제거한 후). 많은 비아는 모두 접지와 연결되는 실드 비아이다.

          • 쏘필터 패턴이 보일 때까지 PCB를 깍아보면. 4층 PCB를 사용

        2. Tx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
        3. Rx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함

          • 유기물 코팅으로 3차원 배선용 절연막으로 사용했다.

          • DMS 패턴 부근에서, 저항을 낮추기 위한 두꺼운 배선 형태

      6. #14 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX, 무라타 제조

        • Rx, CN72A1, 금속 총면적이 작은 곳은 멀쩡한다.

        • Tx, 여기서 맨 아래 왼쪽을 보면

        • 금속 총면적이 작은 곳(위쪽 IDT)은 비교적 멀쩡한다.

    3. 2015 LG-F570S LG Band Play 에서
      1. #5, 마킹 PMKY
        1. 가장 오른쪽, 와이솔 제품
          • lg f570s 040.jpg
        2. 알루미나 기판

          • 왼쪽이 Tx, 오른쪽이 Rx

        3. SAW-핸드폰DPX
          • lg f570s 040 008.jpg

          • Tx 다이, X836AZ2 Tx MP3 PDC

          • lg f570s 040 010.jpg

          • Rx 다이, X836AZ2 Rx MP4 PDC

      2. #6, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 kA? 4A, PCB 기판
        1. 외관
          • lg f570s 040.jpg
        2. 다이1

          • CY40-A2

          • IC 표식 山, 한자 메 산, 일본발음 야마

          • 주기: 1.90um 3900msec 라면 2053MHz, 직렬만 이렇게 설계된 듯

          • 병렬 레조네이터에만 이렇게 설계된 듯

        3. 다이2

          • DH90-A2

          • 주기 1.78um 3900m/sec라면 2190MHz, 모든 IDT가 이렇게 설계됨.

      3. #7, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 WAd @2M
        1. 외관

          • 왼쪽에서 두 번째, 세라믹 기판 사용품

        2. SAW 다이1

          • DW71-A1

          • x150 대물렌즈, 주기 1.99um 3900m/s라면 중심주파수는 1960MHz

        3. SAW 다이2
          • lg f570s 040 023.jpg

          • x100 대물렌즈에서, 주기 2.14um 속도 3900m/sec라면 중심주파수는 1822MHz

      4. #8, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 mAb 4Q
        1. 외형

          • 왼쪽, PCB 기판

        2. Tx 다이

          • DQ56-A1

          • 주기 1.972um, 탭 폭이 넓다.

        3. Rx 다이

          • CU40-A2

          • 정전기 파괴 패턴, 오른쪽 lateral IDT가 더 많고 withdrawl 전극 1개 있다.

          • 주기 1.835um

        4. 와이어본딩 기술처럼, 플립본딩된 범프볼 관찰

          • 다이, 기판

          • 다이를 바라볼 때 / 패키지를 바라볼 때

          • 패키지를 바라볼 때

        5. 도금용 타이바가 없는 유기물기판이다.

          • 4층 무전해도금 PCB

      5. #9, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm DPX, 마킹 7T0 91\, Epcos, 구리 기둥 제품
        1. 외관
          • lg f570s 041.jpg
        2. 다이

          • 4각형 가장자리 프레임 벽이 있고, 가운데에 구리기둥 3개 있다. 다이를 손톱으로 누르면 쉽게 깨진다. (다이가 얇기 때문이다.)

          • lg f570s 041 002.jpg

          • 다이에서 만든 것이 아니라, 패키지에 만든 기둥이다. 다이와 접촉한다.

          • AF92B(거울대칭으로 처리함)

          • 주기 2.08um (~1875MHz)

    4. 한국 SK텔레콤용 포켓WiFi에서 사용된 무라타 850/1800MHz
      1. 2.0x1.6mm 1800MHz용
        1. 외형
          • mobile router01 017.jpg
        2. 내부

          • 왼쪽 Tx, 오른쪽 Rx

          • Rx 아래 - 밸런스 출력

        3. Rx 칩
          • mobile router01 017 003.jpg
          • mobile router01 017 004.jpg
          • mobile router01 017 005.jpg

          • interdigitated C(IDT C)

