"SAW duplexer"의 두 판 사이의 차이

2025년 3월 23일 (일) 20:58 기준 최신판

SAW duplexer

전자부품
1. SAW대문
  1. SAW duplexer - 이 페이지
  2. 참고
2. 참고
  1. 필터 정격전력 내전력, 허용전력
필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
1. 3.8x3.8mm 필터를 사용함.
  1. U-100 2003.10.1 마킹된 휴대폰보드에서
    - Tx, Rx필터로 duplexer 만드는 법
9.5x7.5mm
1. 3.0x3.0mm 필터를 사용함.
  1. 삼성전기, 개발품(?) 모델명 모름
    1. 이 상태로 있길래
    2. 깡통을 벗기니
    3. 3.0x3.0mm 쏘필터를 다시 납땜해서
      - 왼쪽 881, 오른쪽 836
    4. 쏘필터 뚜껑을 벗기니
      - 왼쪽 881, 오른쪽 836
      - X881 50
      - X836 50
  2. 삼성전기, 개발품(?)
    1. 이 상태로 발견. X881XH, X836XH로 추정. 2000년 172로트
2. 후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4
  1. 제품규격서
    1. - 12p
    2. - 15p
  2. StarTAC 휴대폰에서
    - B면
    - PAM 커플러
    - 아래:ANT, 왼쪽:Tx, 오른쪽:Rx
3. 삼성전기 X836KP - 2001년 제품
  1. 어떤 측정치구
  2. 자재 및 공정
    1. 사용 패키지와 리드(8.0x6.0mm) 비교
    2. 융착 결과 - AuSn 두께가 30um으로 두꺼워야 하는 이유. 패키지가 크면 warpage가 커, 빈공간을 메워야 하므로
  4. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교
    - 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
    - 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
  5. 포켓WiFi에서 사용된 2.0x1.6mm 제품과 비교하기 위해 분해
    1. 비교 사진
    2. 칩 전체
      - Rx(881.5MHz)
      - Tx(836.5MHz)
    3. 확대
    4. 더 확대
      - 주기: 4.27um - Rx(881.5MHz)
      - 위쪽 주기: 4.56um - Tx(836.5MHz)
    5. 무라타 2016과 비교
    6. Rx 칩에서, HWP 폰트(유니코드 문자코드 263B, Black Smiling Face)로 만든 패턴인듯.
5.0x5.0mm
1. Fujitsu
  1. 2003.03 제조품 LG-SD1250
    1. N4 마킹품(FAR-D5CN-881M50-D1N4), 데이터 시트 - 9p
      - RF단
      - Fujitsu, 836.5/881.5MHz Duplexer, 5.0x5.0mm
    2. 내부
      - Al 웨지 와이어본딩
      - 실버에폭시 다이본딩
      - MHA622-03, 다이 크기 2.37x1.96mm
    3. 불에 달궈 다이를 뜯음
      - 다이를 뜯어내기 위해 빨갛게 달군 후(검정 물질은 땜납 Sn이 산화되면 이렇게 부피가 커지는 듯)
      - 측면 다이싱
  2. 2005.05 제조 싸이버뱅크 CP-X310 PDA폰
    1. M5 마킹품(FAR-D5CM-881M50-D1M5????)
      - 안테나 접점과 바로 연결되는 Fujitsu SAW duplexer
    2. AuSn 솔더로 밀봉된 뚜껑을 벗기면
      - Al 웨지 와이어본딩
    3. 가스토치로 바닥면을 달궈 다이를 뜯어내면
      - Ag 에폭시 도전성 접착제
    4. 다이 패턴
      - S6991-21
      - 가스토치로 바닥을 달구니. 와이어연결된 부위는 덜 변했다.
      - SAW필터에서 초전성
3.8x3.8mm
1. 삼성전기
  1. LTCC, 캐비티 패키지, KYH
    - 이 상태로 존재함
  2. 팬택 & 큐리텔 PT-L2200 피처폰에서
    1. SFXG65KC401, Korea PCS(Tx 1765MHz Rx 1855MHz), China 2006 190lot
      - FCI 7214 PAM -> 무라타 아이솔레이터 -> DPX
      - LTCC 6층 적층
    2. 뚜껑을 벗기고
      - 빨강화살표 전극 - 괜히 넣었다. isolation 특성을 저해한다. 파랑화살표 본딩 - Rx와 Tx를 연결하는 와이어를 공통으로 찍었기 때문에 isolation 특성을 저해한다.
      - XG65KC4, KYH 씨 설계로 추정
    3. 불에 태우면
  3. K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상
2. Fujitsu
  1. FAR-D5CF-881M50-D1F1
    1. 2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰
      1. 외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
        
