2년, 17시간, 13분 - Togotech

"SM-A710S"의 두 판 사이의 차이

(새 문서: 핸드폰 <ol> <li>링크 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li> 핸드폰 - 이 페이지 <ol> <li> T맵 </ol> </ol> </ol> <li>피처폰 및 그 이하 <ol> <li>LG <ol> <li> ...)
 
잔글
 
(같은 사용자의 중간 판 7개는 보이지 않습니다)
1번째 줄: 1번째 줄:
−
핸드폰
+
삼성 갤럭시 A7, SM-A710S
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>링크
 
<li>링크
5번째 줄: 5번째 줄:
 
<li> [[전자부품]]
 
<li> [[전자부품]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[핸드폰]] - 이 페이지
+
<li> [[핸드폰]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[T맵]]
+
<li>2016.01 출시 삼성 [[SM-A710S]] 갤럭시 A7 LTE 스마트폰 - 이 페이지
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>피처폰 및 그 이하
+
<li>기술자료
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>LG
+
<li>사용자 설명서 A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) - 151p
 +
<li>외부 링크
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[U-100]] 2003.10.1 마킹된 휴대폰보드에서
+
<li>나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A7(2016)
−
<li> [[LG-SD1250]] 2003년 3월 제조품
+
<li>2015년 12월
−
<li> [[LG-SH170]] 2008년 1월 제조품
 
−
<li> [[LG-LH2600]] 2008년 5월 제조품
 
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>모토로라
+
<li>분해제품 모델: , 제조연월 2017년 4월
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> Motorola [[StarTAC]] AMPS 휴대폰, 1998년
+
<li>사용주파수 (A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) 3개 모델 모두 똑같다.)
−
<li> Motorola [[MS500]], 2007년
+
<ol>
−
<li> Motorola [[Z8m]], 2009년
+
<li>LTE B1(2100), B3(1800), B5(850), B7(2600), B8(), B17
 +
<ol>
 +
<li>Tx: 1920~1980, 1715~1785, 824~849, 2500~2540, 904.3~915, 704~716MHz
 +
<li>Rx: 2110~2170, 1810~1880, 869~894, 2620~2660, 949.3~960, 734~746MHz
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>삼성
+
<li>3G WCDMA B1(2100), B2(1900), B5(850)
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[SCH-6800]] 1999년 제조품
+
<li>TX: 1922.8~1977.2, 1852.4~1907.6, 824~849MHz
−
<li> [[SPH-W4700]] 2008년 4월 제조품
+
<li>RX: 2112.8~2167.2, 1932.4~1987.6, 869~894MHz
−
<li> [[GT-B7722]] 2010년 7월 출시, 2G 밴드 GSM 850 / 900 / 1800 / 1900 및 3G 밴드 HSDPA 2100
+
</ol>
−
<li> 삼성 [[GT-i5500]] 휴대폰
+
<li>2G
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>2010년 출시, 갤럭시 유로파(Galaxy Europa) = Samsung i5500 = 갤럭시 5
+
<li>GSM 900, TX: 880.2~914.8MHz, RX:925.2~959.8MHz
 +
<li>DCS 1800, TX: 1710.2~1784.8MHz, RX: 1805.2~1879.8MHz
 +
<li>PCS 1900, TX: 1850.2~1909.8MHz, RX: 1930.2~1989.8MHz
 