          • 절연

          • mobile router01 017 008.jpg
        4. Tx 칩에서
          • mobile router01 017 009.jpg
          • mobile router01 017 010.jpg
        5. 칩에서 범프볼(와이어가 길게 존재함)
          • mobile router01 017 011.jpg
        6. 2.0x1.6mm 850MHz용
          1. 외형
            • mobile router01 018.jpg
          2. Rx 칩
            • saw dpx2016 01 001.jpg
            • saw dpx2016 01 003.jpg
            • saw dpx2016 01 007.jpg
          3. Tx 칩
            • saw dpx2016 01 002.jpg
            • saw dpx2016 01 004.jpg
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            • saw dpx2016 01 006.jpg
      2. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
        1. #09, Epcos
          • redmi note6pro 013 009 001.jpg
          • redmi note6pro 013 009 002.jpg

          • 직렬 6폴 패턴

          • 오염 물질

    5. 1.8x1.4mm
      1. 크기 비교 사진
        1. 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
          1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
            • saw dpx9575 02 012.jpg
      2. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
        1. Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
          1. 모듈에서
            • iphone5s01 136 001.jpg
            • iphone5s01 136 001 001.jpg
          2. 1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP SAW-핸드폰DPX
            • iphone5s01 136 001 002.jpg
            • iphone5s01 136 001 003.jpg
      3. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
        1. PAM 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
          1. 외관

            • 주변 매칭소자가 많다.

            • a710s01 076.jpg

            • 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.

          2. 몰딩 수지를 벗기면
            • a710s01 076 002.jpg
            • a710s01 076 003.jpg
          3. 솔더 플립본딩된 다이를 알루미나 기판에서 분리하면
            • a710s01 076 004.jpg
            • a710s01 076 005.jpg
          4. 다이
            • a710s01 076 006.jpg
            • a710s01 076 007.jpg

            • 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um

            • a710s01 076 009.jpg

            • TEG 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴

        2. Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에
          1. 위치한 곳 및 외관

            • 위치

            • 1.8x1.4mm

          2. 표면 상단 수지막을 벗기면
            • a710s01 027.jpg

            • 다이 뒷면이 거칠지 않다.

            • 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.

            • EMC에서 둥근 실리카 필러 관찰

          3. 알루미나 기판에서 다이 분리
      4. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, 7개 사용하는데,
        1. Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 참조
        2. Murata 1.55x1.15mm 한 개 (아래 참조)
        3. Taiyo Yuden 5개 - 1개 FBAR+SAW조합, 1개 사파이어접합, 3개 SAW
          1. 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
            • redmi note4x 188.jpg
          2. 측면

            • 두께가 다르다.

            • 금속이 세라믹보다 두꺼운 이유는 세라믹을 자른 후 도금을 했기 때문에다.

            • 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.

          3. 701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
            1. 주파수 파형

              • 2535MHz

            2. Tx필터 온도 특성 실험-1
              1. 치구 준비

                • 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함

                • 주파수 특성 그래프

              2. 가열 냄비 준비
                • redmi note4x 189 002.jpg
                • redmi note4x 189 003.jpg
              3. 과불소화 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.

                • Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.

                • 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,

                • redmi note4x 189 006.jpg

                • 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림

              4. 실험 방법

                • 별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함

                • 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림

              5. 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
              6. 엑셀 데이터

                • 온도프로파일

                • 피크이득

                • -10dB 중심주파수

                • -30ppm 온도계수를 갖는다.

                • 대역폭

            3. Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
              1. 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
                • redmi note4x 189 015.png
              2. 그래프

                • 30~130도씨 온도프로파일

                • 피크이득

                • -10dB 중심주파수

                • -33ppm 온도계수를 갖는다.

                • 대역폭

              3. 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
            4. 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
              1. SAW + BAW 조합이다.
                • redmi note4x 189 021.jpg

                • Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.

              2. F-BAR baw 필터

                • W868-08

                • 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함

              3. 공진기 #1~#6
                  1. 1
                  1. 2
                  1. 3
                  1. 4
                  1. 5
                  1. 6
              4. Rx saw 필터

                • W1895-14

                • 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec

          4. 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
            1. 주파수 파형

              • 1877MHz

            2. 땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
              • redmi note4x 190 001.jpg
            3. 사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.

              • 초경에 긁히지 않는 것으로 보아 사파이어 맞다.