        LTCC 제품 패키지 위에 가장자리에만 AuSn솔더가 발라진 평탄한 뚜껑(lid)를 눌러서 납땜하였다.
      2. 뚜껑(lid)을 벗기면
        
        Al 웨지 와이어본딩
        
        패키지 4코너에 접지용 비아가 있다.
      3. 다이 관찰
        
        Tx 다이에는 5개 본딩, Rx 다이는 10개 본딩
        
        유기물 오염
      4. EMI 차폐를 강화시킨 밑면 접지 패턴
        
        ANT Tx Rx 단자 위치. 패키지 밑면 T자 접지에 납땜하지 않았다.
        
        갈아낸 후 전극 모양
      5. 패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 SAW필터에서 초전성 때문에 쉽게 녹는다.
3. Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic)
  1. 데이타시트
  2. 2006.10 출시 삼성 월드로밍 SCH-V920 슬라이드 피처폰
    1. 기술정보
      1. 내부 패턴을 보면 Epcos 설계와 매우 유사
    2. CDMA, Fc=836.5/881.5MHz, 모델명 EFSD836Mxx
      - D83FL 88 HR
    3. J-CDMA, fc=856.5/911.5MHz, 모델명 EFSD911MD1 또는 EFSD911MD2
      - A8590G12P
  3. 2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 canU701D에서
    1. 외관
      - Qualcomm RFT6100 Tx IC, FCI 7214 PAM, Matsushita EFSD1765D2S3 SAW DPX, FCI 7510 LNA, Qualcomm RFR6000 Rx IC
      - EFSD1765D2S3, Matsushita Electronic Components Co., Ltd.(Osaka) LCR Device Company, Ceramic Business Unit, 2003년 규격서에서
    2. 측정
    3. 기밀성 테스트(문제 없다.) 및 온도 특성
      - 약 130도씨
    4. 납땜 단자 고착 강도
      - 땜납이 떨어진다. LTCC 전극 고착강도가 무척 높다.
    5. 다이
      - AuSn 리드를 칼로 뜯어낸 후
      - 리버스(칩을 2nd 본딩), 알루미늄 웨지 와이어본딩
      - 모든 IDT가 C 직렬연결
    6. 현미경 촬영 거리를 줄이기 위해, 다이를 뜯어내기 위해, 빨갛게 달궈 Ag 에폭시 접착력을 떨어뜨려 다이를 뜯어냄
      - 우물 자국은 이물질이 폭발한 듯
      - 단단한 전극인듯, 산화물 보호막이 있는 듯
4. SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz
  1. 규격서 - 6p
  2. SAW duplexer
    1. SAWTEK 856331, W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
      - 안테나와 DPX와의 경로 중간에 안테나 커넥터 스위치가 있다.
    2. 주파수 특성
      - 광대역 특성
      - 통과대역 특성
      - 3포트 반사 특성
      - 3포트 매칭
      - Tx/Rx ladder 필터의 지연시간 약 20nsec
    3. 뚜껑 열기(delidding)
      - Au 볼 와이어본딩에서 와이어가 직선 도선 인덕터로 동작한다.
      - 왼쪽과 오른쪽 두 패턴 사이를 차폐하기 위한 Y자 접지 패턴이 이채롭다.
    4. 패턴
      - 위쪽이 Tx 패턴일 듯
      - 정전기 파괴
      - 정전기 파괴
      - 글꼴 설계, M자는 Copyright
3.2x2.5mm
1. 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 기판 캐비티 구리전극, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
  1. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
    1. 리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻)
    2. AuSn 실링
      - 검정색 칩, 이젝트핀 자국
      - 기판 구리전극이 뜯어졌다. 칩에서 보호막 두께가 달라 색상이 달리 보인다.
    3. 다이 패턴
      - W734-A1
      - 융착온도 때문에 금속 확산
    4. 어떤 칩 다이싱 단면
      - 한쪽면
      - 같은 칩에서 그 반대 한쪽면
  2. 2008.04 제조 삼성 SPH-W4700 슬라이드 피처폰
    1. 외관
      - Au-Sn 솔더로 리드 실링
    2. 플립본딩
      - 검정색 다이, 다이 중앙에 이젝트핀 자국
      - LTCC 기판은 구리전극에 캐비티 형태
    3. 칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
      - W734-A1, 가중 weighting 전극
    4. 칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
      - 가중 weighting 전극
3.0x2.5mm
1. 엡코스
  1. 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D
    1. 두 개 제품 외관
    2. 위 사진에서 왼쪽에 있는 7662 마킹, 1765/1855MHz Korea PCS용
      - 주기 2.17um 1855MHz라면 4025m/sec
    3. 오른쪽에 있는 A21 마킹, 836.5/881.5MHz용
      1. 다이 패턴
        