</ol>
 
</ol>
−
<li> 삼성 [[GT-B6520]] 휴대폰
 
−
<li> [[GT-E2152]] - 2010/09 출시, GSM, 128x160pixel, VGA카메라, 비디오 128x160@15fps
 
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>팬택 & 큐리텔
+
<li>뒷면 메인카메라: 후면 OIS 지원 1,300만 화소 AF 및 LED 플래시
 +
<li>디스플레이: 139.3mm(5.484인치=5.5형) 16:9비율 1920x1080 super AMOLED
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[PT-L2200]] - 2006/05 출시, KPCS(LGU+ 2G), 제조사 팬택(SKY)
+
<li>63.24um 피치로 계산된다.
−
<li> [[canU701D]] - 2007/05 제조, KPCS(LGU+ 2G)
+
</ol>
 +
<li>지문센서:
 +
<li>무선충전 기능 없다.
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>PDA 폰
+
<li> [[핸드폰에서 충전 및 소모전류]] 측정
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[싸이버뱅크 CP-X310]]
+
<li>동작하지 않는 상태에서 충전만 하면, 12시간 동안 소비전류
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_085.png
 +
image:a710s01_086.png | 배터리가 항상 충전되는 것이 아니라 충전과 충전 멈춤을 반복하는 현상이 발생되었다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>이 상태로 유지되는 고장품
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_000.jpg | ODIN MODE
 +
</gallery>
 +
<li>뒷면 보호 유리를 뜯으면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_001.jpg | 뒷면 보호유리. 9V 1.67A 고속충전을 지원한다. 유리에 글씨 인쇄하고, 분홍 페인트칠했다.
 +
image:a710s01_002.jpg | 뒷면 보호 유리를 뜯으면 검정 NFC관련 안테나와 배터리가 보인다. 우측 상단에 sub 및 GPS 안테나가 있다.(즉, 본체를 뒤집어야 하늘을 향한다.)
 +
</gallery>
 +
<li>주기판에서 AP 면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>AP+RAM 와 Flash
 +
<ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_006.jpg | 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB [[RAM]], 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB
 +
image:a710s01_007.jpg | AP위에 PoP된 DRAM
 +
image:a710s01_015.jpg
 +
image:a710s01_016.jpg | AP와 주기판 솔더볼, 왼쪽은 DRAM 솔더볼
 +
</gallery>
 +
<li> [[모바일AP]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_017.jpg
 +
image:a710s01_018.jpg | SAMSUNG Mobile Processor, Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm
 +
image:a710s01_019.jpg | 태우고 다이를 PCB 기판에서 들어 올리면
 +
</gallery>
 +
<li> [[DRAM]], SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_020.jpg | [[모바일AP]] 위에 붙어 있는데 이를 뜯어서 태운 후,다이본딩면을 분리하면
 +
image:a710s01_021.jpg | 4개 다이를 쌓았다.
 +
image:a710s01_022.jpg | 다이 틈새로 Ball Stitch On Ball(BSOB) [[와이어본딩]]한 것으로 추정된다.
 +
</gallery>
 +
<li> [[Flash Memory]], Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_023.jpg | 메모리 밑면에 형성된 솔더볼
 +
image:a710s01_024.jpg | 태우면. 좌상단에 별도 콘트롤러 IC가 보인다.
 +
image:a710s01_025.jpg | 두 다이를 쌓았다.
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>스마트폰
+
<li>후면(+측면) 커버
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>LG
+
<li>상단 안테나
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[LG-F160S]] Optimus LTE2 휴대폰
+
<li>상단, 후면 커버에 [[PIFA]] 안테나가 형성되어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_069.jpg
 +
image:a710s01_069_001.jpg | >PBT-GF40< 내열성이 뛰어나고 단단한 복합[[수지]]
 +
image:a710s01_069_003.jpg | 안테나 동작을 위해 상단 금속 테두리 좌우에서 분리되어 있다.
 +
</gallery>
 +
<li>뒤집으면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_070.jpg | 왼쪽 sub 안테나, 오른쪽 깡통에 GPS 모듈
 +
image:a710s01_070_001.jpg | Ethertronics, AVX Group Company
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>삼성
+
<li>측면 버튼 고정 방법
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_069_002.jpg | 볼륨 상하 [[택타일]] 스위치
 +
</gallery>
 +
<li>하단에 메인 [[PIFA]] 안테나가 들어있다.
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_069_004.jpg | 테두리 금속이 분리되어 있다. 상하 스프링 접점은 케이스 접지이고, 아래쪽 6개 [[녹]]슬지 않는 [[금]] [[도금]] 단자가 안테나 단자로 추정
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>트랜시버 블록
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Galaxy S5 mini(=SM-G800F)에서 방수 microUSB 2.0 어셈블리만 [[SM-G800F]]
+
<li> [[트랜시버 IC]]
−
<li>Galaxy Grand Prime 삼성 [[SM-G5308W]] 휴대폰
+
<ol>
−
<li> 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]] 휴대폰
+
<li>SAMSUNG SHANNON 928P
−
<li> 삼성 갤럭시 폴더2 [[SM-G160N]] 휴대폰
+
<gallery>
−
<li> 삼성 갤럭시 S5 [[SM-G906S]] 광대역 LTE-A
+
image:a710s01_003.jpg
−
<li> 삼성 갤럭시 A7 [[SM-A710S]] 2016년 LTE
+
image:a710s01_003_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[솔더볼]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_003_002.jpg
 +
image:a710s01_003_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_003_004.jpg
 +
image:a710s01_003_005.jpg
 +
image:a710s01_003_006.jpg
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>샤오미 Xiaomi
+
<li> [[FEMiD]]
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_009.jpg
 +
image:a710s01_009_001.jpg
 +
image:a710s01_009_002.jpg | 분홍색 [[LTCC 기판]]
 +
</gallery>
 +
<li>내부
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_009_003.jpg | SAW 다이 11개를 사용함
 +
image:a710s01_009_004.jpg | 2칩 본딩품 3개는 세라믹 기판 사용품. 나머지는 5개 싱글다이는 모두 [[WLP SAW]]
 +
</gallery>
 +
<li> [[WLP SAW]] 어떤 다이-1
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰 - 분홍
+
<li>사진
−
<li> Xiaomi [[Redmi Note 6 Pro]] 휴대폰 - 파랑
+
<gallery>
 +
image:a710s01_009_005_001.jpg | ED03-A1
 +
image:a710s01_009_005_005.jpg | 되도록 빈땅없이 2차막을 많이 형성한다.
 +
</gallery>
 +
<li>tap 폭
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_009_005_002.jpg | tap 폭이 더 넓다.
 +
image:a710s01_009_005_003.jpg | tap 폭이 더 넓다. 주기 2.21um 쏘속도 3900m/sec라면 1765MHz
 +
image:a710s01_009_005_004.jpg | tap 폭이 일정하다. 주기 1.85um SAW속도 3900m/sec라면 2110MHz
 +
</gallery>
 +
<li>분해시 빈틈으로 들어간 solder splash
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_009_005_006.jpg | 물길이 다 흐르도록
 +
image:a710s01_009_005_007.jpg | 2차막 전극 두께를 빛 반사
 +
image:a710s01_009_005_008.jpg | 솔더가 IDT에 닿아서 찍힌 자국
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>애플
+
<li> [[WLP SAW]] 어떤 다이-2
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_009_006_001.jpg | 넓은 노랑 전극이 2차막
 +
image:a710s01_009_006_002.jpg | 분리된 벽 PR 이 칩쪽에 붙어 있다.
 +
image:a710s01_009_006_003.jpg | 금속 2차막 두께도 꽤 두껍다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[SAW+LNA 모듈]]을 두 개 사용하고 있음.
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> Apple [[iPhone 5S]]
+
<li>1.5x1.1mm 크기
−
<li>iPhone X
+
<gallery>
 +
image:a710s01_010.jpg
 +
image:a710s01_010_001.jpg
 +
image:a710s01_010_002.jpg | 측면 도금 [[타이바]]
 +
</gallery>
 +
<li>VX 마킹된, B7 Rx 2655MHz LNA SAW module
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>  
+
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_010_003.jpg
 +
image:a710s01_010_004.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[LNA]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_010_005.jpg | J0310 NJG1165 H301
 +
image:a710s01_010_006.jpg
 +
image:a710s01_010_007.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>SAW HG56BA3 MP5 KWH
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_010_008.jpg
 +
image:a710s01_010_009.jpg
 +
image:a710s01_010_010.jpg
 +
image:a710s01_010_011.jpg | 주기 1.46um 중심주파수 2656MHz라면 SAW 속도는 3874/sec
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>VU 마킹된, B1/4 Rx 2140MHz LNA SAW module
 +
<ol>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_010_012.jpg
 +
image:a710s01_010_013.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[LNA]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_010_017.jpg | J0309 NJG1164
 +
image:a710s01_010_018.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[스크라이버]]로 금그어 부러뜨린, LNA 절단면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_010_024.jpg | 다이싱 짧은면
 +
image:a710s01_010_025.jpg | 검정무늬는 에폭시수지
 +
image:a710s01_010_026.jpg | 다이싱 긴면. 위면에서 [[스크라이버]]로 금긋고 부러뜨렸다.
 +
image:a710s01_010_027.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>SAW HG40AA3 RHO MP3 2140MHz
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_010_014.jpg | HG40AA3 RHO MP3 2140MHz
 +
image:a710s01_010_015.jpg
 +
image:a710s01_010_016.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[알루미나 기판]]에서 관찰한, Au stud, 초음파 [[플립본딩]] 상태
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_010_019.jpg | SAW 출력이 LNA 입력이다.
 +
image:a710s01_010_020.jpg | 웨이퍼 재질이 GaAs로 추정되는 [[LNA]]
 +
image:a710s01_010_021.jpg | SAW
 +
image:a710s01_010_022.jpg | SAW
 +
image:a710s01_010_023.jpg | SAW
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>서비스 매뉴얼
+
<li> [[PAM]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_071.jpg | 무라다 회사에서 제조
 +
image:a710s01_072.jpg | 솔더링 패턴 [[동박 설계]]
 +
image:a710s01_072_001.jpg | 다이 4개 사용
 +
</gallery>
 +
<li>[[PAM]] 옆 1.4x1.1mm [[SAW-핸드폰RF]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_073.jpg | 무라다 회사에서 제조
 +
image:a710s01_074.jpg | 다이 패턴 촬영 실패
 +
</gallery>
 +
<li> [[SAW-핸드폰DPX]], Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> - 181p
+
<li>외관
−
<li>  
+
<gallery>
−
<li>  
+
image:a710s01_075.jpg | 주변 매칭소자가 많다.
−
<li>  
+
image:a710s01_076.jpg
 +
image:a710s01_076_001.jpg | 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
 +
</gallery>
 +
<li>몰딩 수지를 벗기면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_076_002.jpg
 +
image:a710s01_076_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>솔더 [[플립본딩]]된 다이를 [[알루미나 기판]]에서 분리하면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_076_004.jpg
 +
image:a710s01_076_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_076_006.jpg
 +
image:a710s01_076_007.jpg
 +
image:a710s01_076_008.jpg | 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um
 +
image:a710s01_076_009.jpg
 +
image:a710s01_076_010.jpg | [[TEG]] 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>기타
+
</ol>
 +
<li>상단 우측 모서리, SUB ANT에 연결되는 [[Rx 스위치+SAW 모듈]] 근처에서
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>기지국 점검
+
<li>뒷면에 DPX가 있기 때문에 Tx 신호도 sub 안테나가 처리하는데, 이 [[SAW-모듈]]은 Tx를 처리하지 않는다.
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:basestaion01_001.jpg | 2014년 12월 10일, 투고기술 사무실에서. SKT 전화 감도가 좋지 못해 점검 신청함.
+
image:a710s01_013.jpg | 마킹 L6R0D W6028
 +
image:a710s01_013_001.jpg | 3P12T 스위치 두 개를 통해 추정
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>4년간 데이터 사용량 및 음성통화
+
<li> [[Rx 스위치+SAW 모듈]]
 +
<ol>
 +
<li>분해 사진
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:mobile_data_usage01_001.png | 데이터 사용량, 월평균 500MB, 네비용은 10MB
+
image:a710s01_078.jpg
−
image:mobile_data_usage01_002.png | 음성통화, 월평균 2시간, 일평균 4분 전화를 걸었다.
+
image:a710s01_078_000.jpg | 1,2,3번 필터, 4 스위치,5,6번 LNA 표시
 +
image:a710s01_079.jpg | [[동박 설계]]. 큰 패드를 4구획으로 나누어 솔더페이스트 납땜하면 가운데 공기가 막히는 것을 예방하기 위해서(??)
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>이리듐
+
<li>1번, [[SAW-핸드폰RF]] dual filter 1.5x1.1mm
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Iridium_satellite_constellation
+
<li>H942BA0 MP1 WJL
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_001_001.jpg
 +
image:a710s01_078_001_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>H876BA3 MP3 WJL
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_002_001.jpg
 +
image:a710s01_078_002_002.jpg
 +
image:a710s01_078_002_003.jpg | [[ESD 손상]]
 +
image:a710s01_078_002_004.jpg | 확대
 +
image:a710s01_078_002_005.jpg | 반사기 옆 전극에서
 +
image:a710s01_078_002_006.jpg | [[광학 해상도 차트]]용(?) 구멍 및 그 구멍이 막히는 것을 피하는 금전극
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2번, [[SAW-핸드폰RF]] dual filter 1.5x1.1mm
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>L 밴드(1~2GHz) 1616-1626.5MHz 사용. 10.5MHz 대역폭, 240개 채널, 41.67kHz 채널대역폭
+
<li>H737AA3 MP2 LMH
−
<li>1998년 사용화, 지구를 완전히 커버하기 위해서는 66개 필요, 781km 높이의 low Earth orbit(정지궤도는 35,785km), 현재 82개 운영.
+
<gallery>
 +
image:a710s01_078_003_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>HG56BA0 MP9 KRF KYH
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_004_001.jpg
 +
image:a710s01_078_004_002.jpg
 +
image:a710s01_078_004_003.jpg
 +
image:a710s01_078_004_004.jpg | [[ESD 손상]]
 +
image:a710s01_078_004_005.png
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>2020/03/16 볼리비아에서
+
<li>3번, [[SAW-핸드폰RF]] dual filter 1.5x1.1mm
 +
<ol>
 +
<li>폴 연결 방법
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_006_004.png
 +
</gallery>
 +
<li>HG60CC0 MP3 WJL
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_005_001.jpg
 +
image:a710s01_078_005_002.jpg
 +
image:a710s01_078_005_003.jpg | [[ESD 손상]] - 두 DMS 전극 사이
 +
</gallery>
 +
<li>HG40BC3 MP2 RHO
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iridium01_001.jpg | Iridium 9505A 로 추정
+
image:a710s01_078_006_001.jpg
−
image:iridium01_002.jpg
+
image:a710s01_078_006_002.jpg
 +
image:a710s01_078_006_003.jpg | [[플립본딩]] 때 범프볼이 금전극면과 접착(확산)되지 않았다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>dual filter 1.5x1.1mm [[알루미나 기판]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_000_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>4번, 3P12T [[RF스위치IC]] 두 개, 안테나-스위치-SAW-LNA-스위치 구조인듯.
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_007_001.jpg
 +
image:a710s01_078_007_002.jpg | YF19 T01 3P12T 라고 적혀있다.
 +
image:a710s01_078_007_003.jpg | 허용전력은 스위치가 OFF 상태에서 걸리는 Tx 최대 전압 vs breakdown 전압으로 결정되지, ON시 통과하는 전력을 고려하는 것은 아니다.
 +
image:a710s01_078_007_004.jpg | 스위치 회로. 선폭이 FET 갯수를 결정함. 선폭이 좁으면 FET가 많이 설치됨. 저항이 낮아진다. 대신 C값이 커진다.
 +
</gallery>
 +
<li>5번, [[LNA]] 2개
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_008_001.jpg
 +
image:a710s01_078_008_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>6번, [[LNA]] 1개
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_009_001.jpg
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>사용했던 핸드폰
+
<li> [[SAW-핸드폰RF]] 1.1x0.9mm
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_014.jpg | VH: HG42AA0, LTE B3, 1842.5MHz
 +
image:a710s01_014_001.jpg | 2000x1333 pixel
 +
image:a710s01_014_002.jpg | 4260x2840 pixel
 +
image:a710s01_014_003.jpg | HG42AA0 MP3 KKS
 +
image:a710s01_014_004.jpg | 주기 2.17um 중심주파수 1842.5MHz 이므로 SAW 속도는 3993m/sec
 +
image:a710s01_014_005.png | 왼쪽: 사진제품, 오른쪽: 나라면 (입력접지는 입력으로. Y축에 긴 전극은 [[SAW필터에서 초전성]] 문제를 유발한다.)
 +
</gallery>
 +
<li> [[SAW-핸드폰DPX]], Epcos 1.8x1.4mm
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>김명기
+
<li>위치한 곳 및 외관
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_005_003.jpg | 위치
 +
image:a710s01_026.jpg | 하양 세라믹부품은 안테나와 다이버시트 모듈 사이에 위치하여 low,middle,high 밴드를 나누는 diplexer로 추정
 +
</gallery>
 +
<li>표면 상단 수지막을 벗기면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_027.jpg
 +
image:a710s01_028.jpg | 다이 뒷면이 거칠지 않다.
 +
image:a710s01_029.jpg | 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.
 +
image:a710s01_030.jpg | [[EMC]]에서 둥근 실리카 필러 관찰
 +
</gallery>
 +
<li>[[알루미나 기판]]에서 다이 분리
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_031.jpg
 +
image:a710s01_032.jpg
 +
image:a710s01_033.jpg | [[전기도금 주조]]
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>상단 좌측 모서리, WiFi에서
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Samsung SCH-6800; 안향진 사용품
+
<li>사용 WiFi
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>01/09 출시
+
<li>WiFi 및 ANT+ (Garmin이 개발한 sports 및 fitness sensor용 저전력 2.4GHz 무선네트워크)
 +
<li>2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
 +
<li>5180~5240, 5260~5320, 5500~5620, 5745~5805 MHz(802.11a 및 802.11n) 참고로: 일명 기가와이파이라 불리는 802.11ac는 지원하지 않는다.
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>Samsung SCH-V920; 2G폰이다. Global Roaming 기능 때문에 삼성 임원용으로 사용.
+
<li> [[WiFi 모듈(핸드폰)]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_011.jpg | BCM43454 HKUBG WiFi/BT, ANT+ 기능이 있다.
 +
</gallery>
 +
<li> [[SAW-WiFi]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>배터리 셀을 직접 충전하여, 전원을 켤 수 있었음.
+
<li>전체
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:sch_v920_001.jpg
+
image:a710s01_012.jpg | 1.4x1.1mm 무라타 SAFEA2G45MB0F3K로 추정
−
image:sch_v920_002.jpg | 켜면 바로 기지국과 접속해서 시계를 맞춤
 