              • redmi note4x 190 003.jpg

              • LT두께 20um+사파이어두께 250um, 레이저 펀칭7번, 간격 약 27um

            4. 다이를 뜯어냄

              • 밀어보니, 레이저 다이싱에 문제가 있어, 사파이어가 깨진다.

              • redmi note4x 190 006.jpg
            5. Rx

              • X077-22

              • 주기:1.98um x 1960MHz = 3880m/sec

            6. Tx:1880MHz
              1. 전체

                • X019-21

                • 배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해

              2. withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.

                • 굵은 전극이 궁금해서

                • 주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec

                • 굵은 전극 형태

              3. 90도로 배열된 C패턴
                • redmi note4x 190 011.jpg
                • redmi note4x 190 012.jpg
          5. 7A4, LTE Band1
            1. 주파수 파형

              • 1950MHz

            2. 전체
              • redmi note4x 191 001.jpg
              • redmi note4x 191 002.jpg
            3. Rx

              • Rx 다이, V8151-31

              • Rx 어느 패턴에서 주기: 1.865um 2140MHz 쏘속도 3990m/sec

            4. Tx

              • Tx 다이

              • Tx 어느 패턴에서 주기: 1.949um 1950MHz 쏘속도 3800m/sec

              • 우측 상단, 90도 돌아간 C전용 패턴에서 주기: 1.695um

              • 좌측 하단, 90도 돌아간 C전용 직렬 패턴에서 주기:1.65um. 굳이 직렬로 C를 만들 이유는 내전압 때문이다. (칩 위아래로만 초전이 발생되므로 길게 연결된 패턴 때문에)

          6. 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
            1. 주파수 파형

              • 897.5MHz

            2. 다이 내부

              • 트위저로 금속 뚜껑을 누르면서 작업했는데 다이가 깨져 있다. 리드와 다이 뒷면이 붙어 있지 않다.

              • 풀칠

              • 풀칠 수

              • 다이 분리

              • 다이

              • Rx 다이, 주기: 4.12um 942.5MHz 3880m/sec

              • Tx 다이, 주기: 4.28um 897.5MHz 3840m/sec

          7. 7E4, LTE Band5
            1. 주파수 파형

              • 836.5MHz

            2. 다이 내부

              • 다이 뒷면 밝기가 달리 보인다.

              • 다이를 작게 할 수 없어, 벽이 얇아졌다.

              • redmi note4x 193 003.jpg

              • 기판 전극표면이 비교적 평탄하다.

              • 본딩이 쉽게 떨어진다.(그렇게 플립본딩한 듯)

              • Rx 881.5MHz, 주기: 4.46um (쏘속도 3930m/sec)

              • Tx 836.5MHz, 어느 전극에서, 윗쪽 주기 4.60um, 아래쪽 주기 4.58um (쏘속도 3850m/sec)

      5. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
        1. #11, Kyocera, K202 마킹
          1. 참고 Kyocera SD18 시리즈에서
            1. SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
            2. Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
          2. 불에 태워서
            • redmi note6pro 013 011 001.jpg
          3. T(Tx로 추정) B20 601 마킹
            • redmi note6pro 013 011 002.jpg
            • redmi note6pro 013 011 003.jpg
          4. R(Rx로 추정) B20 722 마킹
            • redmi note6pro 013 011 004.jpg
            • redmi note6pro 013 011 005.jpg
          5. 의견
            1. 처음보는 HTCC 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
            2. 타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
            3. 보호막이 없다고 생각됨.
            4. 솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
        2. #10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링

          • 사파이어+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다.

          • 얇은 LT가 깨져 세라믹 기판에 붙어 있다.

          • Y199-23 얇은 LT가 깨졌다.

          • Y196-09

        3. #12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
        4. #13, Murata, GY35-A1
    6. 1.55x1.15mm
      1. 크기 비교 사진
        1. 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
          1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm

            • 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm

      2. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
        1. Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
          1. 외관
            • redmi note4x 127.jpg
          2. 패키징

            • 패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm 여유 0.33mm 및 0.31mm

            • redmi note4x 127 002.jpg
          3. 다이

            • EK18

            • 주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)

    7. 1.4x1.1mm
      1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
        1. #8, Epcos
          • redmi note6pro 013 008 001.jpg
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