        위치 1,2,3
        
        위치 1 주기 4.38um 881MHz라면 3860m/sec
        
        위치 2 주기 4.63um
        
        위치 3 주기 4.825um 836MHz라면 4030m/sec
      2. 다이 뒷면을 빨갛게 가열한 후
2. 후지쯔
  1. 제품규격서
    1. - 11p
3. 밸러스 Rx, SJB(송진백)
2.5x2.0mm
1. 와이솔
  1. 2010/10 삼성 GT-B6520 휴대폰에서
    1. 위치
      - SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치
    2. 2번 SAW duplexer 2.5x2.0mm, 와이솔 제품
      - 칩 두께가 서로 다르다.
      - XG50PD5-MP6 Rx HJD
      - XG50PD5-MP? Tx HJD
    3. 3번 SAW duplexer 2.5x2.0mm, 와이솔(?) 제품
      - 칩 두께가 서로 다르다.
2. Epcos
  1. 2011.02 출시 삼성 와이즈 SHW-A240S 폴더 피처폰
    1. W-CDMA Band1(1950/2140MHz), Epcos 제조, 모델명 B7696(B39212B7696M810)
      1. 외관
        
        왼쪽에 있는 모자형태 패키지. 가장자리에 접지 비아가 많다. 18+14+4=36개
      2. 은전극을 사용한 LTCC 제품으로, 솔더 플립본딩되어 있다.
        
        은전극 기둥인 접지 비아가 쉽게 뽑힌다.
      3. SAW 다이
        
        LR81H 마킹, Bevel cut 때문에 가장자리에 검은 테두리가 보인다.
        
        Rx파트 주기: 1.84um 2140MHz라면 3940m/sec
        
        Tx파트 주기: 1.98um 1950MHz라면 3860m/sec
      4. 다이싱은 Bevel cut
  2. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K
    1. 칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
      1. 외관
        
        레이저 마킹 판독성을 높이깅 위해 검정 니켈 도금
      2. LTCC 기판
        
        SAW 다이가 있을 때. 접지 비아가 무척 많다.
        