−
image:sch_v920_003.jpg | 한국SKT, CDMA, 일본, GSM
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>SCH-V920 제조년월일 20061019 제조국가:삼성전자/대한민국
+
<li>칩은 튕겨져 분실되고 패키지에 형성된 [[플립본딩]] 분리면을 자세히 관찰함.
 +
<ol>
 +
<li>전체
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:sch_v920_004.jpg
+
image:a710s01_012_001.jpg
−
image:sch_v920_005.jpg | SIM 카드가 꼽혀 있음.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>배터리 AB553446CK, 사용가능 휴대폰: B500/B6550/V8900/V870/V890/V920, 내부 셀은 SAMSUNG SDI, 553446 크기
+
<li>왼쪽 아래
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:sch_v920_006.jpg
+
image:a710s01_012_002.jpg | stud bump에서 꼬리가 약간 길 때 발생되는 듯.
−
image:sch_v920_007.png | 장시간 방치하니 충전전압이 0.9V에서 시작한다.
+
image:a710s01_012_003.jpg | 파인애플
−
image:sch_v920_008.png | 충전 방전 그래프, 약 3Wh로 충분히 정상적이다.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>소모전류 측정
+
<li>왼쪽 위
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:sch_v920_009.png | 전원켜진 후 100초
+
image:a710s01_012_004.jpg
−
image:sch_v920_010.png | 이후 화면꺼지고 대기상태에서
+
image:a710s01_012_005.jpg
−
image:sch_v920_011.png | 금속통에 넣어도 변화가 없음
+
</gallery>
−
image:sch_v920_012.png | 2.5초 주기로, 약 120msec동안 0.8W 소모한다.
+
<li>가운데 위
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_012_006.jpg | 2595x2841 pixels, 가로 110um 세로 120um 타원형 크기
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>Samsung Galaxy S; SHW-M110S
+
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>상단 중앙, GPS 관련
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>2010/06/23 제조품
+
<li> [[GPS-IC]]
−
<li>2019/09/09 화면 캡쳐 - 아래 좌/우 두 터치버튼에 손가락 대고, 우측 전원버튼 누르면 jpg로 캡쳐됨.
 