        SAW 다이를 제거한 후
      3. 다이 패턴
        
        솔더볼
        
        정전기로 파괴된 3군데 확대 영역
      4. 정전기 파괴 영역1
        
        주기 2.33um, 3900m/s라면 약 1675MHz
      5. 정전기 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
      6. 정전기 파괴 영역3
      7. 다이싱, V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.)
3. 무라타
  1. 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D , 2.5x2.0mm, 마킹 DP S24, J-CDMA(851, 906)로 추정
    1. 외관
      - ㄷ자 패턴으로 L 형성
    2. 다이1
      - 주기 4.18um, 906MHz라면 3790m/sec
    3. 다이2
      - 주기 4.49um, 851MHz라면 3820m/sec
  2. 2009.12 출시 삼성 SPH-M8400 옴니아2 스마트폰
    1. 마킹 KN S22, US-PCS 1880/1960MHz로 추정. TC-SAW로 추정
    2. 외관 및 2칩 플립본딩
    3. Rx 칩
      - N307-C1
      - 어느 IDT 주기 1.60um 1960MHz라면 3140m/sec
    4. Tx 칩
      - N301-C1
      - 어느 IDT 주기 1.92um 1880MHz라면 3610m/sec
  3. 3G통신모듈에서
    1. 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
      1. 통신모듈
        
        RF 면
        
        QSC6240
      2. 외관
      3. 에폭시를 제거하면
        
        Rx, Tx
        
        Tx 칩이 더 얇다. 먼저 본딩했다.
      4. 칩 뜯는 방법
        
        위로 올라가지 않게 위에서 누른다.
        
        칼날을 밀어 넣기 전
        
        칼날을 밀어 넣은 후
      5. 패키지와 칩. Tx칩은 큰 내전력이 요구되므로, Rx칩과 공정이 달라, 표면 구조가 다르기 때문에 다른 빛깔로 관찰된다.
      6. Rx 칩. 아래 중앙이 Ant, 아래 좌우가 diffential out(좌우 대칭)
        
        왼쪽 육교 패턴 일부는 높아서, 칼에 의해 잘린 흔적이 보인다.
        
        정렬키와 (갈색)보호막
      7. Tx 칩
        
        Tx
        
        1폴 공진기로 등가회로
        
        probing 바늘 자국. 밀리지 않아 거의 원형이다.
4. Triquint
  1. CDMA 1x EV-DO USB Modem
    1. 외관
    2. Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
      - Tx필터 813077C AC
      - Rx필터 813256
      - 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴
2.0x1.6mm
1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
  1. Avago A790720, Dual PAMiD
    1. 메인보드에서
      - Epcos 2016 도금타입 CSP
      - 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
    2. CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
    3. Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP SAW duplexer
      - 위에서 볼 때
      - 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
      - AISGC 또는 AI56C
2. 2013.11 출시 삼성 SHW-A305D 폴더 피처폰
  1. xA 마킹, 무라타 듀플렉서 2.0x1.6mm, US-PCS DPX, 1880/1960MHz
    - 유기물 기판만 벗겨보면
    - BE42-AAAA1, BE09-A2
    - 주기 1.84um Tx 1880MHz 이므로 3460m/sec (TC SAW이므로 속도가 늦다.)
    - 주기 1.86um Rx 1960MHz 이므로 3659m/sec
3. 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
  1. 전체
    - 1~#26 위치
    - 왼쪽 2.0x1.6mm (유사크기) 5개 모두가 SAW duplexer인듯
  2. #4 2.0x1.6mm SAW duplexer
    1. 보라색 알루미나 기판 위에 전기도금 주조로 만든 PCB-L 인덕터가 보인다.
      - 왼쪽 DPX는 다이 뒷면이 거칠어 뿌였다. 오른쪽이 이번 분석품으로 다이가 투명하다. 투명한 다이 아래로 인덕터가 보인다.
      - 다이를 뜯어보면, 인덕터 4개가 보인다.
      - 왼쪽 DPX 다이도 경사지게 사진찍으면 투명하게 보인다. 인덕터 두께
    2. 다이 AC09B
      - 위쪽은 Rx 패턴, 아래는 Tx 패턴
    3. IDT 패턴
      - 주기 1.87um, ~2.1GHz
      - apodized IDT
    4. IC 표식에서 레이어 공정 표식(5-layer인듯) 및 광학 해상도 차트
      - 이 회사 포토마스크 CAD 프로그램은 구멍 뚫린 폰트 적용은 허용 안되는 듯.
  3. #5 2.0x1.6mm SAW duplexer
    - 왼쪽 다이가 해당된다.
  4. #6, 2.0x1,6mm, HTCC SAW duplexer
    - 무라타 DY89A1
    - 마주보는 전극이 녹는 곳과 녹지 않는 곳이 나누어진다.
    - 전극면적이 작은곳이 녹지 않는다.
  5. #8 2.0x1.6mm SAW duplexer, 무라타 제조
    1. 기판 뒷면에서
      - 솔더링 패드를 제거하고(PCB 동박 1층을 제거한 후). 많은 비아는 모두 접지와 연결되는 실드 비아이다.
      - 쏘필터 패턴이 보일 때까지 PCB를 깍아보면. 4층 PCB를 사용
    2. Tx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
      - 시간당 온도차이가 커져 ESD 손상
      - ESD 손상
    3. Rx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
      - 유기물 코팅으로 3차원 배선용 절연막으로 사용했다.
      - DMS 패턴 부근에서, 저항을 낮추기 위한 두꺼운 배선 형태
  6. #14 2.0x1.6mm SAW duplexer, 무라타 제조
    - Rx, CN72A1, 금속 총면적이 작은 곳은 멀쩡한다.
    - Tx, 여기서 맨 아래 왼쪽을 보면
    - 금속 총면적이 작은 곳(위쪽 IDT)은 비교적 멀쩡한다.
4. 2015.06 출시 LG-F570S LG Band Play 스마트폰
  1. #5, 마킹 PMKY
    1. 가장 오른쪽, 와이솔 제품
    2. 알루미나 기판
      - 왼쪽이 Tx, 오른쪽이 Rx
    3. SAW duplexer
      - Tx 다이, X836AZ2 Tx MP3 PDC
      - Rx 다이, X836AZ2 Rx MP4 PDC
  2. #6, SAW duplexer 2.0x1.6mm, 마킹 kA? 4A, PCB 기판
    1. 외관
    2. 다이1
      - CY40-A2
      - IC 표식 山, 한자 메 산, 일본발음 야마
      - 주기: 1.90um 3900msec 라면 2053MHz, 직렬만 이렇게 설계된 듯
      - 병렬 레조네이터에만 이렇게 설계된 듯
    3. 다이2
      - DH90-A2
      - 주기 1.78um 3900m/sec라면 2190MHz, 모든 IDT가 이렇게 설계됨.
  3. #7, SAW duplexer 2.0x1.6mm, 마킹 WAd @2M
    1. 외관
      - 왼쪽에서 두 번째, 세라믹 기판 사용품
    2. SAW 다이1
      - DW71-A1
      - x150 대물렌즈, 주기 1.99um 3900m/s라면 중심주파수는 1960MHz
    3. SAW 다이2
      - x100 대물렌즈에서, 주기 2.14um 속도 3900m/sec라면 중심주파수는 1822MHz
  4. #8, SAW duplexer 2.0x1.6mm, 마킹 mAb 4Q
    1. 외형
      - 왼쪽, PCB 기판
    2. Tx 다이
      - DQ56-A1
      - 주기 1.972um, 탭 폭이 넓다.
    3. Rx 다이
      - CU40-A2
      - 정전기 파괴 패턴, 오른쪽 lateral IDT가 더 많고 withdrawl 전극 1개 있다.
      - 주기 1.835um
    4. 와이어본딩 기술처럼, 플립본딩된 범프볼 관찰
      - 다이, 기판
      - 다이를 바라볼 때 / 패키지를 바라볼 때
      - 패키지를 바라볼 때
    5. 도금용 타이바가 없는 유기물기판이다.
      - 4층 무전해도금 PCB
  5. #9, SAW duplexer 2.0x1.6mm DPX, 마킹 7T0 91\, Epcos, 구리 기둥 제품
    1. 외관
    2. 다이
      - 4각형 가장자리 프레임 벽이 있고, 가운데에 구리기둥 3개 있다. 다이를 손톱으로 누르면 쉽게 깨진다. (다이가 얇기 때문이다.)
      - 다이에서 만든 것이 아니라, 패키지에 만든 기둥이다. 다이와 접촉한다.
      - AF92B(거울대칭으로 처리함)
      - 주기 2.08um (~1875MHz)
5. 한국 SK텔레콤용 포켓WiFi에서 사용된 무라타 850/1800MHz
  1. 2.0x1.6mm 1800MHz용
    1. 외형
    2. 내부
      - 왼쪽 Tx, 오른쪽 Rx
      - Rx 아래 - 밸런스 출력
    3. Rx 칩
      - interdigitated C(IDT C)
      - 절연
    4. Tx 칩에서
    5. 칩에서 범프볼(와이어가 길게 존재함)
    6. 2.0x1.6mm 850MHz용
      1. 외형
      2. Rx 칩
      3. Tx 칩
  2. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
    1. #09, Epcos
      - 직렬 6폴 패턴
      - 오염 물질
6. 1.8x1.4mm
  1. 크기 비교 사진
    1. 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
      1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
  2. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
    1. Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
      1. 모듈에서
      2. 1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP SAW duplexer
  3. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
    1. PAM 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
      1. 외관
        