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxy_s1_01_001.jpg | gingerbread.vg14
+
image:a710s01_005_001.jpg | 위치
−
image:galaxy_s1_01_002.jpg | 메모리
+
image:a710s01_077.jpg | BCM47522iUB2G GPS-IC 및 무라타 1.1x0.9mm GPS SAW 필터
−
image:galaxy_s1_01_003.jpg
 
−
image:galaxy_s1_01_004.jpg
 
−
image:galaxy_s1_01_005.jpg
 
−
image:galaxy_s1_01_006.jpg | 설치 앱 4장
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>2019/12/31 펌웨어버전 항목을 계속 누르면 나타나는, 이스터 에그(Easter egg;부활절 달걀)
+
<li> [[SAW-GPS]] 무라타 1.1x0.9mm
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxy_s1_01_007.jpg | Zombie art by Jack Larson,
+
image:a710s01_077_001.jpg | DH69-A1
 +
image:a710s01_077_002.jpg | Series resonator의 Tap만 두껍다. 그러나 Shunt resonator Tap 폭은 IDT 폭과 동일하다.
 +
image:a710s01_077_003.jpg | 주기 2.45um (추정 주파수 약 1650MHz)
 +
image:a710s01_077_004.jpg | 다이를 볼 때(파인애플 속 꼭지)
 +
</gallery>
 +
<li> [[플립본딩]] 본딩 분리면 관찰 (서로 다른 접합면에서 각각 사진을 찍음)
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_077_005.jpg | 그림설명. 파단면에서 아래를 바라볼 때, 위를 쳐다볼 때
 +
image:a710s01_012_003.jpg | 아래를 바라볼 때(패키지면)
 +
image:a710s01_077_004.jpg | 위를 쳐다볼 때(다이면)
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>Samsung Galaxy Note(SHV-E160S); KJH(?) 사용품을 물려받아서
+
<li>배터리 전류 게이지용 [[SMD타입 전류검출용R]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>2012/05/23 제조품, 현 전화번호: 010-3878-5040
+
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_005_002.jpg | 위치
 +
image:a710s01_034.jpg | 마킹 재료는 수지 잉크
 +
</gallery>
 +
<li>수지 벗기고
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxy_note_012.jpg | 2019/11/25 촬영, Android 4.0.4(2012년 3월 29일 릴리즈, 2019년 2월 서비스 종료)
+
image:a710s01_035.jpg | 긁어낸 보호막 재료는 검정 수지
 +
image:a710s01_038.jpg | [[레이저 트리밍]]
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>2014/09/27 안향진씨로부터 갤럭시 노트 1 케이스 선물
+
<li> [[천공]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxy_note_016.jpg | UR104 갤럭시 노트 다이어리
+
image:a710s01_036.jpg
−
image:galaxy_note_017.jpg
+
image:a710s01_037.jpg | laser perforation pitch = 10um
−
image:galaxy_note_018.jpg | 보호필름에 대한 연필경도 2.5H 설명서
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>17/11/10 안드로이드 4.0.4 - 더 이상 업데이트 안됨. Tmap 업데이트
+
</ol>
 +
<li> [[NFC]] 안테나 및 MST 안테나
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>안드로이드 4.0.4
+
<li>무선충전 기능 없다.
 +
<li>안테나 위치
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxy_note_001.png | 휴대폰 정보
+
image:a710s01_002.jpg | 뒷면 보호 유리를 뜯으면 검정 NFC관련 안테나와 배터리가 보인다. 우측 상단에 sub 및 GPS 안테나가 있다.(즉, 본체를 뒤집어야 하늘을 향한다.)
−
image:galaxy_note_014.png | Android 4.0: Ice Cream Sandwich, 2019/12/31 캡쳐함
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li> [[T맵]] 업데이트
+
<li> [[페라이트 시트]]가 붙어 있는 안테나 분석
−
</ol>
+
<ol>
−
<li>18/01/10 배터리 구매, 2015/01 제조품 23,000원
+
<li>외관, 점점이 4개인데, 2개는 NFC, 2개는 MST용이다.
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_039.jpg | 본체쪽에는 페라이트 시트가 붙어 있다.
 +
image:a710s01_040.jpg | 뚜껑쪽에는 코일면이다. A7 REV.04A H8643S (한솔테크닉스 제작?)
 +
</gallery>
 +
<li>차폐 시트를 뜯어보면, (페라이트 재질이 아니므로 [[페라이트 시트]]라고 하지 않는다.)비정질 합금(아몰퍼스 amorphous alloy) (Nanocrystalline로 표현하기도 한다.)로 추정
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxy_note_005.jpg | 이전 배터리는 분해함. [[2차- 리튬]] 참조
+
image:a710s01_041.jpg | 두께 100~150um 로 추측
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>19/11/23 두 대 핸드폰 사용자 데이터 (스몰요금제 1.2GB)중에서 거의 1GB를 사용해서
+
<li>안테나 코일 시트, 앞 뒤 표면에 붙어 있는 검정색 보호 테이프를 제거한 후 촬영
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxy_note_006.png | 휴대폰 정보 - 2017년과 똑같다.
+
image:a710s01_040_001.jpg | Tx기기와 잘 위치 매칭되기 위해 개구부를 넓힌다. 또한 L값을 키우기 위해 크게 돌린다.
−
image:galaxy_note_007.png | 설치된 앱은 두 개 뿐이다.
+
image:a710s01_040_002.jpg
−
image:galaxy_note_008.png | 소프트웨어 업데이트는 WiFi로만 가능하다.
 
−
image:galaxy_note_009.png | 11월 1~23일까지 데이터를 1GB를 사용했다.
 
−
image:galaxy_note_010.png | 데이터 1GB 대부분을 안드로이드 운영체제가 사용했다.
 
−
image:galaxy_note_011.png | 사용자 앱 두 개(Tmap, 구글 지도)는 데이터를 거의 이용하지 않았다.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>19/11/25 월, 삼성전자 서비스센터 방문 및 전화상담 - 원인 모른다. 백그라운드 데이터 제한하는 것으로 서로 합의.
+
<li>양면 연결. 저항을 낮추기 위해서 양면 코일을 병렬로 연결함.
−
<ol>
 
−
<li>SKT - 핸드폰에서 데이터를 요청하기 때문에 데이터를 전송해 주었다. SKT 때문이 아니다. 고객은 해당 월 말일까지 사용가능한 데이터 리플(1.2GB) 쿠폰이 있다. 리필함.
 
−
<li>환경설정 - 데이터사용 - (왼쪽 버튼) - 백그라운드 데이터 제한 - (체크)
 