        주변 매칭소자가 많다.
        
        투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
      2. 몰딩 수지를 벗기면
      3. 솔더 플립본딩된 다이를 알루미나 기판에서 분리하면
      4. 다이
        
        수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um
        
        TEG 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴
    2. Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에
      1. 위치한 곳 및 외관
        
        위치
        
        1.8x1.4mm
      2. 표면 상단 수지막을 벗기면
        
        다이 뒷면이 거칠지 않다.
        
        투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.
        
        EMC에서 둥근 실리카 필러 관찰
      3. 알루미나 기판에서 다이 분리
        
        구리 도금
  4. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, 7개 사용하는데,
    1. Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 참조
    2. Murata 1.55x1.15mm 한 개 (아래 참조)
    3. Taiyo Yuden 5개 - 1개 FBAR+SAW조합, 1개 사파이어접합, 3개 SAW
      1. 외관 측면
        
        두께가 다르다.
        
        금속이 세라믹보다 두꺼운 이유는 세라믹을 자른 후 도금을 했기 때문에다.
        
        잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.
      2. 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
      3. 701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
        
        주파수 파형
        
        2535MHz
        
        주파수온도계수
        다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
        
        SAW + BAW 조합이다.
        
        Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.
        
        F-BAR baw 필터
        
        W868-08
        
        진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함
        
        공진기 #1~#6
        
        1
        
        2
        
        3
        
        4
        
        5
        
        6
        
        Rx saw 필터
        
        W1895-14
        
        주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec
      4. 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
        
        주파수 파형
        
        1877MHz
        
        땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
        
        사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.
        
        탄화텅스텐에 긁히지 않는 것으로 보아 사파이어 맞다.
        
        LT두께 20um+사파이어두께 250um, 레이저 펀칭7번, 간격 약 27um
        
        다이를 뜯어냄
        
        밀어보니, 레이저 다이싱에 문제가 있어, 사파이어가 깨진다.
        
        Rx
        
        X077-22
        
        주기:1.98um x 1960MHz = 3880m/sec
        
        Tx:1880MHz
        
        전체
        
        X019-21
        
        배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해
        
        withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.
        
        굵은 전극이 궁금해서
        
        주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec
        
        굵은 전극 형태
        
        90도로 배열된 C패턴
      5. 7A4, LTE Band1
        
        주파수 파형
        
        1950MHz
        
        전체
        
        Rx
        
        Rx 다이, V8151-31
        
        Rx 어느 패턴에서 주기: 1.865um 2140MHz 쏘속도 3990m/sec
        
        Tx
        
        Tx 다이
        
        Tx 어느 패턴에서 주기: 1.949um 1950MHz 쏘속도 3800m/sec
        
        우측 상단, 90도 돌아간 C전용 패턴에서 주기: 1.695um
        
        좌측 하단, 90도 돌아간 C전용 직렬 패턴에서 주기:1.65um. 굳이 직렬로 C를 만들 이유는 내전압 때문이다. (칩 위아래로만 초전이 발생되므로 길게 연결된 패턴 때문에)
      6. 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
        
        주파수 파형
        
        897.5MHz
        
        다이 내부
        
        트위저로 금속 뚜껑을 누르면서 작업했는데 다이가 깨져 있다. 리드와 다이 뒷면이 붙어 있지 않다.
        