−
<li>화면캡쳐
 
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxy_note_013.png
+
image:a710s01_040_003.jpg
 +
image:a710s01_040_004.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>20/06/30 금융사기를 위한 문자메시지를 수신함.
+
<li>MST(Magnetic secure transmission) 칩은 Zinitix 지니틱스 회사의 ZF110
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxy_note_015.png
+
image:a710s01_087.jpg
 +
image:a710s01_088.jpg | 높은 전류를 갖는 펄스 파형을 방출해야 하므로 [[Au 볼 와이어본딩]]을 여러 번했다.
 +
image:a710s01_089.jpg
 +
image:a710s01_088_001.jpg | 다이 표면을 더 갈아(??)보니
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>Samsung Galaxy Grand Max(SM-G720N0); 16GB, 자가유통용, 제조년월 201506
+
<li> [[금속각형 2차-리튬]], Prismatic Cell, 각기둥 셀
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>라벨
+
<li>알머스 회사는 일본에서 깡통 사와서 단자 용접하고 라벨만 붙여서 삼성전자에 납품하는 듯
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxygrandmax01_004.jpg | IMEI: International Mobile Equipment Identity 중요한 개인정보이다.
+
image:a710s01_004.jpg
 +
image:a710s01_042.jpg | 충전 전압 4.4V 공칭 3.85V이다. (지금까지 이전 배터리는 4.2V 3.7V)
 +
image:a710s01_043.jpg | EB-BA710ABA, 12.71Wh, 제조년월 2017 04, cell made in JAPAN, 제조자: YoungBo Vina Co., Ltd. (영보엔지니어링 회사 상호는 알머스로 변경됨.)
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>15/06/22, 출고가 319,000원로 구입. (24개월 약정이면 108,000원 지원금 받아서, 실구매가 211,000원 지불)
+
<li>보호회로가 없다.
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:150622_194526.jpg
+
image:a710s01_044.jpg
 +
image:a710s01_045.jpg | 아무런 보호부품 및 회로가 없다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>18/01/03 배터리 모델 EB-BG720CBK (제조년월 2015.06) 아이티엠반도체 3.85V Li-ion 9.63Wh 충전전압 4.4V 2500mAh
+
<li>배터리 충방전 실험
 +
<ol>
 +
<li>2A 충방전 실험 2021/03/11 16:00 종료. 100회 연속 사용시 에너지 용량이 줄어들지 않는다.
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxygrandmax01_001.jpg | 플래시켜고 동영상촬영하면 2분이면 5% 미만으로 떨어지고...
+
image:a710s01_042_001.png | 최초 5회 충방전. 4.2V +2A 0.5A까지, -2A 3.36V까지
 +
image:a710s01_042_002.png | 이후 100회 충방전
 +
image:a710s01_042_003.png | 24시간 단위로. 사무실 온도가 가장 높을 때 가장 큰 에너지를 사용한다.
 +
image:a710s01_042_004.png | 충방전 효율. 주변 온도에 의존한다. 약 85%이다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>18/01/10 배터리 구매, 종전배터리 1.1Wh만(참고로 새것은 4.4V 2.5Ah=11Wh) 즉, 10%만 충전됨.
+
<li>5A 충방전 실험
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxygrandmax01_002.jpg
+
image:a710s01_042_005.png | 충전 에너지 11.5Wh, 방전 에너지 6.1Wh, 효율 53%
−
image:galaxygrandmax01_003.jpg
+
image:a710s01_042_006.png | 내부저항 5A에서 전압강하 0.4V이므로 0.08오옴
 +
image:a710s01_042_007.jpg | 충방전 효율이 85% @2A 에서 53% @5A로 떨어진 이유는 열이 많이 나므로
 +
image:a710s01_042_008.jpg | 스테인리스 깡통 온도 적외선 측정은 곤란
 +
image:a710s01_042_009.jpg | 4와이어 측정이므로, 바깥 가는 전류선은 뜨거워진다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>19/06/05 SIM 카드인식 실패로 재부팅 메시지가 자주 등장해서
+
</ol>
 +
</ol>
 +
<li> [[마이크로 스피커]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>사진
+
<li>5가지 상태
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_046.jpg | 상태1(원래)
 +
image:a710s01_047.jpg | 상태2(메인홀 막고)
 +
image:a710s01_048.jpg | 상태3(벤트홀 막고)
 +
image:a710s01_049.jpg | 상태4(백볼륨 파괴)
 +
image:a710s01_050.jpg | 상태5(전면 파괴)
 +
</gallery>
 +
<li>분해하면서 임피던스 측정
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxygrandmax01_007.jpg | 오류 메시지
+
image:a710s01_046_001.png | #1 정상상태에서 임피던스, 위상
−
image:galaxygrandmax01_005.jpg | microSIM 카드위에 microSD 카드를 꼽는다.
+
image:a710s01_046_002.png | #1,2,3,4,5 상태에서 임피던스
−
image:galaxygrandmax01_006.jpg | 왼쪽 고리를 당기면 SIM카드가 나온다.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>조치
+
<li>임피던스 해석
 +
<ol>
 +
<li>6차 밴드패스 스피커이다.
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>주머니 속에서는 이런 오류가 없다. 일어날 때, 사무실 책상위 등 가만히 있을 때 발생된다.
+
<li>closed box(스피커 뒷쪽이 막힌)에 넣은 후, 소리 출구에만 tube가 형성되면 4차 band pass 필터가 된다.
−
<li>하루에 두 번 발생되어 2019/06/10 AS센터 방문함.
+
<li>여기에 back volume에도 튜브를 만들어 뚫으면, 6차 band pass 필터가 된다. 즉, 위 스피커는 6차 B.P 이다.
 +
</ol>
 +
<li>6차 BP 구조를 만드는 이유
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>문제점 발견 못함. 핸드폰쪽 소켓 접점 청소 도구가 있다. 청소 함.
+
<li>back volume에 구멍을 뚫으면 저주파가 강화된다.
−
<li>동일 문제 발생되면 U-SIM을 변경하라.
+
<li>4차 BP이면 고주파가 약화되고, 저주파가 더 강화된다.
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>조치후 다음날. - 아무런 문제없음.
+
<li>open air(상태 #5)에서는 임피던스 공진이 하나만 나온다.
 +
<ol>
 +
<li>Ported Bass-Reflex 상태이면 공진이 두 개 나온다.
 +
<li>두 공진점에서 가장 낮은지점을 보이는 주파수가 공진주파수로 정의된다.
 +
<li>두 임피던스 공진점 높이가 같으면 매치상태. 저주파 피크가 높으면 박스 공진주파수가 (드라이버 공진주파수보다???) 더 높다.
 +
<li>고주파 피크 임피던스가 크면, 박스 공진주파수가 (드라이버 공진주파수보다???) 더 낮다.
 +
</ol>
 +
<li>tube가 길고 복잡하면 여러개의 공진 피크가 측정된다.
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>전면 패널(OLED가 붙어 있는)
 +
<ol>
 +
<li>상단 "전면 패널"에는 RF 안테나 없음.
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxygrandmax01_008.png | 디바이스 정보 캡쳐
+
image:a710s01_051.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
</ol>
+
<li>하단에는
−
<li>2019/10/02 현재 큰 문제없이 계속 사용중.
 
−
<li>2019/11/18 연속 3번
 
−
<li>2019/02/15 SKT직영점에서(만) SIM카드를 7,700원(다음달 통화료로 청구함) 발급받음
 
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxygrandmax01_015.jpg
+
image:a710s01_052.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>2019/02/27 일까지 카드인식 실패 나타나지 않음
 
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>19/10/02 스크린 미러링(Screen Mirroring)할 때 발열
+
<li>물이 들어가 [[부식]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxygrandmax01_009.jpg | 여기에서
+
image:a710s01_008.jpg
−
image:galaxygrandmax01_010.jpg
 
−
image:galaxygrandmax01_011.jpg | 44도씨
 
−
image:galaxygrandmax01_012.jpg | 앞면 LCD(OLED 아니다.)에서 40도씨
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>19/12/22
+
<li> [[OLED]] 디스플레이(아래)와 코어 6063(?) [[알루미늄]] 프레임(단조?)(위) 분리하면
 +
<ol>
 +
<li>사진
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxygrandmax01_013.png | 안드로이드 4.4.4 킷캣 KitKat (스위스 네슬레 회사의 초콜렛 상품명)
+
image:a710s01_053.jpg | OLED 패널(아래)과 코어 금속 프레임(위)을 분리하면
−
image:galaxygrandmax01_014.png | 모의 위치 허용(외부에서 GPS 프로토콜을 받고자 할 때 체크한다.)
+
image:a710s01_054.jpg | OLED 패널에 [[정전식 터치스크린]] 콘트롤러 IC가 붙어 있다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>20/07/09 5년 뒤, TPU;thermoplastic polyurethane 열가소성 폴리우레탄 탄성체 [[수지]] 케이스를 새롭게 구입함.
+
<li>OLED 패널 유리 뒷면에 검정 테이프를 붙이고, 다시 그 위에 [[히트 스프레더]]용 (적당히 두꺼운)구리테이프를 붙였다.
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:plastic_pu01_001.jpg | 신규 구입품과 5년된 제품
+
image:a710s01_056.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>21/02/20 현재 배터리 장착된 상태에서, USB로 가하는 충전전류
+
<li>중간 [[알루미늄]] 프레임에 수지를 인서트 [[사출]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:galaxygrandmax01_016.png
+
image:a710s01_065.jpg | 금속 프레임 주변으로 수지 사출하였다.
 +
image:a710s01_066.jpg | 위, 아래에는 안테나를 위해서 일정 길이(면적)를 갖는 수지 영역이 필요하다.
 +
image:a710s01_067.jpg | NEW A7 V6-2 >PPA-GF50< Polyphthalamide 폴리프탈아미드+Glass Fiber 50% [[수지]]
 +
image:a710s01_068.jpg | 금속 테두리 가장자리로 사출(아마 측면 낙하 충격 흡수를 위해)
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>Samsung Galaxy Note3(SM-N900K) - 안향진(KT가입자) 사용품, 인수해서 2018/10/05부터 김명기가 사용
+
<li> [[정전식 터치스크린]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_055.jpg | SAMSUNG S6SMC44X S1727-PTK 터치콘트롤러
 +
image:a710s01_057.jpg | 강화유리, TSP유리, OLED유리 이렇게 붙어 있는데, 이중에서 TSP 유리만 뜯어서 촬영
 +
</gallery>
 +
<li> [[OLED]] 패턴
 +
<ol>
 +
<li>픽셀 배열은 다이아몬드 형태 RG-BG 펜타일 서브픽셀 방식을 사용한다.
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_058.jpg | 가로 피치 65um 세로 피치 32.5um
 +
image:a710s01_059.jpg
 +
image:a710s01_060.jpg | 가로세로 피치 ~65um
 +
</gallery>
 +
<li>DDI [[플립본딩]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_061.jpg | 여러 개 [[TEG]] 중 하나
 +
image:a710s01_062.jpg | anisotropic conductive paste(ACP;비등방성 도전성 페이스트) 본딩 알갱이(금도금의 구형태 수지)를 관찰할 수 있다.
 +
image:a710s01_063.jpg | 흰선투명박스-유리, 노랑박스-DDI
 +
image:a710s01_064.jpg
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>김연재
+
<li> [[코인타입]] ERM 진동모터
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_080.jpg | ERM이므로 햅틱 기능이 없다.
 +
image:a710s01_081.jpg
 +
image:a710s01_082.jpg
 +
image:a710s01_083.jpg | [[잉크R]] 3개가 인쇄로 발라져 있다.
 +
image:a710s01_084.jpg | 전압을 서서히 올리면 부드럽게 잘 돈다.
 +
</gallery>
 +
<li>뒷면 메인카메라: OIS, AF 지원 1,300만 화소
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Samsung Galaxy S2
+
<li>카메라 드라이버 IC는 [[실드 깡통]]으로 차폐한다.
−
<ol>
+
<gallery>
−
<li>2011/10 제조품. 김연재 고2 11월달 개통. 단말기금액 847,000원. 36개월 사용 약정
+
image:a710s01_090.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[OIS]], [[AF(자동초점)]]
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:kyj_gs2_001.jpg | 촬영날짜 17/05/21
+
image:a710s01_091.jpg
 +
image:a710s01_092.jpg
 +
image:a710s01_093.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
</ol>
 
−
</ol>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2022년 11월 21일 (월) 22:20 기준 최신판

삼성 갤럭시 A7, SM-A710S

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰 - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 사용자 설명서 A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) - 151p
    2. 외부 링크
      1. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A7(2016)
      2. 2015년 12월
    3. 분해제품 모델: , 제조연월 2017년 4월
      1. 사용주파수 (A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) 3개 모델 모두 똑같다.)
        1. LTE B1(2100), B3(1800), B5(850), B7(2600), B8(), B17
          1. Tx: 1920~1980, 1715~1785, 824~849, 2500~2540, 904.3~915, 704~716MHz
          2. Rx: 2110~2170, 1810~1880, 869~894, 2620~2660, 949.3~960, 734~746MHz
        2. 3G WCDMA B1(2100), B2(1900), B5(850)
          1. TX: 1922.8~1977.2, 1852.4~1907.6, 824~849MHz
          2. RX: 2112.8~2167.2, 1932.4~1987.6, 869~894MHz
        3. 2G
          1. GSM 900, TX: 880.2~914.8MHz, RX:925.2~959.8MHz
          2. DCS 1800, TX: 1710.2~1784.8MHz, RX: 1805.2~1879.8MHz
          3. PCS 1900, TX: 1850.2~1909.8MHz, RX: 1930.2~1989.8MHz
      2. 뒷면 메인카메라: 후면 OIS 지원 1,300만 화소 AF 및 LED 플래시
      3. 디스플레이: 139.3mm(5.484인치=5.5형) 16:9비율 1920x1080 super AMOLED
        1. 63.24um 피치로 계산된다.
      4. 지문센서:
      5. 무선충전 기능 없다.
  3. 핸드폰에서 충전 및 소모전류 측정
    1. 동작하지 않는 상태에서 충전만 하면, 12시간 동안 소비전류
      • a710s01 085.png

      • 배터리가 항상 충전되는 것이 아니라 충전과 충전 멈춤을 반복하는 현상이 발생되었다.

  4. 이 상태로 유지되는 고장품

    • ODIN MODE

  5. 뒷면 보호 유리를 뜯으면

    • 뒷면 보호유리. 9V 1.67A 고속충전을 지원한다. 유리에 글씨 인쇄하고, 분홍 페인트칠했다.

    • 뒷면 보호 유리를 뜯으면 검정 NFC관련 안테나와 배터리가 보인다. 우측 상단에 sub 및 GPS 안테나가 있다.(즉, 본체를 뒤집어야 하늘을 향한다.)

  6. 주기판에서 AP 면
    • a710s01 005.jpg
  7. AP+RAM 와 Flash
    1. 사진

      • 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB RAM, 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB

      • AP위에 PoP된 DRAM

      • a710s01 015.jpg

      • AP와 주기판 솔더볼, 왼쪽은 DRAM 솔더볼

    2. 모바일AP
      • a710s01 017.jpg

      • SAMSUNG Mobile Processor, Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm

      • 태우고 다이를 PCB 기판에서 들어 올리면

    3. DRAM, SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB

      • 모바일AP 위에 붙어 있는데 이를 뜯어서 태운 후,다이본딩면을 분리하면

      • 4개 다이를 쌓았다.

      • 다이 틈새로 Ball Stitch On Ball(BSOB) 와이어본딩한 것으로 추정된다.

    4. Flash Memory, Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB

      • 메모리 밑면에 형성된 솔더볼

      • 태우면. 좌상단에 별도 콘트롤러 IC가 보인다.

      • 두 다이를 쌓았다.

  8. 후면(+측면) 커버
    1. 상단 안테나
      1. 상단, 후면 커버에 PIFA 안테나가 형성되어 있다.
        • a710s01 069.jpg

        • >PBT-GF40< 내열성이 뛰어나고 단단한 복합수지

        • 안테나 동작을 위해 상단 금속 테두리 좌우에서 분리되어 있다.

      2. 뒤집으면

        • 왼쪽 sub 안테나, 오른쪽 깡통에 GPS 모듈

        • Ethertronics, AVX Group Company

    2. 측면 버튼 고정 방법
    3. 하단에 메인 PIFA 안테나가 들어있다.

      • 테두리 금속이 분리되어 있다. 상하 스프링 접점은 케이스 접지이고, 아래쪽 6개 녹슬지 않는 금 도금 단자가 안테나 단자로 추정

  9. 트랜시버 블록
    1. 트랜시버 IC
      1. SAMSUNG SHANNON 928P
        • a710s01 003.jpg
        • a710s01 003 001.jpg
      2. 솔더볼
        • a710s01 003 002.jpg
        • a710s01 003 003.jpg
      3. 다이
        • a710s01 003 004.jpg
        • a710s01 003 005.jpg
        • a710s01 003 006.jpg
    2. FEMiD
      1. 외관
      2. 내부

        • SAW 다이 11개를 사용함

        • 2칩 본딩품 3개는 세라믹 기판 사용품. 나머지는 5개 싱글다이는 모두 WLP SAW

      3. WLP SAW 어떤 다이-1
        1. 사진

          • ED03-A1

          • 되도록 빈땅없이 2차막을 많이 형성한다.

        2. tap 폭

          • tap 폭이 더 넓다.

          • tap 폭이 더 넓다. 주기 2.21um 쏘속도 3900m/sec라면 1765MHz

          • tap 폭이 일정하다. 주기 1.85um SAW속도 3900m/sec라면 2110MHz

        3. 분해시 빈틈으로 들어간 solder splash

          • 물길이 다 흐르도록

          • 2차막 전극 두께를 빛 반사

          • 솔더가 IDT에 닿아서 찍힌 자국

      4. WLP SAW 어떤 다이-2

        • 넓은 노랑 전극이 2차막

        • 분리된 벽 PR 이 칩쪽에 붙어 있다.

        • 금속 2차막 두께도 꽤 두껍다.