        풀칠
        
        풀칠 수
        
        다이 분리
        
        다이
        
        Rx 다이, 주기: 4.12um 942.5MHz 3880m/sec
        
        Tx 다이, 주기: 4.28um 897.5MHz 3840m/sec
      7. 7E4, LTE Band5
        
        주파수 파형
        
        836.5MHz
        
        다이 내부
        
        다이 뒷면 밝기가 달리 보인다.
        
        다이를 작게 할 수 없어, 벽이 얇아졌다.
        
        기판 전극표면이 비교적 평탄하다.
        
        본딩이 쉽게 떨어진다.(그렇게 플립본딩한 듯)
        
        Rx 881.5MHz, 주기: 4.46um (쏘속도 3930m/sec)
        
        Tx 836.5MHz, 어느 전극에서, 위쪽 주기 4.60um, 아래쪽 주기 4.58um (쏘속도 3850m/sec)
  5. 2017.06 출시 LG 폴더 LM-Y110S 피처폰
    1. SAW duplexer 1, 엡코스, 8EB 마킹, 1.8x1.4mm, Band 1 Tx/Rx=1950/2140
      - AA59E. 22
      - Rx 주기 1.85um x 2140MHz라면 3950m/sec
    2. SAW duplexer 2, 무라타, WAN 마킹, 1.8x1.4mm, Band 3 Tx/Rx=1747.5/1842.5
      - Rx필터, ET49-A1
      - 주기 2.15um x 1747.5MHz라면 3750m/sec
      - Tx필터, ET99 -A1
      - 주기 1.99um x 1842.5MHz라면 3650m/sec
    3. SAW duplexer 3, Taiyo-Yuden, 7G6 마킹, 1.8x1.4mm, Band 8 Tx/Rx=897.5/942.5
      - Tx: X666-05, Rx: X668-04 다이크기 비교
      - Tx 주기 4.32um 880MHz라면 3800m/sec
      - Rx 주기 4.19um 942.5MHz라면 3950m/sec
    4. SAW duplexer 4, 엡코스, 8DJ 마킹, 1.8x1.4mm, Band 5 Tx/Rx=836.5/881.5
      - AG69B.
      - 주기 4.50um x 881.5MHz라면 3950m/sec
      - 주기 4.84um x 836.5MHz라면 4050m/sec
  6. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
    1. #11, Kyocera, K202 마킹
      1. 참고 Kyocera SD18 시리즈에서
        
        SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
        Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
      2. 불에 태워서
      3. T(Tx로 추정) B20 601 마킹
      4. R(Rx로 추정) B20 722 마킹
      5. 의견
        
        처음보는 HTCC 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
        타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
        보호막이 없다고 생각됨.
        솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
    2. #10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
      - 사파이어+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다.
      - 얇은 LT가 깨져 세라믹 기판에 붙어 있다.
      - Y199-23 얇은 LT가 깨졌다.
      - Y196-09
    3. #12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
      - 사파이어+LT 접합 다이, X857 -06
    4. #13, Murata, GY35-A1
      - 불에 태워서
      - 본딩된 전극 손상이 크다. SAW필터에서 초전성
7. 1.55x1.15mm
  1. 크기 비교 사진
    1. 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
      1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm
        
        9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
  2. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
    1. Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
      1. 외관
      2. 패키징
        
        패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm 여유 0.33mm 및 0.31mm
      3. 다이
        
        EK18
        
        주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)
8. 1.4x1.1mm
  1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
    1. #8, Epcos