    3. SAW+LNA 모듈을 두 개 사용하고 있음.
      1. 1.5x1.1mm 크기
      2. VX 마킹된, B7 Rx 2655MHz LNA SAW module
        1. 전체
          • a710s01 010 003.jpg
          • a710s01 010 004.jpg
        2. LNA

          • J0310 NJG1165 H301

          • a710s01 010 006.jpg
          • a710s01 010 007.jpg
        3. SAW HG56BA3 MP5 KWH
          • a710s01 010 008.jpg
          • a710s01 010 009.jpg
          • a710s01 010 010.jpg

          • 주기 1.46um 중심주파수 2656MHz라면 SAW 속도는 3874/sec

      3. VU 마킹된, B1/4 Rx 2140MHz LNA SAW module
        1. 전체
          • a710s01 010 012.jpg
          • a710s01 010 013.jpg
        2. LNA

          • J0309 NJG1164

          • a710s01 010 018.jpg
        3. 스크라이버로 금그어 부러뜨린, LNA 절단면

          • 다이싱 짧은면

          • 검정무늬는 에폭시수지

          • 다이싱 긴면. 위면에서 스크라이버로 금긋고 부러뜨렸다.

          • a710s01 010 027.jpg
        4. SAW HG40AA3 RHO MP3 2140MHz

          • HG40AA3 RHO MP3 2140MHz

          • a710s01 010 015.jpg
          • a710s01 010 016.jpg
        5. 알루미나 기판에서 관찰한, Au stud, 초음파 플립본딩 상태

          • SAW 출력이 LNA 입력이다.

          • 웨이퍼 재질이 GaAs로 추정되는 LNA

          • SAW

          • SAW

          • SAW

    4. PAM

      • 무라다 회사에서 제조

      • 솔더링 패턴 동박 설계

      • 다이 4개 사용

    5. PAM 옆 1.4x1.1mm SAW-핸드폰RF

      • 무라다 회사에서 제조

      • 다이 패턴 촬영 실패

    6. SAW-핸드폰DPX, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
      1. 외관

        • 주변 매칭소자가 많다.

        • a710s01 076.jpg

        • 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.

      2. 몰딩 수지를 벗기면
        • a710s01 076 002.jpg
        • a710s01 076 003.jpg
      3. 솔더 플립본딩된 다이를 알루미나 기판에서 분리하면
        • a710s01 076 004.jpg
        • a710s01 076 005.jpg
      4. 다이
        • a710s01 076 006.jpg
        • a710s01 076 007.jpg

        • 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um

        • a710s01 076 009.jpg

        • TEG 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴

  10. 상단 우측 모서리, SUB ANT에 연결되는 Rx 스위치+SAW 모듈 근처에서
    1. 뒷면에 DPX가 있기 때문에 Tx 신호도 sub 안테나가 처리하는데, 이 SAW-모듈은 Tx를 처리하지 않는다.

      • 마킹 L6R0D W6028

      • 3P12T 스위치 두 개를 통해 추정

    2. Rx 스위치+SAW 모듈
      1. 분해 사진
        • a710s01 078.jpg

        • 1,2,3번 필터, 4 스위치,5,6번 LNA 표시

        • 동박 설계. 큰 패드를 4구획으로 나누어 솔더페이스트 납땜하면 가운데 공기가 막히는 것을 예방하기 위해서(??)

      2. 1번, SAW-핸드폰RF dual filter 1.5x1.1mm
        1. H942BA0 MP1 WJL
          • a710s01 078 001 001.jpg
          • a710s01 078 001 002.jpg
        2. H876BA3 MP3 WJL
      3. 2번, SAW-핸드폰RF dual filter 1.5x1.1mm
        1. H737AA3 MP2 LMH
          • a710s01 078 003 001.jpg
        2. HG56BA0 MP9 KRF KYH
      4. 3번, SAW-핸드폰RF dual filter 1.5x1.1mm
        1. 폴 연결 방법
          • a710s01 078 006 004.png
        2. HG60CC0 MP3 WJL
        3. HG40BC3 MP2 RHO
          • a710s01 078 006 001.jpg
          • a710s01 078 006 002.jpg

          • 플립본딩 때 범프볼이 금전극면과 접착(확산)되지 않았다.

      5. dual filter 1.5x1.1mm 알루미나 기판
        • a710s01 078 000 001.jpg
      6. 4번, 3P12T RF스위치IC 두 개, 안테나-스위치-SAW-LNA-스위치 구조인듯.
        • a710s01 078 007 001.jpg

        • YF19 T01 3P12T 라고 적혀있다.

        • 허용전력은 스위치가 OFF 상태에서 걸리는 Tx 최대 전압 vs breakdown 전압으로 결정되지, ON시 통과하는 전력을 고려하는 것은 아니다.

        • 스위치 회로. 선폭이 FET 갯수를 결정함. 선폭이 좁으면 FET가 많이 설치됨. 저항이 낮아진다. 대신 C값이 커진다.

      7. 5번, LNA 2개
        • a710s01 078 008 001.jpg
        • a710s01 078 008 002.jpg
      8. 6번, LNA 1개
        • a710s01 078 009 001.jpg
    3. SAW-핸드폰RF 1.1x0.9mm

      • VH: HG42AA0, LTE B3, 1842.5MHz

      • 2000x1333 pixel

      • 4260x2840 pixel

      • HG42AA0 MP3 KKS

      • 주기 2.17um 중심주파수 1842.5MHz 이므로 SAW 속도는 3993m/sec

      • 왼쪽: 사진제품, 오른쪽: 나라면 (입력접지는 입력으로. Y축에 긴 전극은 SAW필터에서 초전성 문제를 유발한다.)

    4. SAW-핸드폰DPX, Epcos 1.8x1.4mm
      1. 위치한 곳 및 외관

        • 위치

        • 하양 세라믹부품은 안테나와 다이버시트 모듈 사이에 위치하여 low,middle,high 밴드를 나누는 diplexer로 추정

      2. 표면 상단 수지막을 벗기면
        • a710s01 027.jpg

        • 다이 뒷면이 거칠지 않다.

        • 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.

        • EMC에서 둥근 실리카 필러 관찰

      3. 알루미나 기판에서 다이 분리
  11. 상단 좌측 모서리, WiFi에서
    1. 사용 WiFi
      1. WiFi 및 ANT+ (Garmin이 개발한 sports 및 fitness sensor용 저전력 2.4GHz 무선네트워크)
      2. 2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
      3. 5180~5240, 5260~5320, 5500~5620, 5745~5805 MHz(802.11a 및 802.11n) 참고로: 일명 기가와이파이라 불리는 802.11ac는 지원하지 않는다.
    2. WiFi 모듈(핸드폰)

      • BCM43454 HKUBG WiFi/BT, ANT+ 기능이 있다.

    3. SAW-WiFi
      1. 전체

        • 1.4x1.1mm 무라타 SAFEA2G45MB0F3K로 추정

      2. 칩은 튕겨져 분실되고 패키지에 형성된 플립본딩 분리면을 자세히 관찰함.
        1. 전체
          • a710s01 012 001.jpg
        2. 왼쪽 아래

          • stud bump에서 꼬리가 약간 길 때 발생되는 듯.

          • 파인애플

        3. 왼쪽 위
          • a710s01 012 004.jpg
          • a710s01 012 005.jpg
        4. 가운데 위

          • 2595x2841 pixels, 가로 110um 세로 120um 타원형 크기

  12. 상단 중앙, GPS 관련
    1. GPS-IC

      • 위치

      • BCM47522iUB2G GPS-IC 및 무라타 1.1x0.9mm GPS SAW 필터

    2. SAW-GPS 무라타 1.1x0.9mm

      • DH69-A1

      • Series resonator의 Tap만 두껍다. 그러나 Shunt resonator Tap 폭은 IDT 폭과 동일하다.

      • 주기 2.45um (추정 주파수 약 1650MHz)

      • 다이를 볼 때(파인애플 속 꼭지)

    3. 플립본딩 본딩 분리면 관찰 (서로 다른 접합면에서 각각 사진을 찍음)

      • 그림설명. 파단면에서 아래를 바라볼 때, 위를 쳐다볼 때

      • 아래를 바라볼 때(패키지면)

      • 위를 쳐다볼 때(다이면)

  13. 배터리 전류 게이지용 SMD타입 전류검출용R
    1. 외관

      • 위치

      • 마킹 재료는 수지 잉크

    2. 수지 벗기고
    3. 천공
      • a710s01 036.jpg

      • laser perforation pitch = 10um

  14. NFC 안테나 및 MST 안테나
    1. 무선충전 기능 없다.
    2. 안테나 위치

      • 뒷면 보호 유리를 뜯으면 검정 NFC관련 안테나와 배터리가 보인다. 우측 상단에 sub 및 GPS 안테나가 있다.(즉, 본체를 뒤집어야 하늘을 향한다.)

    3. 페라이트 시트가 붙어 있는 안테나 분석
      1. 외관, 점점이 4개인데, 2개는 NFC, 2개는 MST용이다.

        • 본체쪽에는 페라이트 시트가 붙어 있다.

        • 뚜껑쪽에는 코일면이다. A7 REV.04A H8643S (한솔테크닉스 제작?)

      2. 차폐 시트를 뜯어보면, (페라이트 재질이 아니므로 페라이트 시트라고 하지 않는다.)비정질 합금(아몰퍼스 amorphous alloy) (Nanocrystalline로 표현하기도 한다.)로 추정

        • 두께 100~150um 로 추측

      3. 안테나 코일 시트, 앞 뒤 표면에 붙어 있는 검정색 보호 테이프를 제거한 후 촬영

        • Tx기기와 잘 위치 매칭되기 위해 개구부를 넓힌다. 또한 L값을 키우기 위해 크게 돌린다.

        • a710s01 040 002.jpg
      4. 양면 연결. 저항을 낮추기 위해서 양면 코일을 병렬로 연결함.
        • a710s01 040 003.jpg
        • a710s01 040 004.jpg
    4. MST(Magnetic secure transmission) 칩은 Zinitix 지니틱스 회사의 ZF110
      • a710s01 087.jpg

      • 높은 전류를 갖는 펄스 파형을 방출해야 하므로 Au 볼 와이어본딩을 여러 번했다.

      • a710s01 089.jpg

      • 다이 표면을 더 갈아(??)보니

  15. 금속각형 2차-리튬, Prismatic Cell, 각기둥 셀
    1. 알머스 회사는 일본에서 깡통 사와서 단자 용접하고 라벨만 붙여서 삼성전자에 납품하는 듯
      • a710s01 004.jpg

      • 충전 전압 4.4V 공칭 3.85V이다. (지금까지 이전 배터리는 4.2V 3.7V)

      • EB-BA710ABA, 12.71Wh, 제조년월 2017 04, cell made in JAPAN, 제조자: YoungBo Vina Co., Ltd. (영보엔지니어링 회사 상호는 알머스로 변경됨.)

    2. 보호회로가 없다.
      • a710s01 044.jpg

      • 아무런 보호부품 및 회로가 없다.

    3. 배터리 충방전 실험
      1. 2A 충방전 실험 2021/03/11 16:00 종료. 100회 연속 사용시 에너지 용량이 줄어들지 않는다.

        • 최초 5회 충방전. 4.2V +2A 0.5A까지, -2A 3.36V까지

        • 이후 100회 충방전

        • 24시간 단위로. 사무실 온도가 가장 높을 때 가장 큰 에너지를 사용한다.

        • 충방전 효율. 주변 온도에 의존한다. 약 85%이다.

      2. 5A 충방전 실험

        • 충전 에너지 11.5Wh, 방전 에너지 6.1Wh, 효율 53%

        • 내부저항 5A에서 전압강하 0.4V이므로 0.08오옴

        • 충방전 효율이 85% @2A 에서 53% @5A로 떨어진 이유는 열이 많이 나므로

        • 스테인리스 깡통 온도 적외선 측정은 곤란

        • 4와이어 측정이므로, 바깥 가는 전류선은 뜨거워진다.

  16. 마이크로 스피커
    1. 5가지 상태

      • 상태1(원래)

      • 상태2(메인홀 막고)

      • 상태3(벤트홀 막고)

      • 상태4(백볼륨 파괴)

      • 상태5(전면 파괴)

    2. 분해하면서 임피던스 측정
        1. 1 정상상태에서 임피던스, 위상
        1. 1,2,3,4,5 상태에서 임피던스
    3. 임피던스 해석
      1. 6차 밴드패스 스피커이다.
        1. closed box(스피커 뒷쪽이 막힌)에 넣은 후, 소리 출구에만 tube가 형성되면 4차 band pass 필터가 된다.
        2. 여기에 back volume에도 튜브를 만들어 뚫으면, 6차 band pass 필터가 된다. 즉, 위 스피커는 6차 B.P 이다.
      2. 6차 BP 구조를 만드는 이유
        1. back volume에 구멍을 뚫으면 저주파가 강화된다.
        2. 4차 BP이면 고주파가 약화되고, 저주파가 더 강화된다.
      3. open air(상태 #5)에서는 임피던스 공진이 하나만 나온다.
        1. Ported Bass-Reflex 상태이면 공진이 두 개 나온다.
        2. 두 공진점에서 가장 낮은지점을 보이는 주파수가 공진주파수로 정의된다.
        3. 두 임피던스 공진점 높이가 같으면 매치상태. 저주파 피크가 높으면 박스 공진주파수가 (드라이버 공진주파수보다???) 더 높다.
        4. 고주파 피크 임피던스가 크면, 박스 공진주파수가 (드라이버 공진주파수보다???) 더 낮다.
      4. tube가 길고 복잡하면 여러개의 공진 피크가 측정된다.
  17. 전면 패널(OLED가 붙어 있는)
    1. 상단 "전면 패널"에는 RF 안테나 없음.
      • a710s01 051.jpg
    2. 하단에는
      • a710s01 052.jpg
  18. 물이 들어가 부식
    • a710s01 008.jpg
  19. OLED 디스플레이(아래)와 코어 6063(?) 알루미늄 프레임(단조?)(위) 분리하면
    1. 사진

      • OLED 패널(아래)과 코어 금속 프레임(위)을 분리하면

      • OLED 패널에 정전식 터치스크린 콘트롤러 IC가 붙어 있다.

    2. OLED 패널 유리 뒷면에 검정 테이프를 붙이고, 다시 그 위에 히트 스프레더용 (적당히 두꺼운)구리테이프를 붙였다.
      • a710s01 056.jpg
    3. 중간 알루미늄 프레임에 수지를 인서트 사출

      • 금속 프레임 주변으로 수지 사출하였다.

      • 위, 아래에는 안테나를 위해서 일정 길이(면적)를 갖는 수지 영역이 필요하다.

      • NEW A7 V6-2 >PPA-GF50< Polyphthalamide 폴리프탈아미드+Glass Fiber 50% 수지

      • 금속 테두리 가장자리로 사출(아마 측면 낙하 충격 흡수를 위해)

  20. 정전식 터치스크린

    • SAMSUNG S6SMC44X S1727-PTK 터치콘트롤러

    • 강화유리, TSP유리, OLED유리 이렇게 붙어 있는데, 이중에서 TSP 유리만 뜯어서 촬영

  21. OLED 패턴
    1. 픽셀 배열은 다이아몬드 형태 RG-BG 펜타일 서브픽셀 방식을 사용한다.
    2. 사진

      • 가로 피치 65um 세로 피치 32.5um

      • a710s01 059.jpg

      • 가로세로 피치 ~65um

    3. DDI 플립본딩

      • 여러 개 TEG 중 하나

      • anisotropic conductive paste(ACP;비등방성 도전성 페이스트) 본딩 알갱이(금도금의 구형태 수지)를 관찰할 수 있다.

      • 흰선투명박스-유리, 노랑박스-DDI

      • a710s01 064.jpg
  22. 코인타입 ERM 진동모터

    • ERM이므로 햅틱 기능이 없다.

    • a710s01 081.jpg
    • a710s01 082.jpg

    • 잉크R 3개가 인쇄로 발라져 있다.

    • 전압을 서서히 올리면 부드럽게 잘 돈다.

  23. 뒷면 메인카메라: OIS, AF 지원 1,300만 화소
    1. 카메라 드라이버 IC는 실드 깡통으로 차폐한다.
      • a710s01 090.jpg
    2. OIS, AF(자동초점)
      • a710s01 091.jpg
      • a710s01 092.jpg
      • a710s01 093.jpg
원본 주소 "http://www.togotech.co.kr/index.php?title=SM-A710S&oldid=62905"